一种不可见光发光二极管的制作方法

技术特征：
1.不可见光发光二极管，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层，第一覆盖层、第一限制层、有源层、第二限制层、第二覆盖层，第二电流扩展层；其特征在于：所述第一电流扩展层、第一覆盖层和第一限制层包含具有不同al含量的化合物半导体材料，所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间具有第一过渡层，所述第一过渡层的al含量自所述电流扩展层至第一覆盖层方向是逐渐增加的；所述第一覆盖层和第一限制层之间具有第二过渡层，所述第二过渡层的al含量自所述第一覆盖层至第一限制层的方向是逐渐减少的。2.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一过渡层的al含量自所述第一电流扩展层至第一覆盖层方向为线性增加或者分段式增加的。3.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第二过渡层的al含量自所述第一覆盖层至第一限制层方向为线性减少或者分段式减少的。4.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一过渡层的厚度为50~100nm。5.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第二过渡层的厚度为50~100nm。6.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层为al
x1
ga
1-x1
as；所述第一覆盖层为al
y1
ga
1-y1
as；所述第一限制层为al
z1
ga
1-z1
as；所述第一过渡层为al
u1
ga
1-u1
as；所述第二过渡层为al
v1
ga
1-v
as；其中x1＜y1，y1＞z1， x1≤u1≤y1，z1≤v1≤y1。7.根据权利要求6所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述y1-x1≥0.15，y1-z1≥0.15。8.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包含第三过渡层和第四过渡层，所述第三过渡层位于所述第二限制层和第二覆盖层之间，所述第四过渡层位于所述第二覆盖层和第二电流扩展层之间，所述第三过渡层的al含量自所述第二限制层至第二覆盖层方向是逐渐增加的，所述第四过渡层的al含量自所述第二覆盖层至第二电流扩展层方向是逐渐减少的。9.根据权利要求8所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第三过渡层的al含量自所述第二限制层至第二覆盖层方向是线性增加或者逐渐增加的。10.根据权利要求8所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第四过渡层的al含量自所述第二覆盖层至所述第二电流扩展层方向是线性减少或逐渐减少的。11.根据权利要求8所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第三过渡层的厚度是50~100nm。12.根据权利要求8所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第四过渡层的厚度是50~100nm。13.根据权利要求1的不可见光发光二极管，所述不可见光发光二极管辐射峰值波长为750~1000nm的不可见光。

技术总结
本发明公开一种不可见光发光二极管，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层，第一覆盖层、第一限制层、有源层、第二限制层、第二覆盖层，第二电流扩展层；其特征在于：所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间具有第一过渡层，所述第一过渡层的Al含量自所述第一电流扩展层至第一覆盖层方向是逐渐增加的；所述第一覆盖层和第一限制层之间具有第二过渡层，所述第二过渡层的Al含量自所述第一覆盖层至第一限制层的方向是逐渐减少的。本发明中引入过渡层可减小不同材料层间的晶格不匹配，应力大而产生的外延缺陷，提升发光二极管的冷热冲击性能，提升发光二极管的发光效率和使用寿命。效率和使用寿命。效率和使用寿命。


技术研发人员：冯彦斌 高文浩 梁倩 吴超瑜
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/4/22