一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的栅极层和层间绝缘层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构；其中，所述栅极层包括第一栅极结构、第二栅极结构和位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的第一阻挡层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述栅极层的外表面的第二阻挡层和介质层，所述第二阻挡层位于所述介质层和所述第一栅极结构之间；其中，所述介质层位于所述第二阻挡层和所述层间绝缘层之间，以及位于所述第二阻挡层和所述沟道结构之间。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料为氮化钛或氮化钨。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：贯穿所述堆叠结构的栅线缝隙；依次填充所述栅线缝隙的绝缘层和导电层，所述绝缘层与所述第一阻挡层和所述第二栅极结构连接。5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替层叠设置的层间牺牲层和层间绝缘层；形成贯穿所述堆叠层的沟道结构；去除所述层间牺牲层，以形成第一空腔；于所述第一空腔内形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构中形成第二空腔；在所述第二空腔内依次形成第一阻挡层和第二栅极结构。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一栅极结构中形成有气隙；所述在所述第一栅极结构中形成第二空腔的步骤，包括：对所述第一栅极结构进行回蚀，以扩大或打开所述气隙形成所述第二空腔。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一栅极结构进行回蚀的步骤之后，所述制备方法还包括：对所述第一栅极结构进行第一次加热处理，以释放氟气体。8.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述第一空腔内形成第一栅极结构的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述第一空腔内依次沉积介质层和第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述介质层和所述第一栅极结构之间。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为氮化钛或氮化钨。
10.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第二空腔内依次形成第一阻挡层和第二栅极结构的步骤，包括：在所述第二空腔中和所述层间绝缘层暴露的表面沉积所述第一阻挡层；在所述第一阻挡层的表面沉积所述第二栅极结构；去除位于所述第二空腔外的所述第二栅极结构，且保留位于所述第二空腔内的所述第二栅极结构；去除位于所述第二空腔外的所述第一阻挡层，且保留位于所述第二空腔内的所述第一阻挡层。11.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第二空腔内依次形成第一阻挡层和第二栅极结构的步骤之后，所述制备方法还包括：对所述第二栅极结构进行第二次加热处理，以释放氟气体。12.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述去除所述层间牺牲层，以形成第一空腔的步骤包括：形成贯穿所述堆叠层的栅线缝隙；通过所述栅线缝隙对所述层间牺牲层进行刻蚀，以去除所述层间牺牲层形成所述第一空腔。13.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的半导体器件。14.一种存储系统，其特征在于，包括：权利要求13所述的存储器；控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用于控制所述存储器存储数据。

技术总结
本发明公开了提供一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括交替层叠设置的层间牺牲层和层间绝缘层，再形成贯穿堆叠层的沟道结构，然后去除层间牺牲层形成第一空腔，并在第一空腔中形成第一栅极结构。接着在第一栅极结构中形成第二空腔，最后在第二空腔内依次形成第一阻挡层和第二栅极结构。本发明通过形成位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的第一阻挡层，能够有效降低氟的侵蚀。能够有效降低氟的侵蚀。能够有效降低氟的侵蚀。


技术研发人员：汤召辉 周文斌 霍宗亮 黄攀 卢峰 徐伟
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/4/5