一种芯片及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；以及对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上形成外延层和功能器件，以制作出芯片。2.如权利要求1所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，具体包括：对所述高纯单晶硅片的其中一面先进行粗抛光处理，再进行精抛光处理；对所述低纯单晶硅片的其中一面先进行粗抛光处理，再进行精抛光处理。3.如权利要求2所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述粗抛光处理的抛光深度在15-20um之间，所述精抛光处理的抛光深度在5-10um之间。4.如权利要求1所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，在所述分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理的步骤中，所述高纯单晶硅片的抛光深度和所述低纯单晶硅片的抛光深度在20-30um之间。5.如权利要求3所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述高纯单晶硅片的抛光面的表面粗糙度在1.5-5.5um之间，所述低纯单晶硅片的抛光面的表面粗糙度在1.5-5.5um之间。6.如权利要求1-5任意一项所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片，具体包括：对所述键合腔室内部的所述预键合硅片进行加热处理，并同时通入氮气或氩气，以得到所述键合硅片。7.如权利要求6所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述预键合硅片的加热时间为1-3小时，通入氮气或氩气的时间为1-3小时。8.如权利要求6所述的一种芯片的制作方法，其特征在于，所述预键合硅片的加热温度为900-1200℃。9.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：分别将高纯单晶硅片的其中一面先粗抛光15-20um，再精抛光5-10um，以及将低纯单晶硅片的其中一面先粗抛光15-20um，再精抛光5-10um；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，将所述预键合硅片置于键合腔室内部，在加热温度为1200℃的条件下加热1.5-2.5h，并在加热的同时通入氩气或氮气，以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面先粗抛光15-20um，再精抛光5-10um，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上形成外延层和功能器件；以及去除掉所述键合硅片中的所述低纯单晶硅片，并在所述高纯单晶硅片的背面形成背面金属层，以制作出芯片。10.一种芯片，其特征在于，所述芯片由权利要求1-9任意一项所述的芯片的制作方法所制得。

技术总结
本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上依次形成外延层和功能器件。本申请利用低纯单晶硅片作为牺牲层，得以减小整个高纯单晶硅片的厚度，极大地降低了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。


技术研发人员：史仁先 王国峰
受保护的技术使用者：青岛惠芯微电子有限公司 北海惠科半导体科技有限公司
技术研发日：2021.03.18
技术公布日：2022/4/15