一种闪存颗粒筛选方法、终端及计算机可读存储介质与流程

1.本技术涉及固态硬盘技术领域，特别是涉及一种闪存颗粒筛选方法、终端及计算机可读存储介质。


背景技术：

2.近几年来电子产品技术的快速发展，使得消费者对于电子产品的体验要求越来越高，更高速便捷的存储产品的需求也越来越大。由于可复写式非易失性存储器具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于便携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为储存媒体的储存装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。
3.随着闪存技术的不断更新，闪存存储器由三阶储存单元(triple-level cell，tlc)模式64层、96层发展到128层，并且四层存储单元(quad-level cell，qlc)闪存存储器技术的出现，存储密度更大的提高，大大降低存储设备的成本，加快传统硬盘到固态硬盘的过度。
4.然而，由于芯片工艺的发展，虽然提高存储密度，降低了单位容量的价格，但是由于闪存存储器氧化层被压缩的越来越薄，使得存储介质对擦写也越发敏感，导致闪存存储器的使用寿命和可靠性的降低。


技术实现要素：

5.本技术主要解决的技术问题是提供一种闪存颗粒筛选方法、终端及计算机可读存储介质，解决现有技术中闪存存储块筛选可靠性低的问题。
6.为解决上述技术问题，本技术采用的第一个技术方案是：提供一种闪存颗粒筛选方法，闪存颗粒筛选方法包括：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间；读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率；基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果；基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果；根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分。
7.其中，基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果，包括：判断比特错误率是否大于比特错误率阈值；如果比特错误率不大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为合格；如果比特错误率大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为不合格。
8.其中，基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果，包括：判断闪存页的擦除时间是否大于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否大于写入时间阈值；如果闪存页的擦除时间不大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间不大于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为合格；如果闪存页的擦除时间大于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间大于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为不合格。
9.其中，基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果，包括：判断闪存页
的擦除时间是否小于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否小于写入时间阈值；如果闪存页的擦除时间小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间小于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为合格；如果闪存页的擦除时间不小于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间不小于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为不合格。
10.其中，根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分，包括：如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为合格，则确定目标闪存块为好块。
11.其中，根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分，包括：如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为不合格，则确定目标闪存块为坏块。
12.其中，根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分，还包括：如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致，则确定目标闪存块为次品块。
13.其中，如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致，则确定目标闪存块为次品块，包括：判断目标闪存块包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致的个数是否超过预设值；如果目标闪存块包含第一判定结果和第二判定结果不一致的闪存页的个数超过预设值，则确定目标闪存块为次品块。
14.其中，擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间，包括：对目标闪存块中闪存页的数据进行slc模式擦除；对目标闪存块中擦除数据的闪存页进行tlc模式数据写入。
15.其中，测试数据包括第一数值和第二数值，第一数值与第二数值沿第一方向和第二方向交替设置，第一方向与第二方向相互垂直，其中，第一数值与第二数值不同。
16.其中，擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间，之前包括：在预设温度下，对闪存块中的数据进行擦除；读取擦除后的闪存块，并统计闪存块中未擦除数据的个数；判断未擦除数据的个数是否大于阈值；如果未擦除数据的个数不大于阈值，则确定闪存块为目标闪存块。
17.其中，对闪存块中的数据进行擦除，包括：对闪存块中的数据进行slc模式擦除。
18.其中，读取擦除后的闪存块，并统计闪存块中未擦除数据的个数，包括：通过slc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第一个数；判断未擦除数据的个数是否大于阈值，包括：判断第一个数是否大于第一阈值；如果未擦除数据的个数不大于阈值，则确定闪存块为目标闪存块，包括：如果第一个数不大于第一阈值，则确定闪存块为目标闪存块。
19.其中，读取擦除后的闪存块，并统计闪存块中未擦除数据的个数，还包括：通过tlc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第二个数。
20.其中，擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间，之前还包括：如果第一个数大于第一阈值，则判断第二个数是否大于第二阈值；如果第二个数大于第二阈值，则判断第二个数是否大于第三阈值；第三阈值为次品块的判定阈值；如果第二个数不大于第三阈值，则确定闪存块为次品块；如果第二个数大于第三阈值，则确定闪存块为坏块。
21.为解决上述技术问题，本技术采用的第二个技术方案是：提供一种终端，该终端包括存储器、处理器以及存储于存储器中并在处理器上运行的计算机程序，处理器用于执行程序数据以实现上述闪存颗粒筛选方法中的步骤。
22.为解决上述技术问题，本技术采用的第三个技术方案是：提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述闪存颗粒筛选方法中的步骤。
23.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，提供的一种闪存颗粒筛选方法、终端及计算机可读存储介质，闪存颗粒筛选方法包括：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间；读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率；基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果；基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果；根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分。本技术不仅通过错误比特率对目标闪存块中的闪存页是否合格进行评判得到第一判定结果，还将擦除时间、写入时间作为目标闪存块中闪存页是否合格的评判条件，得到第二判定结果，通过多重评判条件对闪存页进行评价，减少了目标闪存块因为颗粒的扰动、边缘效应等特性而造成的闪存页误判的问题，进而提高目标闪存块的筛选准确性，使得目标闪存块的筛选结果更加可靠。
附图说明
24.图1是本技术提供的闪存颗粒筛选方法的流程示意图；
25.图2是本技术提供的闪存颗粒筛选方法一具体实施例的流程示意图；
26.图3是本技术提供的测试数据格式示意图；
27.图4是本技术提供的终端一实施方式的示意框图；
28.图5是本技术提供的计算机可读存储介质一实施方式的示意框图。
具体实施方式
29.下面结合说明书附图，对本技术实施例的方案进行详细说明。
30.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。
31.本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。此外，本文中的“多”表示两个或者多于两个。
32.为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术所提供的一种闪存颗粒筛选方法做进一步详细描述。
33.请参阅图1，图1是本技术提供的闪存颗粒筛选方法的流程示意图。本实施例中提供一种闪存颗粒筛选方法，闪存颗粒筛选方法具体包括如下步骤。
34.s11：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间。
35.具体地，在预设温度下，对闪存块中的数据进行擦除。其中，对闪存块中的数据进
行单层存储单元(single-level cell，slc)模式擦除。读取擦除后的闪存块，并统计闪存块中未擦除数据的个数；判断未擦除数据的个数是否大于阈值；如果未擦除数据的个数不大于阈值，则确定闪存块为目标闪存块。
36.在一具体实施例中，通过slc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第一个数；判断第一个数是否大于第一阈值；如果第一个数不大于第一阈值，则确定闪存块为目标闪存块。在一可选实施例中，还需要通过tlc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第二个数。如果第一个数大于第一阈值，则判断第二个数是否大于第二阈值；如果第二个数大于第二阈值，则判断第二个数是否大于第三阈值；第三阈值为次品块的判定阈值；如果第二个数不大于第三阈值，则确定闪存块为次品块；如果第二个数大于第三阈值，则确定闪存块为坏块。
37.在一实施例中，对目标闪存块中闪存页的数据进行slc模式擦除；对目标闪存块中擦除数据的闪存页进行tlc模式写入。其中，测试数据包括第一数值和第二数值，第一数值与第二数值沿第一方向和第二方向交替设置，第一方向与第二方向相互垂直，其中，第一数值与第二数值不同。
38.s12：读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率。
39.具体地，在tlc模式下读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率。
40.s13：基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果；基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果。
41.具体地，判断比特错误率是否大于比特错误率阈值；如果比特错误率不大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为合格。
42.如果比特错误率大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为不合格。判断闪存页的擦除时间是否大于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否大于写入时间阈值；如果闪存页的擦除时间不大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间不大于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为合格；如果闪存页的擦除时间大于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间大于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为不合格。
43.如果比特错误率大于比特错误率阈值，则确定闪存页的第一判定结果为不合格。判断闪存页的擦除时间是否小于擦除时间阈值，闪存页的写入时间是否小于写入时间阈值；如果闪存页的擦除时间小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间小于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为合格；如果闪存页的擦除时间不小于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间不小于写入时间阈值，则确定闪存页的第二判定结果为不合格。
44.s14：根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分。
45.具体地，如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为合格，则确定目标闪存块为好块；如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为不合格，则确定目标闪存块为坏块；如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致，则确定目标闪存块为次品块。在一可选实施例中，判断目标闪存块包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致的个数是否超过预设值；如果目标闪存块包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致的个数超过预设值，则确定目标闪存块为次品块。
46.本实施例提供的闪存颗粒筛选方法包括：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间；读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率；基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果；基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果；根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分。本技术不仅通过错误比特率对目标闪存块中的闪存页是否合格进行评判得到第一判定结果，还将擦除时间、写入时间作为目标闪存块中闪存页是否合格的评判条件，得到第二判定结果，通过多重评判条件对闪存页进行评价，减少了目标闪存块因为颗粒的扰动、边缘效应等特性而造成的闪存页误判的问题，进而提高目标闪存块的筛选准确性，使得目标闪存块的筛选结果更加可靠。
47.请参阅图2，图2是本技术提供的闪存颗粒筛选方法一具体实施例的流程示意图。本实施例中提供一种闪存颗粒筛选方法，闪存颗粒筛选方法具体包括如下步骤。
48.s201：在预设温度下，对闪存块中的数据进行擦除。
49.具体地，在预设温度下，对闪存块中的数据进行slc模式擦除。预设温度可以根据实际情况进行设定，也可以自行设置。其中，闪存块中的数据可以为原始数据，也可以为写入保存的数据。闪存块的闪存页中保存数据的显示为0，没有保存数据的显示为1。对闪存块中的数据进行擦除是为了将闪存块的闪存页中的保存数据进行擦除，即将闪存页中显示的0翻转为1。
50.s202：读取擦除后的闪存块，并统计闪存块中未擦除数据的个数。
51.具体地，为了判定闪存块是否为好块，通过slc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第一个数。在一具体实施例中，通过slc模式读取擦除后闪存块中0的个数为第一个数。在一可选实施例中，为了进一步判定闪存块的损坏程度，通过tlc模式读取擦除后闪存块，并统计未擦除数据的个数为第二个数。在一具体实施例中，通过tlc模式读取擦除后闪存块中0的个数为第二个数。通过该步骤可以统计得到闪存块中未被擦除数据的个数，进而便于判定闪存块是否为好块。
52.s203：判断第一个数是否大于第一阈值。
53.具体地，判断第一个数是否大于第一阈值。第一阈值为好块的判定阈值，第一阈值由颗粒分析团队根据经验设定。
54.如果第一个数大于第一阈值，表明闪存块不属于好块，则直接跳转至步骤s204；如果第一个数不大于第一阈值，初步判定闪存块为好块，则直接跳转至步骤s206。
55.s204：判断第二个数是否大于第二阈值。
56.具体地，如果第一个数大于第一阈值，表明闪存块并不属于好块。为了进一步对不属于好块的闪存块进行更详细的区分，则判断第二个数是否大于第二阈值，第二阈值表示好块的判定阈值，第二阈值由颗粒分析团队根据经验设定。
57.如果第二个数大于第二阈值，则直接跳转至步骤s205；如果第二个数不大于第二阈值，则直接跳转至步骤s206。
58.s205：判断第二个数是否大于第三阈值。
59.具体地，如果第二个数大于第二阈值，则表明闪存块不是好块，则判断第二个数是否大于第三阈值；第三阈值为次品块的判定阈值。
60.其中，第三阈值与第二阈值相关，如公式1所示。
61.ztlc'＝ztlc*ε
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(公式1)
62.式中：ztlc'表示第三阈值，ztlc表示第二阈值，ε是浮动参数，一般大于1，由颗粒分析团队根据经验设定。
63.如果第二个数大于第二阈值且大于第三阈值，则直接跳转至步骤s207；如果第二个数大于第二阈值且不大于第三阈值，则直接跳转至步骤s208。
64.s206：初步确定闪存块为目标闪存块。
65.具体地，如果第一个数不大于第一阈值，或第二个数不大于第二阈值时，初步判定闪存块为好块，则确定闪存块为目标闪存块。直接跳转至步骤s209。
66.s207：初步确定闪存块为坏块。
67.具体地，如果第二个数大于第二阈值且大于第三阈值，则表明闪存块中未被擦除数据的个数大于次品块中未被擦除数据的个数，确定闪存块为坏块。将确定为坏块的闪存块筛除。
68.s208：初步确定闪存块为次品块。
69.具体地，如果第二个数大于第二阈值，且不大于第三阈值，则表明闪存块中未被擦除数据的个数大于好块中未被擦除数据的个数且不大于次品块的判定阈值时，确定闪存块为次品块。将确定为次品块的闪存块筛除。
70.s209：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间。
71.具体地，对目标闪存块中闪存页的数据进行slc模式擦除。
72.为了增大对目标闪存块的扰动，使得早期看似正常但是未来因为使用寿命的耗损导致可靠性远差于其它正常闪存块的目标闪存块暴露出来。将测试数据设置为“棋盘格”式，测试数据包括第一数值和第二数值，第一数值与第二数值沿第一方向和第二方向交替设置，第一方向与第二方向相互垂直，其中，第一数值与第二数值不同。其中，测试数据由b和ax两种数据组成，x为正整数。ax表示随机数；b表示0，如图3所示，图3是本技术提供的测试数据格式示意图。第一数值被第二数值包围，且第二数值被第一数值包围，这样的数据格式能够实现对目标闪存块的干扰激发，从而暴露出目标闪存块的更多不可靠因素。
73.对目标闪存块中擦除数据的闪存页进行tlc模式写入，将测试数据写入擦除数据的目标闪存块上，如果出现写入失败的情况，则直接判定目标闪存块为坏块。
74.在一具体实施例中，目标闪存块的闪存页中写入测试数据时，记录连续三个闪存页的写入时间的总和，并确定目标闪存块中连续三个闪存页的写入时间的最大总和。
75.s210：读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率。
76.具体地，在tlc模式下，读取目标闪存块的闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率。
77.s211：判断比特错误率是否大于比特错误率阈值。
78.具体地，如果闪存页的比特错误率不大于比特错误率阈值，则表明闪存页的比特错误率小于或等于合格的闪存页的比特错误率，则直接跳转至步骤s212；如果闪存页的比特错误率大于比特错误率，则表明闪存页的比特错误率大于合格的闪存页的比特错误率，则直接跳转至步骤s213。
79.s212：闪存页的第一判定结果为合格。
80.具体地，如果比特错误率不大于比特错误率阈值，则表明闪存页的比特错误率小于或等于合格的闪存页的比特错误率，则确定闪存页的第一判定结果为合格。直接跳转至步骤s214。
81.s213：闪存页的第二判定结果为不合格。
82.具体地，如果比特错误率大于比特错误率阈值，则表明闪存页的比特错误率大于合格的闪存页的比特错误率，则确定闪存页的第一判定结果为不合格。直接跳转至步骤s215。
83.s214：判断闪存页的擦除时间是否大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间是否大于写入时间阈值。
84.为了进一步提高检测准确率，在原有的单独依靠错误翻转数进行评判的基础上，增加擦除时间和写入时间的判定维度，减少因为目标闪存块扰动或者边界效应导致的误判现象的出现，提高对目标闪存块的判定精度。具体地，如果比特错误率不大于比特错误率阈值，则表明闪存页的第一判定结果为合格，则判断闪存页的擦除时间是否大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间是否大于写入时间阈值。
85.如果闪存页的擦除时间不大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间不大于写入时间阈值，则直接跳转至步骤s216；如果闪存页的擦除时间大于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间大于写入时间阈值，则直接跳转至步骤s217。
86.s215：判断闪存页的擦除时间是否小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间是否小于写入时间阈值。
87.具体地，如果比特错误率大于比特错误率阈值，则表明初步判定闪存页为不合格；为了进一步提高检测准确率，则判断闪存页的擦除时间是否小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间是否小于写入时间阈值。
88.如果闪存页的擦除时间不小于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间不小于写入时间阈值，则直接跳转至步骤s217；如果闪存页的擦除时间小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间小于写入时间阈值，则直接跳转至步骤s216。
89.s216：闪存页的第二判定结果为合格。
90.具体地，如果闪存页的擦除时间不大于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间不大于写入时间阈值；或如果闪存页的擦除时间小于擦除时间阈值，且闪存页的写入时间小于写入时间阈值，确定闪存页的第二判定结果为合格。
91.s217：闪存页的第二判定结果为不合格。
92.具体地，如果闪存页的擦除时间大于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间大于写入时间阈值；确定闪存页的第二判定结果为不合格。如果闪存页的擦除时间不小于擦除时间阈值，或闪存页的写入时间不小于写入时间阈值，确定闪存页的第二判定结果为不合格。
93.s218：判断目标闪存块中所有的闪存页是否全部检测。
94.具体地，如果目标闪存块中所有的闪存页全部检测，则直接跳转至步骤s219；如果目标闪存块中还有闪存页未进行检测，则直接跳转至步骤s210。
95.s219：基于目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果对目标闪存块进行区分。
96.具体地，基于闪存页的比特错误率，确定目标闪存块包含的闪存页的第一判定结
果，以及基于闪存页的擦写时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果。基于第一判定结果和第二判定结果的一致性，对目标闪存块进行区分。减少目标闪存块因为颗粒的扰动、边缘效应等特性而造成的误判。
97.s220：如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为合格，则确定目标闪存块为好块。
98.具体地，当闪存页的第一判定结果和第二判定结果相同，且均被判定为合格时，判断目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果是否均被判定为合格，如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均被判定为合格，则确定目标闪存块为好块。
99.s221：如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均为不合格，则确定目标闪存块为坏块。
100.具体地，当闪存页的第一判定结果和第二判定结果相同，且均被判定为不合格时，判断目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果是否均被判定为不合格，如果目标闪存块包含的所有闪存页的第一判定结果和第二判定结果均被判定为不合格，则确定目标闪存块为坏块。
101.s222：如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致，则确定目标闪存块为次品块。
102.具体地，如果目标闪存块包含的闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致，则确定目标闪存块为次品块。在一可选实施例中，判断目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致的个数是否超过预设值。如果目标闪存块包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果不一致的个数大于预设值，则确定目标闪存块为次品块，不需要将目标闪存块中包含的所有闪存页全部检测完毕，即可对目标闪存块进行区分。
103.本实施例提供的闪存颗粒筛选方法包括：擦除目标闪存块中闪存页的数据，并写入测试数据至闪存页，确定对应的擦除时间和写入时间；读取闪存页中存储的测试数据，确定闪存页的比特错误率；基于比特错误率确定闪存页的第一判定结果；基于擦除时间和写入时间，确定闪存页的第二判定结果；根据目标闪存块中包含闪存页的第一判定结果和第二判定结果，对目标闪存块进行区分。本技术不仅通过错误比特率对目标闪存块中的闪存页是否合格进行评判得到第一判定结果，还将擦除时间、写入时间作为目标闪存块中闪存页是否合格的评判条件，得到第二判定结果，通过多重评判条件对闪存页进行评价，减少了目标闪存块因为颗粒的扰动、边缘效应等特性而造成的闪存页误判的问题，进而提高目标闪存块的筛选准确性，使得目标闪存块的筛选结果更加可靠。
104.参阅图4，图4是本技术提供的终端一实施方式的示意框图。该实施方式中的终端70包括：处理器71、存储器72以及存储在存储器72中并可-在处理器71上运行的计算机程序，该计算机程序被处理器71执行时实现上述闪存颗粒筛选方法中，为避免重复，此处不一一赘述。
105.参阅图5，图5是本技术提供的计算机可读存储介质一实施方式的示意框图。
106.本技术的实施方式中还提供一种计算机可读存储介质90，计算机可读存储介质90存储有计算机程序901，计算机程序901中包括程序指令，处理器执行程序指令，实现本技术实施方式提供的闪存颗粒筛选方法。
107.其中，计算机可读存储介质90可以是前述实施方式的计算机设备的内部存储单元，例如计算机设备的硬盘或内存。计算机可读存储介质90也可以是计算机设备的外部存储设备，例如计算机设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡(smart media card，smc)，安全数字(secure digital，sd)卡，闪存卡(flash card)等。
108.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。