用于处理衬底的设备和用于测量衬底的温度的方法与流程

1.本公开涉及一种用于处理衬底的设备和一种用于测量衬底的温度的方法，且更特定来说，涉及一种用于处理衬底的设备和用于测量衬底的温度的方法，其最小化温度测量部件的温度测量偏差。


背景技术：

2.在使用快速热处理(rapid thermal processing；rtp)设备的热处理过程中，将衬底支撑在边缘环上，且接着，使用安置在衬底上方的加热源加热衬底的顶表面以测量衬底的下侧处的衬底的温度，以便精确地调整过程温度。此处，可在热处理过程期间产生数种污染物(或过程副产物)，且污染物可污染温度测量部件，例如高温计，且因此，随着热处理过程的次数增加，衬底的温度测量的精确度可能劣化，且此外，温度测量部件可能损坏。
3.为了防止温度测量部件的污染，屏蔽板可安置在边缘环的开放部分与温度测量部件之间。在这一情况下，污染物可能累积在屏蔽板上从而中断温度测量部件的温度测量，由此造成温度测量部件的温度测量偏差。
4.在现有技术中，为了解决这一限制性，必须在污染物累积到某一水平之前频繁地更换屏蔽板，且因此，过程成本可能增加，且设备的停工时间可能增加。因此，需要能够增大快速热处理(rtp)设备中屏蔽板的更换周期的方法。
5.[现有技术文献]
[0006]
[专利文献]
[0007]
韩国专利公开案第10-2003-0060408号


技术实现要素：

[0008]
本公开提供一种用于处理衬底的设备和一种用于测量衬底的方法，其最小化温度测量部件的温度测量偏差，同时通过屏蔽板防止温度测量部件受污染。
[0009]
根据示范性实施例，一种用于处理衬底的设备包含：温度测量部件，配置成通过将光照射到所述衬底的一个表面上来测量所述衬底的温度；以及光透射屏蔽板，设置在所述衬底与所述温度测量部件之间以防止所述温度测量部件受过程副产物污染；其中所述温度测量部件包含：光源，配置成朝向所述衬底照射所述光；光接收部件，配置成接收从所述光源照射的所述光当中的由所述衬底或所述屏蔽板反射的反射光和从所述衬底发射的辐射光，以测量所述反射光的量和所述辐射光的强度；以及温度计算部件，配置成通过使用所测量的所述反射光的所述量和所述辐射光的所述强度来计算所述屏蔽板的污染水平所反映到的所述衬底的所述温度。
[0010]
所述温度测量部件可进一步包含：关系设定部件，配置成设定所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的发射率之间的关系；以及重置部件，配置成通过反映所述屏蔽板的所述污染水平来重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系，其中所述温度计算部件可配置成通过使用所述衬底的所述发射率和从所述衬底发
射的发射来计算所述衬底的所述温度，所述发射率通过所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述重置关系来确定，其中根据所述辐射光的所述强度确定所述从所述衬底发射的发射。
[0011]
所述设备可进一步包含污染水平测量部件，所述污染水平测量部件配置成通过使用朝向所述屏蔽板照射的所述光的反射量来测量所述屏蔽板的所述污染水平，所述光由所述屏蔽板反射且接收到。
[0012]
所述污染水平测量部件可包含：反射量获取部件，配置成通过从所述屏蔽板反射且接收到的所述光获取所述反射量；以及污染水平计算部件，配置成通过计算所获取的反射量与所述屏蔽板的参考反射量之间的差值来计算所述屏蔽板的所述污染水平。
[0013]
所述重置部件可配置成通过反映在所述污染水平计算部件中所计算的所述差值来初次重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系。
[0014]
所述重置部件可配置成将所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的初次重置关系二次重置以补偿所述从所述衬底发射的发射。
[0015]
在所述初次重置中，所述所测量的所述反射光的量可对于所述衬底的每一所述发射率相等地增大，且在所述二次重置中，所述所测量的所述反射光的量可对于所述衬底的每一所述发射率不同地减小。
[0016]
所述设备可进一步包含发射率关系存储部件，所述发射率关系存储部件配置成根据所述屏蔽板的所述污染水平存储所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系，其中所述重置部件可配置成根据在所述污染水平测量部件中测量的所述屏蔽板的所述污染水平选择所述发射率关系存储部件中的所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系。
[0017]
根据另一示范性实施例，一种用于测量衬底的温度的方法包含：通过所述衬底的一个表面上的屏蔽板照射光；通过接收照射光当中的由所述衬底或所述屏蔽板反射的反射光和从所述衬底发射的辐射光来测量所述反射光的量和所述辐射光的强度；以及通过使用所测量的所述反射光的量和所测量的所述辐射光的强度来计算所述屏蔽板的污染水平所反映到的所述衬底的温度。
[0018]
所述方法可进一步包含通过反射所述屏蔽板的所述污染水平来重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的发射率之间的关系，其中，在所述计算所述衬底的所述温度时，可通过使用所述衬底的所述发射率和从所述衬底发射的发射来计算所述衬底的所述温度，所述发射率通过所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的重置关系来确定，其中根据所述辐射光的所述强度确定所述从所述衬底发射的发射。
[0019]
所述方法可进一步包含通过使用朝向所述屏蔽板照射的所述光的反射量来测量所述屏蔽板的所述污染水平，所述光由所述屏蔽板反射且接收到。
[0020]
所述测量所述屏蔽板的所述污染水平可包含：通过从所述屏蔽板反射且接收到的所述光获取所述反射量；以及通过计算所获取的反射量与所述屏蔽板的参考反射量之间的差值来计算所述屏蔽板的所述污染水平。
[0021]
所述重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系可包含通过反映所计算的差值来初次重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系。
[0022]
所述重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系可包含将所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的初次重置关系二次重置以补偿所述从所述衬底发射的发射。
[0023]
在所述初次重置中，所述所测量的所述反射光的量可对于所述衬底的每一所述发射率相等地增大，且在所述二次重置中，所述所测量的所述反射光的量可对于所述衬底的每一所述发射率不同地减小。
[0024]
所述方法可进一步包含根据所述屏蔽板的所述污染水平存储所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系，其中所述重置所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系可通过根据所测量的所述屏蔽板的污染水平选择所述所测量的所述反射光的量与所述衬底的所述发射率之间的所述关系来进行。
附图说明
[0025]
根据结合附图进行的以下描述可更详细地理解示范性实施例，在所述附图中：
[0026]
图1为示出根据示范性实施例的用于处理衬底的设备的视图。
[0027]
图2为示出根据示范性实施例的温度测量部件的示意图。
[0028]
图3为用于解释根据示范性实施例的屏蔽板的污染水平的测量的概念图。
[0029]
图4为用于解释根据示范性实施例的归因于屏蔽板的污染的反射量的差的概念图。
[0030]
图5为用于解释根据示范性实施例的所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的重置的曲线图。
[0031]
图6为示出根据另一实施例的用于测量衬底的温度的方法的流程图。
[0032]
附图标号说明
[0033]
10：衬底；
[0034]
11a：照射光/光；
[0035]
11b、11c、
③
、
④
：反射光；
[0036]
15：辐射光；
[0037]
20：过程副产物；
[0038]
50：支撑部件；
[0039]
100：设备；
[0040]
110：温度测量部件；
[0041]
111：光接收组合件；
[0042]
111a：光源；
[0043]
111b：光接收部件；
[0044]
112：污染水平反映部件；
[0045]
112a：关系设定部件；
[0046]
112b：重置部件；
[0047]
113：温度计算部件；
[0048]
115：光学棒；
[0049]
120：光透射屏蔽板；
[0050]
130：污染水平测量部件；
[0051]
131：反射量获取部件；
[0052]
132：污染水平计算部件；
[0053]
140：边缘环；
[0054]
150：热源；
[0055]
s100、s200、s300：过程；
[0056]
①
、
②
：光。
具体实施方式
[0057]
在下文中，将参考附图更详细地描述具体实施例。然而，本发明可以不同形式实施，且不应理解为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例是为了使得本公开将是透彻且完整的，且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域的普通技术人员。在描述中，相同元件用相同附图标号标示。在图中，为清楚示出起见，放大了层和区的尺寸。贯穿全文，相同附图标号指代相同元件。
[0058]
图1为示出根据示范性实施例的用于处理衬底的设备的视图。
[0059]
参考图1，在用于处理衬底的设备100中可包含：温度测量部件110，通过将光11a照射到衬底10的一个表面来测量衬底10的温度；以及光透射屏蔽板120，设置在衬底10与温度测量部件110之间以防止温度测量部件110受过程副产物污染。
[0060]
温度测量部件110可通过在衬底10的一个表面上照射光11a来测量衬底10的温度t，且可使用从衬底10反射的反射光11c和从衬底10发射的辐射光15来测量衬底10的温度t。举例来说，可通过从衬底10反射的反射光11c的量来计算(或操作)衬底10的发射率，且可通过从衬底10发射的辐射光15的强度来计算(或操作)从衬底10发射的发射(或辐射能量)。衬底10的温度t可使用所计算(操作)的从衬底10发射的发射e和衬底10的发射率ε来计算。此处，强度可为包含光量和/或波长的概念，且衬底10的温度t可表达为从衬底10发射的发射e和衬底10的发射率ε的函数(t＝f(e,ε))。温度测量部件110可包含高温计或类似物。
[0061]
屏蔽板120可相对于光11a(即，相对于从光源照射的光)半透明，且可设置在衬底10与温度测量部件110之间(即，在其上支撑衬底的边缘环与温度测量部件之间)以防止温度测量部件110受过程副产物20污染。
[0062]
举例来说，用于处理衬底的设备100可为快速热处理(rtp)设备，且衬底10的边缘部分可支撑在具有衬底10的中心中的开放部分的边缘环140上。此处，衬底10可由安置在边缘环140上方(即，衬底上方)的热源150加热，且温度测量部件110可安置在边缘环140的开放部分下方(即，衬底下方)以将光11a照射到衬底10的底表面，进而测量衬底10的温度t。此处，可能在热处理过程期间产生多种污染物(即，过程副产物)，且过程副产物20可充当污染温度测量部件110(例如，温度测量部件的光学棒)的污染物。因此，随着过程的次数增加，衬底10的温度t的测量的精确度可能减小，或温度测量部件110的至少一些元件(例如，温度测量部件的光学棒)可能损坏。
[0063]
图2为示出根据示范性实施例的温度测量部件的示意图。
[0064]
参考图2，温度测量部件110可包含：光源111a，朝向衬底10照射光11a；光接收部件
111b，接收从光源111a照射的光11a当中的由衬底10或/和屏蔽板120反射的反射光11b或/和反射光11c和从衬底10发射的辐射光15，以测量反射光11b或/和反射光11c的量和辐射光15的强度；以及温度计算部件113，通过使用所测量的反射光11b或/和反射光11c的量和辐射光15的强度来计算屏蔽板120的污染水平所反映到的衬底10的温度。
[0065]
光源111a可朝向衬底10辐射光11a，且照射光11a可从衬底10反射，且接着入射(或接收)到光接收部件111b中。由于屏蔽板120安置在光源111a与衬底10之间，因此照射光11a可穿过屏蔽板120到达衬底10，且通过到达衬底10而反射的反射光11c也可穿过屏蔽板120且接着由光接收部件111b接收。此处，照射光11a可在入射到屏蔽板120时部分地反射。光11a可在透射过程中部分地吸收，且从衬底10反射的反射光11c也可在入射到屏蔽板120时部分地反射，且在透射过程中部分地吸收。此处，从光源111a照射的光11a可具有不同于从衬底10发射的辐射光15的波长的波长。
[0066]
光接收部件111b可接收从光源111a照射的光11a当中的由衬底10和/或屏蔽板120(也就是说，衬底和屏蔽板中的至少一个)反射的反射光11b和/或反射光11c，和从衬底10发射的辐射光15。且光接收部件111b可通过接收到的反射光11b和/或反射光11c以及辐射光15来测量反射光11b和/或反射光11c的量和辐射光15的强度。在这一实施例中，由于屏蔽板120安置在光接收部件111b和衬底10上，因此从衬底10反射的反射光11c和从屏蔽板120反射的反射光11b两者可通常接收到光接收部件111b中。如果不在屏蔽板120上发生部分反射，那么仅可将由衬底10反射的反射光11c接收到光接收部件111b中。另外，从衬底10发射的辐射光15还可穿过屏蔽板120且由光接收部件111b接收。此处，辐射光15也可在入射到屏蔽板120时部分地反射，且在透射过程中部分地吸收。光源111a和光接收部件111b可由外壳包在一起以构成光接收组合件111。
[0067]
温度计算部件113可使用辐射光15的强度和反射光11b和/或反射光11c的量来计算衬底10的温度t。此处，从衬底10发射的发射e可使用到的辐射光15的强度来计算，且衬底10的发射率ε可使用反射光11b和反射光11c的量来计算。另外，衬底10的温度t可使用从衬底10发射的发射e和衬底10的发射率ε来计算。此时，由于屏蔽板120安置在光接收组合件111与衬底10之间，因此可能在由光接收部件111b接收到的反射光11b和/或反射光11c的量与辐射光15的强度之间发生偏差(或误差)。因此，在衬底10的发射率ε与从衬底10发射的发射e之间也可能发生偏差，且因此，在使用发射率ε和发射e来计算的衬底10的温度t中也可能发生偏差。另外，为了计算衬底10的发射率ε，必须仅使用仅从衬底10反射且直接入射到光接收部件111b的反射光11c。然而，由于归因于屏蔽板120而使用从衬底10反射的反射光11c的量以及从屏蔽板120反射的反射光11b的量，因此使用接收到光接收部件111b的反射光11b和/或反射光11c的量来计算的衬底10的发射率ε的偏差可能较大。此处，偏差可意味着实际值与所测量值(或所计算值)之间的差。
[0068]
出于这一原因，温度计算部件113可通过进一步反映屏蔽板120的衰减系数η来计算衬底10的温度t，且因此可减小温度t的偏差。举例来说，衬底10的温度t可由从衬底10发射的发射e、衬底10的发射率ε以及屏蔽板120的衰减系数η的函数(t＝f(e,ε,η))计算。
[0069]
然而，当过程副产物20累积(或沉积)在屏蔽板120上时，光可从过程副产物20/在过程副产物20中反射和/或吸收，且因此，如果进一步反映屏蔽板120的衰减系数η，那么衬底10的温度t的偏差必然较大。另外，随着过程副产物20的(层)厚度归因于屏蔽板120的污
染水平的增大而增大，衬底10的温度t的偏差可能增大。在这一情况下，取决于衬底10的类型(或材料)、沉积在衬底10上的薄膜的类型(或材料)以及过程气体，过程副产物20的材料特性(例如，衰减系数)可不同，且衰减系数可取决于过程副产物20的沉积厚度而变化。出于这一原因，通过反映用于获得衬底10的温度t的函数f中的过程副产物20的衰减系数，如屏蔽板120的衰减系数η，可能并不减小衬底10的温度t的偏差。因此，即使屏蔽板120受过程副产物20污染，也可能需要能够减小衬底10的温度t的偏差的配置(或方法)。
[0070]
因此，温度计算部件113可通过使用所测量的反射光11b和反射光11c的量和所测量的辐射光15的强度来计算屏蔽板120的污染水平所反映到的衬底10的温度。
[0071]
另外，温度测量部件110可进一步包含：关系设定部件112a，其中设定所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系；以及重置部件112b，通过反映屏蔽板120的污染水平来重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。
[0072]
关系设定部件112a可设定所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系，且温度计算部件113可通过使用在关系设定部件112a中设定的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系来确定(或计算)衬底10的发射率ε。
[0073]
重置部件112b可通过反映屏蔽板120的污染水平来重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系，且因此，可改变和重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可表达为计算标准表达式(例如，关系表达式或函数表达式)、计算参考表(例如，查找表)、计算参考曲线图(例如，通过对查找表进行绘图获得的曲线图)以及类似物。另外，重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可包含在计算参考表和/或计算参考曲线图中重新布置衬底10的发射率ε。所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可通过反映屏蔽板120的污染水平来重置以减小衬底10的发射率ε的偏差和衬底10的温度t的偏差，即使屏蔽板120受过程副产物20污染也是如此。此处，关系设定部件112a和重置部件112b可构成污染水平反映部件112，且污染水平反映部件112可反映在温度计算部件113中计算的衬底10的温度t下的屏蔽板120的污染水平。
[0074]
举例来说，重置部件112b可包含反射量校正部件，所述反射量校正部件根据屏蔽板120的污染水平校正所测量的反射光11b和反射光11c的量以将校正值传输到温度计算部件113。此处，重置部件112b可为反射量校正部件。
[0075]
反射量校正部件可通过反映屏蔽板120的污染水平来校正所测量的反射光11b和反射光11c的量。因此，反射量校正部件可根据屏蔽板120的污染水平校正所测量的反射光11b和反射光11c的量，以重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。另外，反射量校正部件可将反射光的校正量传输到温度计算部件113，且当传输由反射量校正部件校正的反射量时，温度计算部件113可通过使用反射光的校正量和在光接收部件111b中接收到的辐射光15的强度来计算其中温度偏差减小的衬底10的温度t。因此，归因于屏蔽板120的污染的温度测量部件110的温度测量偏差可在可允许误差范围内减小。
[0076]
另外，温度计算部件113可使用衬底10的发射率ε和从衬底10发射的发射e来计算衬底10的温度t，所述发射率ε通过所测量的反射光11b和/或反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的重置关系来确定。此处，根据辐射光15的强度确定从衬底10发射的发射e。因此，可计算其中温度偏差减小的衬底10的温度t。此处，温度计算部件113可通过仅将所测量的反射光11b和反射光11c的量应用(或替代)到所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的重置关系来计算具有减小的偏差的衬底10的发射率ε。
[0077]
在用于处理衬底的设备100中，屏蔽板120的污染水平可通过重置部件112b反映以重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系以减小衬底10的发射率ε的偏差，所述发射率ε通过所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系来确定。因此，也可减小使用衬底10的发射率ε来计算的衬底10的温度t的偏差。也就是说，归因于屏蔽板120的污染的温度测量部件110的温度测量偏差可在可允许误差范围内减小。另外，由于即使当屏蔽板120受污染时，处理过程也可进行预定时间段，因此屏蔽板120的更换周期可增大以降低过程成本，由此通过减少停工时间来提高生产率。
[0078]
温度测量部件110可进一步包含将从衬底10或屏蔽板120反射的反射光11b和反射光11c引导到光接收部件111b的光学棒115。光学棒115可将从衬底10或屏蔽板120反射的反射光11b和反射光11c诱导(或引导)到光接收部件111b，且还可收集在一个方向上(例如，朝向衬底)从光源111a发射的光11a，使得光11a具有笔直性而不扩散。举例来说，光学棒115可由支撑部件50支撑，且屏蔽板120可设置在光学棒115与衬底10之间(即，光学棒与边缘环之间)以防止光学棒115受污染。
[0079]
用于处理衬底的设备100可进一步包含污染水平测量部件130，所述污染水平测量部件130使用朝向屏蔽板120照射的光11a的反射量来测量屏蔽板120的污染水平，所述光11a由屏蔽板120反射且接收到。
[0080]
污染水平测量部件130可通过使用朝向屏蔽板120照射的光11a的反射量来测量屏蔽板120的污染水平，所述光11a由屏蔽板120反射且接收到。此处，可根据过程副产物20的沉积厚度确定屏蔽板120的污染水平，且可通过反射量计算过程副产物20的沉积厚度。
[0081]
图3为用于解释根据示范性实施例的屏蔽板的污染水平的测量的概念图。此处，图3的(a)示出屏蔽板未受污染的状态，且图3的(b)示出屏蔽板受污染的状态。
[0082]
参考图3，当屏蔽板120未受污染时，反射可仅发生在屏蔽板120中，如图3的(a)中所示出，但如在图3的(b)中所示出，当屏蔽板120受污染时，反射可在过程副产物20以及屏蔽板120中发生，且因此，随着屏蔽板120的污染水平增大，反射量可能增大。也就是说，当屏蔽板120未受污染时，反射量变成反射(＝反射1)，但当屏蔽板120受污染时，反射量变成反射1 反射2。因此，当屏蔽板120受污染时，反射量比屏蔽板120未受污染时的反射量大反射2。此处，可在不存在衬底10的情况下测量屏蔽板120的污染水平，或可在存在衬底10的情况下测量屏蔽板120的污染水平。此外，在存在衬底10的状态下，从衬底10反射的反射光11c的量也可包含于反射量中，且因此有必要考虑这一情况。
[0083]
另外，污染水平测量部件130可包含：反射量获取部件131，通过从(或由)屏蔽板120反射且接收到的光11b获取反射量；以及污染水平计算部件132，通过计算所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板120的污染水平。反射量获取部件131可通过由屏蔽板120反射且从屏蔽板120接收到的光11b获取反射量。此处，反射量获取
部件131可直接测量和获取从屏蔽板120反射和接收到的光的反射量，或可通过从温度测量部件110接收反射量来获取反射量。举例来说，在从温度测量部件110接收和获取反射量的情况下，反射量获取部件131可以有线或无线方式连接到温度测量部件110，且因此，光11a可从光源111a朝向屏蔽板120照射以从接收由屏蔽板120反射的反射光11b的光接收部件接收反射量。此外，当直接测量和获得从屏蔽板120反射和接收到的光的反射量时，反射量获取部件131可连接到单独的第二光源(未示出)和第二光接收部件(未示出)以将光照射到第二光源(未示出)，且接收从屏蔽板120反射到第二光接收部件(未示出)中的光，由此获取反射量。
[0084]
污染水平计算部件132可根据所获取的反射量计算屏蔽板120的污染水平，且计算所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值v(变化)，由此计算屏蔽板120的污染水平。此处，污染水平计算部件132可比较所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量，以根据所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差(值)计算屏蔽板120的污染水平。此处，屏蔽板120的参考反射量可为当屏蔽板120未受污染时测量出(或接收到)的反射量。
[0085]
举例来说，可根据所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值(例如，反射2)来计算屏蔽板120的污染水平。在这一情况下，随着差值v增大，屏蔽板120的污染水平可按比例增大，且差值v可表达为0与1之间的数值。此处，
‘0’
可意味着当不具有过程副产物20的屏蔽板120未受污染时差值v为0，且
‘1’
可意味着当过程副产物20沉积超出必须更换屏蔽板120的所需厚度时屏蔽板120的污染水平。
[0086]
当在存在衬底10的情况下测量屏蔽板120的污染水平时，必须考虑从衬底10反射的反射光11c的量，且此外，由于从衬底10反射的反射光11c可能不在过程副产物20和屏蔽板120中反射和吸收，因此难以检查在所获取的反射量中含有从衬底10反射的反射光11c中的多少，且因此，难以计算准确的污染水平。然而，随着差值v增大，可维持屏蔽板120的污染水平增大的特性，且因此可获得屏蔽板120的类似污染水平。出于这一原因，为准确地计算屏蔽板120的污染水平，在不存在衬底10的状态下测量屏蔽板120的污染水平可为优选的。
[0087]
图4为用于解释根据示范性实施例的归因于屏蔽板的污染的反射量的差的概念图。此处，图4的(a)示出一过程，其中光从光学棒照射且由衬底反射，且接着当屏蔽板未受污染时再次入射到光学棒中，且图4的(b)示出一过程，其中光从光学棒照射且由衬底反射，且接着当屏蔽板受污染时再次入射到光学棒中。
[0088]
参考图4，当屏蔽板120未受污染时，从光学棒115发射的光
①
可穿过屏蔽板120到达衬底10，如图4的(a)中所示出。因此，光可仅从屏蔽板120反射和/或仅吸收到屏蔽板120中，使得光量减少，如穿过屏蔽板120的光
②
，且此外，穿过屏蔽板120的光
②
到达衬底10且部分地吸收和/或透射，且因此，可更减少由衬底10反射的反射光
③
的量。接着，从衬底10反射的反射光
③
可穿过屏蔽板120且再次入射到光学棒115中，且因此可仅由屏蔽板120反射和/或吸收，且因此，可更减少光量，如穿过屏蔽板120的反射光
④
。
[0089]
另一方面，当屏蔽板120受污染时，从光学棒115发射的光
①
可穿过屏蔽板120到达衬底10，如图4的(b)中所示出。因此，光可仅从屏蔽板120和过程副产物20反射和/或仅吸收到屏蔽板120和过程副产物20中，使得光量连同穿过屏蔽板120的光
②
一起减少，且此外，穿过屏蔽板120的光
②
到达衬底10且部分地吸收和/或透射，且因此，可更减少由衬底10反射的反射光
③
的量。接着，从衬底10反射的反射光
③
可穿过屏蔽板120且再次入射到光学棒
115中，且因此可仅由过程副产物20和屏蔽板120反射和/或吸收，且因此，可更减少光量，如穿过屏蔽板120的反射光
④
。
[0090]
此处，即使当屏蔽板120受污染和未受污染时从光学棒115发射的光
①
的量相同时，当屏蔽板120受污染时，由于反射和/或吸收不仅可发生在屏蔽板120中，还可发生在过程副产物20中，因此穿过屏蔽板120的光、从衬底10反射的反射光111c以及穿过屏蔽板120的反射光
④
相比于屏蔽板120未受污染时的穿过屏蔽板120的光、从衬底10反射的反射光111c以及穿过屏蔽板120的反射光
④
而减少。
[0091]
图4仅示出从光学棒115发射、由衬底10反射且再次入射到光学棒115中的光量的变化，且穿过屏蔽板120的反射光
④
可对应于由衬底10反射的反射光11c。在这一情况下，大体上由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c不仅可包含从屏蔽板120反射的反射光11b(反射1)，还可包含从过程副产物20反射的反射光(反射2)。
[0092]
重置部件112b可通过反射由污染水平计算部件132所计算的差值v来初次重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，重置部件112b可在衬底10的发射率ε的值相对于所测量的反射光11b和反射光11c的总量增大的方向(增大方向)上初次重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，在初次重置时衬底10的发射率ε相对于所测量的反射光11b和反射光11c的量的增大量可与所测量的反射光11b和反射光11c的量的至少一些区段中相同。
[0093]
举例来说，当所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系为计算标准表达式时，衬底10的发射率ε可表达为与反射光的量(反射)相关的函数(ε＝f1(r))，且衬底10的发射率ε的函数可从f1(r)变成f1(r-v)以便初次重置。因此，在初次重置函数f1(r-v)中，所测量的反射光11b和反射光11c的量可仅应用于变量r中，比反射光11b和反射光11c的量小差值v的值可应用于重置函数f1(r-v)中的变量r以获得计算衬底10的发射率ε的效果。
[0094]
另外，所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可为计算参考表和/或计算参考曲线图。在这一情况下，可重置(或修改或改变)计算参考表或计算参考曲线图，以使得直接计算衬底10的发射率ε而不校正所测量的反射光11b和反射光11c的量。可计算衬底10的发射率ε和衬底10的温度t(其中归因于屏蔽板120的污染(水平)的测量偏差减小)而不校正所测量的反射光11b和反射光11c的量。
[0095]
当重置部件112b包含反射量校正部件时，反射量校正部件可从所测量的反射光11b和反射光11c的量减去由污染水平计算部件132所计算的差值v以进行初次校正。因此，所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可初次重置。也就是说，初次校正的反射光的量可比由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c的量小差值v。举例来说，可通过将比由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c小差值v的值应用(或替代)到衬底10的发射率ε的函数f1(r)的变量r来计算衬底10的发射率ε。当屏蔽板120受污染时，与屏蔽板120未受污染时相比，所获取的反射量增大。因此，可从由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c的量减去差值v，使得当屏蔽板120未受污染时，反射量类似于从光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c的量。此处，由污染水平计算部件132所计算的差值可取决于屏蔽板120的污染水平而变化，且在开始衬底10处理过程(例如，热处理过程)之前，可测量屏蔽板120的污染水平以事先计算差值v。
[0096]
图5为用于解释根据示范性实施例的所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的重置的曲线图。此处，图5的(a)为示出所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的计算参考曲线图，图5的(b)为示出所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的初次重置关系的计算参考曲线图，且图5的(c)为示出所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的二次重置关系的计算参考曲线图。
[0097]
参考图5，在初次重置中，计算参考曲线图(即，初始曲线图)可沿反射光的量r的轴线移动差值v，如图5的(b)中所示出，且在反射光的量r增大的方向(即，图5的曲线图中的右侧)上移动。
[0098]
因此，即使当屏蔽板120受污染时，衬底10的发射率ε也可计算为类似于当屏蔽板120未受污染时衬底10的发射率ε(或在可允许误差范围内)，而使用所测量的反射光11b和反射光11c的量(几乎)没有偏差。另外，可去除过程副产物20中的反射量，所述反射量在计算衬底10的发射率ε时充当噪声。此处，假定当屏蔽板120受污染时和当屏蔽板120未受污染时，归因于初次重置(或初次校正)，以几乎相同(或类似)光量穿过屏蔽板120的光
②
由衬底10反射。初次校正的反射光的量可为穿过受污染屏蔽板120由衬底反射的反射光
③
的量，且具有与屏蔽板120未受污染时的光量几乎相同的光量。
[0099]
另外，重置部件112b可二次重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的(初次重置)关系(，其初次重置)，以补偿从衬底10发射的发射e(，其根据辐射光15的强度确定)。此处，重置部件112b可在衬底10的发射率ε的值相对于至少部分区段中的所测量的反射光11b和反射光11c的量减小的方向(减小方向)上初次重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，在二次重置时衬底10的发射率ε相对于所测量的反射光11b和反射光11c的量的减小量可在至少部分区段中不同且与所测量的反射光11b和反射光11c的量成比例。从衬底10发射的发射e(其根据屏蔽板120的污染水平而减小)可通过二次重置来补偿以计算衬底10的温度t，所述温度t与使用从衬底10实际发射的发射e和衬底10的发射率ε来计算的温度t几乎相同(或类似)，且此外，可最小化温度测量部件110的温度测量偏差。
[0100]
举例来说，当所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系为计算标准表达式时，可通过将衬底10的发射率ε的函数从f1(r)改变成f1(r-v c)而将所述关系二次重置，且常数c可为根据所测量的反射光11b和反射光11c的量来确定的校正值c。因此，在二次重置函数f1(r-v c)中，所测量的反射光11b和反射光11c的量可仅应用于变量r中，可将比反射光11b和反射光11c的量小差值v的值应用于重置函数f1(r-v)中的变量r以获得计算衬底10的发射率ε的效果。
[0101]
另外，所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可为计算参考表和/或计算参考曲线图。在这一情况下，可重置计算参考表或计算参考曲线图，使得直接计算衬底10的发射率ε而不校正所测量的反射光11b和反射光11c的量。可计算衬底10的发射率ε和衬底10的温度t而不校正所测量的反射光11b和反射光11c的量，所述发射率ε和温度t与用反射光11b和反射光11c的量所计算的发射率ε和温度t相同，所述反射光11b和反射光11c在屏蔽板120未受污染时测量。
[0102]
当重置部件112b包含反射量校正部件时，如果初次校正的反射光的量在预设范围内，那么反射量校正部件可将根据初次校正的反射光的量而不同的校正值c相加以进行二
次校正。因此，所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系可二次重置。也就是说，当初次校正的反射光的量在预设范围内时，二次校正的反射光的量可比初次校正的反射光的量大校正值c，且如果初次校正的反射光的量不在预设范围内，那么二次校正的反射光的量可与初次校正的反射光的量相同。
[0103]
举例来说，当初次校正的反射光的量在预设范围内时，可通过从由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c的量减去差值v且在衬底10的发射率ε的函数(ε＝f1(r))中的与反射光的量r相关的变量r中应用(或替代)校正值c的总和来计算衬底10的发射率ε。当屏蔽板120受污染时，从衬底10反射的反射光
③
由屏蔽板120以及过程副产物20反射和/或吸收，同时穿过受污染屏蔽板120。因此，穿过屏蔽板120的反射光
④
可小于当屏蔽板120未受污染时的反射光
④
。出于此原因，由光接收部件111b接收到的反射光11b和反射光11c的量可与通过加上校正值c由光接收部件接收到的反射光11b和反射光11c的量几乎相同。此处，校正值c可小于差值v或可为极小的。可根据过程副产物20的反射比确定过程副产物20中的反射量，且由于反射比为材料的固有性质，因此如果入射光的量较大，那么反射光的量也较大，而当入射光的量较小时，反射光的量也较小。由于从光学棒115发射的光
①
的量大于从衬底10反射的反射光
③
的量，因此通过穿过屏蔽板120入射到过程副产物20中的光量可大于由衬底10反射且入射到过程副产物20中的光，且此外，通过穿过屏蔽板120由过程副产物20反射的光量可大于由衬底10反射且接着由过程副产物20反射的光。因此，用于扣除通过穿过屏蔽板120从过程副产物20反射的光的反射量的差值v可大于用于补偿从衬底10和过程副产物20反射的光的反射量的校正值c。
[0104]
另外，当屏蔽板120受污染时，由过程副产物20从衬底10发射的发射e可能衰减(例如，通过吸收和/或反射衰减)，且从衬底10发射的发射e的衰减可通过校正值c补偿。
[0105]
在二次重置中，可基于如图5的(c)中所示出的任何一个点改变初次校正计算参考曲线图(即，初次校正曲线图)的斜率。此处，可将初次校正计算参考曲线图的斜率(ε/r)变为增大(即，ε/r中r减小)。
[0106]
也就是说，校正值c可与初次校正的反射光的量成比例，且初次校正的反射光的量越大，可添加的校正值c就越大。随着反射光的量r和/或初次校正的反射光的量增大，由衬底10反射的反射光
③
可较大，且如上文所描述，入射到过程副产物20中的大量光可由过程副产物20反射。因此，随着由衬底10反射的反射光
③
的量增大，由过程副产物20反射的反射量也增大。因此，当屏蔽板120受污染时和当屏蔽板120未受污染时，穿过屏蔽板120的反射光
④
的分位数之间的差可随着初次校正的反射光的量和/或反射光的量r而增大。因此，初次校正的反射光的量或反射光的量越大，可添加以补偿差值的校正值c就越大。
[0107]
此处，假定当屏蔽板120受污染时和当屏蔽板120未受污染时，归因于二次重置(或二次校正)，以几乎相同(或类似)光量穿过屏蔽板120的光
④
接收到光学棒115。二次校正的反射光的量可为穿过未受污染的屏蔽板120由衬底反射的反射光
③
的量，且具有与当屏蔽板120未受污染时的光量几乎相同的光量。
[0108]
另外，将用于补偿从衬底10发射的发射e的衰减的预定值通过由衬底10反射的反射光
③
的量添加到由过程副产物20反射的光量，以确定校正值c。因此，根据屏蔽板120的污染水平，不仅可补偿减小的衬底10的发射率ε，还可补偿从衬底10发射的发射e。
[0109]
从衬底10反射的反射光
③
极小，且因此，从过程副产物20反射的反射量对衬底10
的发射率ε的计算的影响极小。因此，如果从衬底10反射的反射光
③
在由过程副产物20反射的反射量上可忽略，那么可不通过从预设范围排除反射量来添加校正值c。
[0110]
因此，在初次重置中，对于衬底10的发射率ε中的每一个，所测量的反射光11b和/或反射光11c的量可相等地增加，且在二次重置中，对于衬底10的发射率ε中的每一个，所测量的反射光11b和/或反射光11c的量可不同地减小。
[0111]
此处，温度计算部件113可使用校正的反射光的量来计算衬底10的发射率ε，且反射量校正部件可通过初次校正补偿根据屏蔽板120的污染水平而减小的衬底10的发射率ε。温度计算部件113可通过反射光11b和反射光11c的量来计算衬底10的发射率ε，且可使用校正的反射光的量来计算补偿(或校正)的衬底10的发射率ε。因此，可减小根据屏蔽板120的污染的温度测量部件110的温度测量偏差。此处，温度测量部件110的温度测量偏差可在可允许误差范围内减小。
[0112]
反射量校正部件可通过用于初次校正反射光11b和反射光11c的量的初次校正来补偿根据屏蔽板120的污染水平而减小的衬底10的发射率ε。因此，可通过衬底10的补偿的发射率ε测量(或计算)温度测量偏差在可允许误差范围内减小的衬底10的温度t。
[0113]
此外，温度计算部件113可使用辐射光的强度计算从衬底10发射的发射e，且反射量校正部件可通过二次校正补偿从衬底10发射的根据屏蔽板120的污染水平而减小的发射e。温度计算部件113可通过使用辐射光15的强度计算从衬底10发射的发射e，且当屏蔽板120受污染时，辐射光15可由过程副产物15吸收和/或反射且因此可能衰减。因此，当通过在光接收部件111b中接收到的辐射光15的强度计算从衬底10发射的发射e时，实际上，可计算从衬底10发射的衰减的发射e而不是从衬底10发射的发射e。
[0114]
因此，反射量校正部件可通过二次校正补偿从衬底10发射的发射e，所述发射e根据屏蔽板120的污染水平而减小。此处，虽然将校正值c添加到初次校正的反射光的量，但可将通过由过程副产物20吸收和/或反射而衰减(或减小)的辐射光15的量反射到校正值c，且因此，可将大于用于最小化衬底10的发射率ε的测量误差(或计算误差)的校正值c的校正值添加到初次校正的光的量。因此，有可能通过计算由光接收部件111b接收到的辐射光15的强度来补偿从衰减的衬底10发射的发射e。因此，从衬底10发射的发射e(其根据屏蔽板120的污染水平而减小)可通过二次校正来补偿以计算衬底10的温度t，所述温度t与使用从衬底10实际发射的发射e和衬底10的发射率ε来计算的温度t几乎相同(或类似)，且此外，可最小化温度测量部件110的温度测量偏差。
[0115]
在根据示范性实施例的用于处理衬底的设备100中，可在污染水平计算部件132中计算由反射量获取部件131获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值，且可反射所计算的差值v以初次重置仅所测量的反射光11b和反射光11c的量与仅衬底10的发射率ε之间的关系。因此，可补偿衬底10的发射率ε。另外，可二次重置所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系以补偿从衬底10发射的发射e(，其根据辐射光15的强度确定)，由此最小化温度测量部件110的温度测量偏差。也就是说，归因于所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系的重置，可将衬底10的发射率ε校正到与待测量的衬底10的实际发射率ε几乎相同(或类似)。由于使用如上文所描述而校正的衬底10的发射率ε来计算衬底10的温度t，因此衬底10的温度t可计算为与衬底10的实际温度t几乎相同(或类似)。另外，根据屏蔽板120的污染水平而减小的从衬底10发射的发射e
可通过二次重置来补偿，且因此，可计算(或测量)与衬底10的实际温度t的偏差最小化的衬底10的温度t。
[0116]
根据示范性实施例的用于处理衬底的设备100可进一步包含发射率关系存储部件(未示出)，其中根据屏蔽板120的污染水平存储所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率之间的关系。重置部件112b可根据在污染水平测量部件130中测量的屏蔽板120的污染水平选择所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。
[0117]
发射率关系存储部件(未示出)可根据屏蔽板120的污染水平存储所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，发射率关系存储部件(未示出)可存储根据屏蔽板120的污染水平初次重置的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系和/或根据屏蔽板120的污染水平初次和二次重置的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系中的每一个。
[0118]
此外，重置部件112b可根据在污染水平测量部件130中测量的屏蔽板120的污染水平选择发射率关系存储部件中的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系。此处，重置部件112b可在存储在发射率关系存储部件(未示出)中的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的关系当中选择根据屏蔽板120的所测量的污染水平存储的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的初次重置关系，和/或根据屏蔽板120的所测量的污染水平存储的所测量的反射光11b和反射光11c的量与衬底10的发射率ε之间的初次和二次重置关系。
[0119]
因此，可进行一次二次重置，且可提高衬底10的温度t的计算速度。
[0120]
图6为示出根据另一实施例的用于测量衬底的温度的方法的流程图。
[0121]
将参考图6描述根据另一示范性实施例的用于处理衬底的方法。在根据另一示范性实施例的用于处理衬底的方法的描述中，将省略关于馈给高频的前述装置的重复描述。
[0122]
根据另一实施例的一种用于测量衬底的温度的方法可包含：通过衬底的一个表面上的屏蔽板照射光的过程(s100)；通过接收照射光当中的由衬底或/和屏蔽板反射的反射光和从衬底发射的辐射光来测量反射光的量和辐射光的强度的过程(s200)；以及通过使用所测量的反射光的量和所测量的辐射光的强度来计算屏蔽板的污染水平所反映到的衬底的温度的过程(s300)。
[0123]
首先，通过衬底的一个表面上的屏蔽板照射光(s100)。光源111a可将光辐射到衬底10的一个表面，且屏蔽板120可安置在衬底10与光源111a之间，使得从光源111a照射的光穿过屏蔽板120且接着照射到衬底10的一个表面。
[0124]
接下来，可接收照射光当中的由衬底或/和屏蔽板反射的反射光和从衬底发射的辐射光以测量反射光的量和辐射光的强度(s200)。光接收部件111b可接收从光源111a照射的光(其从衬底10或/和屏蔽板120反射)的反射光，和从衬底10发射的辐射光。举例来说，光接收部件111b可接收由衬底10反射且穿过屏蔽板120的反射光和从衬底10发射以穿过屏蔽板120的辐射光，以及从光源111a发射且由屏蔽板120反射以便不穿过屏蔽板120的反射光。另外，光接收部件111b可通过接收到的反射光和辐射光测量反射光的量和反射光的强度。
[0125]
接着，使用所测量的反射光的量和辐射光的强度计算屏蔽板的污染水平所反映到的衬底的温度(s300)。温度计算部件113可通过使用辐射光的强度和反射光的量计算衬底10的温度，通过辐射的强度计算从衬底发射的发射，且通过反射光的量计算衬底10的发射。
另外，衬底10的温度可使用从衬底10发射的发射和衬底10的发射率来计算。此时，由于屏蔽板120安置在光接收组合件111与衬底10之间，因此可能在由光接收部件111b接收到的反射光的量与辐射光的强度之间发生偏差。因此，在衬底10的发射率与从衬底10发射的发射之间也可能发生偏差，且因此，在使用发射率ε和发射来计算的衬底10的温度中也可能发生偏差。另外，为了计算衬底10的发射率，必须仅使用仅从衬底10反射且直接入射到光接收部件111b的反射光。然而，由于归因于屏蔽板120而使用从衬底10反射的反射光的量以及从屏蔽板120反射的反射光的量，因此使用接收到光接收部件111b的反射光的量来计算的衬底10的发射率的偏差可能较大。因此，温度计算部件113可通过使用所测量的反射光的量和所测量的辐射光的强度来计算屏蔽板120的污染水平所反映到的衬底10的温度。
[0126]
根据示范性实施例的用于测量衬底的温度的方法可进一步包含通过反映屏蔽板的污染水平来重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s250)。
[0127]
另外，可反映屏蔽板的污染水平以重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系(s250)。当过程副产物20累积在屏蔽板120上，且因此屏蔽板120受污染时，光的反射和/或吸收在过程副产物20中发生进而导致衬底10的温度偏差，且因此，屏蔽板120的污染水平可能增大。此处，随着过程副产物20的(层)厚度增加，衬底10的温度偏差增大。因此，重置部件112b可通过反映屏蔽板120的污染水平来重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系。此处，所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系可表达为计算标准表达式、计算参考表(例如，查找表)、计算参考曲线图(例如，通过对查找表进行绘图获得的曲线图)以及类似物。另外，重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系可包含在计算参考表和/或计算参考曲线图中重新布置衬底10的发射率。所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系可通过反映屏蔽板120的污染水平来重置以减小衬底10的发射率的偏差和衬底10的温度的偏差，即使屏蔽板120受过程副产物20污染也是如此。
[0128]
举例来说，可在关系设定部件中设定所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系，且温度计算部件113可通过使用在关系设定部件112a中设定的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系来确定(或计算)衬底10的发射率。另外，重置部件112b可通过反射屏蔽板120的污染水平来重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系，且因此，可改变和重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系。
[0129]
此外，在计算衬底的温度的过程(s300)中，可使用衬底的发射率和从衬底发射的发射来计算衬底的温度，所述发射率通过所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的重置关系来确定。此处，根据辐射光的强度确定从衬底发射的发射。温度计算部件113可基于所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的重置关系来确定衬底10的发射率，且可根据辐射光的强度来确定从衬底10发射的发射。可使用衬底10的发射率和从衬底10发射的发射来计算衬底10的温度，且可计算具有减小的温度偏差的衬底10的温度。此处，温度计算部件113可通过仅将所测量的反射光的量应用(或替代)到所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的重置关系来计算具有减小的偏差的衬底10的发射率。
[0130]
根据示范性实施例的用于测量衬底的温度的方法可进一步包含通过使用朝向屏蔽板照射的光(其由屏蔽板反射且接收到)的反射量来测量屏蔽板的污染水平的过程(s50)。
[0131]
可使用朝向屏蔽板照射的光的反射量来测量屏蔽板的污染水平，所述光由屏蔽板
反射且接收到(s50)。污染水平测量部件130可通过使用朝向屏蔽板120照射的光的反射量来测量屏蔽板120的污染水平，所述光由屏蔽板120反射且接收到。此处，可根据过程副产物20的沉积厚度确定屏蔽板120的污染水平，且可通过反射量计算过程副产物20的沉积厚度。
[0132]
此处，测量屏蔽板的污染水平的过程(s50)可包含：通过从(或由)屏蔽板反射且接收到的光获取反射量的过程(s51)；以及通过计算所获取的反射量与屏蔽板的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板的污染水平的过程(s52)。
[0133]
可通过由屏蔽板反射所接收到的光获得反射量(s51)。反射量获取部件131可获取从屏蔽板120反射的接收到的光的反射量。此处，反射量获取部件131可直接测量和获取从屏蔽板120反射和接收到的光的反射量，或可通过从温度测量部件110接收反射量来获取反射量。
[0134]
可通过计算所获取的反射量与屏蔽板的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板的污染水平(s52)。污染水平计算部件132可根据所获取的反射量计算屏蔽板120的污染水平，且还通过比较所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量而根据所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差(值)来计算屏蔽板120的污染水平。此处，屏蔽板120的参考反射量可为当屏蔽板120未受污染时所测量的反射量。
[0135]
也就是说，在计算屏蔽板的污染水平的过程(s51)中，可通过计算所获取的反射量与屏蔽板的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板的污染水平。污染水平计算部件132可通过计算所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板120的污染水平。举例来说，可根据所获取的反射量与屏蔽板120的参考反射量之间的差值来计算屏蔽板120的污染水平，且随着差值增大，屏蔽板120的污染水平与增大成正比，且差值可表达为0与1之间的数值。此处，
‘0’
可意味着当不具有过程副产物20的屏蔽板120未受污染时差值为0，且
‘1’
可意味着当过程副产物20沉积超出必须更换屏蔽板120的所需厚度时屏蔽板120的污染水平。
[0136]
此外，重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s250)可包含通过反映所计算的差值来初次重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s251)。
[0137]
可反映所计算的差值以初次重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系(s251)。可通过反映由污染水平计算部件132所计算的差来初次重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系。此处，重置部件112b可在衬底10的发射率的值相对于所测量的反射光的总量增大的方向(增大方向)上初次重置所测量的反射光11b或/和反射光11c的量与衬底10的发射率之间的关系。此处，在初次重置时衬底10的发射率相对于所测量的反射光的量的增大量可与所测量的反射光的量的至少一些区段中相同。
[0138]
举例来说，当重置部件112b包含反射量校正部件时，可从反射光量减去所计算的差值以进行初次校正。反射量校正部件可通过从反射光的量减去由污染水平计算部件132所计算的差值来进行初次校正。也就是说，初次校正的反射光的量可比由光接收部件111b接收到的反射光的量小差值。举例来说，衬底10的发射率可定义为与反射光的量相关的函数(ε＝f1(r))，且可应用比变量r中的由光接收部件111b接收到的反射光的量小差值的值以计算衬底10的发射率。当屏蔽板120受污染时，与屏蔽板120未受污染时相比，所获取的反射量增大。因此，可从由光接收部件111b接收到的反射光的量减去差值，使得当屏蔽板120
未受污染时，反射量类似于从光接收部件111b接收到的反射光的量。此处，由污染水平计算部件132所计算的差值可取决于屏蔽板120的污染水平而变化，且在开始衬底10处理过程(例如，热处理过程)之前，可测量屏蔽板120的污染水平以事先计算差值。
[0139]
此外，重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s250)可进一步包含二次重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的(初次重置)关系(，其初次重置)以补偿从衬底发射的发射(，其根据辐射光的强度确定)的过程(s252)。
[0140]
另外，可二次重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系(s252)，所述关系初次重置以补偿从衬底10发射的发射(，其根据辐射光的强度确定)。另外，重置部件112b可二次重置所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的初次重置关系以补偿从衬底10发射的发射，所述发射根据辐射光的强度确定。从衬底10发射的发射(其根据屏蔽板120的污染水平而减小)可通过二次重置来补偿以计算衬底10的温度，所述温度与使用从衬底10实际发射的发射和衬底10的发射率来计算的温度几乎相同(或类似)，且此外，可最小化温度测量部件110的温度测量偏差。
[0141]
举例来说，当重置部件112b包含反射量校正部件时，如果初次校正的反射光的量在预设范围内，那么可将根据初次校正的反射光的量而不同的校正值相加以进行二次校正。如果初次校正的反射光的量在预设范围内，那么反射量校正部件可将根据初次校正的反射光的量而不同的校正值相加以进行二次校正。也就是说，当初次校正的反射光的量在预设范围内时，二次校正的反射光的量可比初次校正的反射光的量大校正值。此外，当初次校正的反射光的量不在预设范围内时，二次校正的反射光的量可与初次校正的反射光的量相同。
[0142]
也就是说，校正值可与初次校正的反射光的量成比例，且初次校正的反射光的量越大，可添加的校正值就越大。随着反射光的量和/或初次校正的反射光的量增大，从衬底10反射且入射到过程副产物20中的光的量可较大，且可反射来自过程副产物20的大量反射光。因此，随着反射光的量和/或初次校正的反射光的量增大，从过程副产物20反射的反射的量也可增大。因此，当屏蔽板120受污染时和当屏蔽板120未受污染时，穿过屏蔽板120的反射光的分位数之间的差可随着初次校正的反射光的量和/或反射光的量而增大。因此，初次校正的反射光的量或反射光的量越大，可添加以补偿差值的校正值就越大。
[0143]
计算衬底的温度的过程(s300)包含使用反射光的校正量计算衬底的发射率的过程(s310)，以及通过使用辐射光的强度计算从衬底发射的发射的过程(s320)。
[0144]
可使用反射光的校正量来计算衬底的发射率。温度计算部件113可使用反射光的校正量来计算衬底10的发射率。温度计算部件113可通过反射光的量来计算衬底10的发射率，且可使用校正的反射光的量来计算补偿(或校正)的衬底10的发射率。因此，可减小根据屏蔽板120的污染的温度测量部件110的温度测量偏差。此处，温度测量部件110的温度测量偏差可在可允许误差范围内减小。
[0145]
另外，可使用辐射光的强度来计算从衬底发射的发射(s320)。温度计算部件113可通过使用辐射光15的强度来计算从衬底10发射的发射。举例来说，当屏蔽板120受污染时，辐射光15可由过程副产物15吸收和/或反射且因此可能衰减。因此，当通过在光接收部件111b中接收到的辐射光15的强度计算从衬底10发射的发射时，实际上，可计算从衬底10发射的衰减的发射而不是从衬底10发射的发射e。
[0146]
此处，在初次重置中，所测量的反射光的量可对于衬底10的发射率中的每一个相等地增大，且在二次重置中，所测量的反射光的量可对于衬底10的发射率中的每一个不同地减小。
[0147]
在初次校正过程中，有可能补偿根据屏蔽板的污染水平而减小的衬底的发射率。因此，反射量校正部件可通过初次校正补偿根据屏蔽板120的污染水平而减小的衬底10的发射率。此处，反射量校正部件可通过用于初次校正反射光的量的初次校正来补偿根据屏蔽板120的污染水平而减小的衬底10的发射率。因此，可通过衬底10的补偿的发射率测量(或计算)温度测量偏差在可允许误差范围内减小的衬底10的温度。
[0148]
此外，在初次校正过程中，有可能补偿从衬底发射的发射，所述发射根据屏蔽板的污染水平而减小。因此，反射量校正部件可通过二次校正补偿从衬底10发射的发射，所述发射根据屏蔽板120的污染水平而减小。此处，虽然将校正值添加到初次校正的反射光的量，但反射量校正部件可将通过由过程副产物20吸收和/或反射而衰减(或减小)的辐射光的量反射到校正值，且因此，可将大于用于最小化衬底10的发射率的测量误差(或计算误差)的校正值的校正值添加到初次校正的光的量。因此，有可能通过计算由光接收部件111b接收到的辐射光的强度来补偿从衰减的衬底发射的发射。从衬底10发射的发射(其根据屏蔽板120的污染水平而减小)可通过二次校正来补偿以计算衬底10的温度，所述温度与使用从衬底10实际发射的发射和衬底10的发射率来计算的温度几乎相同(或类似)，且此外，可最小化温度测量部件110的温度测量偏差。
[0149]
根据示范性实施例的用于测量衬底的温度的方法可进一步包含根据屏蔽板的污染水平存储所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s255)。
[0150]
可根据屏蔽板的污染水平存储所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系(s255)。发射率关系存储部件(未示出)可根据屏蔽板120的污染水平存储所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系。此处，发射率关系存储部件(未示出)可存储根据屏蔽板120的污染水平初次重置的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系和/或根据屏蔽板120的污染水平初次和二次重置的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系中的每一个。
[0151]
此外，重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系的过程(s250)可通过根据屏蔽板的所测量的污染水平选择所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系来进行。重置部件112b可根据在污染水平测量部件130中测量的屏蔽板120的污染水平选择发射率关系存储部件中的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系。此处，重置部件112b可在存储在发射率关系存储部件(未示出)中的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的关系当中选择根据屏蔽板120的所测量的污染水平存储的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的初次重置关系，和/或根据屏蔽板120的所测量的污染水平存储的所测量的反射光的量与衬底10的发射率之间的初次和二次重置关系。
[0152]
因此，可进行一次二次重置，且可提高衬底10的温度的计算速度。
[0153]
如上文所描述，在这一实施例中，所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系可通过经由温度测量部件的重置部件反映屏蔽板的污染水平来重置以减小衬底的发射率的偏差，所述发射率由所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系确定。因此，可减小使用衬底的发射率来计算的衬底的温度的变化。也就是说，有可能减小归因于屏蔽板的
污染的温度测量部件的温度测量偏差。另外，由于即使当屏蔽板受污染时，处理过程也可进行预定时间段，因此屏蔽板的更换周期可增大以降低过程成本，由此通过减少停工时间来提高生产率。另外，可在污染水平测量部件的污染水平计算部件中计算由污染水平测量部件的反射量获取部件获取的反射量与屏蔽板的参考反射量之间的差，且接着，可反映所计算的差以初次重置反射光的量与衬底的发射率的关系，由此补偿衬底的发射率。另外，为了补偿根据辐射光的强度确定的从衬底发射的发射，可通过二次重置所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的初次重置关系来最小化温度测量部件的温度测量的差。
[0154]
在根据示范性实施例的用于处理衬底的设备中，可通过反映屏蔽板的污染水平来重置通过温度测量部件的重置部件测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系，由此减小由所测量的反射光的量与衬底的发射率之间的关系确定的衬底的发射率。因此，可减小使用衬底的发射率来计算的衬底的温度的变化。也就是说，可减小归因于屏蔽板的污染的温度测量部件的温度测量偏差。另外，由于即使当屏蔽板受污染时，处理过程也可进行预定时间段，因此屏蔽板的更换周期可增大以降低过程成本，由此通过减少停工时间来提高生产率。
[0155]
另外，可在污染水平测量部件的污染水平计算部件中计算由污染水平测量部件的反射量获取部件获取的反射量与屏蔽板的参考反射量之间的差，且接着，可反映所计算的差以初次重置反射光的量与衬底的发射率的关系，由此补偿衬底的发射率。另外，可二次重置反射光的量与衬底的发射率之间的关系，所述反射光的量和衬底的发射率经过测量以用于补偿根据辐射光的强度确定的从衬底发射的辐射光，以最小化温度测量部件的温度测量偏差。
[0156]
在以上描述中使用的术语“～在
……
上”包含在与上部部分和下部部分相对的位置处的直接接触和间接接触。还可能不仅定位整个上表面或整个下表面，且还定位部分上表面或下表面，且其在其位置上相对或直接接触上表面或下表面的意义上使用。
[0157]
虽然已参考实施例的数个示出性实施例描述了所述实施例，但所述实施例不限于前述实施例，且因此，应理解，可由本领域的技术人员设计将落入本公开的原理的精神和范围内的众多其它修改和实施例。因此，本发明的实际保护范围应通过所附权利要求的技术范围确定。