一种不可见光发光二极管的制作方法

1.本发明涉及半导体制造领域，具体涉及不可见光发光二极管及制备方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，简称led)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。红外发光二极管，由于其特定的波段，以及低功耗和高可靠性，被广泛应用于安全监控、穿戴式装置、空间通信、遥控、医疗器具、传感器用光源及夜间照明等领域。
3.现有红外发光二极管使用algaas材料体系，红外发光二极管中的电流扩展层、覆盖层和限制层al组分不同，材料晶格存在不匹配，带隙存在较大的差别，从而材料层之间存在较大的应力，导致在不同材料层间的界面处产生大量缺陷，从而影响发光二极管的冷热冲击性能等老化性能，从而严重降低发光二极管器件的发光效率和使用寿命。


技术实现要素：

4.为了解决上述的问题，本发明提出一种不可见光发光二极管，可以提升发光二极管器件的冷热冲击性能等老化性能，提升发光二极管器件的可靠性能。
5.本发明提出一种不可见光发光二极管，所述不可见光发光二极管包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层，第一覆盖层、第一限制层、有源层、第二限制层、第二覆盖层，第二电流扩展层；其特征在于：所述第一电流扩展层、第一覆盖层和第一限制层包含具有不同al含量的化合物半导体材料，所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间具有第一过渡层，所述第一过渡层的al含量自所述电流扩展层至第一覆盖层方向是逐渐增加的；所述第一覆盖层和第一限制层之间具有第二过渡层，所述第二过渡层的al含量自所述第一覆盖层至第一限制层的方向是逐渐减少的。
6.在一些可选的实施例中，所述第一过渡层的al含量自所述第一电流扩展层至第一覆盖层方向为线性增加或者分段式增加的。
7.在一些可选的实施例中，所述第二过渡层的al含量自第一覆盖层至第一限制层方向为线性减少或者分段式减少的。
8.在一些可选的实施例中，所述第一过渡层的厚度为50~100nm。
9.在一些可选的实施例中，所述第二过渡层的厚度为50~100nm。
10.在一些可选的实施例中，所述第一电流扩展层为al
x1
ga
1-x1
as；所述第一覆盖层为al
y1
ga
1-y1
as；所述第一限制层为al
z1
ga
1-z1
as；所述第一过渡层为al
u1
ga
1-u1
as；所述第二过渡层为al
v1
ga
1-v1
as；其中x1＜y1，y1＞z1， x1≤u1≤y1，z1≤v1≤y1。
11.在一些可选的实施例中，所述y1-x1≥0.15，y1-z1≥0.15。
12.在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包含第三过渡层和第四过渡层，所述第三过渡层位于所述第二限制层和第二覆盖层之间，所述第四过渡层位于所述第二覆盖层
和第二电流扩展层之间，所述第三过渡层的al含量自所述第二限制层至第二覆盖层方向是逐渐增加的，所述第四过渡层的al含量自所述第二覆盖层至第二电流扩展层方向是逐渐减少的。
13.在一些可选的实施例中，所述第三过渡层的al含量自所述第二限制层至第二覆盖层方向是线性增加或者逐渐增加的。
14.在一些可选的实施例中，所述第四过渡层的al含量自所述第二覆盖层至所述第二电流扩展层方向是线性减少或逐渐减少的。
15.在一些可选的实施例中，所述第三过渡层的厚度是50~100nm。
16.在一些可选的实施例中，所述第四过渡层的厚度是50~100nm。
17.在一些可选的实施例中，所述不可见光发光二极管辐射峰值波长为750~1000nm的不可见光。
18.本发明在第一电流扩展层和第一覆盖层，第一覆盖层和第一限制层间加入第一过渡层和第二过渡层，可减小不同材料层间的晶格不匹配，应力大而产生的外延缺陷，提升发光二极管的冷热冲击性能等老化性能，提升发光二极管的发光效率和使用寿命。
19.进一步地， 在所述第二限制层和第二覆盖层，第二覆盖层和第二电流扩展层之间插入第三过渡层和第四过渡层，可进一步减少外延材料间晶格不匹配，应力大而产生的外延缺陷，进一步提升发光二极管的老化性能，提升发光二极管的发光效率和使用寿命。
20.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
21.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为实施例1中所涉及的不可见光外延结构的侧面剖视图。
23.图2~图3为实施例1中第一过渡层和第二过渡层的al含量的变化曲线图。
24.图4为实施例1中所涉及的不可见光发光二极管的侧面剖视图。
25.图5为实施例2中所涉及的不可见光外延结构的侧面剖视图。
26.图6为实施例2中所涉及的不可见光外延结构的侧面剖视图。
27.图7~8图为实施例2中所涉及的不可见光发光二极管的制备过程中的结构示意图。
28.附图标记：生长衬底：100；缓冲层：101；蚀刻截止层：102；第一欧姆接触层：103；第一电流扩展层：104；第一覆盖层105；第一限制层：106；有源层：107；第二限制层：108；第二覆盖层：109；第二电流扩展层：110；第二欧姆接触层：111；第一过渡层：112；第二过渡层：113；第三过渡层：114；第四过渡层：115；基板：200；键合层：201；镜面层：202；p型欧姆接触
金属层：202a；介电材料层：202b；第一电极：203；第二电极：204；s1：半导体外延叠层的第一表面；s2:半导体外延叠层的第二表面。
具体实施方式
29.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
30.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
31.此外，术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用了区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似词语并非限定与物理或者机械的连接，而是可以包括电性的连接、光连接等，不管是直接的还是间接的。
32.应当理解，本发明所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而不是旨在限制本发明。进一步理解，当在本发明中使用术语“包含”、“包括"时，用于表明陈述的特征、整体、步骤、元件、和/或的存在，而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、元件、和/或它们的组合的存在或增加。
33.除另有定义之外，本发明所使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应进一步理解，本发明所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理解，除本发明中明确如此定义之外。
34.实施例1本实施例提供一种不可见光发光二极管图1为一较佳实施例的led外延结构的示意图，所述led外延结构包括：生长衬底100；半导体外延叠层，包含依次层叠于所述生长衬底100之上的第一电流扩展层104、第一过渡层112、第一覆盖层105；第二过渡层113、第一限制层106；有源层107；第二限制层108；第二覆盖层109；第二电流扩展层110；第二欧姆接触层111。
35.具体地，参照图1，生长衬底100的材料包括但不限于gaas，也可采用其他材料，例如gap、inp等。在本实施例中以gaas生长衬底100为例。可选地，在生长衬底100与第一电流扩展层104之间还依次设置有缓冲层101、蚀刻截止层102和第一欧姆接触层103；其中，由于缓冲层101的晶格质量相对生长衬底100晶格质量好，因而，在生长衬底100上生长缓冲层101有利于消除生长衬底100晶格缺陷对半导体外延叠层的影响；蚀刻截止层102用于后期步骤化学蚀刻的截止层，在一些可选的实施例中，蚀刻截止层102为n型刻蚀截止层，材料为n-gainp。为了便于生长衬底100的后续移除，其厚度控制在500nm以内，更优选的为200nm以内。在一些可选的实施例中，第一欧姆接触层103为gaas材料，厚度范围为10~100nm，掺杂浓度为1~10e 18/cm3，优选为2e18/cm3，以实现更好的欧姆接触结果。
36.半导体外延叠层可以通过物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、外延生长(epitaxy growth technology)和原子束沉积 (atomic layer deposition，ald)等方式形成在生长衬底100上。
37.半导体外延叠层为能够提供常规的如紫外、蓝、绿、黄、红、红外光等辐射的半导体材料，具体的可以是200~950nm的材料，如常见的氮化物，具体的如氮化镓基半导体外延叠层，氮化镓基外延叠层常见有掺杂铝、铟等元素，主要提供200~550nm波段的辐射；或者常见的铝镓铟磷基或铝镓砷基半导体外延叠层，主要提供550~1000 nm波段的辐射。本实施例中优选半导体外延叠层为铝镓砷基半导体外延叠层，辐射峰值波长为750~1000 m的不可见光。
38.第一电流扩展层104起到电流扩展的作用，其扩展能力与厚度有关，因此在本实施例中可根据具体的器件尺寸选择其厚度，较佳厚度控制在2000nm以上，10000nm以下。本实施例中，优选所述第一电流扩展层104的厚度为5~9μm，可保证电流得到均匀的扩展。所述第一电流扩展层104材料为al
x1
ga
1-x1
as，所述x1的范围为0≤x1≤0.3。所述第一电流扩展层104的掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3。
39.半导体外延叠层中的第一覆盖层105和第二覆盖层109分别具有不同的掺杂类型。于本实施例中，第一覆盖层105为提供电子的n型，第二覆盖层109为提供空穴的p型，可通过掺杂元素实现第一覆盖层105或第二覆盖层109具有n型或p型的掺杂类型。第一覆盖层105的能隙与第二覆盖层109能隙皆大于有源层107的能隙。第一覆盖层105可通过掺杂si或者te实现n型掺杂；第二覆盖层109可通过掺杂c或者mg实现p型掺杂。本实施例中，优选所述第一覆盖层105为al
y1
ga
1-y1
as，所述y1的范围为0.3≤y1≤0.5。所述第一覆盖层105为n型掺杂，其掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3，所述第一覆盖层105的厚度为300-1000nm；所述第二覆盖层109为al
y2
ga
1-y2
as，所述y2的范围为0.3≤y2≤0.5。所述第二覆盖层109为p型掺杂，其掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3，所述第二覆盖层109的厚度为300-1000nm。
40.所述第一限制层106位于第一覆盖层105和有源层107之间，所述第一限制层106未进行故意掺杂，可防止第一覆盖层105中的掺杂物扩散进入有源层，提升有源层的晶体质量。优选地，所述第一限制层106的带隙低于第一覆盖层105的带隙，高于有源层107的带隙，即第一限制层106的al含量低于第一覆盖层105的al含量，这样的带隙设计有利于电子进入有源层107中与空穴发生复合。本实施例中，所述第一限制层106为al
z1
ga
1-z1
as，所述z1的范围为0≤z1≤0.3。所述第一限制层106的厚度为100~1000nm。
41.现有结构中第一电流扩展层104，第一覆盖层105和第一限制层106结构之间al组分不同，材料晶格不匹配、带隙存在较大的差别，从而材料之间存在较大应力，导致在第一电流扩展层104和第一覆盖层105，第一覆盖层105和第一限制层106的界面处产生大量缺陷，从而影响发光二极管的老化性能，如冷热冲击性能，降低了发光二极管的可靠性和使用寿命。
42.因此，为了解决上述问题，提升发光二极管的老化性能，如冷热冲击性能，本实施例在第一电流扩展层104和第一覆盖层105之间，第一覆盖层105和第一限制层106之间插入第一过渡层112和第二过渡层113。
43.所述第一过渡层112中的al含量自所述第一电流扩展层104至第一覆盖层105方向是逐渐增加的，所述第一过渡层112为为al
u1
ga
1-u1
as，其中0＜u1＜1，x1≤u1≤y1，y1-x1≥
0.15。所述第一过渡层112的掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3，所述第一过渡层112的厚度为50~100nm。
44.较佳的，所述第一过渡层112的al含量的分布特点可以是沿着厚度方向为线性递增或分段性递增。具体的，如图2所示，所述的第一过渡层112具有t0的厚度，并且可以看成是单层，单层内的al含量为沿着厚度方向线性递增。或者如图3所示，所述的第一过渡层可以是多层，例如至少两层或多层，例如包括第一层、第二层至第n层（n大于等于3）为al
u1
ga
1-u1
as，其中第一层的u值在0~x1之间线性递增，第二层u1值为x1，第三层为u1值在x1~x2之间线性递增，第四层u1值为x2，第五层的u1值在x2~x3之间线性递增，其中x3=y1值，由此形成阶段性递增模式。
45.为了实现第一过渡层112中al含量逐渐递增，例如外延生长一层al
u1
ga
1-u1
as，u1从0.2逐渐递增到0.5，生长过程中可使al的供给速率为线性增速或分段性的增速。
46.所述第二过渡层113中的al含量自所述第一覆盖层105至第一限制层106方向是逐渐减少的，所述第二过渡层113为为al
v1
ga
1-v1
as，其中0＜v1＜1， z1≤v1≤y1，y1-z1≥0.15。所述第二过渡层113的掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3，所述第二过渡层113的厚度为50~100nm。
47.较佳的，al含量的分布特点可以是沿着厚度方向为线性减少或分段性减少的。
48.有源层107为电子和空穴复合提供光辐射的区域，根据发光波长的不同可选择不同的材料，有源层107可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。有源层107包含阱层和垒层，其中垒层具有比阱层更大的带隙。通过调整有源层107中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。有源层107为提供电致发光辐射的材料层，如铟镓砷或铝镓砷，更优选的为铟镓砷，铟镓砷为单量子阱或者多量子阱。本实施例中，优选所述半导体外延叠层辐射峰值波长为750~1000nm的红外光。
49.所述第二限制层108位于有源层107和第二覆盖层109之间，所述第二限制层108未进行故意掺杂，可防止第二覆盖层109中的掺杂物扩散进入有源层107，提升有源层107的晶体质量。优选地，所述第二限制层108的带隙低于第二覆盖层109的带隙，高于有源层107的带隙，即第二限制层108的al含量低于第二覆盖层109的al含量，这样的带隙设计有利于空穴进入有源层107中与电子发生复合。本实施例中，所述第二限制层109为al
z2
ga
1-z2
as，所述z2的范围为0≤z2≤0.3。所述第二限制层108的厚度为100~1000nm。
50.第二电流扩展层110起到电流扩展的作用，其扩展能力与厚度有关，因此在本实施例中可根据具体的器件尺寸选择其厚度优选所述第二电流扩展层110的厚度为0~3μm，可保证电流得到均匀的扩展。所述第二电流扩展层110材料为al
y2
ga
1-y2
as，所述y2的范围为0≤y2≤0.3。所述第二电流扩展层110为p型掺杂，其掺杂浓度为1e 17~4e 18/cm3。
51.第二欧姆接触层111为与第二电极204形成欧姆接触，优选材料为gap，掺杂浓度为5e18/cm3，更优选为1e19/cm3以上，以实现更好的欧姆接触。所示第二欧姆接触层111的厚度优选为30nm以上，100nm以下。本实施例中，优选所述第二欧姆接触层111的厚度为50nm。
52.图4显示了一种不可见光发光二极管的示意图，所述不可见光发光二极管采用图1所示的外延结构，所述不可见光发光二极管包含一基板200，所述半导体外延叠层通过键合层201键合至基板200上，所述半导体外延叠层包括在所述基板200上依次层叠的第二欧姆接触层111，第二电流扩展层110，第二覆盖层109，第二限制层108，有源层107，第一限制层
106，第二过渡层113，第一覆盖层105，第一过渡层112；第一电流扩展层104和第一欧姆接触层103。
53.所述基板200为导电性基板，导电性基板可以为硅、碳化硅或者金属基板，所述金属基板优选为铜、钨或者钼基板。为了能够以充分的机械强度支撑半导体外延叠层，基板200的厚度优选为50μm以上。另外，为了便于在向半导体外延叠层键合后对基板200的机械加工，优选基板200的厚度不超过300μm。本实施例中，优选基板200为硅基板。
54.第一欧姆接触层103上设置有第一电极203，第一电极203与第一欧姆接触层103之间形成欧姆接触，以实现电流流通。第一欧姆接触层103仅保留第一电极203垂直下方的部分。第一电流扩展层104在水平方向上包括两个部分，即包括位于第一电极203下方的部分p1，未位于第一电极203下方的部分p2被暴露定义为出光面。第一电流扩展层104的出光面可以环绕第一电极203形成。出光面进一步通过蚀刻工艺形成图形面或粗化面，其中图形面可以是蚀刻获得图形。粗化面可具有规则的表面结构或者任意的不规则的表面微纳米结构，粗化表面或图形表面实质上为发光层的光能够更加容易的逃逸出去，提高出光效率。优选地，出光面为粗化面，粗化形成的表面结构的高度差(或者高低差)低于1微米，优选地为10~300nm。
55.第一电流扩展层104包括仅位于第一电极203下方的部分p1的第二表面，由于被第一电极203保护而不会被粗化。第一电流扩展层104的粗化面的水平高度由于粗化工艺实质上相对于位于第一电极203下方的第二表面（界面）的水平高度更低。
56.具体的，如图4所示，于本实施例中，第一电流扩展层104包括位于第一电极203下方的部分p1以及不位于第一电极203下方的部分p2，第一电流扩展层104在电极覆盖的部分p1具有第一厚度t1，未被第一电极覆盖的第一电流扩展层104具有第二厚度t2。优选地，第一厚度t1为1.5~2.5微米，第二厚度t2为0.5~1.5μm。p1部分的厚度t1大于p2部分的厚度t2。较佳的，第二厚度t2大于第一厚度t1至少0.3μm。
57.半导体外延叠层与基板200之间可设置镜面层202，镜面层202包括p型欧姆接触金属层202a和介电材料层202b，两者配合一方面与第二欧姆接触层111形成欧姆接触，另一方面用于将有源层107发出的光束反射至第一电流扩展层104的出光面或者半导体外延叠层的侧壁进行出光。
58.所述不可见光发光二极管还包含第二电极204。在一些实施例中，所述第二电极204位于所述基板200的背面。或者设置的第二电极204位于在基板200上，与半导体外延叠层同侧。
59.所述第一电极203和第二电极204包括透明导电材料和或金属材料。透明导电材料包括透明导电层，如ito或izo，金属材料包括geauni、auge、auzn、au、al、pt、ti中至少一种。
60.本实施例在第一电流扩展层104和第一覆盖层105，第一覆盖层105和第一限制层106间加入第一过渡层和第二过渡层，可减小不同材料层间的晶格不匹配，应力大而产生的外延缺陷，提升发光二极管的冷热冲击性能，提升发光二极管的发光效率和使用寿命。
61.实施例2图5为另一较佳实施例的led外延结构的示意图，与实施例1的图1中的外延结构的区别在于，本实施例中外延结构在第二限制层108和第二覆盖层109之间存在一第三过渡层114，第二覆盖层109和第二电流扩展层110之间存在一第四过渡层115。
62.由于第二限制层108，第二覆盖层109和第二电流扩展层110结构之间也存在al组分不同，材料晶格不匹配、带隙存在较大的差别，从而材料之间存在较大的应力，导致在第二限制层108和第二覆盖层109，第二覆盖层109和第二电流扩展层110的界面处产生大量缺陷，从而影响发光二极管的老化影响，如冷热冲击性能，降低了发光二极管的可靠性和使用寿命。
63.因此，本实施例通过在第二限制层108和第二覆盖层109之间插入一第三过渡层114，第二覆盖层109和第二电流扩展层110之间插入一第四过渡层115，可减小不同材料层间因晶格失配引起的应力，改善不同材料层间的界面质量，提升发光二极管的老化性能和可靠性。
64.在一些实施例中，所述第三过渡层114中的al含量自第二限制层108至第二覆盖层109是线性增加的，可通过生长过程中控制al源的通入量调整第三过渡层114的al含量。
65.在一些实施例中，所述第三过渡层114中的al含量自第二限制层108至第二覆盖层109是分段性增加的。
66.在一些可选的实施例中，所述第四过渡层中的al含量自第二覆盖层109自第二电流扩展层110是逐渐降低的。较佳的，al含量的分布特点可以是沿着厚度方向为线性递减或分段性递减的。
67.图6为本实施例中不可见光发光二极管的结构示意图，使用本实施例中图5所述的外延结构。下面结合制造方法对本发明之高亮度不可见光发光二极管进行详细说明。
68.首先，提供一个外延结构，如图5所示，其具体包括：提供一个生长衬底100，优选地为砷化镓，生长衬底100上通过磊晶工艺如mocvd外延生长半导体外延叠层，半导体外延叠层包括依次层叠在生长衬底100表面的缓冲层101以及蚀刻截止层102，用于移除外延生长衬底100，然后生长第一欧姆接触层103，第一电流扩展层104，第一过渡层112，第一覆盖层105，第一过渡层113，第一限制层106，有源层107，第二限制层108，第三过渡层114，第二覆盖层109，第四过渡层115，第二电流扩展层110和第二欧姆接触层111。
69.接着，将半导体外延叠层转移至基板200上，去除生长衬底100，获得如图7所示的结构，具体的包含如下步骤：在第二欧姆接触层111制作镜面层202，其包括p型欧姆接触金属层202a和介电材料层202b，两者配合一方面与第二欧姆接触层111形成欧姆接触，另一方面用于反射有源层射向下方的光线；提供基板200，在基板200上设置金属键合层201，将基板201与镜面层202进行键合，并去除生长衬底100，生长衬底100为砷化镓的情况下，可采用湿法蚀刻工艺移除，直至露出第一欧姆接触层103。
70.接着，如图8所示，在所述第一欧姆接触层103上形成第一电极203，第一电极203与第一欧姆接触层103形成良好的欧姆接触，在基板200的背面侧形成第二电极204，借此在第一电极203和第二电极204以及半导体外延叠层之间可以通过传导电流。基板200具有一定的厚度，能够支撑其上的所有层。
71.然后，形成掩膜覆盖在第一电极203上，第一电极203周围的第一欧姆接触层103被暴露；进行蚀刻工艺，蚀刻去除第一电极203周围的第一欧姆接触层103，使非位于第一电极109下方的第一欧姆接触层103被完全移除，同时暴露第一电流扩展层104，接着蚀刻第一电流扩展层104，以形成图形化或粗化面，形成如图6所示的结构。第一欧姆接触层103的去除工艺以及第一电流扩展层104进行粗化处理可以是同一步骤或者多个步骤的湿法蚀刻工
艺，湿法蚀刻的溶液可以是酸性溶液，如盐酸、硫酸或者氢氟酸或者柠檬酸，或者其它任何较佳的化学试剂。
72.最后，根据尺寸需要通过蚀刻、劈裂等工艺获得单元化的不可见光发光二极管。
73.本发明通过在第一电流扩展层和第一覆盖层，第一覆盖层和第一限制层，第二限制层和第二覆盖层，第二覆盖层和第二电流扩展层之间引入第一过渡层，第二过渡层，第三过渡层和第四过渡层，可减小不同材料层间的晶格不匹配，应力大而产生的外延缺陷，提升发光二极管的冷热冲击性能，提升发光二极管的发光效率和使用寿命。
74.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。