半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在所述处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对于所述基板由第一供给部供给原料气体的工序和对于所述基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，从而在所述基板上形成膜的处理，(c)从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板的工序，和(d)在从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板后的状态下，使(b)中在所述处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序；在(d)中，向所述处理容器内供给含氧气体和含氢气体，并同时向所述第一供给部供给所述含氢气体。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，从与所述第一供给部相对的位置，向所述第一供给部供给所述含氢气体。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，使形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边的膜的氧化量比形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边之外的部分的膜的氧化量多。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，使将形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边的膜氧化而成的氧化膜比将形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边之外的部分的膜氧化而成的氧化膜厚。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，使形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边的膜比形成于所述处理容器内的所述第一供给部及其周边之外的部分的膜厚。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，设置多个所述第二供给部，在(d)中，从多个所述第二供给部中的任一个供给所述含氧气体和所述含氢气体。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，多个所述第二供给部中的1个与所述第一供给部相对，在(d)中，从与所述第一供给部相对的所述第二供给部向所述第一供给部供给所述含氢气体。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，在连续地或间歇地向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的状态下，将所述处理容器内的排气停止和所述处理容器内的排气交替进行预定次数。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，交替进行以下工序：在所述处理容器内的排气停止的状态下，向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的工序，和在所述处理容器内的排气的状态下，向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的工序。10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(d)中，使维持所述处理容器内的排气停止状态的时间比维持所述处理容器内的排气状态的时间长。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，在连续地或间歇地向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的状态下，对于设置在对所述处理容器内进行排气的排气管中的排气阀门进行预定次数的开关。12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法根据，其中，在(d)中，将以下工序交替进行预定次数：在将设置在对所述处理容器内进行排气的排气管中的排气阀门关闭的状态下，向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的工序，和在所述排气阀门打开的状态下，向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的工序。13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，使维持所述排气阀门关闭状态的时间比维持所述排气阀门打开状态的时间长。14.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，在连续地或间歇地向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体的状态下，对所述处理容器内进行脉冲排气。15.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，向小于大气压的压力下的加热状态的所述处理容器，供给所述含氧气体和所述含氢气体。16.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在(d)中，使所述含氢气体的供给流量比所述含氧气体的供给流量大。17.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述反应气体为氮化气体，所述膜是至少含有半导体元素和金属元素中的至少任一种以及氮的膜。18.一种基板处理方法，具有以下工序：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在所述处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对于所述基板由第一供给部供给原料气体的工序和对于所述基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，从而在所述基板上形成膜的处理，(c)从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板的工序，和(d)在从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板后的状态下，使(b)中在所述处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序；其中，在(d)中，向所述处理容器内供给含氧气体和含氢气体，并同时向所述第一供给部供给所述含氢气体。19.一种基板处理装置，具有：处理基板的处理容器，原料气体供给系统，其对于所述处理容器内的基板由第一供给部供给原料气体，
反应气体供给系统，其对于所述处理容器内的基板由第二供给部供给反应气体，含氧气体供给系统，其向所述处理容器内供给含氧气体，含氢气体供给系统，其向所述处理容器内供给含氢气体，将基板运送至所述处理容器内外的运送装置，和控制部，其构成为能够控制所述原料气体供给系统、所述反应气体供给系统、所述含氧气体供给系统、所述含氢气体供给系统和所述运送装置来进行以下处理：(a)向所述处理容器内搬入基板的处理，(b)在所述处理容器内，通过将对于所述基板由所述第一供给部供给所述原料气体的处理和对于所述基板由所述第二供给部供给所述反应气体的处理交替或同时进行预定次数从而在所述基板上形成膜的处理，(c)从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板的处理和(d)在从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板后的状态下，使(b)中在所述处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的处理，且在(d)中，向所述处理容器内供给所述含氧气体和所述含氢气体并同时向所述第一供给部供给所述含氢气体。20.一种计算机可读的记录介质，记录有通过计算机使基板处理装置执行如下过程的程序：(a)向所述基板处理装置的处理容器内搬入基板的过程，(b)在所述处理容器内进行以下处理的过程，即，通过将对于所述基板由第一供给部供给原料气体的过程和对于所述基板由第二供给部供给反应气体的过程交替或同时进行预定次数，从而在所述基板上形成膜的处理，(c)从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板的过程，(d)在从所述处理容器内搬出所述处理后的所述基板后的状态下，使(b)中在所述处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的过程，在(d)中，向所述处理容器内供给含氧气体和含氢气体，并同时向所述第一供给部供给所述含氢气体的过程。

技术总结
本发明是半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，在基板上形成膜的处理，(c)从处理容器内搬出处理后的基板的工序和(d)在从处理容器内搬出处理后的基板后的状态下，使(b)中在处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序，在(d)中，向处理容器内供给含氧气体和含氢气体，同时向第一供给部供给含氢气体。体。体。


技术研发人员：野田孝晓 今村友纪 奥田和幸 寺崎昌人
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2021.09.15
技术公布日：2022/4/12