半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供待加工半导体结构，所述待加工半导体结构包括停止层，覆盖于所述停止层上的已被刻蚀层和位于所述已被刻蚀层上的光刻胶层，所述已被刻蚀层暴露出部分停止层表面；利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层，所述干法去胶工艺所使用的去胶气体包括氧气和停止层保护膜形成气体。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述停止层保护膜形成气体包括氢气氮气混合气体。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氢气氮气混合气体中氢气和氮气的气体含量比例范围为1：23-1：25。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述停止层保护膜形成气体包括水蒸气。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧气和所述水蒸气的气体含量比例范围为9：1-11：1。6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去胶气体还包括氮气。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去胶气体的温度范围为200℃-250℃。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述干法去胶工艺的去胶时间范围为9分钟-11分钟。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述停止层包括压电层，所述已被刻蚀层包括第一电极层；所述待加工半导体结构还包括基底，位于所述基底上的第二电极层，所述压电层位于所述第二电极层的上方。10.如权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述停止层的材料为氮化铝。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层的步骤之前或之后还包括：对所述待加工半导体结构的停止层进行表面平滑处理。12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述待加工半导体结构的停止层进行表面平滑处理的步骤包括：利用氩气对所述待加工半导体结构的停止层进行表面平滑处理。13.如权利要求1-12任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：利用湿法去胶工艺去除剩余的所述光刻胶层或所述光刻胶层残余。14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，湿法刻蚀工艺所用的湿法去胶液的材料包括n-甲基-2-吡咯酮、二甲亚砜、2-氨基乙醇、四甲基氢氧化铵、乙醇胺、乙醇胺盐、叔胺、氟化氢和氢氧化铵中的一种或多种的混合。15.一种半导体器件，其特征在于，利用如权利要求1-14任一项所述的半导体器件的制造方法加工获得。

技术总结
本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括提供待加工半导体结构，所述待加工半导体结构包括停止层，覆盖于所述停止层上的已被刻蚀层和位于所述已被刻蚀层上的光刻胶层，所述已被刻蚀层暴露出部分停止层表面；利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层，所述干法去胶工艺所使用的去胶气体包括氧气和停止层保护膜形成气体。本发明实施例所提供的半导体器件的制造方法，可以降低去胶工艺对位于被刻蚀层下方的停止层造成的损伤，提高所得到的半导体器件的质量，本发明实施例所提供的半导体器件具有较高的质量。有较高的质量。有较高的质量。


技术研发人员：王明军 刘磊
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2020.09.18
技术公布日：2022/3/18