有机发光显示器及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示器及其制备方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)显示器是当今平板显示器的热点之一。与液晶显示器(liquid crystal display，简称lcd)相比，oled显示器具有能耗低、生产成本低、自发光、视角宽及响应速度快等优点。目前，在移动电话、个人数字助理pda、数码相机等电子设备中，oled显示器已经开始取代传统的lcd显示屏。像素电路设计是oled显示器的核心技术内容。
3.oled有机发光显示器中通常采用薄膜晶体管构建像素电路，为有机发光二极管提供相应的驱动电流。但是由于制造工艺的局限性，像素电路中的薄膜晶体管常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会造成oled的驱动电流差异和亮度差异。
4.此外，在大尺寸显示应用中，由于背板电源线存在一定的电阻，且所有像素单元的驱动电流都由同一电源线提供，因此在背板中靠近电源供电位置区域的电源电压要比距离供电位置较远区域的电源电压要高，这种现象被称为压降(ir drop)。由于像素单元的驱动电流与电源电压相关，ir drop会造成不同区域的驱动电流差异，进而使得不同区域的oled出现亮度不均的现象。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于，提供一种有机发光显示器及其制备方法，以解决现有薄膜晶体管在驱动过程中驱动电流与电源电压发生偏差，导致显示不均匀的技术问题。
6.为实现上述目的，本发明提供一种有机发光显示器，所述有机发光显示器定义有显示区及围绕所述显示区的非显示区，所述有机发光显示器还包括：基板，从所述显示区延伸至所述非显示区，其中，在所述基板对应所述非显示区的位置开设有至少一通孔；显示膜层，设于所述基板的一侧表面，且位于所述显示区；金属层，设于所述基板远离所述显示膜层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述非显示区；面阴极层，覆盖于所述显示膜层并延伸至所述基板的表面，且从所述显示区延伸至所述非显示区；以及连接层，填充所述通孔，用以连接所述面阴极层与所述金属层。
7.进一步地，所述显示膜层包括一像素电路结构，所述像素电路结构包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极连接第一节点，所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压，所述第一薄膜晶体管的源极连接第二节点；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极连接写入信号线，所述第二薄膜晶体管的漏极接入数据信号线，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述第一节点；储电容，其一端连接所述第一节点，其另一端连接所述第二节点；以及发光元件，其阳极端连接所述第二节点，其阴极连接接地端。
8.进一步地，所述面阴极层包括至少一面阴极网络结构，连接于所述发光元件的阴
极与所述接地端之间；所述金属层包括至少一金属网络结构，并联连接至所述面阴极网络结构。
9.进一步地，所述金属网络结构的电阻小于所述面阴极网络结构的电阻。
10.进一步地，所述像素电路结构还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极连接读取信号线，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述第二节点，所述第三薄膜晶体管的漏极连接监控信号线。
11.进一步地，所述的有机发光显示器还包括：保护层，设于所述金属层远离所述基板的一侧表面，延伸至所述金属层的边侧，且从所述显示区延伸至所述非显示区。
12.进一步地，所述金属层所用的材质包括铝、铜、钼、银、镁、钛中的至少一种；所述金属层的厚度为200-1000nm；所述连接层所用的材质包括银胶、氧化铟锡、铜中的至少一种。
13.进一步地，所述通孔的形状包括方形、圆形、多边形中的一种。
14.为实现上述目的，本发明还提供一种有机发光显示器的制备方法，所述有机发光显示器定义有显示区及围绕所述显示区的非显示区，所述方法包括如下步骤：形成显示膜层于基板的一侧表面，且位于所述显示区；形成面阴极层于所述显示膜层的一侧表面，且延伸至所述基板的表面，所述面阴极层从所述显示区延伸至所述非显示区；翻转形成有所述显示膜层、所述面阴极层的基板；形成至少一通孔于所述基板对应所述非显示区的位置；形成连接层于所述通孔内；以及形成金属层设于所述基板远离所述显示膜层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述非显示区；其中，所述连接层用以连接所述面阴极层与所述金属层。
15.进一步地，所述的有机发光显示器的制备方法还包括：形成保护层于所述金属层远离所述基板的一侧表面，且延伸至所述金属层的边侧，其中所述保护层从所述显示区延伸至所述非显示区。
16.本发明的技术效果在于，提供一种有机发光显示器及其制备方法，通过在有机发光器的背面设置一具有金属网络结构的金属层，并且在非显示区的任意一位置开设一通孔，该金属网络结构通过该通孔连接至有机发光器正面设置的面阴极网络结构，以使面阴极网络结构与金属网络结构相互并联连接，以降低有机发光器阴极的阻抗，降低压降，使显示亮度更加稳定、均一性更佳，从而改善显示画面的显示质量。
附图说明
17.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
18.图1为本技术实施例提供的有机发光显示器的平面图。
19.图2为图1沿a-a方向的剖面图。
20.图3为本技术实施例提供的像素电路结构的结构示意图。
21.图4为本技术实施例提供的机发光显示器的制备方法的流程图。
22.图5为本技术实施例提供的显示膜层形成的结构示意图。
23.图6为本技术实施例提供的面阴极层形成的结构示意图。
24.图7为本技术实施例提供的通孔形成的结构示意图。
25.图8为本技术实施例提供的保护层形成的结构示意图。
26.附图部件标识如下：
27.100、有机发光器；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
101、显示区；
28.102、非显示区；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
1、基板；
29.10、通孔；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2、显示膜层；
30.3、金属层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
4、连接层；
31.5、面阴极层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
6、保护层；
32.20、像素电路结构；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
21、阵列基板；
33.22、oled发光层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30、金属网络结构；
34.50、面阴极网络结构；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
t1、第一薄膜晶体管；
35.t2、第二薄膜晶体管；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
t3、第三薄膜晶体管；
36.cst、存储电容；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
oled、发光元件；
37.q、第一节点；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
t、第二节点。
具体实施方式
38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.如图1所示，本实施例提供一种有机发光显示器，有机发光显示器定义有显示区101及围绕显示区101的非显示区102。
40.如图2所示，有机发光显示器包括基板1、显示膜层2、金属层3、连接层4、面阴极层5以及保护层6。
41.结合图1-图2所示，基板1从显示区101延伸至非显示区102。其中，基板1在位于非显示区102的位置开设有至少一通孔10。其中，基板1优选为柔性的pi基板1，但不限于其他材质的基板1。通孔10的形状包括方形、圆形、多边形中的一种。该通孔10可以围绕显示区101设置，也可以仅仅设置在显示区101的某一侧。通孔10的排布方式可以为有序间隔设置的，也可以为无序间隔设置的，在此不做特别的限定。
42.显示膜层2设于基板1的上表面，且位于显示区101。显示膜层2包括阵列基板21及设于阵列基板21上的oled发光层22。阵列基板21包括一薄膜晶体管层，每一薄膜晶体管包括有源层、栅极层以及源漏极层，以形成多个薄膜晶体管。
43.金属层3设于基板1的下表面，且从显示区101延伸至非显示区102。金属层3所用的材质包括铝、铜、钼、银、镁、钛中的至少一种，厚度为200-1000nm。其中，金属层3可以整面沉积于基板1的下表面，当然，该金属层3可以为金属网格结构的图案。
44.面阴极层5设于显示膜层2的上表面，且从显示区101延伸至非显示区102。具体的，面阴极层5覆盖于显示膜层2，且从显示膜层2的上表面延伸至基板1的上表面。面阴极层5所采用的材质为半透半反材料，如mgag，izoag，itoag等，厚度为10-50nm。
45.连接层4填充通孔10，用以连接面阴极层5与金属层3。连接层4所用的材质包括银
胶、氧化铟锡、铜中的至少一种，优选采用点银胶的方式形成连接层4，以使得面阴极层5固定连接至金属层3同时，还能降低发光显示器的阴极的压降，以进一步提高有机发光显示器的显示品质。
46.保护层6设于金属层3的下表面，且延伸至金属层3的边侧，所述保护层6从显示区101延伸至非显示区102。为防止有机发光器100的背面的金属层3被损坏、腐蚀，同时防止水汽从通孔10处入侵破坏发光元件oled的阴极，采用化学气相沉积、喷墨打印的至少一种方式在金属层3的下表面形成无机、有机的封装层，即保护层6，或者直接在金属层3的下表面贴附具有防腐蚀、阻隔水氧等性能的保护层6。
47.进一步地，如图3所示，显示膜层2包括一像素电路结构20，像素电路结构20可以为3t1c、4t1c、5t1c等像素电路结构。在此，以3t1c的结构展开说明，3t1c像素电路结构包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3、存储电容cst以及发光元件oled。
48.具体的，第一薄膜晶体管t1的栅极连接第一节点q，第一薄膜晶体管t1的漏极接入电源电压，第一薄膜晶体管t1的源极连接第二节点t。
49.第二薄膜晶体管t2的栅极连接写入信号线wr，第二薄膜晶体管t2的漏极接入数据信号线data，第二薄膜晶体管t2的源极连接第一节点q。
50.第三薄膜晶体管t3的栅极连接读取信号线，第三薄膜晶体管t3的源极连接第二节点t，第三薄膜晶体管t3的漏极连接监控信号线ref。
51.存储电容cst的一端连接第一节点q，其另一端连接第二节点t。
52.发光元件oled的阳极端连接第二节点t，其阴极连接接地端vss。
53.参照图3，面阴极层5包括至少一面阴极网络结构50，连接于发光元件oled的阴极与接地端vss之间。
54.金属层3包括至少一金属网络结构30，并联连接至面阴极网络结构50，可大幅降低有机发光器阴极vss的阻抗，从而降低发光显示器的阴极的压降(ir drop)。
55.金属网络结构30的电阻小于面阴极网络结构50的电阻。进一步地，面阴极层5的面电阻r1大约为2-10ω/
□
(方阻)，金属层3的面电阻r2约为0.02-0.2ω/
□
。因此，本实施例通过将金属层3与面阴极层5并联，可大幅降低有机发光器100阴极vss的阻抗，降低压降(ir drop)，使显示亮度更加稳定、均一性更佳，从而改善显示画面的显示质量。
56.目前为了降低有机发光器的压降的方式包括如下两种：
57.在制备源漏极层或者栅极层时，在非显示区形成与源漏极层或者栅极层同层设置的金属层；第二在显示区与源漏极层或者栅极层同层设置的金属层连接。
58.然而，以上两种方式都存在一些不足。其中，采用第一方式或者第二种方式形成的金属层，均为图案化的金属层，该图案化的金属层的阻抗相较于本实施例的整面金属层阻抗还是比较大。另外，采用图案化的金属层设计有机发光器会占用设计空间，不利于窄边框、高ppi像素设计。
59.因此，本实施例提供一种有机发光显示器，通过在有机发光器100的背面设置一具有金属网络结构30的金属层3，并且在非显示区102的任意一位置开设一通孔10，该金属网络结构30通过该通孔10连接至有机发光器100正面设置的面阴极网络结构50，以使面阴极网络结构50与金属网络结构30相互并联连接，以降低有机发光器100阴极的阻抗，降低压降，使显示亮度更加稳定、均一性更佳，从而改善显示画面的显示质量。
60.如图4所示，本实施例还提供一种有机发光显示器的制备方法，包括如下步骤s1)-s7)。
61.s1)形成显示膜层2于基板1的一侧表面，且位于显示区101。
62.具体的，如图5所示，基板1优选为柔性的pi基板1，但不限于其他材质的基板1。显示膜层2包括阵列基板21及形成于阵列基板21上的oled发光层22。阵列基板21包括一薄膜晶体管层(图未示)，每一薄膜晶体管包括有源层、栅极层以及源漏极层，以形成多个薄膜晶体管。
63.s2)形成面阴极层5于显示膜层2的一侧表面，且延伸至基板1的表面，面阴极层5从显示区101延伸至非显示区102，参照图6。
64.具体的，面阴极层5覆盖于显示膜层2，且从显示膜层2的上表面延伸至基板1的上表面。面阴极层5所采用的材质为半透半反材料，如mgag，izoag，itoag等，厚度为10-50nm。
65.s3)翻转形成有显示膜层2、面阴极层5的基板1。
66.s4)形成至少一通孔10于基板1对应非显示区102的位置，参照图7。
67.具体的，通过激光对基板1进行开孔，以形成通孔10。通孔10的形状包括方形、圆形、多边形中的一种。
68.s5)形成连接层4于通孔10内，参照图7。
69.具体的，沉积导电材料于通孔10内，以形成连接层4。导电材料包括银胶、氧化铟锡、铜中的至少一种。优选地，采用点银胶的方式在通孔10内形成连接层4，以使得面阴极层5固定连接至金属层3同时，还能降低发光显示器的阴极的压降，以进一步提高有机发光显示器的显示品质。
70.s6)形成金属层3设于基板1远离显示膜层2的一侧表面，且从显示区101延伸至非显示区102，参照图8。
71.具体的，沉积金属采用于基板1的远离显示膜层2的一侧表面，金属层3通过连接层4连接至面阴极层5，以使得金属层3的金属网络结构30与面阴极层5的面阴极网络结构50相互并列连接，进而降低有机发光器阴极vss的阻抗，从而降低发光显示器的阴极的压降(ir drop)。
72.s7)形成保护层6于金属层3远离基板1的一侧表面，且延伸至金属层3的边侧，其中保护层6从显示区101延伸至非显示区102，参照图8。
73.具体的，采用化学气相沉积、喷墨打印的至少一种方式在金属层3的上表面沉积有机、无机材料，形成一致密性的保护层6，以保护金属层3，参照图8，最后通过翻转就可以得到如图2所示的有机发光器的结构。该有机材料包括聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的一种或多种。无机材料包括氧化硅、氮化硅的一种或多种。有机材料和无机材料的作用是用于防止有机发光器100的背面的金属层3被损坏、腐蚀，同时防止水汽从通孔10处入侵破坏发光元件oled的阴极。
74.本技术有机发光器100的制备方法的制备顺序可以根据用户需求制备。
75.在其他实施方式中，有机发光器100的制备方法的制备顺序可以为：形成至少一通孔10于基板1对应非显示区102的位置；形成显示膜层2于基板1的一侧表面，且位于显示区101；形成连接层4于通孔10内；形成面阴极层5于显示膜层2的一侧表面，延伸至基板1的表面，且连接至连接层4，面阴极层5从显示区101延伸至非显示区102；翻转基板1；形成金属层
3设于基板1远离显示膜层2的一侧表面，且从显示区101延伸至非显示区102，其中，金属层3通过连接层4连接至面阴极层5；形成保护层6于金属层3远离基板1的一侧表面，且延伸至金属层3的边侧，其中保护层6从显示区101延伸至非显示区102。
76.在其他实施方式中，有机发光器100的制备方法的制备顺序可以为：形成至少一通孔10于基板1对应非显示区102的位置；形成金属层3设于基板1远离显示膜层2的一侧表面，且从显示区101延伸至非显示区102；形成连接层4于通孔10内；形成保护层6于金属层3远离基板1的一侧表面，且延伸至金属层3的边侧，其中保护层6从显示区101延伸至非显示区102；翻转基板1；形成显示膜层2于基板1的一侧表面，且位于显示区101；形成面阴极层5于显示膜层2的一侧表面，延伸至基板1的表面，面阴极层5从显示区101延伸至非显示区102，其中，金属层3通过连接层4连接至面阴极层5。
77.以上对本技术实施例所提供的一种有机发光器及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。