一种射频芯片的制作方法

技术特征：
1.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上设有天线公共端口、通信端口以及n个射频信号输入端口，所述n个射频信号输入端口与n个主频段一一对应，所述主频段包括至少一个子频段，所述n为正整数；所述射频芯片包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制ic电路、射频放大ic电路、第一开关ic电路、第二开关ic电路、多个射频信号滤波电路；所述射频放大ic电路中包括与n个主频段一一对应的n个射频放大电路，所述射频放大电路的输入端与对应主频段的所述射频信号输入端口连接；所述逻辑控制ic电路与所述通信端口连接，用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第一开关ic电路和所述第二开关ic电路的工作，以使得所述射频放大电路输出的第一射频信号经过所述第一开关ic电路输入至第一目标子频段对应的所述射频信号滤波电路进行滤波，滤波后的所述第一射频信号经过所述第二开关ic电路输出至所述天线公共端口以通过天线进行发射，所述第一目标子频段是所述第一射频信号所属的子频段。2.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上还设有与k个子频段一一对应的k个射频信号输出端口，所述k为正整数；所述逻辑控制ic电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第二开关ic电路的工作，以使得所述天线接收的第二射频信号经过所述第二开关ic电路输出至第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口，通过第二目标子频段对应的所述射频信号输出端口对外输出，所述第二目标子频段是所述第二射频信号所属的子频段。3.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构上还设有备用射频信号传输端口；所述第二开关ic电路提供备用射频信号传输通路，所述备用射频信号传输通路的一端与所述天线公共端口连接，另一端与所述备用射频信号传输端口连接；所述逻辑控制ic电路用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述备用射频信号传输通路导通/截止。4.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述第一开关ic电路包括与n个主频段一一对应的n个第一子开关，所述第二开关ic电路包括与n个主频段一一对应的n个第二子开关；所述第一子开关为p选一开关，所述p为所述第一子开关对应的主频段所含有的子频段的个数；所述第二子开关为q选一开关，所述q为所述第二子开关对应的主频段所含有的子频段的个数。5.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述第一开关ic电路和所述第二开关ic电路使用同样的开关电路芯片实现。6.根据权利要求5所述的射频芯片，其特征在于，所述逻辑控制ic电路使用同一组控制信号控制所述第一开关ic电路和所述第二开关ic电路的工作。7.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，采用时分双工工作制式的子频段对应的所述射频信号滤波电路为低通滤波电路。8.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频信号滤波电路中包括电感和电容串联到地形成的谐振电路。
9.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构中，至少一边的端口全部为接地端口。10.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述射频芯片的封装结构中，多个电源端口配置在所述射频芯片的同一边的相邻位置。11.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述第二开关ic电路设置在所述第一基板的第一区域，所述射频放大ic电路和所述第一开关ic电路设置在所述第一基板的第二区域，所述逻辑控制ic电路设置在所述第一区域和所述第二区域之间；所述第一区域是邻接所述射频芯片的第一边的区域，所述第二区域是邻接所述射频芯片的第二边的区域，所述第一边是所述天线公共端口所在的边，所述第二边是与所述第一边相对的边。12.根据权利要求1所述的射频芯片，其特征在于，所述n个主频段包括高频段、中频段和低频段。

技术总结
本公开提供了射频芯片，所述射频芯片的封装结构上设有天线公共端口、通信端口以及N个射频信号输入端口，所述N个射频信号输入端口与N个主频段一一对应；所述射频芯片包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、第一开关IC电路、第二开关IC电路、多个射频信号滤波电路；所述射频放大IC电路中包括与N个主频段一一对应的N个射频放大电路，所述射频放大电路的输入端与对应主频段的所述射频信号输入端口连接；所述逻辑控制IC电路与所述通信端口连接，用于根据所述通信端口接收的控制信号控制所述第一开关IC电路和所述第二开关IC电路的工作。所述第二开关IC电路的工作。所述第二开关IC电路的工作。


技术研发人员：赵卫军 王小保
受保护的技术使用者：上海猎芯半导体科技有限公司
技术研发日：2021.06.21
技术公布日：2022/3/15