显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种包括用于密封发光元件的密封结构的显示装置。


背景技术：

2.显示装置被应用于各种电子装置，如电视、移动电话、笔记本电脑和平板电脑。为此，正在继续研究开发更薄、更轻和更低功耗的显示装置。
3.显示装置的示例包括液晶显示装置(lcd)、等离子显示装置(pdp)、场发射显示装置(fed)、电润湿显示装置(ewd)和电致发光显示装置(eldd)，或有机发光显示装置(oled)等。
4.有机发光显示装置(oled)包括被布置在其中显示图像的显示区域中的多个像素区域，以及分别对应于多个像素区域的多个有机发光元件。每个有机发光元件都是能发光的自发光元件。因此，与液晶显示装置相比，有机发光显示装置具有更快的响应速度、更高的发光效率和亮度、更大的视角以及优秀的对比度和色彩还原范围。
5.有机发光元件包括可能容易被湿气和氧气劣化的有机材料。因此，为了防止有机材料暴露于湿气和氧气等，并延迟有机材料的劣化，有机发光显示装置具有用于密封多个有机发光元件的封装膜和位于封装膜上的封装基板。
6.在移动和便携装置中使用的小尺寸面板具有较小的面板面积，因此热量可迅速地从装置中散失，并且几乎不存在粘附的问题。然而，在监视器、平板电脑和电视机中使用的大尺寸面板中，面板面积较大，因此需要封装结构来实现最佳的散热和粘附。
7.图36是根据相关技术的显示装置的视图。如图36所示，发光阵列420被设置在晶体管阵列410上，并且封装基板423被设置在利用密封材料415密封的阵列基板405上。此外，为了补偿刚性的不足，显示装置400还可包括被设置在封装基板423上的单独的内板430。内板430可以通过粘合剂构件435附接到底盖460。在这种情况下，有必要确保用于在其中接收单独的内板430的空间。由于内板430的重量，在显示装置400的瘦身和减重方面存在限制。此外，由于在封装基板423和内板430之间产生的空气间隙(其由被设置成将封装基板423和内板430彼此粘附的胶带425的厚度造成)产生了第一竖直间隔区域g1，从而降低了散热性能。
8.此外，因为印刷电路板440、柔性电路板445和集成电路芯片450被附接到封装基板423的顶面的一侧，所以内板430被设置在与印刷电路板440以预定间距间隔开的位置处。因此，内板430没有附接到封装基板423的顶面的其中设置印刷电路板440、柔性电路板445和集成电路芯片450的一部分。因此，存在的问题是在内板430没有附接到其的水平间隔区域g3和第二竖直间隔区域g2中，热量没有像其中设置了印刷电路板440、柔性电路板445和集成电路芯片450的区域那样多地被散失。


技术实现要素：

9.本公开的目的是提供一种包括密封结构的显示装置，该密封结构可允许抑制工艺缺陷，同时具有在不包括单独的内板的情况下该密封结构可固定相对较厚的加强基板的厚
度。
10.此外，本公开旨在通过引入多层结构的密封结构来改善刚性和散热效果，该密封结构能够在其上设置具有相对较大厚度的加强基板。
11.此外，本公开旨在通过抑制湿气在阵列基板的侧方向和前方向上的渗透来防止在面板的前表面上出现缺陷。
12.此外，本公开旨在引入具有多层结构的密封结构，以减少显示装置被弯曲的翘曲量。
13.此外，本公开旨在提供一种显示装置，其中显示装置的内部构造可通过引入多层结构的密封结构来简化，以确保显示装置的刚性并排除内板，使得该显示装置比现有的显示装置更薄和更轻。
14.此外，本公开旨在在非显示区域中实现变窄的边框区域，同时即使引入多层结构的密封结构，也防止用于驱动面板的柔性印刷电路板被损坏。
15.根据本公开的目的并不限于上述的目的。根据本公开的其他未提及的目的和优点可基于以下描述而理解，并且可基于根据本公开的实施例而更清楚地理解。此外，很容易理解的是，根据本公开的目的和优点可以使用权利要求中所示的装置及其组合来实现。
16.本公开的一个示例提供了一种显示装置，其包括：阵列基板，该阵列基板具有显示区域和被定位于显示区域之外的非显示区域，并且具有发光阵列，该发光阵列包括对应于显示区域上的多个像素区域的多个发光元件；以及密封结构，其被设置在阵列基板上，其中该密封结构密封发光阵列，并且将面向密封结构的板状的加强基板固定到阵列基板。在这方面，密封结构包括面向阵列基板的第一粘合剂层、面向加强基板的第二粘合剂层、以及被设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的阻挡层。也就是说，密封结构具有由通过阻挡层彼此间隔开的第一粘合剂层和第二粘合剂层形成的堆叠结构。此外，密封结构可以被配置成还包括面向加强基板同时被设置在第二粘合剂层上的保护结构。
17.相应地，密封结构可以被设置成具有大于临界厚度的厚度，以避免在由粘合剂材料制成的单层中的工艺缺陷。由于该密封结构，可以防止具有相对较大厚度的加强基板的固定可靠性的降低。因此，可以充分保证由于加强基板导致的刚性和散热效果。
18.因此，可以排除单独的内板。这对于显示装置的瘦身和轻量化可以是有利的。可以防止由于封装基板和内板之间的空间而导致的散热效果的劣化。
19.由于密封结构的第一粘合剂层与阵列基板接触，因此仅第一粘合剂层可由包括无机填料的混合物制成。因此，可以降低制备密封结构的成本。此外，由于第二粘合剂层不包括无机填料，被包括在第二粘合剂层中的具有粘附性的聚合物材料的含量可以增加。因此，第二粘合剂层的粘附性可以相对较高。因此，加强基板可以更具刚性地附接到密封结构。
20.此外，第二粘合剂层由包含聚合物材料的混合物制成，其中该聚合物材料不包含羧基，因此可以防止阻挡层的腐蚀或膜均匀性的劣化，从而防止在显示装置中出现缺陷。
21.此外，由于加强基板与阵列基板的焊盘的间隔比密封结构与阵列基板的焊盘的间隔更远，因此可以防止被连接到阵列基板的焊盘的柔性电路板接触加强基板。因此，可以减少或避免对柔性电路板的损坏。
22.本公开的另一个示例提供了一种显示装置，其包括：阵列基板，该阵列基板具有显示区域和被定位于显示区域之外的非显示区域，并且具有发光阵列，该发光阵列包括对应
于显示区域上的多个像素区域的多个发光元件；以及密封结构，其被设置在阵列基板上，其中该密封结构密封发光阵列，并且具有多层结构，且将面向密封结构的板状的加强基板固定到阵列基板。在这方面，密封结构包括面向阵列基板的第一粘合剂层、面向保护结构的第二粘合剂层、被设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的阻挡层以及被设置在加强基板和第二粘合剂层之间的保护结构。
23.此外，保护结构的保护层可以具有一定的厚度，在该厚度下，保护层可以防止由于弯曲而造成的损坏，同时阻挡外部冲击，因此可进一步确保显示装置的刚性。
24.此外，本公开的另一实施例提供了一种用于制造显示装置的方法，该方法包括提供阵列基板，其具有发光阵列，该发光阵列包括分别对应于多个像素区域的多个发光元件；提供密封结构，其中该密封结构包括彼此相对的第一粘合剂层和第二粘合剂层，以及被设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的阻挡层；以及将密封结构设置在阵列基板上，使得发光阵列被第一粘合剂层密封。
25.根据本公开的一个实施例，用于将阵列基板和加强基板彼此接合并用于密封阵列基板的发光阵列的密封结构具有由通过阻挡层分隔开的第一粘合剂层和第二粘合剂层形成的堆叠结构。因此，密封结构可以被设置成具有约两倍于临界值的厚度，在该临界值下，可以防止在由粘合剂材料制成的单层中的工艺缺陷。也就是说，密封结构可以被制备成具有相对较大的厚度，同时防止工艺缺陷。
26.因此，可以制备相对较厚的加强基板。因此，可以充分保证由于加强基板导致的刚性和散热效果。
27.因此，可以排除用于确保刚性的单独的内板。这对于显示装置的瘦身和轻量化可以是有利的。显示装置的组装过程可以被简化。此外，可以防止由于内板和封装基板之间的空间而导致的散热效果的劣化。
28.此外，密封结构还可包括用于进一步确保显示装置的刚性的保护结构，从而即使在对显示装置施加外部冲击时也防止对阵列基板的发光阵列的损坏。
29.此外，保护结构的保护层可以具有一定的厚度，在该厚度下，保护层可以防止由于弯曲导致的损坏，同时阻挡外部冲击以进一步确保显示装置的刚性。因此，即使在附接过程中对该装置施加了外部冲击，保护层也可防止对密封结构的损坏，并进一步防止对阵列基板的发光阵列的损坏。
30.此外，将密封结构实施为多层结构可允许减少显示装置被弯曲的翘曲量。
31.此外，通过使用具有高导热性的材料作为加强基板的材料，可以有效地消散热量，从而减少面板上的残影的出现并改善发光阵列的寿命。
32.此外，控制加强基板的厚度和宽度可以不允许柔性印刷电路板与密封结构或加强基板接触，从而防止柔性印刷电路板的损坏。
33.本公开的效果不限于上述效果，且本领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他效果。
附图说明
34.图1是根据本公开的第一实施例的显示装置的分解透视图。
35.图2是对应于图1中的阵列基板和集成电路芯片的框图。
36.图3是显示对应于图2的像素区域的等效电路的示例的图。
37.图4是显示图3的驱动薄膜晶体管和有机发光元件的示例的视图。
38.图5是以分解图的方式显示图1的阵列基板、密封结构、加强基板、柔性电路板和印刷电路板的视图。
39.图6是显示图1的阵列基板、密封结构、加强基板、柔性电路板和印刷电路板的布置结构示例的视图。
40.图7是显示图6的ab截面的示例的视图。
41.图8是显示图6的cb截面的示例的视图。
42.图9是显示根据本公开的第二实施例的显示装置的视图。
43.图10是显示根据本公开的第三实施例的显示装置的视图。
44.图11是显示根据本公开的第四实施例的显示装置的视图。
45.图12是显示图11的ab截面的示例的视图。
46.图13是显示图11的cb截面的示例的视图。
47.图14是图13的部分“i”的放大视图。
48.图15a至图15d是显示阻挡层的各种结构的视图。
49.图16a、16b、17和18是用于示出根据构成粘合剂层的材料类型的缺陷是否发生的照片。
50.图19是显示基于每种类型的金属材料在面板内测得的最大温度和残影减少率的表格。
51.图20是显示根据本公开的第五实施例的显示装置的视图。
52.图21是显示图20的cb截面的示例的视图。
53.图22是显示基于保护层的厚度变化的显示装置的刚性评估结果的表格。
54.图23a至图23f是显示在刚性评估期间在加强基板上的凹痕和在面板上产生的暗点的照片。
55.图24是显示基于保护层的厚度变化的面板的翘曲量的表格。
56.图25是显示基于密封结构的构造的面板的翘曲量的变化的曲线图。
57.图26是示意性地显示面板的翘曲量变化的图。
58.图27是显示在高温下基于密封结构的厚度变化的翘曲量变化的曲线图。
59.图28是显示在室温下基于密封结构的厚度变化的翘曲量变化的曲线图。
60.图29是显示根据本公开的一个实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。
61.图30至图35是显示图29中的方法的步骤的视图。
62.图36是根据相关技术的显示装置的视图。
具体实施方式
63.为了简单和清晰的例示说明，附图中的元件不一定按比例绘制。不同附图中的相同附图标记代表相同或类似的元件，并因此执行类似的功能。此外，为了简化描述，省略了对众所周知的步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，为了提供对本公开的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，应理解的是，本公开可以在没有这些具体细节的情况下实施。在其他情况下，众所周知的方法、操作、部件和电路没有被详细描述，以免
不必要地模糊本公开的多个方面。下面将进一步例示说明和描述各种实施方案的示例。应理解的是，这里的描述并不是为了将权利要求限制在所描述的具体实施例中。相反，旨在涵盖可能被包含在由所附权利要求限定的本公开的精神和范围内的替代方案、修改方案和等效方案。
64.附图中公开的用于描述本公开的实施方案的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，本公开不限于此。相同的附图标记在本文中指的是相同的元件。此外，为了简化描述，省略了对众所周知的步骤和元件的描述和细节。此外，在以下对本公开的详细描述中，为了提供对本公开的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，应理解的是，本公开可以在没有这些具体细节的情况下实施。在其他情况下，众所周知的方法、操作、部件和电路没有被详细描述，以避免不必要地模糊本公开的多个方面。
65.本文使用的术语仅用于描述特定的实施方案，并不旨在限制本公开。如本文所用的，单数形式“一”和“一个”旨在也包括复数形式，除非上下文明确指出。应进一步理解，本说明书中使用的术语“包括(comprises、comprising)”、“包含(includes、including)”是指存在所述的特征、整数、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分。如本文所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出的项目的任何和所有组合。诸如“至少一个”这样的表达，当放在一列元件前面时，可以修改该列元件的全部，而不可以修改该列中的单个元件。当提及“c至d”时，除非另有指定，否则这意味着从c(包括c在内)到d(包括d在内)。
66.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语是用来区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。
67.此外，还应理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层的“上”或“下”时，第一元件可以被设置成直接地在第二元件上或下，或者可以被设置成间接地在第二元件上或下，其中第三元件或层被设置在第一元件或层和第二元件或层之间。应理解的是，当一个元件或层被称为“连接到”或“联接到”另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、连接到或联接到另一个元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，还可以理解的是，当一个元件或层被称为两个元件或层“之间”时，它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
68.此外，如本文所用的，当一个层、膜、区域、板或类似物被设置在另一个层、膜、区域、板或类似物“上”或“顶部”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者和后者之间设置又一个层、膜、区域、板或类似物。如本文所用的，当一个层、膜、区域、板或类似物被直接设置在另一个层、膜、区域、板或类似物“上”或“顶部”时，前者直接接触后者，且没有在前者和后者之间设置又一个层、膜、区域、板或类似物。此外，如本文所使用的，当一个层、膜、区域、板或类似物被设置在另一个层、膜、区域、板或类似物“下”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者和后者之间设置又一个层、膜、区域、板或类似物。如本文所使用的，当一个层、膜、区域、板或类似物被直接设置在另一个层、膜、区域、板或类似物“下”或“下方”时，前者直接接触后者，且没有在前者和后者之间设置又一个层、膜、区域、板或类似物。
69.除非另有定义，本文使用的包括技术和科学术语的所有术语具有本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应理解的是，术语，例如那些在常用字典中定义的术语，应被解释为具有与其在相关技术的语境中的含义相一致的含义，并且不应被解释为理想化或过于形式化的含义，除非在本文中明确地这样定义。
70.在一个示例中，当某个实施例可以以不同方式实施时，在特定块中指定的功能或操作可能以不同于流程图中指定的顺序发生。例如，两个连续的块实际上可能在同一时间执行。根据相关的功能或操作，这些块可能以相反的顺序执行。
71.在时间关系的描述中，例如两个事件之间的时间先后关系，例如“在
…
之后”、“继
…
之后”、“在
…
之前”等，除非没有指明“直接在
…
之后”、“直接继
…
之后”或“直接在
…
之前”，否则另一事件可以在其间发生。本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此结合，并且可以在技术上彼此关联或彼此操作。各实施例可以彼此独立地实施，也可以以关联的关系一起实施。为了便于解释，本文可以使用空间相对术语，如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等，来描述一个元件或特征与另一个元件或特征的关系，如图中所示。应理解的是，除了图中所示的取向外，空间相对术语旨在包括该装置在使用或操作中的不同取向。例如，当附图中的装置被翻转时，被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以涵盖上方和下方的取向。该装置可以以其他方式定向，例如，旋转90度或在其他取向，并且本文使用的空间相对描述符应被相应地解释。
72.此外，“a方向”、“b方向”和“c方向”不应仅仅被解释为具有a方向、b方向和c方向彼此垂直的几何关系。“a方向”、“b方向”和“c方向”可以被解释为在本文的部件可以在功能上工作的范围内具有更广泛的方向。
73.下面，将参照附图描述根据本公开的各实施例的显示装置。
74.图1是根据本公开的第一实施例的显示装置的分解透视图。
75.如图1所示，根据本公开的第一实施例的显示装置包括阵列基板10，以及被设置在阵列基板10上的密封结构30。
76.阵列基板10包括被设置在其至少一个侧边缘上的焊盘。其上安装有用于驱动数据线(图2的dl)的集成电路芯片21的至少一个柔性电路板22可以被连接到被设置在阵列基板10的至少一个侧边缘上的焊盘。
77.此外，至少一个柔性电路板22被进一步连接到印刷电路板24，该印刷电路板上安装有控制阵列基板10的操作时序的集成电路芯片23。也就是说，至少一个柔性电路板22被设置在阵列基板10和印刷电路板24之间。应当注意的是，在图1中，至少一个柔性电路板22和印刷电路板24被示为位于阵列基板10的顶部上，以便清楚地显示这些电路板，但是在真正的显示装置中，至少一个柔性电路板22和印刷电路板24被设置在加强基板40上，如以下附图中所示。
78.密封结构30将面向密封结构30的板状的加强基板40固定到阵列基板10上。
79.密封结构30包括面向阵列基板10的第一粘合剂层31、面向加强基板40的第二粘合剂层32以及被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间的阻挡层33，等等。第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个都可以包括粘合剂材料，例如具有粘附性的聚合物材料。阻挡层33比第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个薄。也就是说，密封结构30包
括通过薄膜形式的阻挡层33分隔开的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32。因此，密封结构30可以有相对较厚的厚度，同时防止粘合剂材料的工艺缺陷(取决于其厚度)。阻挡层33的厚度相对于第一粘合剂层31和第二粘合剂层32的厚度可以变化。例如，阻挡层33可以具有比第一粘合剂层31、第二粘合剂层32或两者的厚度更大的厚度。由于阻挡层33的厚度可以变化，因此阻挡层33的厚度可以大于第一粘合剂层31的厚度，但是小于第二粘合剂层32的厚度，或者反之亦然。
80.具体而言，当存在相对较厚的单个粘合剂材料层时，可能经常且容易发生诸如由于异物插入该层以及该层的移位而导致的厚度不均的工艺缺陷。因此，单个粘合剂材料层需要具有小于临界厚度的厚度以避免工艺缺陷。
81.相反，根据本公开的第一实施例的显示装置的密封结构30不是由粘合剂材料制成的单层组成，而是由通过薄的阻挡层33分隔开的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32组成。因此，密封结构30可以具有是单个粘合剂层的临界厚度的大约两倍的厚度，以防止工艺缺陷，但替代地也可以具有大于单个粘合剂层的临界厚度但小于临界厚度的两倍的厚度。在一些其他实施例中，基于散热和刚性需求，密封结构30的厚度可以大于单个粘合剂层的临界厚度的两倍。
82.此外，随着密封结构30的厚度增加，可通过密封结构30固定到阵列基板10的加强基板40的临界厚度可以增加。因此，由于加强基板40导致的刚性和散热效果可以得到改善。因此，可以不需要单独的内板，并且可以可靠地实现显示装置的瘦身和轻量化。此外，可以防止或有效减少散热效果的劣化。
83.此外，根据本公开的第一实施例的显示装置还可包括通过密封结构30固定在阵列基板10上的加强基板40。
84.此外，根据本公开的第一实施例的显示装置还可包括容纳阵列基板10、密封结构30和加强基板40的底盖50。
85.底盖50包括面向加强基板40的底部分51。替代地，底盖50还可包括从底部分51的外周边朝向阵列基板10竖直地延伸的侧部分52。可以包括能够改善散热和/或刚性的附加层或结构。
86.图2是对应于图1中的阵列基板和集成电路芯片的框图。图3是显示对应于图2的像素区域的等效电路的示例的图。图4是显示图3的驱动薄膜晶体管和有机发光元件的示例的视图。
87.如图2所示，根据本公开的第一实施例的显示装置包括：阵列基板10，其包括在其上显示图像的显示区域aa(有源区域)；以及分别向阵列基板10的信号线gl和dl提供信号的驱动器61、62和63。驱动器61、62和63中的一些可以被实施为被安装在与阵列基板10相连接的至少一个柔性电路板22上的集成电路芯片21，以及被安装在与至少一个柔性电路板22相连接的印刷电路板24上的集成电路芯片23。此外，驱动器61、62和63中的另一些可以被嵌置在阵列基板10中。
88.阵列基板10包括被限定在显示区域aa中的多个像素区域pa。
89.多个像素区域pa中的每一个是指用于发射对应于一种颜色的光的区域。在多个像素区域pa中彼此相邻且对应于不同颜色的两个或多个像素区域pa可以构成用于发射各种颜色的光的单位像素。也就是说，可以实现一个单位像素。该单位像素可以通过组合分别从
彼此相邻的两个或多个像素区域pa发射的光束来显示各种颜色。
90.阵列基板10包括提供用于选择待写入数据信号vdata的水平线的扫描信号scan的栅极线gl，以及提供数据信号vdata的数据线dl。该水平线可以由在多个像素区域pa中沿水平方向布置成一条线的像素区域组成。
91.此外，阵列基板10还可包括第一驱动电力线和第二驱动电力线(图3中的vddl和vssl)，其分别为发光元件的操作提供第一驱动电力vdd和第二驱动电力vss。
92.驱动器包括时序控制器61、被连接到数据线dl的数据驱动器62和被连接到栅极线gl的栅极驱动器63。
93.时序控制器61基于阵列基板100的分辨率重新安排从外部系统输入的数字视频数据rgb，并将重新安排的数字视频数据rgb'供应给数据驱动器62。
94.时序控制器61可以基于诸如竖直同步信号vsync、水平同步信号hsync、点时钟信号dclk和数据使能信号des的时序信号，产生并提供用于控制数据驱动器62的操作时序的数据控制信号ddc和用于控制栅极驱动器63的操作时序的栅极控制信号gdc。
95.栅极驱动器63在一帧时间段期间依次向多个栅极线gl提供扫描信号scan，以基于栅极控制信号gdc显示图像。
96.也就是说，栅极驱动器63在一帧时间段期间在对应于每个栅极线gl的每个水平时间段期间向每个栅极线gl提供扫描信号scan。
97.数据驱动器62基于数据控制信号ddc将重新安排的数字视频数据rgb'转换为模拟数据电压。数据驱动器62基于重新安排的数字视频数据rgb'，向数据线dl提供对应于水平线的每个像素区域pa(在每个水平时间段期间给其供应扫描信号scan)的数据信号vdata。
98.如图3所示，每个像素区域pa包括有机发光元件oled，以及用于向有机发光元件oled供应驱动信号的像素电路。
99.在一个示例中，像素电路包括驱动晶体管dt、开关晶体管st和存储电容器cst。这仅仅是一个示例。虽然没有显示，但每个像素区域pa还可包括补偿电路(未示出)，以用于补偿驱动晶体管dt和发光元件oled中的至少一个的劣化。补偿电路可包括至少一个晶体管(未示出)，以检测劣化量或提供参考电力(未示出)。
100.有机发光元件oled包括第一电极和第二电极，即阳极和阴极，以及被设置在第一电极和第二电极之间的发光层。发光层基于第一电极和第二电极之间的驱动电流发出光。有机发光元件oled可以具有包括两个或更多个发光层的多层堆叠结构。
101.驱动晶体管dt可以串联到发光元件oled，并且可以被设置在供应第一驱动电力vdd的第一驱动电力线vddl和供应第二驱动电力vss的第二驱动电力线vssl之间，第二驱动电力vss具有比第一驱动电力vdd低的电位。
102.开关晶体管st被设置在第一节点nd1和供应每个像素区域pa的数据信号vdata的数据线dl之间。第一节点nd1是驱动晶体管dt的栅电极与开关晶体管st之间的接触点。此外，开关晶体管st的栅电极被连接到栅极线gl。
103.存储电容器cst被设置在第一节点nd1和第二节点nd2之间。第二节点nd2是驱动晶体管dt和有机发光元件oled之间的接触点。
104.该像素电路的操作如下。开关晶体管st基于栅极线gl的扫描信号scan被导通。在这种情况下，数据线dl的数据信号vdata经由导通的开关晶体管st和第一节点nd1被供应到
驱动晶体管dt的栅电极和存储电容器cst。
105.存储电容器cst利用提供给第一节点nd1的数据信号vdata来充电。
106.此外，驱动晶体管dt基于提供给第一节点nd1的数据信号vdata和存储电容器cst的充电电压被导通，以产生对应于数据信号vdata的驱动电流。因此，从导通的驱动晶体管dt产生的驱动电流可以被供应给第二节点nd2，即，供应给有机发光元件oled。
107.如图4所示，阵列基板10包括：晶体管阵列110，其包括分别对应于多个像素区域pa的多个像素电路；以及发光阵列120，其包括分别对应于多个像素区域pa的多个有机发光元件oled。
108.晶体管阵列110可以包括包括对应于多个像素区域pa的显示区域aa的基部基板111，以及被设置在基部基板111上并对应于每个像素区域pa的驱动薄膜晶体管dt。此外，晶体管阵列110还可包括平坦化膜115，该平坦化膜以平坦化的方式覆盖驱动薄膜晶体管dt。
109.基部基板111可以由绝缘材料制成并且可以是平坦的。在一个示例中，基部基板111可以由玻璃或塑料制成。
110.驱动薄膜晶体管dt包括被设置在覆盖基部基板111的缓冲膜112上的有源层act、被设置在有源层act的沟道区域上的栅极绝缘层113、被设置在栅极绝缘层113上的栅电极ge、覆盖缓冲膜112、有源层act和栅电极ge的层间绝缘膜114、被设置在层间绝缘膜114上并与有源层act的源极区域相连接的源电极se、以及被设置在层间绝缘膜114上并与有源层act的漏极区域相连接的漏电极de。
111.缓冲膜112可以由可容易地粘附到有源层act的绝缘材料制成，例如氮化硅sin
x
和氧化硅sio2。缓冲膜112不仅可以帮助固定有源层act，还可以阻止湿气或氧气穿过基部基板111侵入，以及避免基部基板111的缺陷转移到基部基板111上的层间绝缘膜114和平坦化膜115。然而，根据基部基板111的材料，缓冲膜112可以从晶体管阵列110省略。
112.有源层act可以由硅半导体或氧化物半导体制成。
113.此外，尽管在图4中未示出，但晶体管阵列110还可包括开关薄膜晶体管(图3中的st)、连接到开关薄膜晶体管st的栅电极(图3中的gl)的栅极线以及连接到开关薄膜晶体管st的源电极和漏电极中的一个的数据线(图3中的dl)。
114.栅极线gl可以被设置在栅极绝缘膜113上，因为驱动薄膜晶体管dt的栅电极ge可以被设置在栅极绝缘膜113上。
115.数据线dl可以被设置在层间绝缘膜114上，因为驱动薄膜晶体管dt的源电极se和漏电极de可以被设置在层间绝缘膜114上。
116.层间绝缘膜114被设置在缓冲膜112上，并以平坦化的方式覆盖有源层act和栅电极ge。层间绝缘膜114可以具有这样的结构，即，其中由选自有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种绝缘材料制成的层被竖直地堆叠。无机绝缘材料的示例包括氮化硅sin
x
和氧化硅sio2。有机绝缘材料的示例包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂。
117.与层间绝缘膜114一样，平坦化膜115可以具有这样的结构，即，其中由选自有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种绝缘材料制成的层被竖直地堆叠。
118.发光阵列120可以被设置在晶体管阵列110的平坦化膜115上，并且可以包括分别对应于多个像素区域pa的多个有机发光元件oled。
119.每个有机发光元件oled可以包括相对的第一电极121和第二电极122，以及被设置在第一电极121和第二电极122之间的发光层123。
120.发光阵列120可以包括分别对应于多个像素区域pa并被设置在晶体管阵列110上的多个第一电极121、被设置在晶体管阵列110上并被设置在每个像素区域pa之外且覆盖第一电极121的边缘的堤部124、被设置在堤部124和第一电极121上的发光层123以及被设置在发光层123上并对应于多个像素区域pa的第二电极122。
121.密封结构30被设置在阵列基板10上并覆盖发光阵列120。密封结构30可以具有其中不同厚度和材料的膜被堆叠的结构。密封结构30的一部分可以由具有粘附性的材料制成。
122.密封结构30的第一粘合剂层31以平坦化的方式覆盖发光阵列120并密封发光阵列120。
123.图5是以分解图的方式显示图1的阵列基板、密封结构、加强基板、柔性电路板和印刷电路板的视图。
124.如图5所示，向栅极线gl提供扫描信号scan的栅极驱动器(图2中的63)可以被嵌置在阵列基板10中。
125.在一个示例中，栅极驱动器(图2中的63)可以被设置在部分区域gda(栅极驱动器区域)中，该部分区域gda被设置在显示区域aa之外的非显示区域na中且邻近显示区域aa的一个侧边缘。在这方面，非显示区域na也可以被称为边框区域。
126.用于向数据线dl提供数据信号vdata的数据驱动器(图2中的62)可以被实施为被安装在柔性电路板22上的集成电路芯片21。
127.其上安装有集成电路芯片21的柔性电路板22可以被连接并设置在阵列基板10的一个侧边缘和印刷电路板24之间。
128.时序控制器(图2的61)可以被实施为被安装在印刷电路板24上的集成电路芯片23。
129.阵列基板10还可包括被设置在非显示区域na中与显示区域aa的相对边缘相邻的焊盘10p。
130.其上安装有数据驱动器(图2的62)的集成电路芯片21的柔性电路板22包括被设置在其一侧的焊盘22p。当柔性电路板22的焊盘22p与阵列基板10的焊盘10p接合时，阵列基板10和柔性电路板22可以被彼此电连接。
131.图6是显示图1的阵列基板、密封结构、加强基板、柔性电路板和印刷电路板的布置结构示例的视图。图7是显示图6的ab截面的示例的视图。图8是显示图6的cb截面的示例的视图。
132.如图6和图7所示，根据本公开的第一实施例的显示装置包括：阵列基板10，该阵列基板具有的发光阵列(图4的120)，该发光阵列包括分别对应于多个像素区域(图4中的pa)的多个发光元件(图4的oled)；以及被设置在阵列基板10上的密封结构30，其中密封结构密封发光阵列120，并将面向密封结构30的板状的加强基板40固定到阵列基板10。
133.密封结构30包括面向阵列基板10的第一粘合剂层31、面向加强基板40的第二粘合剂层32以及被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间的阻挡层33。
134.第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个是由具有粘附性的聚合物材料制
成。
135.在一个示例中，第一粘合剂层31可以由烯烃基聚合物、环氧基聚合物和丙烯酸酯基聚合物中的一种的第一聚合物材料311制成。此外，第二粘合剂层32可由烯烃基聚合物、环氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、苯酚基聚合物和酸酐基聚合物中的一种的第二聚合物材料321制成，并且其中每一种都不含有羧基。尤其是，第二粘合剂层32优选由不含羧基的第二聚合物材料321制成，以实现后面要描述的膜均匀性和避免阻挡层33的腐蚀。
136.为了阵列基板10的散热，第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的至少第一粘合剂层31可以由包括具有粘附性的第一聚合物材料311和由金属材料制成的第一颗粒312形成的混合物制成。在一个示例中，由金属材料制成的第一颗粒312可以是由ni以及其他金属或材料制成的粉末。
137.也就是说，与阵列基板10直接接触的第一粘合剂层31可以由包括具有粘附性的第一聚合物材料311和第一颗粒312的混合物制成，并且因此可以在各种材料中具有比粘附性聚合物材料的热导率更高的热导率。
138.类似地，根据本公开的第一实施例，第二粘合剂层32可以由包括具有粘附性的第二聚合物材料321和第二颗粒322的混合物制成，并且因此可以具有比粘附性聚合物材料的热导率更高的热导率。
139.以这种方式，可以改善从阵列基板10产生的热量经过密封结构30散失的速率，使得可以改善从阵列基板10的散热效果。
140.此外，为了防止湿气渗透到阵列基板10的发光阵列120中，第一粘合剂层31可以由还包括吸湿性无机填料313的混合物组成。吸湿性无机填料313可由cao、mgo和bao等各种材料中的至少一种制成。
141.与第一粘合剂层31不同，第二粘合剂层32不与发光阵列120接触。因此，第二粘合剂层32不需要包括用于防止湿气渗透到发光阵列120中的吸湿性无机填料。因此，第二粘合剂层32不包括吸湿性无机填料，而只包括具有粘附性的第二聚合物材料321和由金属材料制成的第二颗粒322。这样，可以减少被注入密封结构30中的相对昂贵的吸湿性无机填料的量，使得制备密封结构30的成本可以降低。此外，由于吸湿性无机填料没有被包括在第二粘合剂层32中，与第一粘合剂层31中的相比，被包括在第二粘合剂层32中的第二聚合物材料的混合百分比可以增加。因此，第二粘合剂层32的粘附性可以高于第一粘合剂层31的粘附性。因此，存在的优点是可以改善固定加强基板40的可靠性。因此，由于加强基板40被更牢固地固定在第二粘合剂层32上，因此阵列基板10和加强基板40之间的接合力的可靠性可以被进一步改善。此外，由于形成了由第一粘合剂层31和第二粘合剂层32组成的多层结构，存在的优点是可以减少面板被弯曲的翘曲量，从而可以改善可靠性。
142.在这方面，阵列基板10可被称为支撑基板，加强基板40可被称为接合基板，而密封结构30可被称为接合结构。此外，第一粘合剂层31可被称为密封粘合剂层，阻挡层33可被称为接合加强导热层，而第二粘合剂层32可被称为接合加强粘合剂层。因此，接合结构可以被称为由在支撑基板上的密封粘合剂层、接合加强导热层和接合加强粘合剂层组成。
143.第一粘合剂层31和第二粘合剂层32的厚度中的每一个可以被分别限制为小于或等于单个粘合剂层的临界值的值，在该临界值处可以避免出现工艺缺陷。此外，第一粘合剂
层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th之和可被限制为大于或等于可确保固定加强基板40的可靠性的临界值的值。
144.在一个示例中，第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个可以在10μm至100μm的范围内。
145.阻挡层33可以由金属材料和无机绝缘材料中的任何一种制成。也就是说，阻挡层33可以包括金属材料，例如al、cu、sn、ag、fe或zn。在另一个示例中，阻挡层33可以被实施为由例如sio
x
和sion
x
的无机绝缘材料形成的薄膜。
146.阻挡层33可以被引入以加强与第一粘合剂层31和第二粘合剂层32的粘附力，并实现用于减少翘曲的堆叠结构。具体而言，第一粘合剂层31和第二粘合剂层32可以被配置成分别包括粘合剂聚合物材料311和321。因此，由相对较硬的材料制成的阻挡层33被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间。因此，由于第一粘合剂层31和第二粘合剂层32被分别粘附在阻挡层33的一个表面和另一个表面上，因此改善了粘附性。因此，密封结构30可以被实施为堆叠结构，其中第一粘合剂层31、阻挡层33和第二粘合剂层32被彼此接合并被堆叠。
147.阻挡层33的厚度33th可以被限制为大于或等于临界值的值，在该临界值下可以避免容易发生与孔有关的缺陷。此外，为了最小化由于阻挡层33导致的密封结构30的厚度的增加，阻挡层33的厚度33th可以限制为小于第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个的厚度的值。
148.例如，阻挡层33的厚度33th可以在大于10μm且小于第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的32th中的每一个的范围内。
149.因此，根据本公开的第一实施例的密封结构30可以包括通过薄的阻挡层33分隔开的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32，并且因此可以具有为单层粘合剂材料的厚度的大约两倍的厚度，同时防止工艺缺陷。
150.相应地，通过密封结构30固定到阵列基板10上的加强基板40可以具有较大的厚度，使得可以增加刚性并容易地实现散热效果。
151.也就是说，当密封结构30的厚度30th在30μm至300μm的范围内时，加强基板40的厚度40th可以被实施为在0.1mm至1.5mm的范围内的厚度。
152.在一个示例中，加强基板40可以由选自玻璃、金属和塑料聚合物中的一种材料制成。例如，加强基板40可以由包括al、cu、sn、ag、fe或zn的金属材料制成。
153.此外，显示装置还可包括容纳阵列基板10、柔性电路板22、印刷电路板24、密封结构30和加强基板40的底盖50。
154.底盖50可以通过被设置在加强基板40和底盖50之间的至少一个粘合剂图案70被联接到加强基板40。
155.如图6和图8所示，显示装置还包括被连接到阵列基板10的至少一个柔性电路板22，以及被连接到至少一个柔性电路板22的印刷电路板24。
156.在每个柔性电路板22上，安装有与驱动阵列基板10的数据线dl的数据驱动器(图2中的62)相对应的集成电路芯片21。
157.与用于控制数据驱动器(图2中的62)和栅极驱动器(图2中的63)中的每一个的操作时序的时序控制器(图2中的61)相对应的集成电路芯片23被安装在印刷电路板24上。
158.印刷电路板24被设置在加强基板40的面向底盖50的底部分51的一个面上。
159.每个柔性电路板22的一侧被连接到阵列基板10的焊盘(图5的10p)，而每个柔性电路板22的相反侧被连接到印刷电路板24的焊盘(未示出)。
160.印刷电路板24被设置在加强基板40的面向底盖50的底部分51的一个面上，而加强基板40通过密封结构30被固定到阵列基板10上。因此，柔性电路板22被设置成跨过密封结构30和加强基板40。
161.在这方面，当柔性电路板22与可能具有坚硬且有点粗糙的表面的加强基板40的边缘接触时，柔性电路板22和加强基板40之间的碰撞可能根据柔性电路板22的运动而反复发生。因此，柔性电路板22的损坏是不可避免的。
162.因此，根据本公开的第一实施例，为了防止柔性电路板22与加强基板40接触，加强基板40可以具有比密封结构30的宽度小的宽度。
163.也就是说，密封结构30的与阵列基板10的焊盘10p相邻的一个侧边缘可以与阵列基板10的焊盘10p以第一间距30g间隔开。在这种情况下，加强基板40的与阵列基板10的焊盘10p相邻的一个侧边缘可以与阵列基板10的焊盘10p以大于第一间距30g的第二间距40g间隔开。
164.换句话说，如图8所示，密封结构30的与阵列基板10的焊盘10p相邻的侧边缘可以比加强基板40的与阵列基板10的焊盘10p相邻的侧边缘更靠近焊盘10p。因此，密封结构30的与阵列基板10的焊盘10p相邻的一部分没有被加强基板40覆盖，因此被暴露。
165.此外，被安装在每个柔性电路板22上的集成电路芯片21可以被设置成与印刷电路板24相邻。在一个示例中，被安装在每个柔性电路板22上的集成电路芯片21可以被设置在加强基板40和柔性电路板22之间的重叠区域中。
166.以这种方式，柔性电路板22可以通过集成电路芯片21与加强基板40间隔开。因此，可以减少柔性电路板22和加强基板40之间的碰撞。
167.相应地，每个柔性电路板22可以延伸跨过密封结构30的被暴露部分并在密封结构30的被暴露部分之上。
168.在这种情况下，每个柔性电路板22和密封结构30之间的接触和重复碰撞是不可避免的。然而，由于密封结构30比加强基板40更具柔性，与由于其与加强基板40的碰撞而导致的柔性电路板22的损坏程度相比，由于其与密封结构30的接触而导致的柔性电路板22的损坏程度可以降低。因此，可以防止显示装置的可靠性下降和寿命减少。此外，设置柔性电路板22与加强基板40的最小间距使得对柔性电路板22的损坏可以最小化，可以实现窄边框效果，这可以减少面板的边框宽度。此外，减少密封结构30的表面被暴露的面积可以改善加强基板40和阵列基板10之间的接合力和散热效果。
169.此外，由于柔性印刷电路板22被设置在具有相对较厚的堆叠结构的密封结构30和加强基板40上，因此可以防止从柔性印刷电路板22产生的热量被传递到阵列基板10。换句话说，柔性印刷电路板22被设置在具有高导热性的加强基板40的顶面上且在面板的最外侧部分处，因此可以增加散热效果。
170.如上所述，根据本公开的第一实施例的显示装置包括密封结构30，该密封结构包括一个堆叠在另一个顶部的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32，而阻挡层33被插置在两者之间。密封结构30可以具有由第一粘合剂层31和第二粘合剂层32形成的堆叠结构，因此可
以比由粘合剂材料制成的单层更大，同时防止工艺缺陷。
171.因此，加强基板40可以相对较厚，使得可以改善由于加强基板40导致的刚性和散热效果。
172.因此，显示装置不需要具有单独的内板来保证刚性。这对于显示装置的瘦身和轻量化可以是有利的。此外，可以防止由于内板和加强基板40之间的空间而导致的散热效果的劣化。
173.此外，排除内板可以使显示装置的组装过程变得容易。
174.图9是显示根据本公开的第二实施例的显示装置的视图。
175.如图9所示，在根据本公开的第二实施例的显示装置中，密封结构30的第二粘合剂层32可以仅由具有粘附性的第二聚合物材料321制成。
176.也就是说，与图6所示的第二粘合剂层32不同，图6中的第二金属颗粒322没有被包括在密封结构30的第二粘合剂层32中。因此，与在第一粘合剂层31中的相比，被包括在第二粘合剂层32中的聚合物材料的混合百分比可以增加。因此，第二粘合剂层32的粘附性可以高于第一粘合剂层31的粘附性，从而可以改善固定加强基板40的可靠性。
177.图10是显示根据本公开的第三实施例的显示装置的视图。
178.如图10所示，在根据本公开的第三实施例的显示装置中，密封结构30不仅可以具有由金属材料制成的阻挡层33，而且还具有被设置在第一粘合剂层31和阻挡层33之间的第一辅助阻挡层34以及被设置在第二粘合剂层32和阻挡层33之间的第二辅助阻挡层35中的至少一个。
179.也就是说，密封结构30还可包括第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35中的一个。替代地，密封结构30还可包括第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35两者。
180.第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35中的每一个可以由诸如sio
x
或sion
x
的无机绝缘材料制成。
181.这样，由于由金属材料制成的阻挡层33被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间，因此密封结构30的热导率可以得到改善。此外，第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个与阻挡层33之间的粘附性可以由于第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35中的每一个而得到改善。因此，密封结构30的密封力和刚性可以得到改善。此外，由于由无机绝缘材料制成的第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35被设置在金属材料形成的阻挡层33的顶面和底面上，可能在金属材料形成的阻挡层33中产生的针孔可以被第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35填充，因此可以防止针孔缺陷。
182.图11是显示根据本公开的第四实施例的显示装置的视图。图12是显示图11的ab截面的示例的视图。图13是显示图11的cb截面的示例的视图。图14是图13的部分“i”的放大视图。图15a至图15d是显示阻挡层的各种结构的视图。在此，将简要描述与图5至图10相同或相似的部件。
183.参考图11至图13，根据本公开的第四实施例的显示装置可以包括具有底部分51和侧部分52的底盖50、粘合剂图案70、具有包括对应于多个像素区域的多个发光元件的发光阵列120的阵列基板10、以及被设置在阵列基板上并将面向密封结构30的板状的加强基板40固定到阵列基板10上同时密封发光阵列120的密封结构30。
184.在这方面，阵列基板10可以被称为支撑基板，加强基板40可以被称为接合基板，而
密封结构30可以被称为接合结构。此外，第一粘合剂层31可被称为密封粘合剂层，阻挡层33可被称为接合增强导热层，而第二粘合剂层32可被称为接合增强粘合剂层。相应地，接合结构可以被称为由在支撑基板上的密封粘合剂层、接合增强导热层和接合增强粘合剂层组成。
185.阵列基板10包括晶体管阵列110和发光阵列120。晶体管阵列110被形成在由透明玻璃或塑料制成的基部基板111上(见图4)。发光阵列120可以包括对应于多个像素区域的多个有机发光元件oled。
186.阵列基板10可以包括显示区域aa(见图2)，以及围绕显示区域aa的非显示区域na(见图2)。多个焊盘10p可以彼此间隔开，并且可以被设置在非显示区域na的邻近显示区域aa的一个侧边缘的区域处。
187.发光阵列120可以被设置在阵列基板10的显示区域aa上，并且可以设置用于密封发光阵列120的前表面的密封结构30。密封结构30可以在一个方向上与阵列基板10的一个侧边缘ed3间隔开第一间距a1，并且与阵列基板10的与一个侧边缘ed3相对的相对侧边缘ed4间隔开第二间距a2。在这方面，第一间距a1和第二间距a2可以是彼此相等的。替代地，由于多个焊盘10p被布置在阵列基板10的一个侧边缘ed3上，第二间距a2可以具有用于实现窄边框的最小间距值，并且第一间距a1可以具有比第二间距a2更大的值，以便确保其中布置多个焊盘10p的最小空间。
188.由于密封结构30与阵列基板10的侧边缘ed3和ed4中的每一个间隔开预定的间距，因此阵列基板10的顶表面的一部分可以被暴露。
189.密封结构30可以包括被定位成面向阵列基板10的第一粘合剂层31、被定位成面向加强基板40的第二粘合剂层32以及被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间的阻挡层33。
190.被定位成面向阵列基板10的第一粘合剂层31可以包括具有粘附性的第一聚合物材料311。第一粘合剂层31可以围绕阵列基板10的整个面，以抑制湿气在阵列基板10的侧向方向上的渗透，并防止外部气体和氧气的流入导致对设置在阵列基板10上的发光阵列120的损坏。
191.第一粘合剂层31由第一聚合物材料311制成。例如，第一粘合剂层31可以由选自烯烃基聚合物、环氧基聚合物和丙烯酸酯基聚合物中的任何一种聚合物材料制成。
192.在一个示例中，第一粘合剂层31可以由包括上述第一粘合剂聚合物材料311和由金属材料制成的第一颗粒312的混合物组成。由金属材料制成的第一颗粒312可以包括镍(ni)。由于由金属材料制成的第一颗粒312被包括在第一粘合剂层31中，因此第一粘合剂层31可以具有比仅由粘合剂聚合物材料制成的第一粘合剂层31相对更高的热导率。因此，其散热效果可以得到改善。
193.第一粘合剂层31还可包括吸湿性无机填料313。吸湿性无机填料313防止湿气渗透到阵列基板10的发光阵列120中。吸湿性无机填料313可以包括cao、mao和bao中的至少一种。
194.阻挡层33被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间，以防止湿气向阵列基板10的前表面渗透。此外，阻挡层33加强了第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间的接合，并实现了其堆叠结构，从而确保了固定和接合的可靠性，即使在加强基板40的厚度变大时
也是如此。此外，密封结构中阻挡层33的存在可以提升阵列基板10和加强基板40的翘曲量的减少量。
195.为了确保固定加强基板40的可靠性，构成阻挡层33的材料的伸长率可以较大，且其屈服强度值可以较小。在一个示例中，构成阻挡层33的材料的伸长率为4％或更大，并且屈服强度值为360mpa或更小。
196.阻挡层33可以包括金属材料和无机绝缘材料中的至少一种。例如，阻挡层33可以包括金属材料，如al、cu、sn、ag、fe或zn，或上述金属材料的合金。此外，阻挡层33可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅sio
x
或氮氧化硅sion
x
。
197.阻挡层33可以具有单层结构或多层结构。例如，参考图15a至图15d，阻挡层33可以被形成为由包括金属材料的金属膜33a组成的单层结构(图15a)，或者可以被形成为由包括无机绝缘材料的无机绝缘膜33b组成的单层结构(图15b)，或者可以被形成为其中包括不同金属材料的第一金属膜33c和第二金属膜33d被堆叠的堆叠结构(图15c)，或者可以被形成为其中包括不同无机绝缘材料的第一无机绝缘膜33e和第二无机绝缘膜33f被堆叠的堆叠结构(图15d)。
198.此外，尽管在图中没有显示，但阻挡层33可以具有这样的多层结构，即，其中多个循环被堆叠，其中一个循环具有其中第一金属膜33c和第二金属膜33d被堆叠的结构。替代地，阻挡层33可以具有这样的多层结构，即，其中多个循环被堆叠，其中一个循环具有其中第一无机绝缘膜33e和第二无机绝缘膜33f被堆叠的结构。替代地，由单层金属膜33a或无机绝缘膜33b组成的薄膜结构可以被重复地堆叠以形成阻挡层33。
199.当阻挡层33被形成为包括不同材料的层的多层结构时，可以改善防止湿气朝向阵列基板10的前表面渗透的阻挡性能。
200.第二粘合剂层32被定位成面向加强基板40。第二粘合剂层32可用于固定加强基板40，并且可包括具有粘附性的聚合物材料。
201.第二粘合剂层32由不含羧基的聚合物材料制成。例如，第二粘合剂层32可以由选自烯烃基聚合物、环氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、苯酚基聚合物和酸酐基聚合物中的任何一种聚合物材料制成，并且其中的每一种都不包含羧基。
202.第二粘合剂层32由不含羧基的聚合物材料制成，从而防止阻挡层33被损坏，防止显示装置出现缺陷。因此，可以保证显示装置的可靠性。
203.具体而言，粘合剂层可以包括具有允许粘附到粘附目标的粘合剂特性的聚合物材料。然而，当羧基被包含在粘合剂聚合物材料中时，阻挡层33可能被损坏，这可能导致显示装置中的缺陷。下面，将参照附图对此进行描述。
204.图16a、16b、17和18是用于示出根据构成粘合剂层的材料缺陷是否发生的照片。
205.例如，参考图16，当阻挡层33由诸如铝的金属材料制成，并且当粘合剂层包括含有羧基的聚合物材料时，通过构成阻挡层33的材料和粘合剂层之间的化学反应在粘合剂层上产生多个气泡bb(参见图16a)。
206.多个气泡扩散到与粘合剂层接触的阻挡层33，并且因此在阻挡层33的表面上产生多个气泡。在阻挡层33的表面上产生的气泡可以作为氧气或湿气的渗透路径。因此，氧气或湿气可能导致由金属材料制成的阻挡层33的腐蚀。此外，氧气或湿气再次渗透阻挡层33的腐蚀处，从而导致在面板的前表面上产生缺陷(df)(见图17)。
207.尤其是，如图18所示，当这些气泡在阻挡层33的边缘e上产生时，通过边缘e的气泡的孔的湿气渗透率增加，使得阻挡层33的腐蚀(cr)可能被进一步加速。
208.此外，当阻挡层33包括无机绝缘材料时，当含有羧基的聚合物材料被用作粘合剂层时，阻挡层23的表面可能是不均匀的。换句话说，阻挡层23的膜均匀性可能会变差。当膜均匀性降低时，粘附能力也被降低。当阻挡层23发生损坏时，在面板中可能出现缺陷。
209.相反，当不包含羧基的聚合物材料构成根据本公开的一实施例的第二粘合剂层32时，如图16b所示，第二粘合剂层32的表面可以保持为平滑的表面，且其上没有气泡，从而防止阻挡层33的腐蚀，实现高质量的面板。此外，阻挡层33的膜均匀性可以保持一致，因此可以防止粘附能力的劣化。
210.由于第二粘合剂层32不与发光阵列120接触，因此第二粘合剂层32中不包括吸湿性无机填料，并且其中仅包括第二粘合剂聚合物材料321和第二金属颗粒322。由于由金属材料制成的第二颗粒322被包括在第二粘合剂层32中，因此第二粘合剂层32的散热效果可以得到改善，因为第二粘合剂层32可以具有比仅由粘合剂聚合物材料321制成的第二粘合剂层32相对更高的热导率。
211.平板形式的加强基板40可以被设置在第二粘合剂层32上。加强基板40可以被定位在与第二粘合剂层32的面向阻挡层33的一个面相反的另一个面上。
212.加强基板40可以包括金属材料，以在发光阵列120发射光时有效地从发光阵列120散热。例如，加强基板40可以由包括al、cu、sn、ag、fe、zn或其合金的金属材料制成。在另一个示例中，加强基板40可以由玻璃或聚合物塑料材料制成。
213.由铁和镍的合金制成的invar(因瓦合金)是热导率较高的金属材料之一，其热导率为16w/k.m，而不锈钢(sus)的热导率为23.9w/k.m。相反，铝(al)的热导率为193w/k.m，其是invar和不锈钢(sus)中的每一种的热导率的约10倍之高。因此，铝(al)可以更有效地消散热量。因此，由铝(al)制成的加强基板40可以确保比由invar或sus制成的加强基板具有更高的散热效果。
214.尤其是，热导率影响到与显示装置的散热有关的面板内部的温度，因此与发光阵列的残影和寿命高度相关。例如，热导率越高，面板内部的温度就越低。因此，随着温度的降低，面板上残影的出现可以减少，并且发光阵列的寿命可以增加。
215.图19是显示根据每种金属材料在面板内部测得的最大温度和残影减少率的表格。
216.参考图19，当使用invar作为构成加强基板40的材料时，在面板内部测得的最大温度为40.3摄氏度。相反，当使用铝(al)作为构成加强基板40的材料时，当铝(al)的厚度为1.0mm时，在面板内部测得的最大温度为34.6摄氏度，而当铝(al)的厚度为1.5mm时，在面板内部测得的最大温度为34摄氏度。
217.换句话说，当铝(al)被用于加强基板40时，在面板内部测得的最大温度比当invar用于加强基板40时在面板内部测得的最大温度低5.7摄氏度和6.3摄氏度(δt)。因此，可以确定，由于铝的高热导率，在面板内部的温度被有效降低。
218.当面板内部的最大温度降低1摄氏度时，基本残影的减少率增加约4％。因此，当铝(al)的厚度为1.0mm时，与当invar用于加强基板40时相比，残影减少了22.8％。当铝(al)的厚度为1.5mm时，与当invar用于加强基板40时相比，残影减少了25.2％。也就是说，可以确定铝具有比invar更高的散热效果。
219.此外，可以确定的是，当相同的铝(al)材料被用于加强基板时，加强基板40的热导率基于铝的厚度而变化。换句话说，铝的厚度越大，加强基板40的热导率就越高。相应地，加强基板40可以具有从0.3mm至1.5mm的范围内的厚度，以有效地散热和改善散热效果。
220.此外，铝(al)的密度为2.68g/cm3，因此与密度为8.2g/cm3的invar和密度为7.7g/cm3的不锈钢(sus)相比，铝的密度相对较低，因此铝的重量较轻。因此，当al、invar和sus以相同的厚度被用于加强基板时，当使用al时，面板重量可以比当sus或invar用于加强基板时减少了二分之一至三分之一，从而使显示装置更纤薄和更轻。
221.第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个可以被限制为大于或等于可防止缺陷发生的厚度。在这方面，缺陷可以是例如在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每个中形成的孔，但可以不限于此。
222.此外，第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个可以被限制为小于或等于单个粘合剂层的临界厚度的值，在该临界厚度下可以防止发生工艺缺陷。在这方面，工艺缺陷可以包括由于异物的插入或滑动现象造成的厚度均匀性的下降。此外，当粘合剂层的厚度大于临界厚度时，被暴露在外部的面积可能会增加，这样湿气就很容易侵入，因此可能会发生缺陷。
223.例如，第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个可以在10μm至100μm的范围内。当第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个都小于10μm时，可能会出现孔缺陷。因此，优选的是第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个都大于10μm。进一步地，当第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个都大于100μm时，可能会发生工艺缺陷。
224.此外，第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th的总厚度可被限制为可确保固定加强基板40(具有厚度40th)的可靠性的厚度。在这方面，固定加强基板40的可靠性可以被理解为固定加强基板40以便在加强基板40的厚度增加时不从第二粘合剂层32上脱落的能力。例如，第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th的总厚度可以大于20μm。
225.阻挡层33的厚度可以大于10μm并且小于第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个。以此方式，可以防止阻挡层33中的诸如孔和/或针孔的缺陷，且同时可以防止密封结构30的厚度(具有厚度30th)由于阻挡层33而被不必要地增加。
226.因此，根据本公开的一实施例的密封结构30可以被实施为堆叠结构，其中第一粘合剂层31和第二粘合剂层32分别被设置在阻挡层33的顶面和底面上。因此，与密封结构30由单个粘合剂层制成的情况相比，可以减少工艺缺陷。此外，可以实现具有较大厚度并因此具有稳定形状的密封结构30。
227.此外，由于可以实施较厚的密封结构30，因此由密封结构30固定的加强基板40也可以被实施为具有较大的厚度。此外，由于密封结构30被形成为多层结构，因此阵列基板10和加强基板40可以稳定地彼此接合，同时即使加强基板40被形成为具有较大的厚度也不会造成诸如滑动的缺陷。
228.此外，由于加强基板40可以由于密封结构30而被形成为较厚，因此加强基板40可以有效地消散从发光阵列120发出的热量，从而可以改善散热。相应地，由于热量产生而可能发生的翘曲量可被减少。
229.在一个示例中，再次参考图11至图14，显示装置还包括连接到阵列基板10的至少一个柔性电路板22和连接到柔性电路板22的印刷电路板24。对应于数据驱动器(图2中的62)的集成电路芯片21被安装在每个柔性电路板22上。此外，对应于时序控制器(图2中的61)的集成电路芯片23被安装在印刷电路板24上。
230.印刷电路板24被设置在加强基板40的一个面上。每个柔性电路板22的一侧通过每个柔性电路板22的焊盘22p被连接到阵列基板10的焊盘10p，并且柔性电路板22的另一侧被连接到印刷电路板24的焊盘(未示出)。
231.柔性电路板22以细长的线形状从加强基板40延伸到阵列基板10。在这方面，当柔性电路板22与由坚硬材料制成的且具有有些粗糙的表面的加强基板40的边缘接触时，可能会发生柔性电路板22的损坏。因此，加强基板40的宽度w1比密封结构30的宽度w2小。
232.具体而言，密封结构30的一个侧边缘ed1与阵列基板10的一个侧边缘ed3以第一间距a1间隔开，并且被沿着设置发光阵列120的内部方向设置。与密封结构30的侧边缘ed1相对的另一个侧边缘ed2与阵列基板10的另一个侧边缘ed4以第二间距a2间隔开。在这方面，由于多个焊盘10p被设置在阵列基板10的一个侧边缘ed3上，因此第一间距a1可以大于第二间距a2。
233.此外，加强基板40可以与密封结构30的一个侧边缘ed1以第一间距b1间隔开，并且可以与另一个侧边缘ed2以第二间距b2间隔开。相应地，密封结构30的第二粘合剂层32的顶表面的一部分没有被加强基板40覆盖，而是被暴露。
234.在一个示例中，调整加强基板40的厚度可以允许作为第一间距b1的移动偏移值c被调整。在这方面，加强基板40与密封结构30的一个侧边缘ed1以第一间距b1间隔开，并且被沿着设置发光阵列120的内部方向设置。控制移位偏移值c可以防止柔性电路板22与加强基板40或密封结构30接触，从而防止被损坏。
235.此外，为了实现显示装置的窄边框，柔性电路板22和密封结构30可以分别与阵列基板10的一个侧边缘ed3以最小间距s1和s2(图14)间隔开。此外，考虑到移位偏移值c，加强基板40可以与密封结构40的一个侧边缘ed1以第一间距(图13中的b1)间隔开。
236.也就是说，为了最大限度地实施窄边框，加强基板40与阵列基板10的一个侧边缘ed3以最小间距间隔开，并且被沿着设置发光阵列120的内部方向设置。加强基板40可以与阵列基板10的显示区域aa和非显示区域na之间的边界重叠。
237.密封结构30和加强基板40可以依次堆叠在与阵列基板10的发光面相反的相反面上，即，在其非发光面上。因此，阵列基板10、密封结构30和加强基板40被布置成形成台阶形状。台阶形状的最下层构成其中作为阵列基板10的非发光面的非显示区域na的一部分被暴露的区域。台阶形状的中间层构成其中密封结构30的第二粘合剂层32的顶面的一部分被暴露的区域。台阶形状的最上层构成其中加强基板40的顶面被暴露的区域。在一个示例中，当朝着阵列基板10的四个侧面中的每一个观看时，显示装置可以具有台阶形状。在另一个示例中，当朝着阵列基板10的其中设置有多个焊盘10p、22p的至少一个部分观看时，显示装置可以具有台阶形状。
238.在具有这样的台阶形状的显示装置中，阵列基板10、密封结构30和加强基板40在平面视图中的面积可以具有彼此不同的尺寸。在一个示例中，在平面视图中，阵列基板10、密封结构30和加强基板40中的阵列基板10可能具有最大的面积，而阵列基板10、密封结构
30和加强基板40中的加强基板40可具有最小的面积。此外，密封结构30的面积可以小于阵列基板10的面积，而大于加强基板40的面积。在另一个示例中，密封结构30的四个侧部中的三个侧部与加强基板40的那些侧部重叠，而密封结构30的四个侧部中不与加强基板40重叠的剩余侧部被暴露，以在其上具有多个焊盘10p、22p。
239.将参考图14和以下[公式1]来描述移位偏移值c。
[0240]
公式1
[0241][0242]
c＝移位偏移值
[0243]
b＝密封结构的厚度 加强基板的厚度
[0244]
a＝焊盘和密封结构之间的间距
[0245]
参考图14和[公式1]，与密封结构30的一个侧边缘ed1以第一间距向内地间隔开的加强基板40的位置被移置的值可被定义为移位偏移值c。倾斜角θ可被定义为柔性电路板22的倾斜角，该柔性电路板22的一侧连接到阵列基板10，另一侧连接到印刷电路板24。此外，焊盘和密封结构之间的间距a可以被定义为密封结构30的侧边缘和被设置在阵列基板10的该侧边缘上的焊盘10p的面向密封结构30的侧边缘的侧边缘之间的间距。
[0246]
随着密封结构40的厚度和加强基板40的厚度之和b的增加，移位偏移值c可以具有较大的值。
[0247]
由于对模块的可能损坏，焊盘10p在阵列基板10上的位置被固定，并且密封结构30的位置也被固定。因此，焊盘和密封结构之间的间距a的值基本上被固定。此外，柔性电路板22的倾斜角θ可以在5到30度的范围内，优选在11.3度左右。下面的实施方案将在柔性电路板22的倾斜角θ保持在约11.3度的情况下进行描述。因此，移位偏移值c可以根据密封结构40的厚度和加强基板40的厚度之和b来确定。尤其是，移位偏移值c可以根据加强基板40的厚度而变化。加强基板40可以从密封结构30的一个侧边缘ed1并朝向阵列基板10的显示区域向内移置。以下，将参考[表1]描述本公开。
[0248]
[表1]
[0249][0250]
[表1]显示了当加强基板40的厚度发生变化以及当焊盘和密封结构之间的间距a、密封结构30的厚度和柔性电路板22的倾斜角θ中的每一个恒定时，移位偏移值c的变化。参考[表1]中的示例1至7，可以确定，当加强基板40的厚度从0.3mm增加到5.0mm时，移动偏移值c也从2.0mm增加到25mm。
[0251]
换句话说，当加强基板40的厚度从0.3mm增加到5.0mm时，加强基板40从密封结构30的一个侧边缘ed1向内并朝向阵列基板10的显示区域移置2.0mm到25mm。
[0252]
随着移位偏移值c的增加，以及因此加强基板40被移置的量的增加，对与加强型基板40接触的柔性电路板22的损坏可以被减少。此外，随着加强基板40的厚度变大，可防止柔性电路板22与密封结构30的侧边缘接触。
[0253]
如上所述，随着移位偏移值c的增加，可以防止对柔性电路板22的损坏。然而，当移位偏移值c超过临界范围时，加强基板40的散热效果可能降低，阵列基板10和加强基板40之间的接合强度可能降低，或者面板被弯曲的翘曲量可能增加。因此，期望的是限制移位偏移值c以便不超过临界范围。在一个示例中，当加强基板40的面积具有与显示区域aa相同的尺寸或者加强基板40被设定尺寸使得加强基板40从显示区域aa朝向非显示区域na延伸以便与非显示区域na重叠时，可以保持散热效果。
[0254]
具体而言，当加强基板40具有比显示区域aa小的宽度或面积时，在阵列基板10上的显示区域aa中出现阵列基板10未被加强基板40覆盖的非重叠区域。当出现非重叠区域时，阵列基板0的在非重叠区域中的一部分的散热性能可能被降低，使得在该区域中产生残影。
[0255]
因此，优选的是将移位偏移值c限制在临界范围内，以便保持显示装置的窄边框和纤薄，同时确保加强型基板40的散热特性。移位偏移值c的临界范围可被设定在非显示区域na的宽度naw的范围内。以下，将参考[公式2]来描述本公开。
[0256]
公式2
[0257][0258]
在这方面，d可以指的是表示非显示区域na的宽度naw的多少部分与加强基板40重叠的比率(百分比)。非显示区域na的宽度naw可以被定义为阵列基板的边缘和显示区域aa之间的间距。pad margin width(焊盘边缘宽度)可被定义为阵列基板10的侧边缘与密封结构30的侧边缘之间的间距。此外，由于c可以指示移位偏移值，因此非显示区域na的宽度naw可以是固定的，并且由于密封结构30的位置也可以是固定的，所以pad margin width(焊盘边缘宽度)可以是固定的值。
[0259]
参考[公式2]，由于可以根据移位偏移值c的变化来设置加强基板40，移位偏移值c的临界范围可以根据比率d的范围来确定。
[0260]
例如，在[表1]的示例1至7中，非显示区域na的总宽度被设定为约9mm，并且pad margin width被设定为约2mm。然而，表1中的非显示区域na的总宽度和pad margin width是以举例的方式为描述本说明书的实施例而阐述的。本公开不限于此。
[0261]
在这种情况下，在示例1中，比率(百分比)d为54％。在示例5中，比率(百分比)d为-35.9％。当加强基板40的位于非显示区域na中的重叠部分相对于非显示区域na的宽度naw的比率(百分比)d为-35.9％时，加强基板40被设置成暴露非显示区域na的宽度naw的全部以及甚至显示区域aa的一部分。也就是说，加强基板40被在显示区域aa和非显示区域na的边界处向显示区域aa的方向向内地设置。
[0262]
当比率(百分比)d具有负(-)值时，加强基板40暴露非显示区域na的全部，并且还暴露显示区域aa的一部分。因此，在被暴露区域中从阵列基板10产生的与操作有关的热量的散热性能可能会劣化。
[0263]
相应地，在加强基板40的散热性能得到保证的同时保持显示装置的窄边框和纤薄的移位偏移值c可以被设定成在其中比率(百分比)d大于10％且小于55％的临界范围内。此外，优选地，加强基板40可以被定位成至少与显示区域aa和非显示区域na之间的边界重叠。
[0264]
相应地，随着加强基板40的厚度增加，同时满足在10％至55％范围内的比率(百分比)d，加强基板240可以具有小于密封结构30的宽度的宽度，从而暴露出密封结构30的最上表面的一部分。
[0265]
当加强基板40被移置成使得比率(百分比)d超出临界范围时，散热性能会劣化。因此，由于在阵列基板10上产生大量的热量，焊盘10p周围的区域具有较高的温度。因此，面板被弯曲的翘曲量发生在焊盘10p周围的区域。因此，阵列基板10的焊盘10p和柔性电路板22的焊盘22p可以被彼此移除。此外，当加强基板40的厚度大于临界厚度，使得加强基板40被移置而使其移位偏移值c超出移位偏移值c的临界范围时，阵列基板10的非显示区域na，即边框区域，将不可避免地增加，并且相应地可能无法实现窄边框。
[0266]
相反，根据本公开的一实施例，调整加强基板40的厚度使得移位偏移值c在临界范围内，可以允许防止柔性电路板22与密封结构30或加强基板40接触，且因此防止被密封结构30或加强基板40损坏。此外，阵列基板、密封结构和加强基板之间的竖直空间可以被消除，并且柔性电路板和密封结构或加强基板之间的水平空间可以被最小化，从而确保散热能力并实现窄边框。
[0267]
图20是显示根据本公开的第五实施例的显示装置的视图。图21是显示图20的cb截
面的示例的视图。在这方面，将仅描述与上述实施例不同的部件。
[0268]
参考图20，在根据本公开的第五实施例的显示装置中，密封结构30还可包括保护结构295。保护结构295被设置在第二粘合剂层32上，并且包括面向加强基板40的一个面以及与该一个面相反并面向第二粘合剂层32的另一个面。保护结构295可以构成密封结构30的最顶部分。保护结构295包括保护层280、抗静电涂层膜290和粘合剂加强膜285。保护结构295的保护层280可以由包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下简称pet)的绝缘材料制成。
[0269]
保护结构295被设置在第二粘合剂层32上以进一步确保显示装置的刚性。刚性可以指物体的一种特性，即该物体在受到力的作用时抵抗形状或体积的变形。当保护结构295被进一步包括在密封结构30中时，当从外部对显示装置施加冲击时，可避免具有被设置在其下的发光阵列120的阵列基板10被损坏。此外，鉴于将阵列基板10和加强基板40相互接合，并保持它们之间的接合，由于保护结构295的保护层280的物理特性和固有特性产生的变形补偿效应，可以减少显示面板的翘曲量。在这方面，保护层280可以被称为接合加强刚性层。
[0270]
通过抗静电处理形成的保护结构295的抗静电涂层膜290可以被设置在保护层280的面向加强基板40的一个面上。通过释放处理形成的粘合剂加强膜285可被设置在其面向第二粘合剂层32的另一个面上。
[0271]
保护层280由作为绝缘体的pet构成，并且pet具有比10
11
ω/sq更高的薄层电阻(sheet resistance)，因此具有高静电吸引力。因此，当转移包括保护层280的密封结构时，两个或更多个密封结构可能无法被彼此移除，或者可能在转移过程中掉下来而导致损坏。此外，由于pet具有高静电吸引力，可能产生静电，这可能导致在显示装置上产生缺陷。
[0272]
因此，通过在保护层280的一个面上涂布导电材料的抗静电处理而形成的抗静电涂层膜290可以减少产生的静电量。当形成抗静电涂层膜290时，保护层280可以具有有静电消散特性的薄层电阻。例如，其上形成抗静电涂层膜290的保护层280具有在105至10
10
ω/sq的范围内的薄层电阻值。抗静电涂层膜290可以通过在保护层280上施加具有粘附性的导电材料而形成。在一个实施例中，抗静电涂层膜290可以包括导电粘合剂。
[0273]
此外，在保护层280的另一面上形成的粘合剂加强膜285可以由硅树脂涂层膜构成。通过将第二粘合剂层32配置成包括不含羧基的聚合物材料并且将粘合剂加强膜285设置在保护层280的另一表面上，可以改善保护结构295和第二粘合剂层32之间的粘合力。
[0274]
由于第二粘合剂层32包括不含羧基的聚合物材料，因此可以改善与形成在保护层280的另一表面上的粘合剂加强膜285的粘合力。例如，当粘合剂加强膜285从保护层280移除而第二粘合剂层232由不包含羧基的烯烃基聚合物材料制成时，保护层280和第二粘合剂层32之间的粘合力可能会降低。相应地，通过在保护层280和第二粘合剂层32之间设置粘合剂加强膜285，可以保持保护层280和第二粘合剂层32之间的粘合力。
[0275]
为了进一步确保显示装置的刚性，保护层280的厚度优选大于30μm且小于100μm。
[0276]
也就是说，为了改进窄边框的实现，加强基板40与阵列基板10的一个侧边缘ed3朝向发光阵列120以最小间距间隔开。加强基板40可以被设置成与显示区域aa和非显示区域na之间的边界重叠。
[0277]
在一个示例中，密封结构30和加强基板40可以依次堆叠在与阵列基板10的发光面相反的相反面上，即，在其非发光面上。因此，阵列基板10、具有保护结构295的保护层280的
密封结构30和加强基板40被布置成具有台阶形状。台阶形状的最底层构成了其中非显示区域na的一部分(即阵列基板10的非发光面)被暴露的区域。其中间层构成了其中密封结构30的保护层280的顶面的一部分被暴露的区域。其最顶层构成了其中加强基板40的顶面被暴露的区域。在一个示例中，当朝着阵列基板10的四个侧表面中的每一个观看时，显示装置可以具有台阶形状。
[0278]
在一个示例中，随着构成密封结构30的保护层280的厚度增加，显示装置的刚性增加，从而可以防止面板的损坏。下面，将参照附图对此进行描述。
[0279]
图22是显示基于保护层的厚度变化的显示装置的刚性评估结果的表格。图23a至图23f是显示在刚性评估期间加强基板的凹痕和在面板上产生的暗点的照片。
[0280]
在显示装置的刚性评估中，使用用于刚性评估的测试设备将恒定的力，例如在1kgf至5kgf范围内的力，施加到加强基板40的暴露表面，并持续30秒。然后，根据面板上是否已经产生了暗点的识别结果，来判断是否已经出现了缺陷。用于刚性评估的测试设备是具有尖头末端的推拉式量具装置。
[0281]
在这方面，比较例采用invar作为加强基板的材料，并且不含阻挡层、第二粘合剂层和保护层。在第一实验例至第五实验例中，采用铝(al)作为加强基板的材料，并且评估了其中保护层280被设置在第二粘合剂层32上的结构。在这方面，在第一实验例至第三实验例中，第二粘合剂层32的厚度被改变，而保护层280的厚度被固定。在第四实验例和第五个实验例中，第二粘合剂层32的厚度被固定，而保护层280的厚度被改变。
[0282]
具体而言，在第一实验例中，第二粘合剂层32的厚度为50μm，而保护层280的厚度为75μm。在第二实验例中，第二粘合剂层32的厚度被设定为30μm，保护层280的厚度被设定为75μm。在第三实验例中，第二粘合剂层32的厚度为15μm，保护层280的厚度为75μm。在第四实验例中，第二粘合剂层32的厚度为50μm，保护层280的厚度为100μm。在第五实验例中，第二粘合剂层32的厚度被设定为50μm，而保护层280的厚度被设定为38μm。
[0283]
根据刚性评估的结果，如图22的表格所示，可以确定在比较例中，在施加1kgf至4kgf的范围的力时，没有出现由于凹痕导致的暗点，但是当对其施加5kgf的力时，出现由于凹痕导致的暗点。这可以在图23b中确定，该图显示了面板上产生的暗点。参考图23a和图23b，图23a显示了了在比较例中施加5kgf的力进行刚性评估时加强基板的表面，图23b显示了在比较例中施加5kgf的力进行刚性评估时面板的像素，可以确定当加强基板的表面上出现凹痕m1时，在面板的像素上出现暗点缺陷d1。
[0284]
相反，在第一至第四实验例中，在施加1kgf至5kgf的整个范围的力时，没有出现缺陷。具体而言，参考图23c和图23e，其分别显示了在第三实验例中分别施加4kgf和5kgf的力进行刚性评估的加强基板的表面，并参考图23d和图23f，其显示了在第三实验例中分别施加4kgf和5kgf的力进行刚性评估的面板的像素，可以确定，虽然在加强基板的表面上出现了凹痕m2和m3，但在面板的像素上没有出现暗点缺陷。
[0285]
此外，在第五实验例中，第二粘合剂层32的厚度与第一实验例中的厚度相同，但保护层280的厚度相对较小，为38μm，出现了缺陷。
[0286]
从上述评估结果可以确定，当保护层280被设置在第二粘合剂层32上时，可以保护下层结构免受外部冲击。尤其是，可以确定，随着保护层280的厚度越大，可以保证更大的刚性。因此，在显示装置受到外部冲击的情况下，可以防止对阵列基板10上的发光阵列120的
损坏。
[0287]
在一个示例中，优选的是保护层280的厚度较大以保证显示装置的刚性。然而，当厚度超过临界厚度时，由于构成显示装置的结构的热膨胀系数之间的差异导致翘曲量增加，从而损坏显示装置。因此，期望的是保护层280的厚度不超过临界厚度。下面，将参照附图对此进行描述。
[0288]
图24是显示根据保护层的厚度变化的面板的翘曲量的表格。
[0289]
为了测量面板的翘曲量，将工艺腔室的温度提高到70摄氏度，然后在室温下测量面板的翘曲量。面板的翘曲量可以通过将面板的阵列基板10放置成使阵列基板10面向用于检查的石面板的表面，并使用翘曲量测量器来测量面板的四个边缘中的每一个处的翘曲量来测量。
[0290]
参考图24，在第一实验例至第三实验例中，第二粘合剂层32的厚度是恒定的，为50μm。在第一实验例中保护层280的厚度为38μm，在第二实验例中保护层280的厚度为75μm，而在第三实验例中保护层280的厚度为100μm。在这些条件下，测量了面板的翘曲量。
[0291]
参考第一实验例至第三实验例的结果，在第一实验例至第三实验例中，被送入工艺腔室之前的初始翘曲量为零。
[0292]
相反，基于将工艺腔室的温度提高到70摄氏度后测量面板的翘曲量的结果，可以确定在保护层280的厚度相对较小的第一实验例中，翘曲量在2.5mm至6mm的范围内，而随着保护层280的厚度增加，翘曲量增加(在第二实验例中)，并且在保护层280的厚度相对较大的第三实验例中，面板损坏。
[0293]
基于这些测量结果，为了保证显示装置的刚性，优选的是保护层280的厚度较大，但是当该厚度超过临界厚度时，面板可能被损坏。因此，期望的是限制保护层280的厚度以便不超过临界厚度。在一个示例中，保护层280优选被形成为具有作为临界厚度的38μm至75μm的厚度，在该临界厚度下可以防止面板被弯曲和损坏，同时可以保证显示装置的刚性。
[0294]
此外，根据根据本公开的一实施例的显示装置，密封结构30可以被形成为多层结构，并且加强基板40可以被设置在具有多层结构的密封结构30上。在这种情况下，与密封结构被形成为单层结构并且加强基板被设置在密封结构上的情况相比，显示装置被弯曲的翘曲量可以减少。下面，将参考图25对此进行描述。在这方面，与第一实施例一样，加强基板40可以被称为接合基板，而密封结构30可以被称为接合结构。
[0295]
图25是显示基于密封结构的构造的面板的翘曲量变化的曲线图。
[0296]
参考图25，比较例1ce1的曲线是显示其中作为单层的粘合剂层和加强基板40被设置在阵列基板10上且工艺腔室的温度被设定为85摄氏度的显示面板的翘曲量的曲线。比较例2ce2的曲线是显示其中作为单层的粘合剂层和加强基板40被设置在阵列基板10上且工艺腔室的温度被设定为60摄氏度的面板的翘曲量的曲线。
[0297]
示例1em1的曲线是显示其中由多层结构组成的密封结构30和加强基板40被设置在阵列基板10上且工艺腔室的温度被设定为85摄氏度的面板的翘曲量的曲线。示例2em2的曲线是显示其中由多层结构组成的密封结构30和加强基板40被设置在阵列基板10上且工艺腔室的温度被设定为60摄氏度的面板的翘曲量的曲线。在这方面，由多层结构组成的密封结构30可以具有其中第一粘合剂层31、阻挡层33和第二粘合剂层32被堆叠的堆叠结构。保护层280可以被添加到其中。进一步地，阻挡层33可以由铝(al)基金属材料制成，并且加
强基板40可以由铝(al)基金属材料制成。
[0298]
面板的翘曲量可以通过将面板的阵列基板10放置成使阵列基板10面向用于检查的石面板的表面并使用翘曲量测量器来测量面板的四个边缘中的每一个处的翘曲量来进行测量。
[0299]
参考比较例ce1和ce2以及示例em1和em2，可以确定，当测试在相同温度下进行时，在对其应用由多层结构组成的密封结构30的示例em1和em2中的每一个中的面板的翘曲量比在对其应用作为粘合剂层的单层的比较例ce1和ce2中的面板的翘曲量小。
[0300]
尤其是，可以确定，当工艺腔室的温度降低到低于85摄氏度的60摄氏度时，翘曲量进一步降低到工艺腔室的温度为85摄氏度时的58％的水平。
[0301]
此外，可以确定，翘曲量随着加强基板40的厚度变大而减少。例如，可以确定，在示例2em2中，当由多层结构组成的密封结构30和加强基板40被设置在阵列基板10上，并且加强基板40的厚度为0.1mm，其中工艺腔室的温度为60摄氏度时，翘曲量大约为400mm。可以确定，在示例2em2中，当由多层结构组成的密封结构30和加强基板40被设置在阵列基板10上，并且加强基板40的厚度为1mm，其中工艺腔室的温度为60摄氏度时，翘曲量小于200mm，因此比在加强基板40的厚度为0.1mm时的翘曲量减少了50％或更多。
[0302]
基于该实验示例的曲线，可以确定，当加强基板40的厚度较大而密封结构30由多层结构组成时，显示装置被弯曲的翘曲量比密封结构由单层组成而加强基板40的厚度较大时的翘曲量小。
[0303]
此外，根据根据本公开的一实施例的显示装置，由于密封结构30的厚度较大，当加强基板40的厚度恒定时，面板被弯曲的翘曲量可以减少。下面，将参考图26至图28对此进行描述。
[0304]
图26是示意性地显示面板的翘曲量变化的图。图27是显示在高温下基于密封结构的厚度变化的翘曲量变化的曲线图。图28是显示在室温下基于密封结构的厚度变化的翘曲量变化的曲线图。
[0305]
参考图26，当阵列基板的中心部分凸出地突出时，面板的翘曲量变化可被定义为具有负(-)值。当阵列基板的中心部分下凹地下陷时，翘曲量变化可被定义为具有正( )值。在这方面，为了测量根据密封结构的厚度变化的翘曲量变化，采用了其中密封结构和由铝(al)制成的加强基板被设置在阵列基板上的一种面板结构。在一个示例中，密封结构可以由第一粘合剂层、阻挡层和第二粘合剂层组成，或者可以由第一粘合剂层、阻挡层、第二粘合剂层和保护结构组成。
[0306]
翘曲量变化是通过将上述结构放入工艺腔室，并将工艺腔室的温度提高到高温，例如，提高到60摄氏度，并测量面板的翘曲量，然后保持面板直到面板再次平整，并将工艺腔室的温度冷却到室温，然后在室温下测量面板的翘曲量。
[0307]
其中密封结构和由铝(al)制成的加强基板被设置在阵列基板上的面板结构包括：第一实验例ex1，其中在阵列基板上设置厚度为0.6mm的加强基板和厚度为60μm的密封结构；第二实验例ex2，其中在阵列基板上设置厚度为480μm的密封结构和厚度为0.6mm的加强基板；第三实验例3ex3，其中在阵列基板上设置厚度为60μm的密封结构和厚度为1.0mm的加强基板；以及第四实验例ex4，其中在阵列基板上设置厚度为480μm的密封结构和厚度为1.0mm的加强基板。
[0308]
如图27所示，作为使用该测量方法在高温下根据密封结构的厚度变化的翘曲量变化的测量结果的曲线图，当将第一实验例ex1和第二实验例ex2相互比较时，可以确定的是，当加强基板具有恒定的厚度时，在密封结构的厚度较大的第二实验例ex2中翘曲量变化减少。此外，可以确定的是，在其中加强基板的厚度相对较大的第三实验例ex3和第四实验例ex4中，翘曲量变化比在第一实验例ex1和第二实验例ex2中小。
[0309]
此外，参考图28，作为在室温下根据密封结构的厚度变化的翘曲量变化的测量结果的曲线图，可以确定的是，在第一实验例ex1和第二实验例ex2中，翘曲量变化在负(-)方向上减少。此外，可以确定的是，当加强基板具有恒定的厚度时，在其中密封结构的厚度变大的第二实验例ex2中，翘曲量变化减少。此外，可以确定的是，在其中加强基板的厚度相对较大的第三实验例ex3和第四实验例ex4中，翘曲量变化比在第一实验例ex1和第二实验例ex2中小。
[0310]
高温和室温翘曲量在负(-)方向上减少的事实可能与以下事实有关：随着密封结构的厚度变大，中性平面被移位，高温翘曲量减少；并且随着密封结构的厚度变大，恢复到原始平坦表面的应力松弛效应较大，使得室温翘曲量在负方向上减少。
[0311]
根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以包括由多层结构组成的密封结构，以固定由具有高热导率的材料制成的较大厚度的加强基板，从而增加刚性并改善散热效果。此外，由于可以固定较大厚度的加强基板，该装置可以有效地散热，从而减少面板上残影的出现，并改善显示装置的寿命。此外，引入由多层结构组成的密封结构并将加强基板置于其上，可以在加强基板的厚度较大时确保固定加强基板的可靠性，从而改善阵列基板与加强基板之间的接合力。此外，在具有多层结构的密封结构中引入阻挡层可以使第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的接合力得到改善。此外，引入具有多层结构的密封结构可导致减少显示装置被弯曲的翘曲量。此外，控制加强基板的厚度使得加强基板的移位偏移值在临界范围内，可以允许实现窄边框，同时防止柔性电路板与密封结构或加强基板接触，且因此防止损坏。
[0312]
图29是显示根据本公开的一个实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。图30至图35是显示图29中的方法的步骤的视图。
[0313]
如图29所示，根据本公开的一个实施例的用于制造显示装置的方法包括步骤s10：制备阵列基板10，其具有发光阵列120，该发光阵列120包括对应于多个像素区域pa的多个发光元件oled；步骤s20：制备密封结构30，其包括相互面对的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32以及被设置在第一粘合剂层31和第二粘合剂层32之间的阻挡层33；以及步骤s30：将密封结构30设置在阵列基板10上，使得发光阵列120被第一粘合剂层31密封。在另一个示例中，密封结构30还可包括在第二粘合剂层32上的保护结构295(参考图20)。
[0314]
此外，根据本公开的一个实施例的用于制造显示装置的方法还可包括，在将密封结构30设置在阵列基板10上的步骤s30之后，制备板状的加强基板40的步骤s40，以及将加强基板40附接到第二粘合剂层32的步骤s50。
[0315]
具体而言，如图30所示，制备具有发光阵列120的阵列基板10(s10)。
[0316]
如图2所示，阵列基板10包括被限定在显示区域aa中的多个像素区域pa，以及用于向每个像素区域pa的像素电路供应驱动信号的栅极线gl和数据线dl。
[0317]
如图4所示，阵列基板10包括晶体管阵列110和发光阵列120，晶体管阵列110包括
分别对应于多个像素区域pa的多个像素电路，发光阵列120包括分别对应于多个像素区域pa的多个有机发光元件oled。
[0318]
此外，如图5所示，阵列基板10还包括被设置在位于显示区域aa之外的非显示区域na的一部分中的焊盘10p。
[0319]
然后，制备具有多层结构的密封结构30(s20)。
[0320]
密封结构30包括其中第一粘合剂层31、阻挡层33和第二粘合剂层32被依次堆叠的结构。也就是说，密封结构30具有由通过阻挡层33分隔开的第一粘合剂层31和第二粘合剂层32形成的堆叠结构。
[0321]
第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个可以分别从10μm到100μm的范围内选择。通过这种方式，可以防止诸如异物插入第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个中以及其移位的工艺缺陷。因此，包括第一粘合剂层31和第二粘合剂层32的密封结构30的厚度30th可以增加。
[0322]
也就是说，密封结构30的厚度30th可以在30μm至300μm的范围内。
[0323]
第一粘合剂层31可以由选自烯烃基聚合物、环氧基聚合物和丙烯酸酯基聚合物的一种聚合物材料311(见图6)制成。第二粘合剂层32可以由选自烯烃基聚合物、环氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、苯酚基聚合物和酸酐基聚合物中的任意一种聚合物材料321(见图6)制成，并且其中每一种都不包含羧基。
[0324]
第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个可以由包括具有粘附性的聚合物材料(图6中的311和321)中的每一种和由金属材料制成的颗粒(图6中的312和322)中的每一种的混合物组成。在一个示例中，每个由金属材料制成的第一颗粒312可以是由ni制成的粉末。这样，第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个的导热性可以得到改善，使得由于密封结构30导致的散热效果可以得到改善。在这方面，与第一粘合剂层31不同，第二粘合剂层32由不包含羧基的第二粘合剂聚合物材料321制成。
[0325]
替代地，与阵列基板10接触的第一粘合剂层31由包括具有粘附性的第一聚合物材料311和由金属材料制成的第一颗粒312的混合物制成。第二粘合剂层(图9的32)可由具有粘附性且不含羧基的第二聚合物材料321制成。通过这种方式，第二粘合剂层32的粘附性可以高于第一粘合剂层31的粘附性，并且可以降低制备密封结构30的成本。
[0326]
此外，第一粘合剂层31可以由还包含吸湿性无机填料313的混合物组成。吸湿性无机填料313可以由cao、mgo或bao中的至少一种制成。通过这种方式，可以改善由于第一粘合剂层31导致的湿气渗透防止效果。
[0327]
阻挡层33旨在用于将第一粘合剂层31和第二粘合剂层32彼此分隔开，并且可以被实施为由金属材料和无机绝缘材料中的一种制成的薄膜。在一个示例中，阻挡层33可以被实施为包括金属材料(如al、cu、sn、ag、fe或zn)的薄膜(箔)。替代地，阻挡层33可以被实施为由无机绝缘材料(如sio
x
或sion
x
)制成的薄膜。
[0328]
阻挡层33的厚度33th可以在大于10μm且分别小于第一粘合剂层31的厚度31th和第二粘合剂层32的厚度32th中的每一个的范围内。以此方式，可以防止阻挡层33的与孔相关的缺陷，并且可以防止密封结构30的厚度由于阻挡层33而被不必要地增加。
[0329]
替代地，如图10所示，密封结构30还可包括分别被设置在由金属材料制成的阻挡层33的两个相反面上的第一辅助阻挡层34和第二辅助阻挡层35中的至少一个。
[0330]
此外，在制备密封结构30的步骤s20中，密封结构30可以在其两个相反面分别被第一临时覆盖层36和第二临时覆盖层37覆盖的状态下提供。
[0331]
也就是说，在制备密封结构30的步骤s20中，密封结构30可以在其中密封结构30的第一粘合剂层31可以被第一临时覆盖层36覆盖，而第二粘合剂层32可以被第二临时覆盖层37覆盖的状态下提供。第一临时覆盖层36和第二临时覆盖层37中的每一个都可以在其面向第一粘合剂层31和第二粘合剂层32中的每一个的一个面上形成的诸如硅树脂涂层的释放膜。释放膜可以允许第一临时覆盖层36和第二临时覆盖层37中的每一个在随后的过程中容易地从密封结构30移除。此外，通过抗静电处理形成的抗静电涂层膜可以在第一临时覆盖层36和第二临时覆盖层37中的每一个的相反面上形成。
[0332]
在另一个示例中，当保护结构295的保护层280(见图20)被形成在密封结构30的第二粘合剂层32上时，粘合剂加强膜85可以被形成在保护层280的一个面上，而抗静电涂层膜290(见图20)可以被形成在其相反面上。
[0333]
随后，将密封结构30设置在阵列基板10上的步骤s30可以包括从密封结构30的第一粘合剂层31移除第一临时覆盖层36，并且使用辊使第一粘合剂层31与阵列基板10进入紧密接触状态。
[0334]
也就是说，如图31所示，第一临时覆盖层36可以被从密封结构30移除，并且因此第一粘合剂层31可以被暴露。
[0335]
然后，如图32所示，当密封结构30的第一粘合剂层31在阵列基板10上对齐时，使用至少一个辊170将预定的压力施加到密封结构30或阵列基板10上。相应地，密封结构30的第一粘合剂层31被紧密地粘附到阵列基板10上。
[0336]
接下来，如图33所示，制备板状的加强基板40(s40)，然后将加强基板40附接到密封结构30(s50)。
[0337]
此外，将加强基板40附接到密封结构30的步骤s50可以包括从密封结构30的第二粘合剂层32移除第二临时覆盖层37，并且将加强基板40附接到第二粘合剂层32。
[0338]
在制备板状的加强基板40的步骤s40中，加强基板40可以由玻璃、金属和塑料聚合物中的一种材料制成。根据密封结构30的增加的厚度，加强基板40的厚度40th可以在0.1mm至1.5mm的范围内。
[0339]
如图33所示，第二临时覆盖层37可以从被附接到阵列基板10的密封结构30移除，并且第二粘合剂层32可以被暴露。
[0340]
在另一个示例中，当保护结构295(参考图20)被进一步设置在密封结构30的第二粘合剂层32上时，保护结构295的顶表面可以被暴露。
[0341]
此外，如图34所示，加强基板40被附接到密封结构30的第二粘合剂层32上(s50)。因此，加强基板40经由密封结构30被联接到阵列基板10。
[0342]
根据本公开的一个实施例，由加强基板40实现的刚性可以被确保以具有可保持阵列基板的形状的水平。因此，处于阵列基板10和加强基板40被彼此联接的状态下的中间工艺结构可以被转移到另一个位置。因此，可以提供一种不包括用于容纳阵列基板10和加强基板40的底盖50的单元装置。因此，可以扩大应用范围。
[0343]
替代地，可以提供包括用于容纳阵列基板10和加强基板40的底盖50的模块装置。制备该模块装置的过程如下。
[0344]
如图35所示，至少一个柔性电路板22被连接到阵列基板10。与至少一个柔性电路板22连接的印刷电路板24被设置在加强基板40上。
[0345]
在这方面，加强基板40被设置成比密封结构30更远离阵列基板10的焊盘10p。因此，每个柔性电路板22可以延伸在密封结构30之上延伸并跨过密封结构30，而不是加强基板40。
[0346]
此外，底盖50在其中容纳阵列基板10、密封结构30、加强基板40、至少一个柔性电路板22和印刷电路板24，并且通过被设置在加强基板40上的至少一个粘合剂图案70接合到加强基板40。
[0347]
如上所述，根据本公开的每个实施例的显示装置包括密封结构30，该密封结构具有由第一粘合剂层31和第二粘合剂层32形成的堆叠结构，而阻挡层33被插在两者之间。因此，由于第一粘合剂层31和第二粘合剂层32形成的堆叠结构，密封结构30可以具有相对较大的厚度。即，密封结构30的厚度30th可以是临界厚度的约两倍，以避免在由粘合剂材料制成的单层中的工艺缺陷。
[0348]
因此，可经由密封结构30固定到阵列基板10的加强基板40可具有相对较大的厚度。所以，由于加强基板40导致的刚性和散热效果可以得到充分的保证，并且内板可以是不必要的。换句话说，内板可以被移除。这对于显示装置的瘦身和轻量化可以是有利的。
[0349]
此外，实施具有多层结构的密封结构可导致减少显示装置被弯曲的翘曲量。
[0350]
此外，通过使用具有高热导率的材料作为加强基板的材料，可以有效地消散热量。因此，可以减少面板上的残影的出现，并且可以改善发光阵列的寿命。
[0351]
此外，调整加强基板的厚度以移置加强基板的位置可允许防止柔性印刷电路板与密封结构或加强基板接触，并防止对柔性印刷电路板的损坏。加强基板的优选布置结构可以最大限度地实现显示面板的窄边框，同时增加温度相对较高的焊盘区域的散热效果。
[0352]
本公开的示例性实施例还可以描述如下。
[0353]
根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置，其包括：阵列基板，该阵列基板具有显示区域和被设置于显示区域之外的非显示区域，并且具有发光阵列，该发光阵列包括分别对应于显示区域中的多个像素区域的多个发光元件；以及密封结构，其被设置在阵列基板上以密封发光阵列，并将面向密封结构的板状的加强基板固定到阵列基板，其中密封结构包括：面向阵列基板的第一粘合剂层；面向加强基板的第二粘合剂层；以及被设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的阻挡层。
[0354]
显示装置还包括加强基板，且加强基板的厚度在0.1mm至1.5mm的范围内，并且密封结构的厚度在30μm至300μm的范围内。
[0355]
第一粘合剂层和第二粘合剂层中的每一个的厚度在10μm至100μm的范围内。
[0356]
第一粘合剂层由选自包括烯烃基聚合物、环氧基聚合物和丙烯酸酯基聚合物的组的聚合物材料制成，并且第二粘合剂层由不含羧基的聚合物材料制成。
[0357]
第二粘合剂层由选自包括烯烃基聚合物、环氧基聚合物、丙烯酸酯基聚合物、胺基聚合物、酚基聚合物和酸酐基聚合物的组的聚合物材料制成，并且其中每一种都不含羧基。
[0358]
第一粘合剂层还包括由金属材料制成的颗粒和由选自cao、mgo和bao中的至少一种制成的无机填料。
[0359]
阻挡层由金属材料制成，该金属材料具有大于4％的伸长率和小于360mpa的屈服
强度值。
[0360]
该金属材料包括选自al、cu、sn、ag、fe、zn或其合金的金属材料。
[0361]
阻挡层由包括氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sion
x
)的无机绝缘材料制成。
[0362]
阻挡层的厚度大于10μm并且小于第一粘合剂层和第二粘合剂层中的每一个的厚度。
[0363]
密封结构还包括保护结构，该保护结构面向加强基板并被定位在第二粘合剂层和加强基板之间，其中保护结构包括保护层、其一个面面向第二粘合剂层而其另一个面面向保护层的粘合剂加强膜、以及其一个面面向保护层的另一个面而其另一个面面向加强基板的抗静电涂层膜。
[0364]
保护结构构成密封结构的最顶层。
[0365]
保护层由包括聚对苯二甲酸乙二醇酯的绝缘材料制成。
[0366]
抗静电涂层膜允许保护层的薄层电阻保持在10
10
ω/sq。
[0367]
保护层的厚度大于30μm且小于100μm，以防止外部冲击被施加到阵列基板上，且同时防止由于阵列基板的弯曲导致的阵列基板的损坏。
[0368]
密封结构还包括以下中的至少一个：第一辅助阻挡层，其被设置在第一粘合剂层和阻挡层之间并由无机绝缘材料制成；和第二辅助阻挡层，其被设置在第二粘合剂层和阻挡层之间并由无机绝缘材料制成。
[0369]
阻挡层具有其中分别包括不同金属材料的第一金属膜和第二金属膜被依次堆叠的结构。
[0370]
阻挡层具有其中分别包括不同无机绝缘材料的第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜被依次堆叠的结构。
[0371]
加强基板由选自al、cu、sn、ag、fe、zn或其合金的金属材料制成。
[0372]
该装置还包括：被设置在加强基板上的印刷电路板；至少一个柔性电路板，其一侧被连接到印刷电路板，而另一侧被连接到被设置在阵列基板的非显示区域中的焊盘；以及底盖，其用于在其中容纳阵列基板、密封结构、加强基板、至少一个柔性电路板和印刷电路板，并被联接到加强基板，其中印刷电路板被设置在加强基板与底盖之间。
[0373]
密封结构的与阵列基板的焊盘相邻的一个侧边缘与阵列基板的焊盘以第一间距间隔开；加强基板的与阵列基板的焊盘相邻的一个侧边缘与阵列基板的焊盘以大于第一间距的第二间距间隔开，并且加强基板的宽度小于密封结构的宽度，使得密封结构的最顶表面的一部分被暴露。
[0374]
加强基板的面积具有至少与显示区域相同的尺寸，或者加强基板从显示区域延伸到非显示区域，使得加强基板的面积具有比显示区域的尺寸更大的尺寸。
[0375]
当加强基板的厚度增加时，加强基板与密封结构的一个侧边缘间隔开的第二间距增加，其中加强基板被相对于密封结构的一个侧边缘向内地设置。
[0376]
加强基板具有比密封结构的宽度小的宽度，使得当加强基板的厚度增加时，加强基板被移置10％至55％的范围，该范围表示非显示区域的宽度的多少部分与加强基板重叠，使得密封结构的最顶表面的一部分被暴露。
[0377]
阵列基板、密封结构和加强基板被依次堆叠以在堆叠结构的至少一侧处形成台阶形状，其中，该台阶形状具有：作为阵列基板的非显示区域的被暴露部分的下部分；作为密
封结构的顶面的被暴露部分的中间部分；以及作为加强基板的被暴露的顶面的上部分。
[0378]
密封结构的顶面是第二粘合剂层的顶面或密封结构的被设置在第二粘合剂层上的保护结构的顶面。
[0379]
底盖经由被设置在加强基板和底盖之间的至少一个粘合剂图案被联接到加强基板。
[0380]
根据本公开的另一方面，提供了一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：提供阵列基板，该阵列基板具有发光阵列，该发光阵列包括分别对应于多个像素区域的多个发光元件；提供密封结构，其中密封结构包括彼此相对的第一粘合剂层和第二粘合剂层，以及被设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的阻挡层；以及将密封结构设置在阵列基板上，使得发光阵列被第一粘合剂层密封。
[0381]
该方法还包括制备板状的加强基板；以及将加强基板附接到第二粘合剂层。
[0382]
该密封结构还包括位于第二粘合剂层上的保护结构。
[0383]
尽管已经参照附图更详细地描述了本公开的实施方案，但本公开不必限于这些实施方案。在不背离本公开的技术思想的范围内，本公开可以以各种修改的方式实施。因此，本公开中所公开的实施例并不旨在限制本公开的技术思想，而是为了描述本公开。本公开的技术思想的范围不受实施例的限制。因此，应理解的是，上述实施例在所有方面都是例示说明性的和非限制性的。本公开的保护范围应由权利要求来解释，且本公开的范围内的所有技术思想都应被解释为包括在本公开的范围内。