显示面板及其制造方法与流程

1.本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种包括发光二极管的显示面板及其制造方法。


背景技术：

2.发光二极管是一种电致发光的半导体元件，具有寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。随着半导体工艺的进步，发光二极管的发光层的尺寸逐年缩小。然而，发光二极管的金属电极限制了发光二极管的发光层的面积，使小尺寸的发光二极管(例如微型发光二极管(micro-led))的有效发光面积不足，进而导致显示装置的亮度不足。


技术实现要素：

3.本发明提供一种显示面板，能改善显示面板亮度不足的问题。
4.本发明提供一种显示面板的制造方法，能改善显示面板亮度不足的问题。
5.本发明的至少一实施例提供一种显示面板。显示面板包括电路基板、发光二极管以及反射层。发光二极管包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间。第二半导体层位于第一半导体层与电路基板之间。反射层接触发光二极管的部分侧面。部分反射层位于发光二极管与电路基板之间。以垂直电路基板的顶面的方向为高度方向，反射层的顶面的水平高度位于发光层的顶面的水平高度与发光二极管的顶面的水平高度之间。
6.本发明的至少一实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：提供电路基板；将发光二极管放置于电路基板上，其中发光二极管，包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，且第二半导体层位于第一半导体层与该电路基板之间；以及在将发光二极管放置于电路基板上之前或之后，形成反射层于电路基板上，其中以垂直电路基板的顶面的方向为高度方向，反射层的顶面的水平高度位于发光层的顶面的水平高度与发光二极管的顶面的水平高度之间，且其中反射层接触发光二极管的部分侧面，且部分反射层位于发光二极管与电路基板之间。
7.基于上述，通过反射层的设置，显示面板的发光效率可以提升。
附图说明
8.图1是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
9.图2a至图2f是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
10.图2g是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
11.图3a至图3c是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
12.图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
13.图5a至图5e是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
14.图6是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
15.图7a至图7b是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
16.图8a至图8c是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
17.图9a是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
18.图9b是图9a的显示面板的俯视图。
19.图10是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
20.图11是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
21.图12是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
22.附图标记说明：
23.1：拼接显示装置
24.10,10’,10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10i：显示面板
25.100：电路基板
26.100s,200s,500s,600s：侧面
27.100t,200t,220t,300t,400t,600t：顶面
28.102：接垫
29.200,200a,200b,200c,200d：发光二极管
30.200b：底面
31.210：第一半导体层
32.220：发光层
33.230：第二半导体层
34.240：第一电极
35.250：第二电极
36.260：绝缘层
37.270：图案化半导体基底
38.300,300a,300b：反射层
39.300p：反射材料
40.310,310p：第一母材
41.320：反射微结构
42.330：导电粒子
43.400：吸光层
44.400p：吸光材料
45.410,410p：第二母材
46.420：吸光粒子
47.500：封装层
48.600：黑色挡墙结构
49.hd：方向
50.h0：厚度
51.h1,h1’,h1”,h2,h3,h4,h5,h6：垂直距离
52.h7：间距
53.ht：高度
54.m1：第一模具
55.m2：第二模具
56.p：半径
57.ps：表面
58.s1：第一连接结构
59.s2：第二连接结构
60.tk：厚度
61.ts,ts’：连接件
具体实施方式
62.图1是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
63.请参考图1，显示面板10包括电路基板100、发光二极管200以及反射层300。在本实施例中，显示面板10还包括吸光层400以及封装层500。
64.电路基板100具有位于其顶面100t的多个接垫102。在一些实施例中，电路基板100包括基底以及形成于基底上的主动元件(未绘出)、无源元件(未绘出)、信号线(未绘出)、绝缘层(未绘出)以及接垫102。前述基底为柔性基底或硬质基底。举例来说，前述基底包括玻璃、石英、有机聚合物、晶圆、陶瓷或是其他可适用的材料。
65.发光二极管200包括第一半导体层210、发光层220以及第二半导体层230。在本实施例中，发光二极管200还包括第一电极240、第二电极250以及绝缘层260。
66.发光二极管200包括按序堆叠的第一半导体层210、发光层220以及第二半导体层230。发光层220位于第一半导体层210与第二半导体层230之间。第二半导体层230位于第一半导体层210与电路基板100之间。在本实施例中，第一半导体层210于电路基板100上的垂直投影的面积大于第二半导体层230于电路基板100上的垂直投影的面积。发光层220于电路基板100上的垂直投影的面积等于第二半导体层230于电路基板100上的垂直投影的面积。
67.第一半导体层210与第二半导体层230中的一者为n型掺杂半导体，且另一者为p型掺杂半导体。第一半导体层210与第二半导体层230的材料例如包括氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)、砷化镓(gaas)、磷化铝镓铟(algainp)或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。发光层220例如具有量子井(quantum well,qw)，例如：单量子井(sqw)、多量子井(mqw)或其他的量子井，p型掺杂的半导体层提供的空穴与n型掺杂的半导体层提供的电子可以在发光层220结合，并以光的模式释放出能量。在一些实施例中，发光层220的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓、砷化镓、磷化铝镓铟、砷化铟铝镓或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料。
68.第一电极240与第二电极250分别电性连接至第一半导体层210与第二半导体层230。第一电极240与第二电极250各自为单层或多层结构。在本实施例中，第一电极240与第二电极250分别通过第一连接结构s1以及第二连接结构s2而电性连接至对应的接垫102。第一连接结构s1以及第二连接结构s2例如为焊料，且包括锡、铟、铋、锡铋混合金属、锡铟混合金属、锡铜混合金属、锡银混合金属、锡锑混合金属、锡锌混合金属、锡银铜混合金属、锡银铜铋混合金属或前述材料的组合。在一些实施例中，形成第一连接结构s1以及第二连接结
构s2的方法包括蒸镀、电镀、印刷、植球或其他合适的工艺。在一些实施例中，分别形成第一连接结构s1以及第二连接结构s2于第一电极240与第二电极250上之后，才将发光二极管200放置于电路基板100上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，形成第一连接结构s1以及第二连接结构s2于电路基板100的接垫102上之后，才将发光二极管200放置于电路基板100上。第一连接结构s1以及第二连接结构s2通过激光、热压或其他方式加热，以使发光二极管200接合至电路基板100。在其他实施例中，发光二极管200通过其他导电连接结构(例如异方性导电胶)而接合至电路基板100，在这种情况下，第一连接结构s1以及第二连接结构s2可以被省略。
69.绝缘层260位于发光二极管200的侧壁200s。举例来说，绝缘层260位于第一半导体层210的侧壁、发光层220的侧壁以及第二半导体层230的侧壁。绝缘层260具有绝缘与反射的功能，且有助于将光导到发光二极管200的顶面。在一些实施例中，绝缘层260能避免反射层300接触第一半导体层210、发光层220以及第二半导体层230的侧壁，减少反射层300对发光二极管200的发光效率所造成的负面影响。在一些实施例中，绝缘层260的厚度h0为0.01微米至2微米。在一些实施例中，绝缘层260包括分布式布拉格反射镜(distributed bragg reflector,dbr)、氮化铝(aln)、三氧化二铝(al2o3)或其他合适的材料。在一些实施例中，绝缘层260可以做为修复半导体材料的损伤的修复层，也可以为用于反射光线的反射层。
70.反射层300位于电路基板100上。反射层300包括第一母材310以及多个反射微结构320。第一母材310例如为固态的有机材料。举例来说，第一母材310为固态的环氧树脂(epoxy)、硅酮(silicone)或其他弹性材料。反射微结构320分布于第一母材310中。反射微结构310包括多孔无机颗粒、中空高分子颗粒或空气。在一些实施例中，反射微结构310为多孔的(或内含空气的)氧化硅(sio2)、氧化钛(tio2)、氧化铝(al2o3)、碳酸钙(caco3)、硫酸钡(baso4)或其他材料。在一些实施例中，反射微结构310为中空高分子颗粒，且其高分子外壳包括聚苯乙烯(polystyrene,ps)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc、改性硅酮(modified silicone,ms)或其他材料。反射层300的反射率与反射粒子的浓度以及反射层的厚度呈正相关。在本实施例中，反射层300对于可见光的反射率大于50％。
71.在本实施例中，反射层300接触发光二极管200的部分侧面200s。部分反射层300位于发光二极管200的底面200b与电路基板100的顶面100t之间。在一些实施例中，反射微结构320的粒径为0.1微米至2微米。反射微结构320的粒径小于发光二极管200与电路基板100之间的间隙，因此，反射微结构320可填入发光二极管200与电路基板100之间。
72.以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300的顶面300t的水平高度位于发光层220的顶面220t的水平高度与发光二极管200的顶面200t(在本实施例中即为第一半导体层的顶面)的水平高度之间。基于此，反射层300可以有效的反射发光层220所发出的光线，借此提升发光二极管200的发光效率。
73.吸光层400位于反射层300的顶面300t上。在本实施例中，吸光层400与反射层300皆接触发光二极管200的侧面200s。吸光层400包括第二母材410以及多个吸光粒子420。第二母材410包括与第一母材310相同或不同的材料。举例来说，第二母材410为固态的环氧树脂(epoxy)、硅酮(silicone)或其他弹性材料。吸光粒子420分布第二母材410中。在一些实施例中，吸光粒子420包括碳、铬、类似滤光元件的吸光染料或其他吸光材料。在本实施例
中，反射层300对于可见光的反射率大于吸光层400的反射率。在一些实施例中，吸光层400的穿透率小于20％。
74.在一些实施例中，吸光层400的顶面400t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h1。垂直距离h1大于绝缘层260的厚度h0。在一些实施例中，垂直距离h1为3微米至15微米。反射层300的顶面300t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h1’。垂直距离h1大于垂直距离h1’。发光层220的顶面220t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h1”。垂直距离h1’大于垂直距离h1”。
75.发光二极管200的顶面200t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h2。在一些实施例中，垂直距离h2为7微米至10微米。在一些实施例中，20％≤h1/h2≤150％，因此，能提升发光二极管200的效率。在垂直距离h1大于垂直距离h2的情况中(即100％《h1/h2≤150％)，吸光层400具有暴露出发光二极管200的顶面200t的开口(未绘出)，这些开口使发光二极管200的顶面200t不会被吸光层400完全覆盖。举例来说，在垂直距离h1大于垂直距离h2的情况中，发光二极管200的顶面200t被吸光层400所覆盖的面积不超过整个顶面200t的50％。另外，若h1/h2小于20％，则吸光层400的工艺精度需求需要很高。若吸光层400太薄，容易使吸光层400下的反射层300被暴露出来，导致反射层300反射外界环境光并影响显示画面的品质。
76.封装层500位于吸光层400上。在一些实施例中，封装层500包括与第一母材310及/或第二母材410相同或不同的材料。在一些实施例中，0≤吸光层400的穿透率/封装层500的穿透率《40％。在优选的实施例中，封装层500对于可见光的穿透率大于吸光层400对于可见光的穿透率以及反射层300对于可见光的穿透率。在一些实施例中，封装层500的穿透率大于50％。
77.图2a至图2f是依照本发明的一实施例的一种显示面板10的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图2a至图2f的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
78.请参考图2a，提供电路基板100。将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上。举例来说，通过巨量转移工艺将发光二极管200a、200b、200c自生长基板或中介基板转移至电路基板100。发光二极管200a、200b、200c电性连接至电路基板100的接垫102。
79.发光二极管200a、200b、200c各自包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，且第二半导体层位于第一半导体层与电路基板100之间。为了方便说明，图2a至图2f省略示出了发光二极管200a、200b、200c中的具体结构，发光二极管200a、200b、200c的结构可参考图1的发光二极管200的结构，于此不再赘述。发光二极管200a、200b、200c例如分别为不同颜色的发光二极管。举例来说，发光二极管200a、200b、200c分别为红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，发光二极管200a、200b、200c为其他颜色的发光二极管。
80.请参考图2b与图2c，形成反射层300于电路基板100上。
81.请先参考图2b，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之后，将发光二极管体200a、200b、200c以及电路基板100置于第一模具m1中。于第一模具m1中填入反射材料300p。反射材料300p包覆发光二极管200a、200b、200c。举例来说，反射材料300p包覆
发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及侧面200s。
82.在本实施例中，反射材料300p包括第一母材310p以及多个反射微结构320。第一母材310p例如为胶状或液态的有机材料。举例来说，第一母材310p包含环氧树脂(epoxy)、硅酮(silicone)、有机溶剂及/或其他材料。反射微结构320分布于第一母材310p中。反射微结构310包括多孔无机颗粒或中空高分子颗粒。
83.在本实施例中，反射材料300p仅形成于电路基板100对应于发光二极管200a、200b、200c的顶面100t，但本发明不以此为限。在其他实施例中，反射材料300p还形成于电路基板100的侧面100s。
84.固化反射材料300p。举例来说，在高温或常温中使第一母材310p固化。
85.请参考图2c，在固化反射材料300p之后，移除第一模具m1。在本实施例中，在移除第一模具m1之后，固化的反射材料300p覆盖发光二极管200a、200b、200c的顶面200t。对固化的反射材料300p执行蚀刻工艺pm1以形成暴露出发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的反射层300。在一些实施例中，蚀刻工艺pm1例如包括等离子体蚀刻工艺。在本实施例中，反射层300还暴露出发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s。
86.在一些实施例中，当反射材料300p中的反射微结构320为无机材料时，部分的反射微结构320会在执行蚀刻工艺pm1之后残留于发光二极管200a、200b、200c的顶面200t上以及反射层300的顶面300t上。因此，在执行蚀刻工艺pm1之后，选择性地对发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及反射层300的顶面300t执行清洗工艺以移除多余的反射微结构320。
87.在本实施例中，以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300的顶面300t的水平高度位于发光二极管200a、200b、200c的发光层的顶面的水平高度与发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的水平高度之间，且其中反射层300接触发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s，且部分反射层300位于发光二极管200a、200b、200c与电路基板100之间。
88.请参考图2d与图2e，形成吸光层400于反射层300上。
89.请先参考图2d，将发光二极管体200a、200b、200c、反射层300以及电路基板100置于第二模具m2中。于第二模具m2中填入吸光材料400p。吸光材料400p包覆发光二极管200a、200b、200c。举例来说，吸光材料400p包覆发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及侧面200s。
90.吸光材料400p包括第二母材410p以及多个吸光粒子420。第二母材410p包括与第一母材310p相同或不同的材料。第二母材410p为胶状或液态的有机材料。举例来说，第二母材410p包含环氧树脂(epoxy)、硅酮(silicone)有机溶剂及/或其他材料。吸光粒子420分布第二母材410p中。在一些实施例中，吸光粒子420包括碳、铬、类似滤光元件的吸光染料或其他吸光材料。
91.在本实施例中，吸光材料400p形成于电路基板100的顶面100t以及电路基板100的侧面100s。反射层300位于吸光材料400p与电路基板100的顶面100t之间。在一些实施例中，反射层300还位于吸光材料400p与电路基板100的侧面100s之间。
92.固化吸光材料400p。举例来说，在高温或常温中使第二母材410p固化。
93.请参考图2e，在固化吸光材料400p之后，移除第二模具m2。在本实施例中，在移除
第二模具m2之后，固化的吸光材料400p覆盖发光二极管200a、200b、200c的顶面200t。对固化的反射材料400p执行蚀刻工艺pm2以形成暴露出发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的吸光层400。在一些实施例中，蚀刻工艺pm2例如包括等离子体蚀刻工艺。在本实施例中，吸光层400还暴露出发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s。
94.在一些实施例中，当吸光材料400p中的吸光粒子420为无机材料时，执行蚀刻工艺pm2之后部分的吸光粒子420会残留于发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及吸光层400的顶面400t。因此，对发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及吸光层400的顶面400t执行清洗工艺以移除多余的吸光粒子420。
95.在本实施例中，吸光层400与反射层300接触发光二极管200a、200b、200c的侧面200s。吸光层400覆盖电路基板100的至少部分侧面100s。吸光层400的侧面400s与电路基板100的侧面100s之间的垂直距离为h3。在一些实施例中，垂直距离h3大于发光二极管200a、200b、200c的厚度tk。在一些实施例中，垂直距离h3为10微米至100微米。
96.请参考图2f，选择性地形成封装层500于吸光层400上。在一些实施例中，形成封装层500的方法例如包括模封工艺(例如类似图2b与图2d的工艺)。在一些实施例中，切割封装层500的侧面500s以使封装层500的侧面500s成为相对平整的表面。至此，显示面板10大致完成。在一些实施例中，封装材料形成于电路基板100上，接着裁切封装材料以形成封装层500，裁切面即为封装层500的侧面500s。在本实施例中，吸光层400完全覆盖反射层300的侧面，使反射层300的侧面不会暴露出来。
97.在一些实施例中，封装层500中亦包含少量的吸光粒子，然而，封装层500的穿透率大于吸光层400的穿透率。
98.在一些实施例中，封装层500的顶面500t与发光二极管200a、200b、200c的顶面200t之间的垂直距离为h4。最靠近电路基板100的侧面100s的发光二极管200c的侧面与封装层500的侧面500s之间的垂直距离为h5。垂直距离h4小于垂直距离h5。
99.在一些实施例中，0％≤h4/h5≤100％，其中在吸光层400的顶面400t高于发光二极管200a、200b、200c的顶面200t时，且发光二极管200a、200b、200c本身可以耐水气时，可以选择性地不于电路基板100上形成封装层500，此时0％＝h4/h5。在具有封装层500的情况下，若h4》h5，则发光二极管200c所发出的光线有可能会于封装层500的表面出现全反射，导致色偏问题。在一些实施例中，垂直距离h4为10微米至150微米。在一些实施例中，垂直距离h5为50微米至500微米。
100.基于上述，通过反射层300的设置，显示面板10的亮度得以提升。此外，反射层300上的吸光层400可用来避免外界环境光被反射层300所反射，借此提升显示品质。
101.请参考图2g，将显示面板10固定于连接件ts上，并将其接合至其他连接件ts’以及显示面板10’，以组成拼接显示装置1。在本实施例中，显示面板10’与显示面板10有相同的结构，以下将以显示面板10为例进行说明。
102.在一些实施例中，显示面板10的侧面500s(在本实施例中，显示面板10的侧面500s即为封装层500的侧面500s)与电路基板100的侧面100s之间的垂直距离为h6。在一些实施例中，50％≤h3/h6≤100％。在封装层500未形成于电路基板100的侧面100s的实施例中，显示面板10的侧面500s即为吸光层400的侧面400s。换句话说，在优选的实施例中，封装层500未覆盖电路基板100的侧面100s，在这种情况中，h3＝h6。在一些实施例中，裁切封装材料以
形成封装层500，若裁切位置位于吸光层400，则裁切后的封装层500暴露出吸光层400，且此时h3＝h6。在一些实施例中，垂直距离h6为20微米至100微米。由于50％≤h3/h6≤100％，显示面板10’与显示面板10之间的缝隙不容易透光，使显示面板10’与显示面板10之间的缝隙不容易被看到，借此获得无缝拼接的优点。
103.在一些实施例中，显示面板10’与显示面板10之间的间距为h7。在一些实施例中，25微米≤h6 h7/2≤100微米。在优选的实施中，25微米≤h6 h7/2≤50微米，因此，显示面板10’与显示面板10之间的缝隙不容易被看到，且还能避免显示面板10’的电路基板100的侧壁与显示面板10的电路基板100的侧壁彼此碰撞。在一些实施例中，显示面板10’与显示面板10之间的间距h7为10微米至90微米。
104.基于上述，拼接显示装置1具由无缝拼接的优点。
105.图3a至图3c是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图3a至3c的实施例沿用图2a至图2f的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
106.请参考图3a，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之后，形成反射层300a于电路基板100上。形成反射层300a的方法包括喷墨印刷。反射层300a包括第一母材310以及分散于第一母材310中的多个反射微结构320。
107.在本实施例中，反射层300a形成于电路基板100的顶面100t以及侧面100s。反射层300a覆盖电路基板100的顶面100t。在本实施例中，反射层300a选择性地覆盖电路基板100的侧面100s。在一些实施例中，喷墨印刷所形成的反射层300a流动至电路基板100的侧面100s，以使反射层300a的侧面300s覆盖电路基板100的侧面100s。相较于图2b的模封工艺所形成的反射层300，喷墨印刷所形成的反射层300a的侧面300s可能为不平整面，并不限于图3a所绘的平整面。
108.反射层300a暴露出发光二极管200a、200b、200c的顶面200t。反射层300a接触发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s，且部分反射层300a位于发光二极管200a、200b、200c与电路基板100之间，其中以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300a的顶面的水平高度位于发光二极管200a、200b、200c的发光层的顶面的水平高度与发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的水平高度之间。
109.请参考图3b，形成吸光层400a于反射层300上。形成吸光层400a的方法包括喷墨印刷。吸光层400a包括第二母材410以及分散于第二母材410中的多个吸光粒子420。
110.吸光层400a覆盖电路基板100的顶面100t以及电路基板100的侧面100s。在一些实施例中，喷墨印刷所形成的吸光层400a流动至电路基板100的侧面100s(或反射层300a的侧面300s)，以使吸光层400a的侧面400s覆盖电路基板100的侧面100s(或反射层300a的侧面300s)。相较于图2d的模封工艺所形成的吸光层400，喷墨印刷所形成的吸光层400a的侧面400s例如为不平整面。
111.请参考图3c，选择性地形成封装层500于吸光层400a。至此，显示装置10a大致完成。
112.在本实施例中，吸光层400的侧面400s与电路基板100的侧面100s之间的最短垂直距离为h3。显示面板10a的侧面500s(在本实施例中，显示面板10a的侧面500s即为封装层
500的侧面500s)与电路基板100的侧面100s之间的垂直距离为h6。在一些实施例中，50％≤h3/h6≤100％。在本实施例中，封装层500及/或吸光层400完全覆盖反射层300a的侧面300s，使反射层300a的侧面300s不会暴露出来。
113.图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
114.图4的显示面板10b与图1的显示面板10的主要差异在于：显示面板10b还包括黑色挡墙结构600。在一些实施例中，黑色挡墙结构600对于可见光的穿透率小于50％，且反射率小于20％。在一些实施例中，黑色挡墙结构600的材质相同或不同于吸光层400的材质。
115.请参考图4，黑色挡墙结构600环绕反射层300。黑色挡墙结构600与发光二极管200被反射层300所隔开。黑色挡墙结构600适用于遮蔽电路基板100中的反射材料(例如金属信号线)，借此避免蔽电路基板100中的反射材料对显示画面造成影响。
116.吸光层400的顶面400t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h1。黑色挡墙结构600的顶面600t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h8。垂直距离h1大于或等于垂直距离h8。在本实施例中，垂直距离h1大于垂直距离h8。
117.发光层220的顶面220t与电路基板100的顶面100t之间的垂直距离为h1”。在一些实施例中，垂直距离h1与垂直距离h1”之间的差值只有3微米至5微米，因此，吸光层400的膜厚不易控制。于不需要设置发光二极管200的部分形成黑色挡墙结构600，可以避免吸光层400的工艺误差导致吸光层400被贯穿并露出下方的反射层300的问题。换句话说，通过黑色挡墙结构600的设置，在没有发光二极管200的部分，即使吸光层400被贯穿也不会使反射层300被暴露出来。
118.在本实施例中，吸光层400覆盖发光二极管200周围的反射层300的顶面300t，并跨过反射层300与最接近发光二极管200的黑色挡墙结构600的交界面。
119.以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300的顶面300t的水平高度位于发光层220的顶面220t的水平高度与发光二极管200的顶面200t(在本实施例中即为第一半导体层210的顶面)的水平高度之间。基于此，反射层300可以有效的反射发光层220所发出的光线，借此提升发光二极管200的发光效率。
120.图5a至图5e是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图5a至5e的实施例沿用图2a至图2f的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
121.请参考图5a与图5b，在一些实施例中，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之前，形成黑色挡墙结构600于电路基板100上。举例来说，以光刻工艺形成黑色挡墙结构600，且黑色挡墙结构600例如包括固化的光刻胶。在其他实施例中，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之后，利用喷墨印刷的方式或利用模具成形加上等离子体蚀刻工艺形成黑色挡墙结构600。
122.请先参考图5a，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之后，将发光二极管体200a、200b、200c、黑色挡墙结构600以及电路基板100置于第一模具m1中。于第
一模具m1中填入反射材料300p。反射材料300p包覆发光二极管200a、200b、200c。举例来说，反射材料300p包覆发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及侧面200s。在一些实施例中，反射材料300p还包覆黑色挡墙结构600的顶面600t以及侧面600s。
123.接着，固化反射材料300p。
124.请参考图5b，在固化反射材料300p之后，移除第一模具m1。在本实施例中，在移除第一模具m1之后，固化的反射材料300p覆盖发光二极管200a、200b、200c的顶面。对固化的反射材料300p执行蚀刻工艺pm1以形成暴露出发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的反射层300。在一些实施例中，蚀刻工艺pm1例如包括等离子体蚀刻工艺。在本实施例中，反射层300还暴露出发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s。在一些实施例中，反射层300选择性地暴露出黑色挡墙结构600的顶面600t。在一些实施例中，反射层300的顶面300t等于或低于黑色挡墙结构600的顶面600t。在本实施例中，反射层300的顶面300t等于黑色挡墙结构600的顶面600t，且黑色挡墙结构600环绕反射层300。
125.在本实施例中，以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300的顶面300t的水平高度位于发光二极管200a、200b、200c的发光层的顶面的水平高度与发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的水平高度之间，且其中反射层300接触发光二极管200a、200b、200c的部分侧面，且部分反射层300位于发光二极管200a、200b、200c与电路基板100之间。
126.请参考图5c与图5d，形成吸光层400于反射层300上。
127.请先参考图5c，将发光二极管体200a、200b、200c、黑色挡墙结构600、反射层300以及电路基板100置于第二模具m2中。于第二模具m2中填入吸光材料400p。吸光材料400p包覆发光二极管200a、200b、200c。举例来说，吸光材料400p包覆发光二极管200a、200b、200c的顶面200t以及侧面200s。在一些实施例中，吸光材料400p接触黑色挡墙结构600的顶面600t，但本发明不以此为限。
128.接着，固化吸光材料400p。
129.请参考图5d，在固化吸光材料400p之后，移除第二模具m2。在本实施例中，在移除第二模具m2之后，固化的吸光材料400p覆盖发光二极管200a、200b、200c的顶面200t。对固化的反射材料400p执行蚀刻工艺pm2以形成暴露出发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的吸光层400。在一些实施例中，蚀刻工艺pm2例如包括等离子体蚀刻工艺。在本实施例中，吸光层400还暴露出发光二极管200a、200b、200c的部分侧面200s。在其他实施例中，吸光层400还暴露出黑色挡墙结构600的顶面600t。
130.请参考图5e，形成封装层500于吸光层400上。至此，显示面板10b大致完成。
131.图6是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
132.图6的显示面板10c与图4的显示面板10b的主要差异在于：显示面板10c的部分反射层300覆盖黑色挡墙结构600的顶面600t。
133.请参考图6，反射层300上设置有吸光层400。即使部分反射层300覆盖黑色挡墙结构600的顶面600t，吸光层400仍能阻挡外界的环境光被反射层300所反射。
134.图7a至图7b是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图7a与图7b的实施例沿用图5a至图5e的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
135.请参考图7a，形成反射层300a于电路基板100上。在本实施例中，以喷墨印刷的方式形成反射层300a于电路基板100上。在一些实施例中，黑色挡墙结构600朝向发光二极管200的侧面600s例如为斜面，借此有助于使反射层300a形成于黑色挡墙结构600所环绕的区域内。在本实施例中，反射层300a的顶面300t低于黑色挡墙结构600的顶面600t。
136.在本实施例中，以垂直电路基板100的顶面100t的方向hd为高度方向，反射层300的顶面300t的水平高度位于发光二极管200a、200b、200c的发光层的顶面的水平高度与发光二极管200a、200b、200c的顶面200t的水平高度之间，且其中反射层300接触发光二极管200a、200b、200c的部分侧面，且部分反射层300位于发光二极管200a、200b、200c与电路基板100之间。
137.请参考图7b，形成吸光层400a于反射层300a上。在本实施例中，以喷墨印刷的方式形成吸光层400a于反射层300a上。接着，形成封装层500于吸光层400上。至此，显示面板10d大致完成。
138.图8a至图8c是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图8a至图8d的实施例沿用图5a至图5e的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
139.请参考图8a，在将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上之前，形成反射层300b于电路基板100上。反射层300b包括异方性导电膜。举例来说，反射层300b除了包括第一母材310以及散布于第一母材中的多个反射微结构320之外，还包括散布于第一母材中的多个导电粒子330。
140.在本实施例中，反射层300b除了形成于电路基板100的接垫102上以外，还形成于黑色挡墙结构600上，但本发明不以此为限。在一些实施例中，反射层300b经图案化而不重叠于黑色挡墙结构600。
141.在形成反射层300b之后，将发光二极管200a、200b、200c放置于电路基板100上，使且发光二极管200a、200b、200c通过反射层300b而电性连接至电路基板100的接垫102。
142.请参考图8b，形成吸光层400于反射层300b上。在本实施例中，利用模具成形加上等离子体蚀刻工艺形成吸光层400(例如图5c与图5d的工艺)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，利用喷墨印刷的方式形成吸光层400于反射层300b上。
143.请参考图8c，形成封装层500于吸光层400上。至此，显示面板10e大致完成。
144.图9a是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。图9b是图9a的显示面板的俯视图。在此必须说明的是，图9a与图9b的实施例沿用图7a至图7b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
145.请参考图9a与图9b，在本实施例中，发光二极管200d除了第一半导体层210、发光层220、第二半导体层230、第一电极240、第二电极250以及绝缘层260之外，还包括图案化半
导体基底270。
146.图案化半导体基底270位于第一半导体层210相对于发光层220的另一侧。图案化半导体基底270具有图案化的表面ps。图案化半导体基底270的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓(ingan)、砷化镓、铝镓铟磷化物(algainp)或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。图案化半导体基底270的导电率小于第一半导体层210的导电率。
147.封装层500的顶面500t具有多个突起的微结构510。在本实施例中，从俯视图(图9b)来看，微结构510为半径p的圆形，而从剖面示意图(图9a)来看，微结构510的高度为ht。在一些实施例中，ht/p为1至1.25，借此有助于提升显示面板10f的亮度。
148.图10是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图2f的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
149.图10的显示面板10g与图2f的显示面板10的差异在于：显示面板10g的封装层500未形成于电路基板100的侧面100s，因此，在本实施例中，h3＝h6。
150.图11是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图2f的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
151.图11的显示面板10h与图2f的显示面板10的差异在于：显示面板10h的反射层300覆盖电路基板100的侧面100s。
152.图12是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图12的实施例沿用图11的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
153.图12的显示面板10i与图11的显示面板10h的差异在于：显示面板10g的封装层500未形成于电路基板100的侧面100s，因此，在本实施例中，h3＝h6。