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半导体结构的制作方法

2022-03-01 21:11:32 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种半导体结构,包括:一第一通道构件和一第二通道构件,该第二通道构件设置在该第一通道构件上;一第一通道延伸部件,耦接至该第一通道构件;一第二通道延伸部件,耦接至该第二通道构件;以及一内间隙物部件,设置在该第一通道延伸部件与该第二通道延伸部件之间。

技术总结
本公开提供一种半导体结构。根据本发明实施例的半导体结构包含第一通道构件和设置在第一通道构件上的第二通道构件,耦接至第一通道构件的第一通道延伸部件,耦接至第二通道构件的第二通道延伸部件,以及设置在第一通道延伸部件与第二通道延伸部件之间的内部间隙物部件。部件。部件。


技术研发人员:赖韦仁 吕伟元 尤志豪 林家彬
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日:2021.08.16
技术公布日:2022/2/28
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