一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法与流程

1.本发明涉及硅单晶氧化膜技术领域，具体为一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法。


背景技术：

2.硅单晶由于其良好的热导率及高温力学性能、优异的半导体性质，能稳定地制备大直径无位错单晶(目前生产的最人直径为250mm)，同时硅容易形成与其本体牢固结合的氧化膜，这种氧化膜可以在器件中起到隔离、掩蔽、绝缘作用，因此世界上几乎所有的集成电路都是硅单晶制成的，而且集成电路用硅占硅单晶整个用量的80%以上，此外，绝大多数的电力电子器件(可控硅，整流器等)，功率晶体管和大部分的各种类型的二极、三极晶体管和太阳电池也是用硅单晶制成的。
3.现有硅单晶氧化膜在使用过程中，时常会出现绝缘耐压低下的问题，因此抑制抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下成为当下需要解决的问题，当时在解决问题前需要对硅单晶氧化膜进行绝缘耐压检测数据分析，现有技术中绝缘耐压测试结构的设计不合理，一次仅能对一个元件进行测试，测试效率较低。


技术实现要素：

4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，解决了现有的硅单晶氧化膜，绝缘耐压测试结构的设计不合理，一次仅能对一个元件进行测试，测试效率较低的问题。
5.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，包括测试台，所述测试台上端设置有测试工装，所述测试工装包括安装于测试台上的托盘，所述托盘上设置有放置筒，所述放置筒内设置有推动组件 ，所述推动组件上设置有按压机构，所述按压机构上设置有卡接机构；所述推动组件包括固定安装在托盘内腔的定位筒，所述定位筒的顶部设置有滑盘，所述滑盘上固定连接有控制杆，所述控制杆的顶部贯穿滑盘延伸至放置筒内腔并固定连接有支撑片，所述控制杆上端套接有第一弹簧，所述第一弹簧位于滑盘与支撑片之间，所述控制杆的底端贯穿定位筒与测试台并固定连接有把手；所述按压机构包括设置在滑盘顶部的连接板，所述连接板位于托盘的凹槽内且与托盘滑动连接，所述连接板的顶部两端均固定连接有推动块，所述推动块的底端套设有定位柱，所述定位柱的底端贯穿连接板并与测试台的顶部固定连接，所述定位柱上套设有定位柱，所述推动块的上端一侧固定连接有按压块。
6.优选的，所述测试台包括台面，所述台面的下方设置有支脚，所述台面上设置有绝缘耐压仪。
7.优选的，所述托盘固定安装在台面的顶部，所述托盘上设置有放置待测产品的放置孔，所述放置筒固定安装在放置孔内，所述托盘上方设置有盖板，所述盖板设置有导电层所述盖板设置有通孔，所述通孔贯穿所述盖板。
8.优选的，所述绝缘耐压仪包括测试笔，所述测试笔通过通孔与导电层接触。
9.优选的，所述盖板上设置有手柄，所述手柄至少有两个，至少两个所述手柄粘接于盖板上，所述手柄上设置有握持孔。
10.优选的，所述把手的形状为球形，所述把手通过螺纹固定于控制杆上，所述控制杆的一部分上设置有外螺纹，所述把手上设置有与所述控制杆上的外螺纹配合的内螺纹。
11.优选的，所述定位筒上开设有滑槽，所述滑盘通过滑槽与定位筒滑动连接，所述滑盘的顶部开设有与连接板相互适配卡接的放置槽。
12.优选的，所述卡接机构包括在按压块内部开设对称的滑槽，且滑槽内滑动连接有卡接块，所述卡接块的底端固定连接有齿条，所述齿条的一端贯穿按压块并固定连接有控制块，所述凹槽内通过转动轴转动连接有齿轮，所述齿轮的顶部与齿条相互啮合，所述托盘上开设有与卡接块相互适配的卡接槽。
13.本发明还公开了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制方法，具体包括以下步骤：s1：将待测产品放置于放置孔中的放置筒内，然后再通过手柄使得盖板将导电层置于托盘上方，导电层可以粘接于盖板上，导电层也可以通过其它方式设置于盖板上，位于放置筒内的所有待测产品均与导电层接触，再将测试笔放置于通孔内，使测试笔与导电层接触，即可实现对托盘上所有的待测产品进行测试，托盘上的待测产品有不合格品时，绝缘耐压仪会发出报警信号；s2：此时，分别按压托盘两侧的按压块，按压块带动连接板向下移动，连接板带动位于底端的滑盘向下移动，滑盘带动控制杆向下移动，使得一排待测产品全部脱离与导电层的接触即可排除不合格的产品，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号；s3：针对s2中的一排待测产品，通过向下拉动把手，操作控制杆使待测产品逐个脱离与导电层的接触，不合产品脱离与导电层的接触后，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号，再一次操作多个控制杆时可以使多个待测产品与导电层脱离接触，从而可以迅速排除不合格产品，逐个使待测产品脱离与导电层的接触，或者使多个待测产品与导电层脱离接触即可排除不合格的产品。
14.优选的，所述连接板上开设有与控制杆相互适配的滑孔，所述手柄上粘接有橡胶层。
15.有益效果本发明提供了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法。与现有技术相比具备以下有益效果：（1）、该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过在台面上设有测试工装，测试工装包括安装于台面上的托盘，托盘上设置有放置待测产品的放置孔，托盘上方设置有盖板，盖板设置有导电层，盖板设置有通孔，通孔贯穿盖板，绝缘耐压仪包括测试笔，测试笔通过通孔与导电层接触，在托盘上可以设置多个待测产品，从而可以一次测试多个待测产品，提高了测试效率。
16.（2）、该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过分别按压托盘两侧的按压块，按压块带动连接板向下移动，连接板带动位于底端的滑盘向下移动，滑盘带动控制杆向下移动，使得一排待测产品全部脱离与导电层的接触即可排除不合格的产品，绝
缘耐压仪即可检测出合格的信号，通过向下拉动把手，操作控制杆使待测产品逐个脱离与导电层的接触，不合产品脱离与导电层的接触后，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号，再一次操作多个控制杆时可以使多个待测产品与导电层脱离接触，从而可以迅速排除不合格产品，逐个使待测产品脱离与导电层的接触，或者使多个待测产品与导电层脱离接触即可排除不合格的产品。
17.（3）、该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过向下移动按压块至合适位置时，推动控制块，由于卡接块底端通过齿条与齿轮啮合传动连接，控制块能够带动卡接块向托盘一侧移动，使得卡接块的一端能够卡接至卡接槽内便于对连接板的位置进行固定，从而能够更加方便的进行测试。
附图说明
18.图1为本发明的外部结构立体图；图2为本发明图1的结构立体爆炸图；图3为本发明中托盘的结构立体剖视图；图4为本发明中按压机构的的结构立体示意图；图5为本发明中推动组件的结构示意图；图6为本发明中推动组件的结构剖视图；图7为本发明中推动组件的结构拆分图；图8为本发明中按压机构的结构示意图；图9为图3中a处的放大图；图10为本发明中卡接机构的结构剖视图。
19.图中：1、测试台；2、测试工装；3、放置筒；4、推动组件；5、按压机构；6、卡接机构；101、台面；102、支脚；103、绝缘耐压仪；201、托盘；202、放置孔；203、盖板；204、导电层；205、通孔；206、手柄；207、握持孔；401、定位筒；402、滑盘；403、控制杆；404、支撑片；405、第一弹簧；406、把手；407、滑槽；408、放置槽；501、连接板；502、滑孔；503、推动块；504、定位柱；505、第二弹簧；506、按压块；601、卡接块；602、齿条；603、控制块；604、齿轮；605、卡接槽。
具体实施方式
20.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
21.请参阅图1-10，本发明提供一种技术方案：一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统，包括测试台1，测试台1上端设置有测试工装2，测试工装2包括安装于测试台1上的托盘201，托盘201上设置有放置筒3，放置筒3内设置有推动组件4 ，推动组件4上设置有按压机构5，按压机构5上设置有卡接机构6；推动组件4包括固定安装在托盘201内腔的定位筒401，定位筒401的顶部设置有滑盘402，滑盘402上固定连接有控制杆403，控制杆403的顶部贯穿滑盘402延伸至放置筒3内腔并固定连接有支撑片404，控制杆403上端套接有第一弹簧405，第一弹簧405位于滑盘402与支撑片404之间，控制杆403的底端贯穿定位筒401与
测试台1并固定连接有把手406，通过向下拉动把手406，操作控制杆403使待测产品逐个脱离与导电层204的接触，不合产品脱离与导电层204的接触后，绝缘耐压仪103即可检测出合格的信号，再一次操作多个控制杆403时可以使多个待测产品与导电层204脱离接触，从而可以迅速排除不合格产品，逐个使待测产品脱离与导电层204的接触，或者使多个待测产品与导电层204脱离接触即可排除不合格的产品；按压机构5包括设置在滑盘402顶部的连接板501，连接板501位于托盘201的凹槽内且与托盘201滑动连接，连接板501的顶部两端均固定连接有推动块503，推动块503的底端套设有定位柱504，定位柱504的底端贯穿连接板501并与测试台1的顶部固定连接，定位柱504上套设有定位柱504，推动块503的上端一侧固定连接有按压块506，分别按压托盘201两侧的按压块506，按压块506带动连接板501向下移动，连接板501带动位于底端的滑盘402向下移动，滑盘402带动控制杆403向下移动，使得一排待测产品全部脱离与导电层204的接触即可排除不合格的产品，绝缘耐压仪103即可检测出合格的信号；测试台1包括台面101，台面101的下方设置有支脚102，台面101上设置有绝缘耐压仪103；托盘201固定安装在台面101的顶部，托盘201上设置有放置待测产品的放置孔202，放置筒3固定安装在放置孔202内，托盘201上方设置有盖板203，盖板203设置有导电层204盖板203设置有通孔205，通孔205贯穿盖板203；绝缘耐压仪103包括测试笔，测试笔通过通孔205与导电层204接触，将待测产品放置于放置孔202中的放置筒3内，然后再通过手柄206使得盖板203将导电层204置于托盘201上方，导电层204可以粘接于盖板203上，导电层204也可以通过其它方式设置于盖板203上，位于放置筒3内的所有待测产品均与导电层204接触，再将测试笔放置于通孔205内，使测试笔与导电层204接触，即可实现对托盘201上所有的待测产品进行测试，托盘201上的待测产品有不合格品时，绝缘耐压仪103会发出报警信号；盖板203上设置有手柄206，手柄206至少有两个，至少两个手柄206粘接于盖板203上，手柄206上设置有握持孔207；把手406的形状为球形，把手406通过螺纹固定于控制杆403上，控制杆403的一部分上设置有外螺纹，把手406上设置有与控制杆403上的外螺纹配合的内螺纹；定位筒401上开设有滑槽407，滑盘402通过滑槽407与定位筒401滑动连接，滑盘402的顶部开设有与连接板501相互适配卡接的放置槽408；卡接机构6包括在按压块506内部开设对称的滑槽，且滑槽内滑动连接有卡接块601，卡接块601的底端固定连接有齿条602，齿条602的一端贯穿按压块506并固定连接有控制块603，凹槽内通过转动轴转动连接有齿轮604，齿轮604的顶部与齿条602相互啮合，托盘201上开设有与卡接块601相互适配的卡接槽605，通过向下移动按压块506至合适位置时，推动控制块603，由于卡接块601底端通过齿条602与齿轮604啮合传动连接，控制块603能够带动卡接块601向托盘201一侧移动，使得卡接块601的一端能够卡接至卡接槽605内便于对连接板501的位置进行固定，从而能够更加方便的进行测试。
22.本发明还公开了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制方法，具体包括以下步骤：s1：将待测产品放置于放置孔202中的放置筒3内，然后再通过手柄206使得盖板203将导电层204置于托盘201上方，导电层204可以粘接于盖板203上，导电层204也可以通过其它方式设置于盖板203上，位于放置筒3内的所有待测产品均与导电层204接触，再将测试笔放置于通孔205内，使测试笔与导电层204接触，即可实现对托盘201上所有的待测产品进行测试，托盘201上的待测产品有不合格品时，绝缘耐压仪103会发出报警信号；
s2：此时，分别按压托盘201两侧的按压块506，按压块506带动连接板501向下移动，连接板501带动位于底端的滑盘402向下移动，滑盘402带动控制杆403向下移动，使得一排待测产品全部脱离与导电层204的接触即可排除不合格的产品，绝缘耐压仪103即可检测出合格的信号；s3：针对s2中的一排待测产品，通过向下拉动把手406，操作控制杆403使待测产品逐个脱离与导电层204的接触，不合产品脱离与导电层204的接触后，绝缘耐压仪103即可检测出合格的信号，再一次操作多个控制杆403时可以使多个待测产品与导电层204脱离接触，从而可以迅速排除不合格产品，逐个使待测产品脱离与导电层204的接触，或者使多个待测产品与导电层204脱离接触即可排除不合格的产品，通过向下移动按压块506至合适位置时，推动控制块603，由于卡接块601底端通过齿条602与齿轮604啮合传动连接，控制块603能够带动卡接块601向托盘201一侧移动，使得卡接块601的一端能够卡接至卡接槽605内便于对连接板501的位置进行固定，从而能够更加方便的进行测试。
23.同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
24.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
25.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。