一种栅极总线结构及沟槽栅芯片的制作方法

技术特征：
1.一种栅极总线结构，其特征在于，包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，所述阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且所述阱区内形成有多条与所述元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于所述阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。2.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的深度和/或宽度与所述元胞区沟槽一致，或者小于所述元胞区沟槽的深度和/或宽度。3.根据权利要求2所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的宽度的取值范围为0.3微米至2微米，所述栅极总线沟槽的深度的取值范围为2微米至7微米。4.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的间距与所述元胞区沟槽的间距一致，或者小于所述元胞区沟槽的间距。5.根据权利要求4所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的间距的取值范围为0.3微米至6微米。6.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述设定角度包括90
°
。7.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述绝缘层形成有贯穿所述绝缘层的接触孔，以使所述栅极信号传导层形成于绝缘层上方时覆盖所述接触孔，与所述元胞区沟槽中的导电材料实现电位连接。8.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述绝缘层的材质包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种。9.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极信号传导层的材质包括多晶硅、金属硅化物、金属中的一种或几种。10.一种沟槽栅芯片，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的栅极总线结构。11.根据权利要求10所述的沟槽栅芯片，其特征在于，所述沟槽栅芯片包括沟槽栅igbt芯片或沟槽栅mosfet芯片。

技术总结
本发明提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。现。现。


技术研发人员：姚尧 罗海辉 肖强 梁利晓 刘葳 管佳宁 覃荣震 何逸涛
受保护的技术使用者：株洲中车时代半导体有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/3/22