一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法与流程

技术特征：
1.一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，包括测试台（1），其特征在于：所述测试台（1）上端设置有测试工装（2），所述测试工装（2）包括安装于测试台（1）上的托盘（201），所述托盘（201）上设置有放置筒（3），所述放置筒（3）内设置有推动组件（4） ，所述推动组件（4）上设置有按压机构（5），所述按压机构（5）上设置有卡接机构（6）；所述推动组件（4）包括固定安装在托盘（201）内腔的定位筒（401），所述定位筒（401）的顶部设置有滑盘（402），所述滑盘（402）上固定连接有控制杆（403），所述控制杆（403）的顶部贯穿滑盘（402）延伸至放置筒（3）内腔并固定连接有支撑片（404），所述控制杆（403）上端套接有第一弹簧（405），所述第一弹簧（405）位于滑盘（402）与支撑片（404）之间，所述控制杆（403）的底端贯穿定位筒（401）与测试台（1）并固定连接有把手（406）；所述按压机构（5）包括设置在滑盘（402）顶部的连接板（501），所述连接板（501）位于托盘（201）的凹槽内且与托盘（201）滑动连接，所述连接板（501）的顶部两端均固定连接有推动块（503），所述推动块（503）的底端套设有定位柱（504），所述定位柱（504）的底端贯穿连接板（501）并与测试台（1）的顶部固定连接，所述定位柱（504）上套设有定位柱（504），所述推动块（503）的上端一侧固定连接有按压块（506）。2.根据权利要求1所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述测试台（1）包括台面（101），所述台面（101）的下方设置有支脚（102），所述台面（101）上设置有绝缘耐压仪（103）。3.根据权利要求2所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述托盘（201）固定安装在台面（101）的顶部，所述托盘（201）上设置有放置待测产品的放置孔（202），所述放置筒（3）固定安装在放置孔（202）内，所述托盘（201）上方设置有盖板（203），所述盖板（203）设置有导电层（204）所述盖板（203）设置有通孔（205），所述通孔（205）贯穿所述盖板（203）。4.根据权利要求3所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述绝缘耐压仪（103）包括测试笔，所述测试笔通过通孔（205）与导电层（204）接触。5.根据权利要求3所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述盖板（203）上设置有手柄（206），所述手柄（206）至少有两个，至少两个所述手柄（206）粘接于盖板（203）上，所述手柄（206）上设置有握持孔（207）。6.根据权利要求1所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述把手（406）的形状为球形，所述把手（406）通过螺纹固定于控制杆（403）上，所述控制杆（403）的一部分上设置有外螺纹，所述把手（406）上设置有与所述控制杆（403）上的外螺纹配合的内螺纹。7.根据权利要求1所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述定位筒（401）上开设有滑槽（407），所述滑盘（402）通过滑槽（407）与定位筒（401）滑动连接，所述滑盘（402）的顶部开设有与连接板（501）相互适配卡接的放置槽（408）。8.根据权利要求1所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，其特征在于：所述卡接机构（6）包括在按压块（506）内部开设对称的滑槽，且滑槽内滑动连接有卡接块（601），所述卡接块（601）的底端固定连接有齿条（602），所述齿条（602）的一端贯穿按压块（506）并固定连接有控制块（603），所述凹槽内通过转动轴转动连接有齿轮（604），所述齿轮（604）的顶部与齿条（602）相互啮合，所述托盘（201）上开设有与卡接块（601）相互适配的
卡接槽（605）。9.一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制方法，其特征在于：具体包括以下步骤：s1：将待测产品放置于放置孔（202）中的放置筒（3）内，然后再通过手柄（206）使得盖板（203）将导电层（204）置于托盘（201）上方，导电层（204）可以粘接于盖板（203）上，导电层（204）也可以通过其它方式设置于盖板（203）上，位于放置筒（3）内的所有待测产品均与导电层（204）接触，再将测试笔放置于通孔（205）内，使测试笔与导电层（204）接触，即可实现对托盘（201）上所有的待测产品进行测试，托盘（201）上的待测产品有不合格品时，绝缘耐压仪（103）会发出报警信号；s2：此时，分别按压托盘（201）两侧的按压块（506），按压块（506）带动连接板（501）向下移动，连接板（501）带动位于底端的滑盘（402）向下移动，滑盘（402）带动控制杆（403）向下移动，使得一排待测产品全部脱离与导电层（204）的接触即可排除不合格的产品，绝缘耐压仪（103）即可检测出合格的信号；s3：针对s2中的一排待测产品，通过向下拉动把手（406），操作控制杆（403）使待测产品逐个脱离与导电层（204）的接触，不合产品脱离与导电层（204）的接触后，绝缘耐压仪（103）即可检测出合格的信号，再一次操作多个控制杆（403）时可以使多个待测产品与导电层（204）脱离接触，从而可以迅速排除不合格产品，逐个使待测产品脱离与导电层（204）的接触，或者使多个待测产品与导电层（204）脱离接触即可排除不合格的产品。10.根据权利要求9所述的一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制方法，其特征在于：所述连接板（501）上开设有与控制杆（403）相互适配的滑孔（502），所述手柄（206）上粘接有橡胶层。

技术总结
本发明公开了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，包括测试台，所述测试台上端设置有测试工装，所述测试工装包括安装于测试台上的托盘，所述托盘上设置有放置筒，所述放置筒内设置有推动组件，所述推动组件上设置有按压机构，所述按压机构上设置有卡接机构；本发明涉及硅单晶氧化膜技术领域。该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过设置的按压机构，使得一排待测产品全部脱离与导电层的接触即可排除不合格的产品，通过设置的推动组件，操作控制杆使待测产品逐个脱离与导电层的接触，不合产品脱离与导电层的接触后，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号，从而可以迅速排除不合格产品。从而可以迅速排除不合格产品。从而可以迅速排除不合格产品。


技术研发人员：祁海滨 冉泽平 李金波 倪浩然 王忠保
受保护的技术使用者：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/3/22