掩膜及有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法与流程

技术特征：
1.一种光刻掩膜，其特征在于，所述光刻掩膜的图案区域包括第一图案区域和第二图案区域，所述第二图案区域位于所述第一图案区域的外周侧；且所述第二图案区域的掩膜图案的关键尺寸基于所述光刻掩膜图案区域的外边界到所述图案区域中轴的距离，以及所述距离和尺寸补偿值的对应关系调整得到。2.一种有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，包括：提供光刻掩膜；得到所述光刻掩膜图案区域的外边界到所述图案区域中轴的距离，得到所述距离和尺寸补偿值的对应关系；其中，所述图案区域包括第一图案区域和第二图案区域，所述第二图案区域位于所述第一图案区域的外周侧；根据距离确定尺寸补偿值，并根据尺寸补偿值至少对第二图案区域内的掩膜图案进行补偿，得到修正光刻掩膜，并使所述修正光刻掩膜的关键尺寸被调整至预设值内；基于所述修正光刻掩膜进行光刻。3.如权利要求2所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，根据下式计算进行补偿后的所述修正光刻掩膜的关键尺寸：cd2＝cd1
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cd；其中，cd1为所述光刻掩膜的初始关键尺寸，cd2为进行补偿后的所述修正光刻掩膜的关键尺寸，
△
cd为所述尺寸补偿值。4.如权利要求3所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，当所述距离大于零且小于等于第一阈值时，
△
cd＝a，a为任意常数。5.如权利要求4所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，当所述距离大于所述第一阈值且小于等于第二阈值时，其中x为所述距离，c、x0和μ为任意常数。6.如权利要求5所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，当所述距离大于所述第二阈值时，所述
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cd＝b，b为任意常数。7.如权利要求6所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，a、b、c、x0、μ、所述第一阈值和所述第二阈值均为根据所述初始关键尺寸和/或所述距离确定的常数。8.如权利要求1-7任一项所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，所述光刻掩膜图案区域包括多个间隔设置的子图案，所述根据所述尺寸补偿值至少对所述第二图案区域内的掩膜图案进行补偿，包括：减小至少一个所述子图案的关键尺寸；和/或增大至少两个相邻的所述子图案之间的子图案间隙的关键尺寸；和/或增大所述子图案与所述第一图案区域内的子图案之间的子图案间隙的关键尺寸。9.如权利要求1-7任一项所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，所述图案区域的形状包括圆形、椭圆形或多边形。10.如权利要求9所述的有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，其特征在于，当所述图案区域定义为矩形时，根据所述尺寸补偿值调整所述掩膜图案的关键尺寸，包括：将所述第二图案区域周侧划分为四条边和四个角，在四条边和四个角处分别根据所述
尺寸补偿值调整所述掩膜图案的关键尺寸。

技术总结
本发明公开了一种有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，包括：提供光刻掩膜；得到光刻掩膜图案区域的外边界到图案区域中轴的距离；得到距离和尺寸补偿值的对应关系；其中，图案区域包括第一图案区域和位于其外周侧的第二图案区域；根据距离与距离和尺寸补偿值的对应关系确定尺寸补偿值，进而至少对第二图案区域内的掩膜图案进行补偿，得到修正光刻掩膜，进行光刻。本方案第二图案区域内的掩膜图案的关键尺寸被补偿，在利用修正光刻掩膜进行光刻时，可以有效地减小光刻掩膜黑边界效应对光刻带来的影响，使半导体器件的关键尺寸保持在预设值范围内，进而提高半导体器件的性能。本发明还公开了一种光刻掩膜。明还公开了一种光刻掩膜。明还公开了一种光刻掩膜。


技术研发人员：王栋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.09.08
技术公布日：2022/3/7