含有铁电晶体管的集成组合件，以及形成集成组合件的方法与流程

技术特征：
1.一种铁电晶体管，其包括：作用区域，其包含第一源极/漏极区域、垂直偏离所述第一源极/漏极区域的第二源极/漏极区域，以及位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间的沟道区域；第一导电栅极，其可操作地邻近所述作用区域的所述沟道区域；绝缘材料，其位于所述第一导电栅极与所述沟道区域之间；第二导电栅极，其邻近所述第一导电栅极，所述第二导电栅极在垂直上比所述第一导电栅极短；及铁电材料，其位于所述第一导电栅极与所述第二导电栅极之间。2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中：所述作用区域沿着横截面具有一对相对的表面；所述第一导电栅极邻近所述相对的表面中的一个且导电结构邻近所述相对的表面中的另一个；所述导电结构与所述沟道区域垂直重叠；且所述绝缘材料为第一绝缘材料，且第二绝缘材料位于所述导电结构与所述沟道区域之间。3.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述导电结构经配置以从所述沟道区域排出多余的载流子，且因此减轻浮体效应。4.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述第一及第二绝缘材料包括彼此相同的组合物。5.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述第一及第二绝缘材料包括相对于彼此不同的组合物。6.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述第二导电栅极的上部表面与所述第一导电栅极的上部表面处于约相同的高度。7.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料在所述第一导电栅极上面延伸。8.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料不在所述第一导电栅极上面延伸。9.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括硅。10.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括半导体氧化物。11.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括铟、镓、锌及氧。12.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料具有与其相关联的平均晶粒大小，且其中所述第二导电栅极具有为所述平均晶粒大小至少约两倍大的垂直长度。13.根据权利要求12所述的铁电晶体管，其中所述平均晶粒大小为至少约10nm。14.一种集成组合件，其包括：第一比较数字线；立柱，其从所述第一比较数字线向上延伸，所述立柱包括半导体材料；所述立柱中的每一个按升序包含第一源极/漏极区域、沟道区域及第二源极/漏极区；所述第一源极/漏极区域与所述第一比较数字线耦合；第二比较数字线，其与所述第二源极/漏极区域耦合；所述第一及第二比较数字线通过
感测放大器电路系统彼此比较地耦合；所述立柱中的每一个沿着横截面具有第一侧壁表面及相对的第二侧壁表面；门控结构，其邻近所述第一侧壁表面且与所述沟道区域垂直重叠；所述门控结构中的每一个包含为电浮动的第一组件、与驱动器电路系统耦合的第二组件以及在所述第一组件与所述第二组件之间的铁电材料；及导电结构，其邻近所述第二侧壁表面且与所述沟道区域垂直重叠，所述导电结构经配置以从所述沟道区域排出多余的载流子，且因此减轻浮体效应。15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述导电结构耦合到参考电压源，且其中所述参考电压源处于在从大于或等于接地到小于或等于vcc/2的范围内的电压。16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括硅。17.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括半导体氧化物。18.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括铟、镓、锌及氧。19.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述立柱中的第一个的所述第一侧壁表面面对所述立柱中的第二个的所述第一侧壁表面，其中所述立柱中的所述第一个及所述第二个是彼此相邻。20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述门控结构中的第一个邻近所述立柱中的所述第一个的所述第一侧壁表面，且所述门控结构中的第二个邻近所述立柱中的所述第二个的所述侧壁表面；且其中所述门控结构中的所述第一个及所述门控结构中的所述第二个大体上是彼此的镜像。21.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述立柱沿着所述数字线具有节距，其中所述节距小于或等于约50nm。22.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述立柱中的第一个的所述第二侧壁表面面对所述立柱中的第二个的所述第二侧壁表面，其中所述立柱中的所述第一个及所述第二个是彼此相邻。23.根据权利要求22所述的集成组合件，其中所述导电结构中的一个位于所述立柱中的所述第一个与所述立柱中的所述第二个之间，且其中所述导电结构中的所述一个经配置以从所述立柱中的所述第一个内的沟道区域及所述立柱中的所述第二个内的沟道区域两者排出多余的电荷。24.根据权利要求14所述的集成组合件，其中：所述立柱中的每一个在铁电晶体管内；所述铁电晶体管在存储器阵列内，且对应于存储器单元；字线包括所述门控结构的所述第二组件；所述第一及第二比较数字线一起是一组配对的第一及第二比较数字线，其中所述配对组是许多大体上相同的配对的第一及第二比较数字线组中的一个；且所述存储器单元中的每一个通过所述字线中的一个与所述配对的第一及第二比较数字线组中的一个的组合来唯一地寻址。25.根据权利要求24所述的集成组合件，其中所述存储器阵列在多层组合件的一层内。26.根据权利要求25所述的集成组合件，其中所述存储器阵列在所述多层组合件内的cmos电路系统上方。
27.根据权利要求25所述的集成组合件，其中所述存储器阵列在所述多层组合件内的字线驱动器电路系统及感测放大器电路系统中的一个或两个上方。28.一种形成集成组合件的方法，其包括：形成堆叠，所述堆叠包括上部导电材料、下部导电材料及位于所述上部导电材料与所述下部导电材料之间的半导体材料；将所述堆叠图案化成第一线性结构；所述第一线性结构沿着第一方向延伸；所述第一线性结构的底部部分为导电线且包括所述下部导电材料；所述第一线性结构的上部部分包括所述半导体材料及所述上部导电材料；在所述第一线性结构之间形成第一绝缘材料；将所述第一绝缘材料及所述第一线性结构的所述上部部分图案化成第二线性结构；所述第二线性结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；所述第二线性结构的区域在所述导电线上方；所述第二线性结构包括沿着所述第二方向彼此交替的第一柱状结构及第二柱状结构；所述第一柱状结构包括所述第一线性结构的所述上部部分，且所述第二柱状结构包括所述第一绝缘材料；在所第二线性结构之间形成第一绝缘台阶；沿着所述第二线性结构的侧壁表面形成第二绝缘材料；形成邻近所述第二绝缘材料且由所述第一绝缘台阶支撑的第一导电栅极组件；在所述第一导电栅极组件之间形成第二绝缘台阶；沿着所述第一导电栅极组件的侧壁形成铁电材料；形成邻近所述铁电材料且由所述第二绝缘台阶支撑的第二导电栅极组件；及将所述第一柱状结构分成立柱；所述立柱布置成阵列；所述第一及第二导电栅极组件沿着所述阵列的行延伸，且所述导电线沿着所述阵列的列延伸。29.根据权利要求28所述的方法，其中所述半导体材料包括硅。30.根据权利要求28所述的方法，其中所述半导体材料包括半导体氧化物。31.根据权利要求28所述的方法，其中所述导电线为第一组数字线，且所述方法进一步包括将所述立柱的所述上部导电材料耦合到所述数字线的第二组，所述第二组的数字线与所述第一组的数字配对；所述配对的数字线通过感测放大器电路系统彼此比较地耦合。32.根据权利要求31所述的方法，其进一步包括将所述第二导电栅极组件耦合到字线驱动器电路系统。33.根据权利要求28所述的方法，其中所述将所述柱状结构分成所述立柱包括形成延伸到所述柱状结构的中心区域中的间隙；其中所述立柱中的每一个具有垂直地在上部源极/漏极区域与下部源极/漏极区域之间的沟道区域；且所述方法进一步包括在所述间隙内形成导电结构，所述导电结构经配置以从所述沟道区域排出多余的载流子，且因此减轻浮体效应。34.根据权利要求28所述的方法，其中所第一线性结构具有第一节距，且其中所述第二线性结构具有第二节距，所述第二节距约为所述第一节距的两倍。35.根据权利要求28所述的方法，其中所述铁电材料经形成以延伸超过所述第一导电栅极组件的所述侧壁，其中所述铁电材料的一些经形成以直接邻近所述第二绝缘材料。

技术总结
本申请案涉及含有铁电晶体管的集成组合件，及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有作用区域的铁电晶体管，所述作用区域包含第一源极/漏极区域、垂直偏离所述第一源极/漏极区域的第二源极/漏极区域，以及位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间的沟道区域。第一导电栅极可操作地邻近所述作用区域的所述沟道区域。绝缘材料位于所述第一导电栅极与所述沟道区域之间。第二导电栅极邻近于所述第一导电栅极。铁电材料位于所述第一导电栅极与所述第二导电栅极之间。一些实施例包含集成存储器。一些实施例包含形成集成组合件的方法。合件的方法。合件的方法。


技术研发人员：P
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2022/2/24