过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置。


背景技术：

2.在显示面板的制作过程中，通过刻蚀形成过孔是常用的工艺。但是现有技术中，孔内刻蚀存在一定的缺陷，严重影响了显示面板的良率。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置。
4.本技术实施例提供一种过孔刻蚀方法，包括：
5.提供基板，所述基板的一侧层叠设置有第一膜层和第二膜层，所述第二膜层设置于所述第一膜层远离所述基板的一侧；
6.在由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第二膜层的表面刻蚀过孔；
7.当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
8.在一个实施例中，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一膜层和所述第二膜层之间还设置有第一标记层，所述第一标记层的材料与所述第一膜层和所述第二膜层的材料不同，所述第一标记层设置于刻蚀所述第二过孔的路径上；
9.所述在由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第二膜层的表面刻蚀过孔包括：
10.在由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第二膜层的表面同时刻蚀第一过孔和第二过孔，并监测刻蚀所述第一标记层的生成物的光强变化率；
11.所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括：
12.当刻蚀所述第一标记层的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
13.本实施例中，由于刻蚀所述第一过孔和所述第二过孔的相同。因此根据所述第二过孔的位置可以判断所述第一过孔的位置。
14.在继续刻蚀时，所述第一过孔的刻蚀终点可以位于所述第一膜层。由于所述第一膜层的材料和厚度为已知。因此可以通过经验值或者计算得到在所述第一膜层的刻蚀速率。此时仅通过控制刻蚀时间即可控制所述第一过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度，控制精度更高。
15.在一个实施例中，所述第一膜层和所述第二膜层包括非金属材料，所述第一标记层包括金属材料。
16.本实施例中，金属材料和非金属材料的被刻蚀后生成物的光强具有较大的差异，因此便于监测。
17.在一个实施例中，所述基板包括显示区，所述第二过孔和所述第一标记层位于所述显示区，所述第一标记层用于形成信号走线。
18.本实施例中，将形成所述信号走线的膜层作为所述第一标记层，可以利用现有的膜层对所述第二过孔的刻蚀位置进行定位，能够简化工艺。
19.在一个实施例中，所述第一过孔位于所述显示区，所述基板和所述第一膜层之间设置沟道层，所述沟道层设置于所述刻蚀所述第一过孔的路径上，所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括：
20.当刻蚀所述第一标记层的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔与所述沟道层接触的位置。
21.本实施例中，当刻蚀到靠近所述沟道层的最后一个膜层时，可以通过控制时间控制所述第一过孔与所述沟道层接触的位置。因此能够避免通过监测刻蚀所述第一过孔的生成物的光强变化率造成的刻蚀深度的误差。进而能够避免在刻蚀所述第一过孔时刻穿所述沟道层或者没有刻到所述沟道层，能够有效提高产品良率。
22.在一个实施例中，所述第二膜层远离所述基板的一侧依次设置有第二标记层和第三膜层，所述过孔还包括第三过孔，所述第二标记层设置于刻蚀所述第三过孔的路径上，所述第二标记层和所述第三膜层的材料不同；
23.所述在由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第二膜层的表面刻蚀过孔包括：
24.在由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第三膜层的表面同时刻蚀所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔，并监测刻蚀所述第三膜层产生的生成物的光强变化率；
25.当刻蚀所述第三膜层的生成物的光强变化率到第二预设值时，监测刻蚀所述第一标记层产生的生成物的光强变化率。
26.本实施例中，在刻蚀所述第三膜层时监控刻蚀所述第三膜层的产生的生成物的光强变化率。在刻蚀所述第二膜层时监控刻蚀所述第一标记层产生的生成物的光强变化率，因此能够精确监控刻蚀所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔在整个刻蚀过程中的进度，提高刻蚀的精度。
27.在一个实施例中，所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括：
28.当刻蚀所述过孔的时间达到预设时间后，开始监控刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率；
29.当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
30.本实施例中，在刻蚀所述过孔的前期，并不需要一直监控所述过孔的刻蚀位置变化。当刻蚀所述过孔的位置大致快到达刻蚀的终点的位置时，再开始检测刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率。这样能够节省精力，简化程序设计。
31.在一个实施例中，所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度中，通过所述第一膜层
的厚度和所述第一膜层的刻蚀速率确定所述第一膜层的刻蚀时间。
32.本实施例提供了一种计算第一膜层的刻蚀时间的方法。
33.在一个实施例中，所述第一膜层和所述第二膜层之间设置有第三标记层，所述第三标记层的材料与所述第一膜层和所述第二膜层的材料不同，所述第三标记层位于刻蚀所述过孔的路径上；
34.所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括：
35.刻蚀所述第三标记层的生成物的光强变化率达到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
36.本实施例中，当需要对所述过孔的终点精确控制时，可以在所述过孔的终点所在膜层远离所述基板的一侧设置所述第三标记层，从而可以精确判断所述过孔刻蚀的位置，然后再通过控制刻蚀时间控制刻蚀所述过孔的终点，能够提高所述过孔终点位置的精确性。
37.本技术实施例还提供一种过孔刻蚀装置，包括：
38.刻蚀模块，用于在第二膜层朝向基板的方向，在所述第二膜层的表面刻蚀过孔，所述基板的一侧层叠设置有第一膜层和所述第二膜层，所述第二膜层设置于所述第一膜层远离所述基板的一侧；
39.控制模块，包括终点监测器，所述控制模块用于当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
40.本技术实施例提供的所述过孔刻蚀方法，先由所述第二膜层朝向所述基板的方向，在所述第二膜层的表面刻蚀过孔。当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，说明刻蚀所述过孔的位置到达所述第一膜层和所述第二膜层的界面。然后继续刻蚀所述第一膜层形成所述过孔。在所述第一膜层刻蚀所述过孔时，通过监测所述过孔产生的生成物的光强变化率能够大致判断所述过孔的刻蚀位置。通过所述生成物的光强变化率判断所述过孔刻蚀的位置可能会有监测延迟带来的误差。由于所述第一膜层厚度已知，所述第一膜层的材料材质和密度相对均匀，因此刻蚀所述第一膜层的速率容易控制。在刻蚀所述过孔的最后阶段，通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度，能够提高刻蚀所述第一过孔的终点位置的精度。
附图说明
41.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
42.图1为本技术一实施例提供的过孔刻蚀方法流程图；
43.图2为本技术一实施例提供的过孔刻蚀方法对应的膜层结构图；
44.图3为本技术一实施例提供的时间-光强曲线图；
45.图4为本技术一实施例提供的过孔刻蚀方法对应的膜层结构图；
46.图5为本技术一实施例提供的过孔刻蚀方法对应的膜层结构图；
47.图6为本技术一实施例提供的时间-光强曲线图；
48.图7为本技术一实施例提供的过孔刻蚀方法对应的膜层结构图。
49.附图标记说明：
50.基板100、第一膜层110、第二膜层120、第三膜层130、第四膜层140、过孔200、第一过孔210、第二过孔220、第三过孔230、第一标记层310、第二标记层320、第三标记层330、沟道层400、栅极层410。
具体实施方式
51.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
52.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
53.在本文中，空间相关的术语如“上部”和“下部”是参照附图定义的。因此，将理解“上部”和“下部”可互换地使用。将理解，当层被称为在另一个层“上”时，其可直接地形成在其他层上，或者也可存在中间层。因此，将理解，当层被称为是“直接在”另一个层“上”时，没有中间层插入在其中间。
54.在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。
55.在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。此外，在下面的实施例中，还将理解的是，这里使用的术语“包含”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
56.在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接，还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。
57.申请文件中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如
“……
中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。
58.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
59.还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
60.正如背景技术所述，发明人经过长期研究发现，过孔刻蚀过程中，过孔的终点监控比较困难。因此容易造成过孔内刻蚀过浅或过孔刻蚀过深的现象。
61.请参见图1和图2，本技术实施例提供一种过孔刻蚀方法，以解决上述问题。所述过孔刻蚀方法包括：
62.s10，提供基板100，所述基板100的一侧层叠设置有第一膜层110和第二膜层120，所述第二膜层120设置于所述第一膜层110远离所述基板100的一侧；
63.s20，在由所述第二膜层120朝向所述基板100的方向，在所述第二膜层120的表面刻蚀过孔200；
64.s30，当刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度。
65.所述s10中，所述基板100可以起到支撑的作用。所述基板100可以由聚酯材料、陶瓷等材料制成。所述第一膜层110和所述第二膜层120可以为不同的材料。所述第一膜层110和所述第二膜层120可以均为无机材料。在一个实施例中，所述第一膜层110和所述第二膜层120的材料可以为氮化硅或者氧化硅。所述第一膜层110和所述第二膜层120可以通过两道不同的工艺制成。
66.所述s20中，由所述第二膜层120到所述基板100的方向，可以为垂直于所述第二膜层120和所述基板100两个膜层的直线所在的方向。从所述第二膜层120远离所述基板100的表面开始刻蚀所述过孔200。刻蚀所述过孔200可以采用干蚀刻的方式。干蚀刻的原理可以为将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成等离子体(plasma)。通过等离子体对膜层加以化学性蚀刻或者离子轰击，达到对膜层刻蚀的目的。
67.所述s30中，通过干蚀刻工艺形成所述过孔200时，也就是在通过等离子体对膜层进行轰击时，膜层会被激发产生出原子或者离子等粒子。所述生成物可以为所述膜层被激发产生出的原子或者离子等粒子。所述生成物也可以为气体的等离子体与所述膜层激发产生的原子或者离子的反应生成物。所述生成物可以为某一种元素，也可以为某一类化学键。可以通过终点监测器(epd)监测所述生成物的光强变化率。所述终点监测器可以采集全波段的光线。确定要监测的生成物后，提取所述生成物对应的光谱的光强变化率并进行监测。通过所述光强变化率可以判断所述生成物产生的量和产生的速率。其中，刻蚀所述过孔200产生的生成物可以在刻蚀工艺前通过实验或者对膜层的分析获得。在刻蚀过程中，可以根据需要监测不同的所述生成物。当所述膜层的材料为碳化硅或者氧化硅时，刻蚀所述过孔200产生的生成物可以为碳氧键。
68.请参见图3，通过监控可以得到所述生成物的光强和时间的对应关系。根据光强和时间的对应关系可以绘制时间-光强曲线。时间可以为横坐标，光强可以为纵坐标。所述光
强变化率可以为所述时间-光强曲线的斜率。所述第一预设值可以根据不同膜层、不同刻蚀的工艺确定。在一个实施例中，所述第一预设值的绝对值可以为0.05。当所述第一预设值的绝对值小于等于0.05时，说明所述生成物的光强变化率较为稳定。也就是说刻蚀过程中所述生成物的产生的量、速率或者种类没有太大变化。当所述第一预设值的绝对值大于等于0.05时，说明刻蚀过程中所述生成物的产生的量、种类或者速率有较大的变化。所述第一膜层110和所述第二膜层120为不同的膜层。也就是说所述第一膜层110和所述第二膜层120由不同的工艺制成。当刻蚀所述过孔200的位置到达所述第一膜层110和所述第二膜层120的交界面时。刻蚀所述过孔200的所述生成物的生成速率和生成的量会受到影响。因此监测所述生成物的光强变化率会有较大的波动。当所述生成物的光强变化率大于0.05时，说明所述生成物的光强变化率较大。所述生成物的光强变化率大于0.05时可以认为刻蚀所述过孔200的位置为所述第一膜层110和所述的第二膜层120的交界面。
69.当所述过孔200刻蚀到所述第一膜层110和所述第二膜层120的交界面后，会继续刻蚀所述第一膜层110。所述第一膜层110的材质和密度相对均匀。所述第一膜层110的厚度也已知，因此能够根据经验或者计算得知刻蚀所述第一膜层110的速率。通过控制时间控制所述第一膜层110的刻蚀速率，也就能控制所述过孔200在所述第一膜层110中的刻蚀深度。
70.本技术实施例提供的所述过孔刻蚀方法，先由所述第二膜层120朝向所述基板100的方向，在所述第二膜层120的表面刻蚀过孔200。当刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，说明刻蚀所述过孔200的位置到达所述第一膜层110和所述第二膜层120的界面。然后继续刻蚀所述第一膜层110形成所述过孔200。在所述第一膜层110刻蚀所述过孔200时，通过监测所述过孔200产生的生成物的光强变化率能够大致判断所述过孔200的刻蚀位置。通过所述生成物的光强变化率判断所述过孔200刻蚀的位置可能会有监测延迟带来的误差。由于所述第一膜层110厚度已知，所述第一膜层110的材料材质和密度相对均匀，因此刻蚀所述第一膜层110的速率容易控制。在刻蚀所述过孔200的最后阶段，通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度，能够提高刻蚀所述过孔200的终点位置的精度。
71.请参见图4，在一个实施例中，所述过孔200包括第一过孔210和第二过孔220。所述第一膜层110和所述第二膜层120之间还设置有第一标记层310。所述第一标记层310的材料与所述第一膜层110和所述第二膜层120的材料不同。所述第一标记层310设置于刻蚀所述第二过孔220的路径上。
72.所述s20包括：在由所述第二膜层120朝向所述基板100的方向，在所述第二膜层120的表面同时刻蚀第一过孔210和第二过孔220，并监测刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率。
73.所述s30包括：当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔210在所述第一膜层110的刻蚀的深度。
74.所述第一过孔210和所述第二过孔220的位置不限。所述第一过孔210和所述第二过孔220可以位于显示面板的显示区，也可以位于所述显示面板的非显示区。所述第一标记层310可以与所述第一膜层110和所述第二膜层120层叠设置。所述第一标记层310位于所述刻蚀所述第二过孔220的路径上，也就是说，在刻蚀所述第二过孔220的过程中会刻蚀到所述第一标记层310。所述第一标记层310可以只位于所述第二过孔220的刻蚀路径上。所述第
一过孔210的刻蚀路径上可以不设置所述第一标记层310。
75.所述第一标记层310的材料与所述第一膜层110和所述第二膜层120的材料不同。因此，当刻蚀所述第二过孔220的位置到达所述第一标记层310和所述第二膜层120之间时，由于刻蚀所述第二过孔220的生成物的成分和速率发生变化。因此所述生成物的光强变化率发生较为明显的变化。
76.所述s20中，在所述第二膜层120的表面同时刻蚀第一过孔210和第二过孔220时，刻蚀的工艺相同。也就是说刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220的制程同时进行。在这个阶段，由于所述第一过孔210和所述第二过孔220均形成在所述第二膜层120。因此这个阶段刻蚀所述第一过孔210的速率和刻蚀所述第二过孔220的速率相同。所述第一过孔210和所述第二过孔220的刻蚀进度相同。在刻蚀之前，可以先确定对所述第一标记层310进行刻蚀时的生成物的成分。然后在刻蚀过程中对所述第一标记层310刻蚀的生成物的光强变化率进行监测。在刻蚀所述第二膜层120时，由于还没有刻蚀所述第一标记层310，因此刻蚀所述第一标记层310的生成物含量很低或者没有。此时所述生成物的光强可以很小。所述第一标记层310的生成物的光强变化率也维持在基本不变的状态。
77.所述s30中，当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，说明此时所述第一标记层310的生成物的光强变化率具有较大的变化。可以判断此时所述第二过孔220刻蚀的位置到达所述第一标记层310和所述第二膜层120的界面。在此之前，由于刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220的相同。因此根据所述第二过孔220的位置可以判断所述第一过孔210的位置。当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，可以停止对所述第二过孔220刻蚀，继续对所述第一过孔210刻蚀。
78.在继续刻蚀时，所述第一过孔210的刻蚀终点可以位于所述第一膜层110。由于所述第一膜层110的材料和厚度为已知。因此可以通过经验值或者计算得到在所述第一膜层110的刻蚀速率。此时仅通过控制刻蚀时间即可控制所述第一过孔210在所述第一膜层110的刻蚀的深度，控制精度更高。
79.在一个实施例中，所述第一膜层110和所述第二膜层120包括非金属材料。所述第一标记层310包括金属材料。金属材料和非金属材料的被刻蚀后生成物的光强具有较大的差异，因此便于监测。在一个实施例中，所述第一膜层110和所述第二膜层120可以分别为碳化硅和氧化硅。所述第一标记层310可以为金属钼。在刻蚀所述过孔200前，可以设置监控的目标为刻蚀所述金属钼的生成物的光强变化率。当所述金属钼的生成物的光强变化率达到所述第一预设值时，可以通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔210在所述第一膜层110的刻蚀的深度，以此来控制第一过孔210的深度。
80.在一个实施例中，所述基板100包括显示区。所述第二过孔220和所述第一标记层310位于所述显示区。所述第一标记层310用于形成信号走线。所述第二过孔220可以用于连接不同的信号走线。所述信号走线可以为数据线或者扫描线。所述第一标记层310也可以为除金属钼以外的其它金属。所述第一标记层310也可以为银或者铜。在一般的干蚀刻工艺中，等离子体工艺对金属材料的刻蚀能力较差，对碳化硅或者氧化硅等膜层的刻蚀能力较强。因此在对所述第一标记层310刻蚀时，不会对所述第一标记层310产生较大的破坏，也不会刻蚀透所述第一标记层310。将形成所述信号走线的膜层作为所述第一标记层310，可以利用现有的膜层对所述第二过孔220的刻蚀位置进行定位，能够简化工艺。
81.在一个实施例中，所述第一过孔210位于所述显示区。所述基板100和所述第一膜层110之间设置沟道层400。所述沟道层400设置于所述刻蚀所述第一过孔210的路径上，所述s30包括：
82.当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔210与所述沟道层400接触的位置。
83.所述沟道层400设置于所述刻蚀所述第一过孔210的路径上，也就是说所述第一过孔210的终点可以为所述沟道层400。示例性的，所述第一过孔210可以将所述沟道层400与薄膜晶体管的源极层和漏极层连接。当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔210与所述沟道层400接触的位置。因此，当刻蚀到靠近所述沟道层400的最后一个膜层时，可以通过控制时间控制所述第一过孔210与所述沟道层400接触的位置。因此能够避免通过监测刻蚀所述第一过孔210的生成物的光强变化率造成的刻蚀深度的误差。进而能够避免在刻蚀所述第一过孔210时刻穿所述沟道层400或者没有刻到所述沟道层400，能够有效提高产品良率。
84.请参见图5，在一个实施例中，在所述第一膜层110和所述第二膜层120之间还设置有栅极层410。示例性的，所述栅极层410可以用于形成薄膜晶体管的栅极。
85.在一个实施例中，所述第二膜层120远离所述基板100的一侧依次设置有第二标记层320和第三膜层130。所述过孔200还包括第三过孔230。所述第二标记层320设置于刻蚀所述第三过孔230的路径上。所述第二标记层320和所述第三膜层130的材料不同。
86.所述s20包括：
87.s21，在由所述第二膜层120朝向所述基板100的方向，在所述第三膜层130的表面同时刻蚀所述第一过孔210、所述第二过孔220和所述第三过孔230，并监测刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率；
88.s22，当刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率到第二预设值时，监测刻蚀所述第一标记层310产生的生成物的光强变化率。
89.所述第二标记层320的材料可以为金属材料。所述第三膜层130的材料可以为氮化硅或者氧化硅等非金属材料。所述第二标记层320可以仅位于刻蚀所述第三过孔230的路径上。也就是说，在刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220的路径上可以不设置第二标记层320。所述第二标记层320和所述第三膜层130的材料不同。因此在沿着所述第三膜层130朝向所述基板100的方向刻蚀所述第三过孔230时，刻蚀所述第三膜层130和刻蚀所述第二标记层320的生成物不同。因此在刻蚀所述第三膜层130的过程中，监测刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率变化不大。当刻蚀所述第三过孔230的位置到达所述第三膜层130和所述第二标记层320的交界面时，刻蚀所述第三膜层130的生成物的量和速率会有较大变化。因此刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率变化较大。在这种情况下可以判断刻蚀所述第三过孔230的位置到达所述第三膜层130和所述第二标记层320之间。
90.所述s21中，在所述第三膜层130远离所述基板100的表面同时刻蚀所述第一过孔210、所述第二过孔220和所述第三过孔230。与此同时，还可以同时开始监测所述第三膜层130的生成物的光强变化率。其中，所述第三膜层130的生成物可以在刻蚀工艺前获得。
91.所述s22中，当刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率到第二预设值时，说明刻蚀所述第三膜层130的所述生成物的含量或者产生速率发生了较大变化。此时可以判
断刻蚀所述第三过孔230的位置到达所述第三膜层130和所述第二标记层320的交界面。由于所述第一过孔210、所述第二过孔220与所述第三过孔230的刻蚀工艺同时进行。且在此之前刻蚀所述第一过孔210、所述第二过孔220与所述第三过孔230的膜层相同。因此此时也可以判断刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220的水平位置与所述第三膜层130和所述第二标记层320的水平位置相同。当刻蚀所述第三膜层130的生成物的光强变化率到第二预设值时，可以停止对所述第三过孔230刻蚀，继续刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220。
92.在继续刻蚀的过程中，转换为监测所述监测刻蚀所述第一标记层310产生的生成物的光强变化率。所述第二过孔220和所述第一过孔210会通过所述第二膜层120继续延伸。由于所述第一标记层310在所述第二过孔220的刻蚀路径上。因此刻蚀所述第二过孔220的位置也会到达所述第一标记层310和所述第二膜层120的交界面。当刻蚀所述第一标记层310的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，说明此时刻蚀所述第一过孔210和所述第二过孔220的位置到达所述第二膜层120和所述第一标记层310的交界面。此时可以停止对所述第二过孔220刻蚀。然后开始通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔210在所述第一膜层110的刻蚀的深度。从而精确控制所述第一过孔210的刻蚀位置。
93.在刻蚀所述第三膜层130时监控刻蚀所述第三膜层130的产生的生成物的光强变化率。在刻蚀所述第二膜层120时监控刻蚀所述第一标记层310产生的生成物的光强变化率，因此能够精确监控刻蚀所述第一过孔210、所述第二过孔220和所述第三过孔230在整个刻蚀过程中的进度，提高刻蚀的精度。
94.可以理解的是，第二预设值的大小具体可根据实际情况进行设置，在此不作限定。
95.在一个实施例中，所述第三膜层130远离所述基板100的一端还设置有第四膜层140。所述第四膜层140的材料可以为氮化硅或者氧化硅。所述第一过孔210、所述第二过孔220和所述第三过孔230可以从所述第四膜层140远离所述基板100的位置开始刻蚀。
96.在一个实施例中，所述第二标记层320的材料也可以为金属钼。所述第二标记层320和所述第三过孔230也可以位于显示区。所述第二标记层320可以用于形成信号走线。所述第三过孔230可以用于将不同层的信号走线连接。
97.请参见图3和图6，在一个实施例中，所述s30包括：
98.s31，当刻蚀所述过孔200的时间达到预设时间后，开始监控刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率；
99.s32，当刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度。
100.所述s31中，通常刻蚀所述过孔200深度较深，刻蚀的时间也比较长，刻蚀过程会穿过多个膜层。在刻蚀所述过孔200的前期，并不需要一直监控所述过孔200的刻蚀位置变化。当刻蚀所述过孔200的位置大致快到达刻蚀的终点的位置时，再开始检测刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率。这样能够节省精力，简化程序设计。预设时间可以根据经验或者大致的计算获得。
101.在一个实施例中，通过所述第一膜层110的厚度和所述第一膜层110的刻蚀速率确定所述第一膜层110的刻蚀时间。所述第一膜层110的材料和密度具有较高的一致性和均一性。因此可以通过实验或者计算获得在刻蚀工艺中刻蚀所述第一膜层110的刻蚀速率。将所述第一膜层110的厚度除以所述第一膜层110的刻蚀速率，可以得到所述第一膜层110的刻
蚀时间。
102.图3和图7中时间的单位可以为秒。可以控制所述终点监测器在延迟120秒后再开始监测所述生成物的光强变化率。其中图3为监测碳氮键的时间-光强曲线，图7为监测金属钼元素的时间-光强曲线。
103.请参见图7，在一个实施例中，所述第一膜层110和所述第二膜层120之间设置有第三标记层330。所述第三标记层330的材料与所述第一膜层110和所述第二膜层120的材料不同。所述第三标记层330位于刻蚀所述过孔200的路径上。
104.所述30包括：
105.刻蚀所述第三标记层330的生成物的光强变化率达到所述第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度。
106.所述第三标记层330可以位于显示区，也可以位于所述非显示区。所述第三标记层330的材料不限，只要所述第三标记层330与所述第一膜层110和所述第二膜层120的材料不同即可。在刻蚀所述过孔200时，所述过孔200可以穿过所述第三标记层330。当刻蚀所述第三标记层330的生成物的光强变化率达到所述第一预设值时，可以判断此时所述过孔200的刻蚀位置位于所述第三标记层330和所述第二膜层120之间。然后通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度。可以理解的是，第一预设值的大小具体可根据实际情况进行设置。
107.当需要对所述过孔200的终点精确控制时，可以在所述过孔200的终点所在膜层远离所述基板100的一侧设置所述第三标记层330，从而可以精确判断所述过孔200刻蚀的位置，然后再通过控制刻蚀时间控制刻蚀所述过孔200的终点，能够提高所述过孔200终点位置的精确性。
108.基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种过孔刻蚀装置。所述过孔刻蚀装置包括刻蚀模块和控制模块。所述刻蚀模块用于在第二膜层120朝向所述基板100的方向，在所述第二膜层120的表面刻蚀过孔200。所述基板100的一侧层叠设置有第一膜层110和所述第二膜层120。所述第二膜层120设置于所述第一膜层110远离所述基板100的一侧。所述控制模块包括终点监测器，用于当刻蚀所述过孔200产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，通过控制刻蚀时间控制所述过孔200在所述第一膜层110的刻蚀的深度。所述过孔刻蚀装置能够提高所述过孔200终点位置的精确性。
109.本技术实施例还提供一种显示装置。所述显示装置可以通过上述实施例提供的所述过孔200刻蚀方法制作。本技术实施例中的显示装置可以为oled显示装置、qled显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记型电脑、数码相框、导航仪、可穿戴设备、物联网设备等任何具有显示功能的产品或部件，本技术公开的实施例对此不作限制。
110.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，附图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
111.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实
施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
112.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。