层叠片状压敏电阻的制作方法

1.本发明的一个方式涉及层叠片状压敏电阻。


背景技术：

2.已知有包括显现可变电阻特性的元件主体、以彼此相对的方式配置于元件主体内的第一和第二内部电极、和配置于元件主体上的第一和第二外部电极的层叠片状压敏电阻(例如，参照日本特开2007-13215号公报)。第一内部电极与第一外部电极连接。第二内部电极与第二外部电极连接。


技术实现要素：

3.在层叠片状压敏电阻中，要求提高对静电放电(electro static discharge：esd)的耐受量(以下，称为“esd耐受量”)。esd耐受量提高的层叠片状压敏电阻被用作电子电路的有效的保护元件，例如使基于近年来的以太网(注册商标)标准的高速通信网络系统稳定地动作。
4.本发明的一个方式的目的在于，提供esd耐受量提高的层叠片状压敏电阻。
5.一个方式的层叠片状压敏电阻包括：显现可变电阻特性的元件主体；配置于元件主体的两端部的第一外部电极和第二外部电极；和配置于元件主体内的第一导体组和第二导体组。第一导体组包括：第一内部电极，其包含第一导电材料，在一个端部露出，并且与第一外部电极连接；和第一中间导体，其与第一内部电极相对，并且不与第一外部电极和第二外部电极连接。第二导体组包括：第二内部电极，其包含第一导电材料，在另一个端部露出，并且与第二外部电极连接；和第二中间导体，其与第二内部电极相对，并且不与第一外部电极和第二外部电极连接。第一和第二导体组以在第一内部电极与第一中间导体相对的方向和第二内部电极与第二中间导体相对的方向上，第一中间导体与第二中间导体相对的方式配置在元件主体内。第一和第二中间导体中的至少一者包含与第一导电材料不同的第二导电材料。元件主体包含低电阻化区域，该低电阻化区域位于第一和第二内部电极之间，并且扩散了第一和第二中间导体中的至少一者所包含的第二导电材料。
6.根据上述一个方式，元件主体在第一和第二内部电极之间具有扩散了第一和第二中间导体中的至少一者所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻的esd耐受量提高。
7.上述一个方式的层叠片状压敏电阻也可以包括：第一内部导体，其与第一中间导体和第二中间导体中的至少任一个中间导体同层，配置在与该至少任一个中间导体分离的位置，并且在一个端部露出，并与第一外部电极连接；和第二内部导体，其与第一中间导体和第二中间导体中的至少任一个中间导体同层，配置在与该至少任一个中间导体分离的位置，并且在另一个端部露出，并与第二外部电极连接。
8.在第一和第二内部导体与中间导体同层、且配置在与中间导体分离的位置并且在元件主体的端部露出的结构中，通过第一内部导体，识别出第一和第二中间导体中的至少
任一个中间导体与第一内部导体切实地配置在同层。通过第二内部导体，识别出第一和第二中间导体中的至少任一个中间导体与第二内部导体切实地配置在同层。
9.在上述一个方式中，也可以第一和第二内部电极包含第二导电材料。
10.在第一和第二内部电极包含第二导电材料的结构中，第二导电材料从第一和第二内部电极扩散到了位于第一和第二内部电极之间的上述区域。因此，在本结构中，esd耐受量切实地提高。
11.在上述一个方式中，也可以第一和第二中间导体中的至少一者中的第二导电材料的含量为第一和第二内部电极各自中的第二导电材料的含量以上。
12.在第二导电材料的含量为第一和第二内部电极各自中的第二导电材料的含量以上的结构中，第二导电材料从第一和第二中间导体中的至少一者更切实地扩散到了位于第一和第二内部电极之间的上述区域。因此，在本结构中，esd耐受量更切实地提高。
13.在上述一个方式中，也可以第一和第二中间导体包含第二导电材料。
14.在第一和第二中间导体包含第二导电材料的结构中，第二导电材料从第一和第二中间导体向位于第一和第二内部电极之间的上述区域扩散，更切实地实现低电阻化。因此，在本结构中，esd耐受量更进一步切实地提高。
15.在上述一个方式中，第一导电材料可以是钯，第二导电材料可以是铝。
16.通过下文给出的详细说明和附图将更全面地理解本发明，附图仅以说明的方式给出，所以不应被视为限制本发明。
17.通过下文给出的详细说明，本发明的其它适用范围将变得显而易见。然而，应当理解，详细说明和具体示例虽然指示了本发明的实施方式，但是仅以说明的方式给出，因为在本发明的精神和范围内的各种改变和修改对于本领域技术人员来说将从该详细说明中变得显而易见。
附图说明
18.图1是表示一个实施方式的层叠片状压敏电阻的立体图。
19.图2是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
20.图3是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
21.图4是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
22.图5是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的实施例中的试验结果的图表。
23.图6是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的比较例中的试验结果的图表。
24.图7是表示本说明书中公开的附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
25.图8是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
26.图9是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
27.图10是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
28.图11是表示本附记的层叠片状压敏电阻的参考例中的试验结果的图表。
29.图12是表示本附记的层叠片状压敏电阻的参考例中的试验结果的图表。
具体实施方式
30.在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式。在下面的描述中，具有相同功
能的相同元件或元件用相同的附图标记表示，并且省略了重复的说明。
31.参照图1～图4，对实施方式的层叠片状压敏电阻ec1的结构进行说明。图1是表示一个实施方式的层叠片状压敏电阻的立体图。图2是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。图3是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。图4是表示本实施方式的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。
32.如图1～图4所示，层叠片状压敏电阻ec1包括元件主体1、配置于元件主体1的外表面的第一和第二外部电极10、20、以及配置于元件主体1内的第一和第二导体组cg1、cg2。元件主体1显现可变电阻特性(电压非线性特性)。
33.元件主体1包含半导体陶瓷。元件主体1是层叠多个由半导体陶瓷构成的压敏电阻层而构成的陶瓷元件主体。多个压敏电阻层被一体化至实际上彼此的边界无法视觉辨认的程度。在本实施方式中，多个压敏电阻层例如在第一方向d1上层叠。
34.元件主体1呈长方体形状。元件主体1具有彼此相对的一对主面1a、1b、彼此相对的一对端面1c、1d、和彼此相对的一对侧面1e、1f。主面1a、1b、端面1c、1d和侧面1e、1f构成元件主体1的外表面。主面1a、1b在第一方向d1上彼此相对。端面1c、1d在与第一方向d1交叉的第二方向d2上彼此相对。侧面1e、1f在与第一方向d1和第二方向d2交叉的第三方向d3上彼此相对。在本实施方式中，第一方向d1、第二方向d2和第三方向d3彼此正交。第二方向d2例如是元件主体1的长方体形状的长边方向。本说明书中的“长方体形状”包括角部和棱线部作了倒角的长方体的形状、和角部和棱线部被弄圆的长方体的形状。
35.端面1c和端面1d以连接主面1a与主面1b的方式在第一方向d1延伸。侧面1e和侧面1f以连接主面1a和主面1b的方式在第一方向d1上延伸。主面1a和主面1b以连接端面1c和端面1d的方式在第二方向d2上延伸。侧面1e和侧面1f以连接端面1c和端面1d的方式在第二方向d2延伸。主面1a和主面1b以连接侧面1e和侧面1f的方式在第三方向d3上延伸。端面1c和端面1d以连接侧面1e与侧面1f的方式在第三方向d3延伸。
36.在本实施方式中，元件主体1的第一方向d1上的长度w1约为0.5mm，元件主体1的第二方向d2上的长度w2约为1.0mm，元件主体1的第三方向d3上的长度w3约为0.5mm。层叠片状压敏电阻ec1是所谓的1005型的片状压敏电阻。层叠片状压敏电阻ec1不限于1005型的尺寸。层叠片状压敏电阻ec1也可以是所谓的1608尺寸(1.6mm
×
0.8mm
×
0.8mm)。
37.压敏电阻层例如包含zno(氧化锌)。zno是压敏电阻层的主成分。压敏电阻层例如包含金属单体和它们的氧化物。金属单质和它们的氧化物是压敏电阻层的副成分。压敏电阻层中所含的金属单质例如包含co、稀土类金属元素、iiib族元素、si、cr、mo、碱金属元素或碱土类金属元素。上述iiib族元素例如包含b、al、ga或in。上述碱金属元素例如包含k、rb或cs。上述碱土类金属元素例如包含mg、ca、sr或ba。在本实施方式中，压敏电阻层的副成分例如包含co、pr、cr、ca、k、si和al。
38.如图2所示，第一和第二外部电极10、20配置于元件主体1的两端部。第一外部电极10配置于一个端部。第二外部电极20配置于另一个端部。在本实施方式中，第一外部电极10配置于端面1c。第二外部电极20配置于端面1d。第一和第二外部电极10、20在第二方向d2上彼此相对。
39.第一和第二外部电极10、20具有电极层e1、第一镀层e2和第二镀层e3。电极层e1形成在元件主体1的外表面上。电极层e1以覆盖一对端面1c、1d中的对应的端面的方式配置。
如图1所示，电极层e1也配置在一对主面1a、1b的各自的一部分上和一对侧面1e、1f的各自的一部分上。电极层e1例如是烧结电极层。电极层e1通过对施加于元件主体1的外表面的导电膏进行烧结而形成。导电膏例如包含金属粉末、玻璃成分、碱金属、有机粘合剂和有机溶剂。金属粉末例如包含ag颗粒或ag-pd合金颗粒。
40.第一镀层e2覆盖电极层e1。第一镀层e2通过镀敷法形成。第一镀层e2例如是ni镀层、sn镀层、cu镀层或au镀层。第二镀层e3覆盖第一镀层e2。第二镀层e3构成第一和第二外部电极10、20的最外层。第二镀层e2例如通过镀敷法形成。第二镀层e3例如是sn镀层、sn-ag合金镀层、sn-bi合金镀层或sn-cu合金镀层。
41.对第一和第二导体组cg1、cg2进行说明。第一导体组cg1包含第一内部电极30和第一中间导体50。第二导体组cg2包含第二内部电极40和第二中间导体60。在本实施方式中，第一导体组cg1包含第一内部电极30和第一中间导体50，第二导体组cg2包含第二内部电极40和第二中间导体60。
42.在第一导体组cg1中，第一内部电极30具有一对端缘30a、30b。一对端缘30a、30b规定第一内部电极30的第二方向d2上的两端。第一内部电极30在元件主体1的两端部中的一个端部露出。在本实施方式中，端缘30a在端面1c露出。第一内部电极30与第一外部电极10连接。端缘30a与第一外部电极10的电极层e1连接。端缘30b与端面1d分离，不在端面1d露出。第一内部电极30具有一对端缘30c、30d。一对端缘30c、30d规定第一内部电极30的第三方向d3上的两端。端缘30c与侧面1e分离。端缘30d与侧面1f分离。
43.从第一方向d1观察，第一内部电极30呈矩形。本说明书中的“矩形形状”例如包括各角作了倒角的形状、和各角作了倒圆的形状。在第一内部电极30中，第二方向d2上的电极的长度例如比第三方向d3上的电极的长度长。
44.第一中间导体50具有一对端缘50a、50b。一对端缘50a、50b规定第一中间导体50的第二方向d2上的两端。端缘50a与端面1c分离。端缘50a也与第一外部电极10分离。端缘50b与端面1d分离。端缘50b也与第二外部电极20分离。第一中间导体50不与第一和第二外部电极10、20连接。第一中间导体50具有一对端缘50c、50d。一对端缘50c、50d规定第一中间导体50的第三方向d3上的两端。端缘50c与侧面1e分离。端缘50d与侧面1f分离。
45.从第一方向d1观察，第一中间导体50例如呈矩形。第一中间导体50的第二方向d2上的长度例如比第一中间导体50的第三方向d3上的长度长。
46.在第二导体组cg2中，第二内部电极40具有一对端缘40a、40b。一对端缘40a、40b规定第二内部电极40的第二方向d2上的两端。第二内部电极40在元件主体1的两端部中的另一个端部露出。在本实施方式中，端缘40b在端面1d露出。第二内部电极40与第二外部电极20连接。端缘40b与第二外部电极20的电极层e1连接。端缘40a与端面1c分离，不在端面1c露出。第二内部电极40具有一对端缘40c、40d。一对端缘40c、40d规定第二内部电极40的第三方向d3上的两端。端缘40c与侧面1e分离。端缘40d与侧面1f分离。
47.从第一方向d1观察，第二内部电极40呈矩形。在第二内部电极40中，第二方向d2上的电极的长度例如比第三方向d3上的电极的长度长。在本实施方式中，从第一方向d1观察，第二内部电极40呈现与第一内部电极30相同的形状。
48.第二中间导体60具有一对端缘60a、60b。一对端缘60a、60b规定第一中间导体60的第二方向d2上的两端。端缘60a与端面1c分离。端缘60a也与第一外部电极10分离。端缘60b
与端面1d分离。端缘60b也与第二外部电极20分离。第二中间导体60不与第一和第二外部电极10、20连接。第一中间导体60具有一对端缘60c、60d。一对端缘60c、60d规定第二中间导体60的第三方向d3上的两端。端缘60c与侧面1e分离。端缘60d与侧面1f分离。
49.从第一方向d1观察，第二中间导体60例如呈矩形。第二中间导体60的第二方向d2上的长度例如比第二中间导体60的第三方向d3上的长度长。在本实施方式中，从第一方向d1观察，第二中间导体60例如呈与第一中间导体50相同的形状。
50.在本实施方式中，第一中间导体50在第一方向d1上与第一内部电极30、第二中间导体60和第二内部电极40分离。第一中间导体50配置在第一内部电极30与第二中间导体60和第二内部电极40之间。第一中间导体50在第一方向d1上与第一内部电极30相对。第二中间导体60在第一方向d1上与第一内部电极30和第一中间导体50以及第二内部电极40分离。第二中间导体60配置在第一内部电极30和第一中间导体50与第二内部电极40之间。第二中间导体60在第一方向d1上与第二内部电极40相对。在本实施方式中，在第一方向d1上，第一内部电极30、第一中间导体50、第二中间导体60和第二内部电极40依次排列。
51.第一和第二导体组cg1、cg2以第一中间导体50与第二中间导体60彼此相对的方式配置于元件主体1内。第一中间导体50与第二中间导体60，在第一内部电极30与第一中间导体50彼此相对的方向和第二内部电极40与第二中间导体60彼此相对的方向上彼此相对。在本实施方式中，第一内部电极30与第一中间导体50在第一方向d1上彼此相对。第二内部电极40与第二中间导体60在第一方向d1上彼此相对。第一和第二导体组cg1、cg2以第一中间导体50与第二中间导体60在第一方向d1上相对的方式配置在元件主体1内。
52.第一和第二内部电极30、40在第一方向d1上隔着第一和第二中间导体50、60彼此相对。如图4所示，从第一方向d1观察，第一和第二内部电极30、40具有第一区域ar1和第二区域ar2。在第一区域ar1中，从第一方向d1观察，第一和第二内部电极30、40在第一方向d1上彼此相对。在第二区域ar2中，第一和第二内部电极30、40在第一方向d1上不彼此相对。从第一方向d1观察，第一区域ar1呈矩形。在图4所示的例子中，从第一方向d1观察，端缘30c和端缘40c具有彼此一致的部分。从第一方向d1观察，端缘30d与端缘40d具有彼此一致的部分。从第一方向d1观察，第一和第二中间导体50、60彼此重叠。
53.在本实施方式中，从第一方向d1观察，第一区域ar1由端缘40a、端缘30b、端缘30c和端缘30d划分出。从第一方向d1观察，第一区域ar1也可以由端缘40a、端缘30b、端缘40c和端缘40d划分出。在第一内部电极30与第二内部电极40隔着第一和第二中间导体50、60彼此相对的情况下，从第一方向d1观察第一内部电极30与第二内部电极40彼此重叠的区域的面积是第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积。在本实施方式中，第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积相当于第一区域ar1的面积。
54.在本实施方式中，划分出第一区域ar1的矩形形状的端缘40a与端缘30b在第二方向d2上的距离wf1例如为0.5～0.8mm。划分出第一区域ar1的矩形形状的端缘30c与端缘30d在第三方向d3上的距离wf2例如为0.15～0.25mm。第一区域ar1的面积例如为0.075～0.2mm2。
55.元件主体1具有被第一区域ar1的第一内部电极30和第二内部电极40夹着的第一元件主体区域v1和第一元件主体区域v1以外的第二元件主体区域v2。第一元件主体区域v1在元件主体1内在第一方向d1上位于第一内部电极30与第二内部电极40之间。第一元件主
体区域v1的底面由第一区域ar1规定。第一元件主体区域v1的高度由第一内部电极30与第二内部电极40的间隔ed1规定。间隔ed1例如为0.15～0.3mm。
56.第一内部电极30在第一方向d1上与第一中间导体50分离。第一内部电极30与第一中间导体50在第一方向d1上的间隔sc1例如大于0mm且为0.08mm以下。第一中间导体50在第一方向d1上与第二中间导体60分离。第一方向d1上的第一中间导体50与第二中间导体60的间隔sc2例如大于0mm且为0.08mm以下。第二中间导体60在第一方向d1上与第二内部电极40分离。第一方向d1上的第二中间导体60与第二内部电极40的间隔sc3例如大于0mm且为0.08mm以下。间隔sc1、间隔sc2和间隔sc3也可以分别彼此相同。第一内部电极30在第一方向d1上与主面1a分离。第一内部电极30与主面1a在第一方向d1上的间隔例如大于0mm且为0.3mm以下。第二内部电极40在第一方向d1上与主面1b分离。第二内部电极40与主面1b在第一方向d1上的间隔例如大于0mm且为0.3mm以下。第一内部电极30与主面1a的间隔和第二内部电极40与主面1b的间隔可以比间隔sc1、间隔sc2和间隔sc3中的任一个都大。
57.第一和第二内部电极30、40的厚度例如为5μm。第一和第二内部电极30、40的厚度可以彼此相同。第一和第二中间导体50、60的厚度例如为5μm。第一和第二中间导体50、60的厚度可以彼此相同。第一内部电极30和第二内部电极40的厚度与第一中间导体50和第二中间导体60的厚度可以分别彼此相同。
58.第一内部电极30的第二方向d2上的长度wh1例如为0.7～0.9mm。第一内部电极30的第三方向d3上的长度wh2例如为0.15～0.25mm。第二内部电极40的第二方向d2上的长度wh3例如为0.7～0.9mm。第二内部电极40的第三方向d3上的长度wh4例如为0.15～0.25mm。在本实施方式中，长度wh1和长度wh3可以彼此相同，长度wh2和长度wh4可以彼此相同。
59.如图2和图3所示，从第三方向d3观察，端缘50a在第二方向d2上与端缘40a分开距离sv1。从第三方向d3观察，端缘50b在第二方向d2上与端缘30b分开距离sv2。从第三方向d3观察，端缘60a在第二方向d2上与端缘40a分开距离sv5。从第三方向d3观察，端缘60b在第二方向d2上与端缘30b分开距离sv6。在本实施方式中，距离sv1和距离sv5例如为0～0.08mm。距离sv1和距离sv5可以彼此相同。距离sv2和距离sv6例如为0～0.08mm。距离sv2和距离sv6也可以彼此相同。
60.从第二方向d2观察，端缘50c在第三方向d3上与端缘30c分开距离sv3。从第二方向d2观察，端缘50d在第三方向d3上与端缘30d分开距离sv4。距离sv3和距离sv4例如为0～0.08mm。距离sv3和距离sv4可以彼此相同。
61.第一中间导体50的第二方向d2上的长度wm1例如为0.4～0.7mm。第一中间导体50的第三方向d3上的长度wm2例如为0.15～0.25mm。从第一方向d1观察的第一中间导体50的面积例如为0.06～0.18mm2。
62.从第二方向d2观察，端缘60c在第三方向d3上与端缘40c分开距离sv7。从第二方向d2观察，端缘60d在第三方向d3上与端缘40d分开距离sv8。距离sv7和距离sv8例如为0～0.08mm。距离sv7和距离sv8也可以彼此相同。
63.第二中间导体60的第二方向d2上的长度wm3例如为0.4～0.7mm。第二中间导体60的第三方向d3上的长度wm4例如为0.15～0.25mm。第二中间导体60的面积例如为0.06～0.18mm2。
64.在第一导体组cg1中，从第一方向d1观察，第一内部电极30和第一中间导体50在元
件主体1内彼此重叠。第一内部电极30与第一中间导体50彼此重叠的区域的面积是第一内部电极30与第一中间导体50的相对面积。在本实施方式中，从第一方向d1观察，第一中间导体50的一部分也可以位于第一区域ar1内，第一中间导体50的全部也可以位于第一区域ar1内。从第一方向d1观察，第一中间导体50的至少一部分位于第一区域ar1内。图2～图4表示第一中间导体50的全部从第一方向d1观察位于第一区域ar1内的例子。
65.第一内部电极30与第一中间导体50的相对面积相对于第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积的比例例如为0.5～1.0。相对面积的比例为1.0是指第一方向d1上的第一中间导体50的面积与第一区域ar1的面积彼此相等。相对面积的比例为0.5是指第一方向d1上的第一中间导体50的面积为第一区域ar1的面积的一半。
66.在第二导体组cg2中，从第一方向d1观察，第二内部电极40和第二中间导体60在元件主体1内彼此重叠。第二内部电极40与第二中间导体60彼此重叠的区域的面积是第二内部电极40与第二中间导体60的相对面积。在本实施方式中，从第一方向d1观察，可以第二中间导体60的一部分位于第一区域ar1内，也可以第二中间导体60的全部位于第一区域ar1内。从第一方向d1观察，第二中间导体60的至少一部分位于第一区域ar1内。图2～图4表示第二中间导体60的全部从第一方向d1观察位于第一区域ar1内的例子。在图4中，表示了从第一方向d1观察，第一中间导体50的外缘与第二中间导体60的外缘彼此一致的例子。在本实施方式中，第二内部电极40与第二中间导体60的相对面积相对于第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积的比例例如为0.5～1.0。
67.在层叠片状压敏电阻ec1中，第一和第二内部电极30、40包含第一导电材料。在本实施方式中，第一导电材料是pd(钯)。第一导电材料可以是ag、cu、au、pt或它们的合金。第一和第二内部电极30、40例如构成为包含上述第一导电材料的导电膏的烧结体。在本实施方式中，第一和第二内部电极30、40包含pd。
68.第一和第二中间导体50、60例如包含第一导电材料。第一和第二中间导体50、60包含与第一导电材料不同的第二导电材料。在本实施方式中，第一和第二中间导体50、60的至少一者包含第二导电材料。第二导电材料是低电阻的导电材料，例如al(铝)。第二导电材料例如可以是ga或in。第一和第二中间导体50、60构成为包含第一导电材料和第二导电材料的导电膏的烧结体。在本实施方式中，第一和第二中间导体50、60主要包含第一导电材料，第一和第二中间导体50、60所包含的第一导电材料是pd。
69.第一中间导体50中的第二导电材料的含量例如大于0原子％(atm％)且为5原子％以下。第一中间导体50中的第二导电材料的含量例如可以为0.1原子％以上且3原子％以下。第二中间导体60中的第二导电材料的含量例如大于0原子％且为5原子％以下。第二中间导体60中的第二导电材料的含量例如可以为0.1原子％以上且3原子％以下。在本实施方式中，第一和第二中间导体50、60中的第二导电材料的含量也可以彼此相同。
70.第一和第二中间导体50、60的至少一部分被包含在第一元件主体区域v1内。可以第一和第二中间导体50、60各自的一部分位于第一元件主体区域v1内，也可以第一和第二中间导体50、60各自的全部位于第一元件主体区域v1。第一和第二中间导体50、60例如构成为包含第二导电材料的导电膏的烧结体。在第一元件主体区域v1中，扩散了与第一导电材料不同的第二导电材料。在第二元件主体区域v2中包含没有扩散第二导电材料的区域。在扩散了第二导电材料的区域中，实现该区域的低电阻化。第一和第二中间导体50、60的至少
一部分配置在第一和第二内部电极30、40之间。元件主体1包含位于第一和第二内部电极30、40之间且扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
71.在本实施方式中，除了第一和第二中间导体50、60之外，也可以第一和第二内部电极30、40除了第一导电材料之外还包含低电阻的第二导电材料。第一和第二内部电极30、40中的第二导电材料的含量例如为0原子％以上且0.5原子％以下。第一和第二内部电极30、40中的第二导电材料的含量例如可以大于0原子％且为0.3原子％以下。在第一和第二内部电极30、40除了第一导电材料之外还包含低电阻的第二导电材料的情况下，第一和第二中间导体50、60中的第二导电材料的含量也可以为第一和第二内部电极30、40各自中的第二导电材料的含量以上。
72.层叠片状压敏电阻ec1在元件主体1内包括第一内部导体55和第二内部导体65。第一内部导体55与第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体配置于同一层。第一内部导体55与该至少任一个中间导体分离。元件主体1是在第一方向d1上层叠多个压敏电阻层而构成的陶瓷元件主体。如图2所示，第一内部导体55例如由两个导体构成。构成第一内部导体55的一个导体与第一中间导体50位于同层。构成第一内部导体55的另一个导体与第二中间导体60位于同层。第一内部导体55也可以由一个导体构成。在第一内部导体55由一个导体构成的情况下，第一内部导体55也可以与第一和第二中间导体50、60中的任一者同层地排列。
73.第一内部导体55在元件主体1的两端部中的一个端部露出。第一内部导体55具有一对端缘。一对端缘规定第一内部导体55的第二方向d2上的两端。在本实施方式中，一对端缘中的一个端缘在端面1c露出。一对端缘中的另一端缘与第一和第二中间导体50、60分离，不在端面1d露出。第一内部导体55与第一外部电极10连接。在本实施方式中，一对端缘中的一个端缘与第一外部电极10的电极层e1连接。第一内部导体55具有另外的一对端缘。另外的一对端缘规定第一内部导体55的第三方向d3上的两端。另外的一对端缘与侧面1e和侧面1f均分离。从第一方向d1观察，第一内部导体55例如呈矩形。
74.第二内部导体65与第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体配置于同一层。第二内部导体65与该至少任一个中间导体分离。如图2所示，第二内部导体65例如由两个导体构成。构成第二内部导体65的一个导体与第一中间导体50位于同层。构成第二内部导体65的另一个导体与第二中间导体60位于同层。第二内部导体65也可以由一个导体构成。在第二内部导体65由一个导体构成的情况下，第二内部导体65也可以与第一和第二中间导体50、60中的任一者同层地排列。
75.第二内部导体65在元件主体1的两端部中的一个端部露出。第二内部导体65具有一对端缘。一对端缘规定第二内部导体65的第二方向d2上的两端。在本实施方式中，一对端缘中的一个端缘在端面1d露出。一对端缘中的另一端缘与第一和第二中间导体50、60分离，不在端面1c露出。第二内部导体65与第二外部电极20连接。在本实施方式中，一对端缘中的一个端缘与第二外部电极20的电极层e1连接。第二内部导体65具有另外的一对端缘。另外的一对端缘规定第二内部导体65的第三方向d3上的两端。另外的一对端缘与侧面1e和侧面1f均分离。从第一方向d1观察，第二内部导体65例如呈矩形。第一内部导体55和第二内部导体65的从第一方向d1观察的形状可以彼此相同。
76.第一和第二内部导体55、65各自的第二方向d2上的长度wn1、wn3例如为0.005～
0.1mm。长度wn1、wn3可以彼此相同。第一和第二内部导体55、65各自的第三方向d3上的长度wn2、wn4例如为0.15～0.25mm。长度wn2、wn4可以彼此相同。第一和第二内部导体55、65的厚度例如为5μm。第一和第二内部导体55、65的厚度可以彼此相同。第一和第二内部导体55、65的厚度也可以与第一和第二中间导体50、60的厚度相同。
77.对本实施方式的层叠片状压敏电阻ec1的效果进行说明。层叠片状压敏电阻ec1包括显现可变电阻特性的元件主体1、配置于元件主体1的两端部的第一外部电极10和第二外部电极20、和配置于元件主体内的第一导体组cg1和第二导体组cg2。第一导体组cg1包括：第一内部电极30，其包含第一导电材料，在一个端部露出并且与第一外部电极10连接；和第一中间导体50，其与第一内部电极30相对并且不与第一和第二外部电极10、20连接。第二导体组cg2包括：第二内部电极40，其包含第一导电材料，在另一端部露出并且与第二外部电极20连接；和第二中间导体60，其与第二内部电极40相对并且不与第一和第二外部电极10、20连接。第一和第二导体组cg1、cg2以在第一内部电极30与第一中间导体50相对的方向和第二内部电极40与第二中间导体60相对的方向上第一中间导体50与第二中间导体60彼此相对的方式配置于元件主体1内。第一和第二中间导体50、60中的至少一者包含与第一导电材料不同的第二导电材料。元件主体1包含低电阻化区域，该低电阻化区域位于第一和第二内部电极30、40之间，并且扩散了第一和第二中间导体50、60中的至少一者所包含的第二导电材料。
78.在本实施方式中，元件主体1在第一和第二内部电极30、40之间具有扩散了第一和第二中间导体50、60中的至少一者所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec1的esd耐受量提高。第一和第二中间导体50、60两者包含第二导电材料的结构，与仅第一和第二中间导体50、60的一者包含第二导电材料的结构相比，更进一步切实地提高esd耐受量。
79.层叠片状压敏电阻ec1包括：第一内部导体55，其与第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体同层，配置在与该至少任一个中间导体分离的位置，并且在一个端部露出，并与第一外部电极10连接；和第二内部导体65，其与第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体同层，配置在与该至少任一个中间导体分离的位置，并且在另一个端部露出，并与第二外部电极20连接。
80.因此，通过第一内部导体55，识别出第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体与第一内部导体55切实地配置在同层。通过第二内部导体65，识别出第一和第二中间导体50、60中的至少任一个中间导体与第二内部导体65切实地配置在同层。
81.在本实施方式中，第一中间导体50包含第二导电材料，在该情况下，例如，第一内部导体55和第二内部导体65两者与第一中间导体50配置于同一层。第一中间导体50也可以不包含第二导电材料。在不包含第二导电材料的情况下，例如，仅第一内部导体55和第二内部导体65中的任一者与第一中间导体50配置于同一层。
82.因此，根据所配置的内部导体55、65的数量，能够判别第一中间导体50中是否含有第二导电材料。根据所配置的内部导体55、65的位置，也判别配置有第一中间导体50的层。
83.在本实施方式中，第二中间导体60包含第二导电材料，在该情况下，例如，第一内部导体55和第二内部导体65两者与第二中间导体60配置于同层。第二中间导体60也可以不包含第二导电材料。在不包含第二导电材料的情况下，例如，仅第一内部导体55和第二内部
导体65中的任一者与第二中间导体60配置于同一层。
84.因此，根据所配置的内部导体55、65的数量，能够判别第二中间导体60中是否含有第二导电材料。根据所配置的内部导体55、65的位置，也判别配置有第二中间导体60的层。
85.在层叠片状压敏电阻ec1中，第一和第二内部电极30、40包含第二导电材料。
86.因此，第二导电材料从第一和第二内部电极30、40扩散到了位于第一和第二内部电极30、40之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec1中，esd耐受量切实地提高。
87.在层叠片状压敏电阻ec1中，第一和第二中间导体50、60中的至少一者中的第二导电材料的含量为第一和第二内部电极30、40各自中的第二导电材料的含量以上。
88.因此，第二导电材料从第一和第二中间导体50、60中的至少一者进一步切实地扩散到了位于第一和第二内部电极30、40之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec1中，esd耐受量更进一步切实地提高。
89.在层叠片状压敏电阻ec1中，第一和第二中间导体50、60包含第二导电材料。
90.因此，第二导电材料从第一和第二中间导体50、60向位于第一和第二内部电极30、40之间的上述区域扩散，更切实地实现低电阻化。在层叠片状压敏电阻ec1中，esd耐受量更进一步切实地提高。
91.以下，通过本发明的实施例和比较例，对本实施方式的层叠片状压敏电阻ec1进一步进行说明。通过实施例1～实施例8和比较例1～比较例3，对层叠片状压敏电阻ec1进行说明。本发明不限于下述例子。
92.(实施例1)
93.实施例1的层叠片状压敏电阻ec1的结构如下。
94.在实施例1中，元件主体1呈长方体形状。在元件主体1中，第一方向d1上的长度w1为0.54mm，第二方向d2上的长度w2为0.54mm，第三方向d3上的长度w3为1.09mm。以下的实施例2～实施例8和比较例1～比较例3中的元件主体的形状和尺寸与实施例1的元件主体1的形状和尺寸相同。
95.在层叠片状压敏电阻ec1中，间隔sc1、间隔sc2和间隔sc3为0.055mm。第一内部电极30与主面1a的间隔和第二内部电极40与主面1b的间隔为0.18mm。在实施例1中，间隔sc1、间隔sc2和间隔sc3彼此相等。在以下的实施例2～实施例8和比较例1～比较例3中，间隔sc1、间隔sc2和间隔sc3也彼此相等。
96.第一和第二内部电极30、40、以及第一和第二中间导体50、60从第一方向d1观察呈矩形。第一区域ar1的划分出矩形的端缘40a与端缘30b在第二方向d2上的距离wf1为0.62mm，第一区域ar1的划分出矩形的端缘30c与端缘30d在第三方向d3上的距离wf2为0.19mm。从第一方向d1观察的第一区域ar1的面积为0.12mm2。第一和第二内部电极30、40中的al的含量为0原子％，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0.1原子％。
97.在实施例1中，距离sv1～距离sv8为0mm。第一和第二中间导体50、60位于第一元件主体区域v1内，从第一方向d1观察的第一和第二中间导体50、60的面积为0.12mm2。从第一方向d1观察的第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.0。第一内部电极30与第一中间导体50的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.0。第二内部电极40与第二中间导体60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例也为1.0。
98.(esd耐受量试验)
99.在esd耐受量试验中，调查层叠片状压敏电阻ec1的esd耐受量。esd耐受量试验的流程如下。
100.在实施例1中，进行iec(international electrotechnical commission)的标准iec61000-4-2中规定的静电放电抗扰度试验。在放电枪的前端与层叠片状压敏电阻ec1接触的状态下，放电电压(施加电压)以2kv步长变化。在各步长中进行10次接触放电。在实施例1中，esd耐受量被估计为相对于放电后的压敏电阻电压初始值的压敏电阻电压变化的变化率即将变化10％以上之前的电压值(kv)。
101.(能量耐受量试验)
102.在能量耐受量试验中，调查层叠片状压敏电阻ec1的能量耐受量。能量耐受量试验的流程如下。
103.对层叠片状压敏电阻ec1施加10/1000μs的脉冲电流，测量层叠片状压敏电阻ec1的电特性。在实施例1中，能量耐受量被估计为施加一次上述脉冲电流而层叠片状压敏电阻ec1的电特性不会劣化的最大的能量值(j)。
104.(漏电流试验)
105.在漏电流试验中，调查层叠片状压敏电阻ec1的漏电流。在漏电流试验中，对层叠片状压敏电阻ec1施加电压70v。
106.(动态电阻试验)
107.在tlp(transmission line pulse：传输线脉冲)测量中，调查层叠片状压敏电阻ec1的动态电阻。在实施例1中，对层叠片状压敏电阻ec1施加100纳秒宽的矩形波，评价电流(i)/电压(v)特性。根据作为高电流区域的10安培以后的iv特性计算动态电阻值。
108.(实施例2)
109.在实施例2中，除了第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0.5原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
110.(实施例3)
111.在实施例3中，除了第一和第二中间导体50、60中的al的含量为1原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
112.(实施例4)
113.在实施例4中，除了第一和第二中间导体50、60中的al的含量为3原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
114.(实施例5)
115.在实施例5中，除了第一和第二中间导体50、60中的al的含量为5原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
116.(实施例6)
117.在实施例6中，除了第一和第二内部电极30、40中的al的含量为0.5原子％，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为1.0原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
118.(实施例7)
119.在实施例7中，除了第一和第二内部电极30、40中的al的含量为0.5原子％，第一和
第二中间导体50、60中的al的含量为0.5原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
120.(实施例8)
121.在实施例8中，除了距离sv1～距离sv8为40μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.74以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
122.(实施例9)
123.在实施例9中，除了距离sv1～距离sv8为80μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.5以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻ec1的准备和试验。
124.(比较例1)
125.在比较例1中，除了没有设置第一和第二中间导体50、60中的第二中间导体50以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。第一中间导体50在第一方向d1上位于第一和第二内部电极30、40的正中间。在比较例1中，中间导体的数量为一个。
126.(比较例2)
127.在比较例2中，除了在第一方向d1上，在第一和第二内部电极30、40之间配置三个中间导体以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。第一和第二中间导体50、60和与它们不同的一个中间导体在第一方向d1上在第一和第二内部电极30、40之间分别彼此等间隔地配置。
128.(比较例3)
129.在比较例3中，除了在第一方向d1上，在第一和第二内部电极30、40之间配置四个中间导体以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。第一和第二中间导体50、60和与它们不同的两个中间导体在第一方向d1上在第一和第二内部电极30、40之间分别彼此等间隔地配置。
130.(比较例4)
131.在比较例4中，除了距离sv1～距离sv8为40μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.74，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
132.(比较例5)
133.在比较例5中，除了距离sv1～距离sv8为80μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.5，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
134.(比较例6)
135.在比较例6中，除了距离sv1～距离sv8为90μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.45，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0原子％以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
136.(比较例7)
137.在比较例7中，距离sv1～距离sv8为-20μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.1，第一和第二中间导体50、60中的
al的含量为0原子％，除此以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。距离sv1～距离sv8为-20μm的表述表示从第一方向d1观察，中间导体50、60扩展至第一区域ar1的外侧。中间导体50、60的端缘在第一区域ar1的第二方向d2上的两侧位于第一区域ar1的20μm外侧。中间导体50、60的端缘在第一区域ar1的第三方向d3上的两侧位于第一区域ar1的20μm外侧。在本比较例中，相对面积的比例为1.1。
138.(比较例8)
139.在比较例8中，距离sv1～距离sv8为-40μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.3，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为0原子％，除此以外，与实施例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
140.(比较例9)
141.在比较例9中，除了距离sv1～距离sv8为90μm，在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为0.45以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
142.(比较例10)
143.在比较例10中，除了距离sv1～距离sv8为-20μm、在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.1以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
144.(比较例11)
145.在比较例11中，除了距离sv1～距离sv8为-40μm、在第一方向d1上第一和第二中间导体50、60的相对面积相对于第一区域ar1的面积的比例为1.3以外，与实施例2同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
146.图5是表示本实施方式的实施例1～实施例9中的试验结果的图表。图5表示实施例的层叠片状压敏电阻的各参数、esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的结果、和基于这些试验结果的特性评价的结果。图6是表示本实施方式的比较例1～比较例11中的试验结果的图表。图6表示比较例的层叠片状压敏电阻的各参数、esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的结果、和基于这些试验结果的特性评价的结果。在图5和图6中，层叠片状压敏电阻的各要素是层叠片状压敏电阻所包含的中间导体的数量、距离sv1～距离sv8的大小(在图中，标记为端缘间的距离[μm])、中间导体相对于第一区域ar1的相对面积的比例、第一和第二内部电极的al含量[atm％]、和中间导体的al含量[atm％]。
[0147]
实施例和比较例中的评价如下所述。
[0148]
在基于以太网标准的高速通信网络系统中，一般优选层叠片状压敏电阻具有电压值15kv以上的esd耐受量。在esd耐受量试验中，在表示esd耐受量的最大电压值为20kv以上的情况下，判断为“良好”。
[0149]
层叠片状压敏电阻的能量耐受量一般优选为0.03j以上。在能量耐受量试验中，在表示能量耐受量的最大能量值为0.03j以上的情况下，判断为“良好”。
[0150]
层叠片状压敏电阻的漏电流一般优选为1000na(纳安培)以下。在漏电流试验中，在漏电流为1000na以下的情况下，判断为“良好”。在漏电流超过1000na的情况下，判断为“不良”。
[0151]
层叠片状压敏电阻的动态电阻一般优选为2ω(欧姆)以下。在动态电阻试验中，动态电阻值为2ω以下时，判断为“良好”。在动态电阻值超过2ω的情况下，判断为“不良”。
[0152]
在图5和图6中，在esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验中的全部试验结果被判断为“良好”的情况下，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“良好”。在esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验中的试验结果中的任一个都被判断为“不良”的情况下，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。在图5和图6中，在层叠片状压敏电阻的特性被评价为“良好”的情况下，在评价的栏中标记“a”，在层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”的情况下，在评价的栏中标记“b”。
[0153]
如图5所示，在实施例1～实施例9中，中间导体的数量为两个。实施例1～实施例9的层叠片状压敏电阻ec1在第一内部电极30与第二内部电极40之间设置有第一和第二中间导体50、60。
[0154]
在实施例1～实施例9中，在任一实施例中，第一内部电极30与第一中间导体50的相对面积相对于第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积的比例均为0.5～1.0。第二内部电极40与第二中间导体60的相对面积相对于第一内部电极30与第二内部电极40的相对面积的比例也为0.5～1.0。在实施例1～实施例9中，在任一实施例中，第一和第二中间导体50、60中的al的含量均为第一和第二内部电极30、40中的al的含量以上。在实施例6和7中，相对于第一和第二内部电极30、40中的al的含量大于0的情况，第一和第二中间导体50、60中的al的含量为第一和第二内部电极30、40中的al的含量以上。在实施例1～实施例9中，在任一实施例中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验中的试验结果均判断为“良好”。在实施例1～实施例9中，层叠片状压敏电阻ec1的特性被评价为“良好”。
[0155]
如图6所示，在比较例1～比较例3中，中间导体的数量为两个以外。比较例1的层叠片状压敏电阻不包括第一和第二中间导体50、60中的一个。在比较例1中，仅配置一个中间导体。比较例2和3的层叠片状压敏电阻在第一内部电极30与第二内部电极40之间，除了第一和第二中间导体50、60之外，还包括其他的中间导体。在比较例2中，配置有三个中间导体，在比较例3中，配置有四个中间导体。
[0156]
在比较例1中，动态电阻试验的结果被判断为“不良”，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。在比较例2和比较例3中，漏电流试验的结果被判断为“不良”，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0157]
在比较例4～比较例8中，第一和第二中间导体50、60中的al的含量均为0原子％。在比较例4～比较例8中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和动态电阻试验中的结果被判断为“不良”。在比较例4～比较例8中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0158]
在比较例9～比较例11中，相对面积的比例在0.5～1.0的范围外。在比较例9～比较例11中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和漏电流试验中的结果被判断为“不良”。在比较例9～比较例11中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0159]
以上，对本发明的实施方式和实施例进行了说明，但本发明不一定限定于上述的实施方式和实施例，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
[0160]
在本实施方式中，第一和第二中间导体50、60也可以不包含第二导电材料。如上所述，第一和第二中间导体50、60中的至少一者包含第二导电材料的结构，在第一和第二内部
电极30、40之间具有扩散了第一和第二中间导体50、60中的至少一者所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec1的esd耐受量提高。
[0161]
在实施方式和实施例中，以层叠片状压敏电阻为例进行了说明，但能够应用的部件不限于上述的层叠片状压敏电阻。上述的层叠片状压敏电阻以外能够应用的部件例如是包括压敏电阻的片状电子部件。
[0162]
本说明书公开以下的附记。
[0163]
(附记1)
[0164]
一种层叠片状压敏电阻，其包括：
[0165]
显现可变电阻特性的元件主体；
[0166]
配置于所述元件主体的两端部的第一外部电极和第二外部电极；
[0167]
配置在所述元件主体内的一个所述端部附近的第一内部电极组；
[0168]
配置在所述元件主体内的另一个所述端部附近的第二内部电极组；和
[0169]
配置于所述元件主体的中间部的中间导体组，
[0170]
所述第一内部电极组具有包含第一导电材料、且与所述第一外部电极连接并且彼此相对的第一内部电极和第二内部电极，
[0171]
所述第二内部电极组具有包含所述第一导电材料、且与所述第二外部电极连接并且彼此相对的第三内部电极和第四内部电极，
[0172]
所述中间导体组包括：
[0173]
第一中间导体，其不与所述第一外部电极和所述第二外部电极连接，且与所述第一内部电极、所述第二内部电极、所述第三内部电极和所述第四内部电极相对，
[0174]
第二中间导体，其不与所述第一外部电极和所述第二外部电极连接，且隔着所述第一内部电极和所述第三内部电极与所述第一中间导体相对，
[0175]
所述第一中间导体包含与所述第一导电材料不同的第二导电材料，
[0176]
所述元件主体包括低电阻化区域，所述低电阻化区域位于所述第一、第二、第三和第四内部电极与所述第一中间导体之间，并且扩散了所述第一中间导体所包含的所述第二导电材料。
[0177]
(附记2)
[0178]
根据附记1所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0179]
所述第一内部电极与所述第一中间导体的相对面积相对于所述第一中间导体的面积的比例为0.10～0.17，
[0180]
所述第二内部电极与所述第一中间导体的相对面积相对于所述第一中间导体的面积的比例为0.10～0.17，
[0181]
所述第三内部电极与所述第一中间导体的相对面积相对于所述第一中间导体的面积的比例为0.10～0.17，
[0182]
所述第四内部电极与所述第一中间导体的相对面积相对于所述第一中间导体的面积的比例为0.10～0.17。
[0183]
(附记3)
[0184]
根据附记1或2所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0185]
第二中间导体包含所述第二导电材料，
[0186]
所述元件主体还包含低电阻化区域，所述低电阻化区域位于所述第一内部电极和所述第三内部电极与所述第二中间导体之间，并且扩散了所述第二中间导体所包含的所述第二导电材料。
[0187]
(附记4)
[0188]
根据附记3所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0189]
所述第一内部电极与所述第二中间导体的相对面积相对于所述第二中间导体的面积的比例为0.10～0.17，
[0190]
所述第三内部电极与所述第二中间导体的相对面积相对于所述第二中间导体的面积的比例为0.10～0.17。
[0191]
(附记5)
[0192]
根据附记1～4中任一项所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0193]
所述第一、第二、第三和第四内部电极还包含所述第二导电材料。
[0194]
(附记6)
[0195]
根据附记5所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0196]
所述第一中间导体中的所述第二导电材料的含量为所述第一、第二、第三和第四内部电极各自中的所述第二导电材料的含量以上。
[0197]
(附记7)
[0198]
根据附记5或6所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0199]
所述第二中间导体中的所述第二导电材料的含量为所述第一内部电极和第三内部电极各自中的所述第二导电材料的含量以上。
[0200]
(附记8)
[0201]
根据附记1～7中任一项所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0202]
所述中间导体组还具有第三中间导体，其不与所述第一外部电极和所述第二外部电极连接，且隔着所述第二内部电极和所述第四内部电极与所述第一中间导体相对，
[0203]
第三中间导体包含所述第二导电材料，
[0204]
所述元件主体还包含低电阻化区域，所述低电阻化区域位于所述第二内部电极和所述第四内部电极与所述第三中间导体之间，并且扩散了所述第三中间导体所包含的所述第二导电材料。
[0205]
(附记9)
[0206]
根据附记8所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0207]
所述第二内部电极与所述第三中间导体的相对面积相对于所述第三中间导体的面积的比例为0.10～0.17，
[0208]
所述第四内部电极与所述第三中间导体的相对面积相对于所述第三中间导体的面积的比例为0.10～0.17。
[0209]
(附记10)
[0210]
根据附记1～9中任一项所述的层叠片状压敏电阻，其中，
[0211]
所述第一导电材料为钯，
[0212]
所述第二导电材料为铝。
[0213]
与上述附记相关联，本说明书包括以下的方式。在以下的各方式中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，并省略重复的说明。
[0214]
参照图7～图10，对本附记的层叠片状压敏电阻ec2的结构进行说明。图7是表示本说明书中公开的附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。图8是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。图9是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。在图9中，为了说明，从第一方向观察，有意地使第二中间导体从第一中间导体和第一和第二内部电极错开地图示。实际上，从第一方向观察，第二中间导体的外缘具有与第一中间导体的外缘和第一和第二内部电极的外缘重叠的部分。图10是表示本附记的层叠片状压敏电阻的截面结构的示意图。在图10中，为了便于说明，从第一方向观察，有意地使第三中间导体从第一中间导体和第三和第四内部电极错开地进行图示。实际上，从第一方向观察，第三中间导体的外缘具有与第一中间导体的外缘和第三和第四内部电极的外缘重叠的部分。
[0215]
层叠片状压敏电阻ec2包括：元件主体1；配置于元件主体1的外表面的第一和第二外部电极10、20；配置于元件主体1内的第一和第二内部电极组eg1、eg2；和配置于元件主体1的中间部的中间导体组eg3。本附记的元件主体1包含与上述的实施方式的元件主体1相同的材料的半导体陶瓷，具有与上述的实施方式的元件主体1相同的层叠结构。本附记的元件主体1具有与上述实施方式的元件主体1相同的外表面。
[0216]
本附记的第一外部电极10、20与上述的实施方式同样地配置于在第二方向d2上彼此相对的元件主体1的两端部。第一外部电极10配置于一个端部，第二外部电极20配置于另一个端部。在本附记中，第一外部电极10配置于端面1c，第二外部电极20配置于端面1d。本附记的第一外部电极10、20包含与上述的实施方式的第一外部电极10、20相同的材料，具有与上述的实施方式的第一外部电极10、20相同的结构。
[0217]
对第一和第二内部电极组eg1、eg2进行说明。第一内部电极组eg1靠近元件主体1内的一个端部配置，第二内部电极组eg2靠近元件主体1内的另一个端部配置。
[0218]
第一内部电极组eg1具有第一内部电极31和第二内部电极41。第一内部电极31和第二内部电极41在第一方向d1上彼此相对。第二内部电极组eg2具有第三内部电极32和第四内部电极42。第三内部电极32和第四内部电极42在第一方向d1上彼此相对。第一和第三内部电极31、32在元件主体1内在第二方向d2上彼此分离。第一和第三内部电极31、32例如在元件主体1内彼此配置于同一层。第二和第四内部电极41、42在元件主体1内在第二方向d2上彼此分离。第二和第四内部电极41、42例如在元件主体1内彼此配置于同一层。
[0219]
第一内部电极31具有一对端缘31a、31b。一对端缘31a、31b规定第一内部电极31的第二方向d2上的两端。第一内部电极31在元件主体1的两端部中的一个端部露出，在本附记中，端缘31a在端面1c露出。第一内部电极31与第一外部电极10连接，端缘31a与第一外部电极10的电极层e1连接。端缘31b与端面1d分离，不在端面1d露出。第一内部电极31具有一对端缘31c、31d。一对端缘31c、31d规定第一内部电极31的第三方向d3上的两端。端缘31c与侧面1e分离。端缘31d与侧面1f分离。
[0220]
第三内部电极32具有一对端缘32a、32b。一对端缘32a、32b规定第三内部电极32的第二方向d2上的两端。第三内部电极32在元件主体1的两端部中的另一个端部露出，在本附记中，端缘32a在端面1d露出。第三内部电极32与第二外部电极20连接，端缘32a与第二外部
电极20的电极层e1连接。端缘32b与端面1c分离，不在端面1c露出。第三内部电极32具有一对端缘32c、32d。一对端缘32c、32d规定第三内部电极32的第三方向d3上的两端。端缘32c与侧面1e分离。端缘32d与侧面1f分离。
[0221]
第二内部电极41具有一对端缘41a、41b。一对端缘41a、41b规定第二内部电极41的第二方向d2上的两端。第二内部电极41在元件主体1的两端部中的一个端部露出，在本附记中，端缘41a在端面1c露出。第二内部电极41与第一外部电极10连接，端缘41a与第一外部电极10的电极层e1连接。端缘41b与端面1d分离，不在端面1d露出。第二内部电极41具有一对端缘41c、41d。一对端缘41c、41d规定第二内部电极41的第三方向d3上的两端。端缘41c与侧面1e分离。端缘41d与侧面1f分离。
[0222]
第四内部电极42具有一对端缘42a、42b。一对端缘42a、42b规定第四内部电极42的第二方向d2上的两端。第四内部电极42在元件主体1的两端部中的另一个端部露出，在本附记中，端缘42b在端面1d露出。第四内部电极42与第二外部电极20连接，端缘42b与第二外部电极20的电极层e1连接。端缘42a与端面1c分离，不在端面1c露出。第四内部电极42具有一对端缘42c、42d。一对端缘42c、42d规定第四内部电极42的第三方向d3上的两端。端缘42c与侧面1e分离。端缘42d与侧面1f分离。
[0223]
第一和第二内部电极31、41和第三和第四内部电极32、42包含与上述的实施方式的第一和第二内部电极30、40相同的第一导电材料。在本附记中，第一和第二内部电极31、41和第三和第四内部电极32、42包含pd。
[0224]
从第一方向d1观察，第一和第二内部电极31、41和第三和第四内部电极32、42呈矩形。在本附记中，第一和第二内部电极31、41和第三和第四内部电极32、42分别彼此呈相同形状。第一和第二内部电极31、41的第二方向d2上的长度例如比第一和第二内部电极31、41的第三方向d3上的长度长。第三和第四内部电极32、42的第二方向d2上的长度例如比第三和第四内部电极32、42的第三方向d3上的长度长。
[0225]
第一和第三内部电极31、32各自的第二方向d2上的长度wk1、wk3例如为0.35～0.55mm。第一和第三内部电极31、32各自的第三方向d3上的长度wk2、wk4例如为0.15～0.25mm。第二和第四内部电极41、42各自的第二方向d2上的长度wk5、wk7例如为0.35～0.55mm。第二和第四内部电极41、42各自的第三方向d3上的长度wk6、wk8例如为0.15～0.25mm。在本附记中，长度wk1和长度wk3也可以彼此相同，长度wk2和长度wk4也可以彼此相同。长度wk5和长度wk7可以彼此相同，长度wk6和长度wk8可以彼此相同。长度wk1和长度wk5可以彼此相同，长度wk2和长度wk6可以彼此相同。长度wk3和长度wk7可以彼此相同，长度wk4和长度wk8可以彼此相同。
[0226]
对中间导体组eg3进行说明。中间导体组eg3具有第一中间导体51和第二中间导体52。第一中间导体51在第一方向d1上与第一内部电极31、第二内部电极41、第三内部电极32和第四内部电极42分离。在本附记中，第一中间导体51在第一方向d1上配置于第一和第三内部电极31、32与第二和第四内部电极41、42之间。第一中间导体51与第一内部电极31、第二内部电极41、第三内部电极32和第四内部电极42相对。
[0227]
第一中间导体51具有一对端缘51a、51b。一对端缘51a、51b规定第一中间导体51的第二方向d2上的两端。端缘51a与端面1c分离。端缘51a也与第一外部电极10分离。端缘51b与端面1d分离。端缘51b也与第二外部电极20分离。第一中间导体51不与第一和第二外部电
极10、20连接。第一中间导体51具有一对端缘51c、51d。一对端缘51c、51d规定第一中间导体51的第三方向d3上的两端。端缘51c与侧面1e分离。端缘51d与侧面1f分离。
[0228]
从第一方向d1观察，第一中间导体51例如呈矩形。第一中间导体51的第二方向d2上的长度例如比第一中间导体51的第三方向d3上的长度长。第一中间导体51的第二方向d2上的长度wp1例如为0.5～0.7mm。第一中间导体51的第三方向d3上的长度wp2例如为0.15～0.25mm。
[0229]
第二中间导体52在第一方向d1上与第一内部电极31和第三内部电极32分离。第二中间导体52隔着第一内部电极31和第三内部电极32与第一中间导体51相对。在本附记中，第二中间导体52在第一方向d1上例如位于第一和第三内部电极31、32与主面1a之间。第二中间导体52在第一方向d1上与第一内部电极31和第三内部电极32相对。
[0230]
第二中间导体52具有一对端缘52a、52b。一对端缘52a、52b规定第二中间导体52的第二方向d2上的两端。端缘52a与端面1c分离。端缘52a也与第一外部电极10分离。端缘52b与端面1d分离。端缘52b也与第二外部电极20分离。第二中间导体52不与第一和第二外部电极10、20连接。第二中间导体52具有一对端缘52c、52d。一对端缘52c、52d规定第二中间导体52的第三方向d3上的两端。端缘52c与侧面1e分离。端缘52d与侧面1f分离。
[0231]
从第一方向d1观察，第二中间导体52例如呈矩形。第二中间导体52的第二方向d2上的长度例如比第二中间导体52的第三方向d3上的长度长。第二中间导体52的第二方向d2上的长度wp3例如为0.5～0.7mm。第二中间导体52的第三方向d3上的长度wp4例如为0.15～0.25mm。在本附记中，长度wp1和长度wp3可以彼此相同，长度wp2和长度wp4可以彼此相同。
[0232]
从第一方向d1观察，第一内部电极31与第一中间导体51彼此重叠。第一内部电极31与第一中间导体51彼此重叠的第一区域rg1呈矩形。第一区域rg1的矩形形状由端缘51a、端缘31b、端缘51c、端缘51d划分出。第一区域rg1的矩形也可以由端缘51a、端缘31b、端缘31c和端缘31d划分出。
[0233]
第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相当于第一区域rg1的面积，例如由端缘51a的长度与端缘51c中的划分出第一区域rg1的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘51a的长度与第一中间导体51的第三方向d3上的长度wp2一致。端缘51a的长度例如为0.15～0.25mm。端缘51c中的划分出第一区域rg1的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第一区域rg1的面积、即第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例例如为0.10～0.17。
[0234]
从第一方向d1观察，第三内部电极32与第一中间导体51彼此重叠。第三内部电极32与第一中间导体51彼此重叠的第二区域rg2呈矩形。第二区域rg2的矩形形状由端缘32a、端缘51b、端缘51c和端缘51d划分出。第二区域rg2的矩形也可以由端缘32a、端缘51b、端缘32c和端缘32d划分出。
[0235]
第三内部电极32与第一中间导体51的相对面积相当于第二区域rg2的面积，例如由端缘51b的长度与端缘51c中的划分出第二区域rg2的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘51b的长度与第一中间导体51的第三方向d3上的长度wp2一致，例如为0.15～0.25mm。端缘51c中的划分出第二区域rg2的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第二区域rg2的面积、即第三内部电极32与第一中间导体51的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在
第一方向d1上，第三内部电极32与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例例如为0.10～0.17。第三内部电极32与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例，也可以跟第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例相同。
[0236]
从第一方向d1观察，第一内部电极31和第二中间导体52彼此重叠。第一内部电极31与第二中间导体52彼此重叠的第三区域rg3呈矩形。第三区域rg3的矩形形状由端缘52a、端缘31b、端缘52c和端缘52d划分出。第三区域rg3的矩形也可以由端缘52a、端缘31b、端缘31c和端缘31d划分出。
[0237]
第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积相当于第三区域rg3的面积，例如由端缘52a的长度与端缘52c中的划分出第三区域rg3的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘52a的长度与第二中间导体52的第三方向d3上的长度wp4一致，例如为0.15～0.25mm。端缘52c中的划分出第三区域rg3的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第三区域rg3的面积、即第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例例如为0.10～0.17。第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例，也可以跟第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例相同。第二中间导体52的面积也可以与第一中间导体51的面积相同。
[0238]
从第一方向d1观察，第三内部电极32与第二中间导体52彼此重叠。第三内部电极32与第二中间导体52彼此重叠的第四区域rg4呈矩形。第四区域rg4的矩形形状由端缘32a、端缘52b、端缘52c和端缘52d划分出。第四区域rg4的矩形也可以由端缘32a、端缘52b、端缘32c和端缘32d划分出。
[0239]
第三内部电极32与第二中间导体52的相对面积相当于第四区域rg4的面积，例如由端缘52b的长度与端缘52c中的划分出第四区域rg4的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘52b的长度与第二中间导体52的第三方向d3上的长度wp4一致，例如为0.15～0.25mm。端缘52c中的划分出第四区域rg4的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第四区域rg4的面积、即第三内部电极32与第二中间导体52的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第三内部电极32与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例例如为0.10～0.17。第三内部电极32与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例，也可以跟第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例相同。
[0240]
从第一方向d1观察，第二内部电极41与第一中间导体51彼此重叠。第二内部电极41与第一中间导体51彼此重叠的第五区域rg5呈矩形。第五区域rg5的矩形形状由端缘51a、端缘41b、端缘51c和端缘51d划分出。第五区域rg5的矩形也可以由端缘51a、端缘41b、端缘41c和端缘41d划分出。
[0241]
第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相当于第五区域rg5的面积，例如由端缘51a的长度与端缘51c中的划分出第五区域rg5的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘51a的长度与第一中间导体51的第三方向d3上的长度wp2一致，例如为0.15～0.25mm。端缘51c中的划分出第五区域rg5的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第五区域
rg5的面积、即第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例例如为0.10～0.17。第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例，也可以跟第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例相同。
[0242]
从第一方向d1观察，第四内部电极42与第一中间导体51彼此重叠。第四内部电极42与第一中间导体51彼此重叠的第六区域rg6呈矩形。第六区域rg6的矩形形状由端缘42a、端缘51b、端缘51c和端缘51d划分出。第四区域rg4的矩形也可以由端缘42a、端缘51b、端缘42c和端缘42d划分出。
[0243]
第四内部电极42与第一中间导体51的相对面积相当于第六区域rg6的面积，例如由端缘51b的长度与端缘51c中的划分出第六区域rg6的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘51b的长度与第一中间导体51的第三方向d3上的长度wp2一致，例如为0.15～0.25mm。端缘51c中的划分出第六区域rg6的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第六区域rg6的面积、即第四内部电极42与第一中间导体51的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第四内部电极42与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例例如为0.10～0.17。第四内部电极42与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例，也可以跟第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例相同。
[0244]
在层叠片状压敏电阻ec2中，中间导体组eg3包括第三中间导体53。第三中间导体53在第一方向d1上与第二内部电极41和第四内部电极42分离。第三中间导体53隔着第二内部电极41和第四内部电极42与第一中间导体51相对。在本附记中，第三中间导体53在第一方向d1上例如位于第二和第四内部电极41、42与主面1b之间。第三中间导体53在第一方向d1上与第二内部电极41和第四内部电极42相对。
[0245]
第三中间导体53具有一对端缘53a、53b。一对端缘53a、53b规定第三中间导体53的第二方向d2上的两端。端缘53a与端面1c分离。端缘53a也与第一外部电极10分离。在第二方向d2上，端缘53b与端面1d分离。端缘53b也与第二外部电极20分离。第三中间导体53不与第一和第二外部电极10、20连接。第三中间导体53具有一对端缘53c、53d。一对端缘53c、53d规定第三中间导体53的第三方向d3上的两端。端缘53c与侧面1e分离。端缘53d与侧面1f分离。
[0246]
从第一方向d1观察，第三中间导体53例如呈矩形。第三中间导体53的第二方向d2上的长度例如比第三中间导体53的第三方向d3上的长度长。第三中间导体53的第二方向d2上的长度wp5例如为0.5～0.7mm。第三中间导体53的第三方向d3上的长度wp6例如为0.15～0.25mm。长度wp5可以与长度wp1和长度wp3中的至少一个相同。长度wp6可以与长度wp2和长度wp4中的至少一个相同。
[0247]
从第一方向d1观察，第二内部电极41与第三中间导体53彼此重叠。从第一方向d1观察，第二内部电极41与第三中间导体53彼此重叠的第七区域rg7呈矩形。第七区域rg7的矩形形状由端缘53a、端缘41b、端缘53c和端缘53d划分出。第七区域rg7的矩形也可以由端缘53a、端缘41b、端缘41c和端缘41d划分出。
[0248]
第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积相当于第七区域rg7的面积，例如由端缘53a的长度与端缘53c中的划分出第七区域rg7的矩形形状的部分的长度之积规定。
端缘53a的长度与第三中间导体53的第三方向d3上的长度wp6一致。端缘53a的长度例如为0.15～0.25mm。端缘53c中的划分出第七区域rg7的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第七区域rg7的面积、即第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例例如为0.10～0.17。第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例，也可以跟第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例相同。第三中间导体53的面积也可以与第一中间导体51的面积相同。
[0249]
从第一方向d1观察，第四内部电极42与第三中间导体53彼此重叠。第四内部电极42与第三中间导体53彼此重叠的第八区域rg8呈矩形。第八区域rg8的矩形由端缘42a、端缘53b、端缘53c、端缘53d划分出。第八区域rg8的矩形也可以由端缘42a、端缘53b、端缘42c和端缘42d划分出。
[0250]
第四内部电极42与第三中间导体53的相对面积相当于第八区域rg8的面积，例如由端缘53b的长度与端缘53c中的划分出第八区域rg8的矩形形状的部分的长度之积规定。端缘53b的长度与第三中间导体53的第三方向d3上的长度wp6一致，例如为0.15～0.25mm。端缘53c中的划分出第八区域rg8的矩形形状的部分的长度例如为0.1～0.3mm。第八区域rg8的面积、即第四内部电极42与第三中间导体53的相对面积例如为0.015～0.075mm2。在第一方向d1上，第四内部电极42与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例例如为0.10～0.17。在本附记中，第四内部电极42与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例，也可以跟第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例相同。
[0251]
在本附记中，从第二方向d2观察，在第一方向d1上，第二中间导体52、第一和第三内部电极31、32、第一中间导体51、第二和第四内部电极41、42、和第三中间导体53按该顺序排列。第二中间导体52在第一方向d1上与第一和第三内部电极31、32分离。第一方向d1上的第二中间导体52与第一和第三内部电极31、32的间隔sd1例如大于0mm且为0.08mm以下。第一和第三内部电极31、32在第一方向d1上与第一中间导体51分离。第一方向d1上的第一和第三内部电极31、32与第一中间导体51的间隔sd2例如大于0mm且为0.08mm以下。第一中间导体51在第一方向d1上与第二和第四内部电极41、42分离。第一方向d1上的第一中间导体51与第二和第四内部电极41、42的间隔sd3例如大于0mm且为0.08mm以下。第二和第四内部电极41、42在第一方向d1上与第三中间导体53分离。第一方向d1上的第二和第四内部电极41、42与第二和第三中间导体53的间隔sd4例如大于0mm且为0.08mm以下。间隔sd1、间隔sd2、间隔sd3和间隔sd4也可以彼此相同。第二中间导体52在第一方向d1上与主面1a分离。第一方向d1上的第二中间导体52与主面1a的间隔例如大于0mm且为0.2mm以下。第三中间导体53在第一方向d1上与主面1b分离。第一方向d1上的第三中间导体53与主面1b的间隔例如大于0mm且为0.2mm以下。第二中间导体52与主面1a的间隔和第三中间导体53与主面1b的间隔可以比间隔sd1、间隔sd2、间隔sd3和间隔sd4中的任一个都大。
[0252]
端缘31b与端缘32a在第二方向d2上彼此分离。端缘31b与端缘32a的间隔se1例如大于0.005mm且为0.16mm以下。端缘41b与端缘42a在第二方向d2上彼此分离。端缘41b与端缘42a的间隔se2例如大于0.005mm且为0.16mm以下。间隔se1和间隔se2也可以彼此相同。在
本附记中，第一中间导体51的第二方向d2上的长度wp1比间隔se1和间隔se2大。第二中间导体52的第二方向d2上的长度wp3比间隔se1大。第三中间导体53的第二方向d2上的长度wp5比间隔se2大。
[0253]
第一和第三内部电极31、32的厚度和第二和第四内部电极41、42的厚度例如为5μm。第一和第三内部电极31、32的厚度与第二和第四内部电极41、42的厚度也可以分别彼此相同。第一、第二和第三中间导体51、52、53的厚度例如为5μm。第一、第二和第三中间导体51、52、53的厚度也可以分别彼此相同。
[0254]
第一、第二和第三中间导体51、52、53例如包含第一导电材料。第一中间导体51包含与第一导电材料不同的第二导电材料。第二中间导体52也可以包含第二导电材料。第三中间导体53也可以包含第二导电材料。第二导电材料是低电阻的导电材料，例如是al。第二导电材料例如可以是ga或in。第一、第二和第三中间导体51、52、53构成为包含第一导电材料和第二导电材料的导电膏的烧结体。在本附记中，第一、第二和第三中间导体51、52、53主要包含第一导电材料，第一、第二和第三中间导体51、52、53所包含的第一导电材料为pd。
[0255]
第一中间导体51中的第二导电材料的含量例如大于0原子％(atm％)且为5原子％以下。第一中间导体51中的第二导电材料的含量例如可以为0.1原子％以上且3原子％以下。第二中间导体52中的第二导电材料的含量例如大于0原子％且为5原子％以下。第二中间导体52中的第二导电材料的含量例如可以为0.1原子％以上且3原子％以下。第三中间导体53中的第二导电材料的含量例如大于0原子％且为5原子％以下。第三中间导体53中的第二导电材料的含量例如可以为0.1原子％以上且3原子％以下。在本附记中，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的第二导电材料的含量也可以分别彼此相同。
[0256]
元件主体1具有被第一区域rg1的第一内部电极31和第一中间导体51夹着的第一元件主体区域s1、和被第二区域rg2的第三内部电极32和第一中间导体51夹着的第二元件主体区域s2。第一元件主体区域s1的底面由第一区域rg1规定，第一元件主体区域s1的高度由第一和第三内部电极31、32与第一中间导体51的间隔sd2规定。第一元件主体区域s2的底面由第二区域rg2规定，第一元件主体区域s2的高度由间隔sd2规定。
[0257]
第一中间导体51例如构成为包含第二导电材料的导电膏的烧结体。在第一和第二元件主体区域s1、s2中扩散了与第一导电材料不同的第二导电材料。分别包围第一和第二元件主体区域s1、s2的区域包含没有扩散第二导电材料的部分。在扩散了第二导电材料的区域中，实现了该区域的低电阻化。元件主体1包括位于第一和第三内部电极31、32与第一中间导体51之间、且扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
[0258]
元件主体1具有被第三区域rg3的第一内部电极31和第二中间导体52夹着的第三元件主体区域s3、和被第四区域rg4的第三内部电极32和第二中间导体52夹着的第四元件主体区域s4。第三元件主体区域s3的底面由第三区域rg3规定，第三元件主体区域s3的高度由第一和第三内部电极31、32与第二中间导体52的间隔sd1规定。第四元件主体区域s4的底面由第四区域rg4规定，第四元件主体区域s4的高度由间隔sd1规定。
[0259]
第二中间导体52例如构成为包含第二导电材料的导电膏的烧结体。在第三和第四元件主体区域s3、s4中扩散了与第一导电材料不同的第二导电材料。分别包围第三和第四元件主体区域s3、s4的区域包含没有扩散第二导电材料的部分。在扩散了第二导电材料的区域中，实现了该区域的低电阻化。元件主体1位于第一和第三内部电极31、32与第二中间
导体52之间，并且包含扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
[0260]
元件主体1具有被第五区域rg5的第二内部电极41和第一中间导体51夹着的第五元件主体区域s5、和被第六区域rg6的第四内部电极42和第一中间导体51夹着的第六元件主体区域s6。第五元件主体区域s5的底面由第五区域rg5规定，第五元件主体区域s5的高度由第二和第四内部电极41、42与第一中间导体51的间隔sd3规定。第六元件主体区域s6的底面由第六区域rg6规定，第六元件主体区域s6的高度由间隔sd3规定。
[0261]
第一中间导体51例如构成为包含第二导电材料的导电膏的烧结体。在第五和第六元件主体区域s5、s6中扩散了第二导电材料。分别包围第五和第六元件主体区域s5、s6的区域包含没有扩散第二导电材料的部分。在扩散了第二导电材料的区域中，实现了该区域的低电阻化。元件主体1包括位于第二和第四内部电极41、42与第一中间导体51之间、且扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
[0262]
在配置有第三中间导体53的情况下，元件主体1具有被第七区域rg7的第二内部电极41和第三中间导体53夹着的第七元件主体区域s7、和被第八区域rg8的第四内部电极42和第三中间导体53夹着的第八元件主体区域s8。第七元件主体区域s7的底面由第七区域rg7规定，第七元件主体区域s7的高度由第二和第四内部电极41、42与第三中间导体53的间隔sd4规定。第八元件主体区域s8的底面由第八区域rg8规定，第八元件主体区域s8的高度由间隔sd4规定。
[0263]
第三中间导体53例如构成为包含第二导电材料的导电膏的烧结体。在第七和第八元件主体区域s7、s8中扩散了第二导电材料。分别包围第七和第八元件主体区域s7、s8的区域包含没有扩散第二导电材料的部分。在扩散了第二导电材料的区域中，实现了该区域的低电阻化。元件主体1位于第二和第四内部电极41、42与第三中间导体53之间，并且包含扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
[0264]
在本附记中，除了第一、第二和第三中间导体51、52、53以外，第一和第三内部电极31、32和第二和第四内部电极41、42除了第一导电材料以外，也可以包含低电阻的第二导电材料。第一和第三内部电极31、32和第二和第四内部电极41、42中的第二导电材料的含量例如为0原子％(atm％)以上且0.5原子％以下。第一和第三内部电极31、32和第二和第四内部电极41、42中的第二导电材料的含量例如可以大于0.1原子％且为0.3原子％以下。在第一和第三内部电极31、32和第二和第四内部电极41、42除了第一导电材料以外还包含第二导电材料的情况下，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的第二导电材料的含量也可以为第一和第三内部电极31、32和第二和第四内部电极41、42各自中的第二导电材料的含量以上。
[0265]
对本附记的层叠片状压敏电阻ec2的效果进行说明。层叠片状压敏电阻ec2包括显现可变电阻特性的元件主体1、配置于元件主体1的两端部的第一外部电极10和第二外部电极20、配置于元件主体1内的靠近一个端部的第一内部电极组eg1、配置于元件主体1内的靠近另一个端部的第二内部电极组eg2、和配置于元件主体1的中间部的中间导体组eg3。第一内部电极组eg1包含具有第一导电材料、且与第一外部电极10连接并且彼此相对的第一内部电极31和第二内部电极41。第二内部电极组eg2包含具有第一导电材料、且与第二外部电极20连接并且彼此相对的第三内部电极32和第四内部电极42。中间导体组eg3具有：第一中间导体，其不与第一外部电极10和第二外部电极20连接，且与第一内部电极31、第二内部电
极、第三内部电极和第四内部电极相对；和第二中间导体52，其不与第一外部电极10和第二外部电极20连接，且隔着第一内部电极31和第三内部电极32与第一中间导体51相对。第一中间导体51包含与第一导电材料不同的第二导电材料。元件主体1包括低电阻化区域，该低电阻化区域位于第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间，并且扩散了第一中间导体51所包含的第二导电材料。
[0266]
在本附记中，元件主体1在第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间，具有扩散了第一中间导体51所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec2的esd耐受量提高。
[0267]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第一内部电极31与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例为0.10～0.17。第二内部电极41与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例为0.10～0.17。第三内部电极32与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例为0.10～0.17。第四内部电极42与第一中间导体51的相对面积相对于第一中间导体51的面积的比例为0.10～0.17。
[0268]
因此，第二导电材料切实地扩散到了位于第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量切实地提高。
[0269]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第二中间导体52包含第二导电材料，元件主体1包含位于第一内部电极31和第三内部电极32与第二中间导体52之间、且扩散了第二中间导体52所包含的第二导电材料的低电阻化区域。
[0270]
因此，元件主体1在第一内部电极31和第三内部电极32与第二中间导体52之间具有扩散了第二中间导体52所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec2的esd耐受量进一步提高。
[0271]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第一内部电极31与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例为0.10～0.17。第三内部电极32与第二中间导体52的相对面积相对于第二中间导体52的面积的比例为0.10～0.17。
[0272]
因此，第二导电材料切实地扩散到了位于第一和第三内部电极31、32与第二中间导体52之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量切实地提高。
[0273]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42包含第二导电材料。
[0274]
因此，第二导电材料从第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42扩散到了位于第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量切实地提高。
[0275]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第一中间导体51中的第二导电材料的含量为第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42各自中的第二导电材料的含量以上。
[0276]
因此，第二导电材料从第一中间导体51更进一步切实地扩散到了位于第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量更进一步切实地提高。
[0277]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第二中间导体52中的第二导电材料的含量为第一和第三内部电极31、32各自中的第二导电材料的含量以上。
[0278]
因此，第二导电材料从第二中间导体52更进一步切实地扩散到了位于第一和第三内部电极31、32与第二中间导体52之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量更进一步切实地提高。
[0279]
在层叠片状压敏电阻ec2中，中间导体组eg3具有不与第一外部电极10和第二外部电极20连接，且隔着第二内部电极41和第四内部电极42与第一中间导体51相对的第三中间导体53。第三中间导体53包含第二导电材料。元件主体1包含低电阻化区域，该低电阻化区域位于第二内部电极41和第四内部电极42与第三中间导体53之间，并且扩散了第三中间导体53所包含的第二导电材料。
[0280]
因此，元件主体1在第二和第四内部电极41、42与第三中间导体53之间，具有扩散了第三中间导体53所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec2的esd耐受量进一步提高。
[0281]
在层叠片状压敏电阻ec2中，第二内部电极41与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例为0.10～0.17。第四内部电极42与第三中间导体53的相对面积相对于第三中间导体53的面积的比例为0.10～0.17。
[0282]
因此，第二导电材料切实地扩散到了位于第二和第四内部电极41、42与第三中间导体53之间的上述区域。其结果是，在层叠片状压敏电阻ec2中，esd耐受量更切实地提高。
[0283]
在层叠片状压敏电阻ec2中，如上所述，中间导体组eg3可以是包含第一中间导体51和第二中间导体52的结构，也可以是包含第一中间导体51、第二中间导体52和第三中间导体53的结构。在层叠片状压敏电阻ec2中，中间导体组eg3也可以是包括第一中间导体51和第三中间导体53的结构。即使在中间导体组eg3包含第一中间导体51和第三中间导体53的结构中，层叠片状压敏电阻ec2的esd耐受量也切实地提高。
[0284]
接着，通过本附记的参考例1～参考例15，对层叠片状压敏电阻ec2进行说明。以下的参考例1～参考例15中的元件主体1的形状和尺寸与上述的实施例1的元件主体1的形状和尺寸相同。本附记的发明不限于下述例子。
[0285]
(参考例1)
[0286]
参考例1的层叠片状压敏电阻ec2的结构如下。
[0287]
在参考例1中，层叠片状压敏电阻ec2在元件主体1内配置有第一和第三内部电极31、32、第一和第二中间导体51、52、以及第二和第四内部电极41、42。间隔sd1、间隔sd2、间隔sd3和间隔sd4为0.060mm。第二中间导体52与主面1a的间隔和第三中间导体53与主面1b的间隔为0.150mm。间隔sd1、间隔sd2、间隔sd3和间隔sd4彼此相等。在以下的参考例2～参考例14和参考例15中，间隔sd1、间隔sd2、间隔sd3和间隔sd4也彼此相等。
[0288]
从第一方向d1观察，第一和第三内部电极31、32、以及第二和第四内部电极41、42的形状呈矩形。内部电极31、32、41、42各自的第二方向d2上的长度wk1、wk3、wk5、wk7为0.4325mm。内部电极31、32、41、42各自的第三方向d3上的长度wk2、wk4、wk6、wk8为0.2mm。从第一方向d1观察的内部电极31、32、41、42的面积为0.0865mm2。
[0289]
第一和第二中间导体51、52的形状从第一方向d1观察为矩形。第一和第二中间导体51、52各自的第二方向d2上的长度wp1、wp3为0.63mm。第一和第二中间导体51、52各自的
第三方向d3上的长度wp2、wp4为0.2mm。从第一方向d1观察的第一和第二中间导体51、52的面积为0.126mm2。
[0290]
第一区域rg1～第六区域rg6在第二方向d2上的长度为0.104mm。第一区域rg1～第六区域rg6在第三方向d3上的长度为0.2mm。第一区域rg1～第六区域rg6的面积为0.0208mm2。在第一区域rg1～第六区域rg6中，在第一方向d1上，第一区域rg1～第六区域rg6的面积相对于第一和第二中间导体51、52的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。参考例1的相对面积是第一区域rg1～第六区域rg6中的一个相对区域的面积相对于第一和第二中间导体51、52中的一个中间导体的面积的比例。参考例1的相对面积例如相当于从第一方向d1观察到的第一区域rg1的面积相对于第一中间导体51的面积的比例。
[0291]
在参考例1中，内部电极31、32、41、42中的al的含量为0原子％，第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0.1原子％。在参考例1中，与上述的实施例1同样地，进行esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验。
[0292]
(参考例2)
[0293]
在参考例2中，除了第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0.5原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0294]
(参考例3)
[0295]
在参考例3中，除了第一和第二中间导体51、52中的al的含量为1原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0296]
(参考例4)
[0297]
在参考例4中，除了第一和第二中间导体51、52中的al的含量为3原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0298]
(参考例5)
[0299]
在参考例5中，除了第一和第二中间导体51、52中的al的含量为5原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0300]
(参考例6)
[0301]
在参考例6中，除了配置第一和第二中间导体51、52之外，还配置第三中间导体53，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0.1原子％。第七区域rg7和第八区域rg8的第二方向d2上的长度为0.104mm，第三方向d3上的长度为0.2mm。第七区域rg7和第八区域rg8的面积为0.0208mm2。在第一区域rg1～第八区域rg8中，在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0302]
(参考例7)
[0303]
在参考例7中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0304]
(参考例8)
[0305]
在参考例8中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为1原子％，除此以外，与参考例1同样地进
行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0306]
(参考例9)
[0307]
在参考例9中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为3原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0308]
(参考例10)
[0309]
在参考例10中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0310]
(参考例11)
[0311]
在参考例11中，与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6的第二方向d2上的长度小41μm，相对面积的比例为0.10，第二中间导体52中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0312]
(参考例12)
[0313]
在参考例12中，与参考例1相比，第一区域rg1～第八区域rg8的第二方向d2上的长度小41μm，相对面积的比例为0.10，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第二中间导体52中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0314]
(参考例13)
[0315]
在参考例13中，除了内部电极31、32、41、42中的al的含量为0.5原子％、第一和第二中间导体51、52中的al的含量为1原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0316]
(参考例14)
[0317]
在参考例14中，除了内部电极31、32、41、42中的al的含量为0.5原子％、第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0.5原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。
[0318]
(参考例15)
[0319]
在参考例15中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，内部电极31、32、41、42中的al的含量为0.5原子％，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为1原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0320]
(参考例16)
[0321]
在参考例16中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，内部电极31、32、41、42中的al的含量为0.5原子％，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻ec2的准备和
试验。在第一方向d1上，第一区域rg1～第八区域rg8的面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例、即相对面积的比例为0.17。
[0322]
(参考例17)
[0323]
在参考例17中，在第一和第三内部电极31、32与第二和第四内部电极41、42之间仅配置第一中间导体51，第一中间导体51中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0324]
(参考例18)
[0325]
在参考例18中，与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6的第二方向d2上的长度小-22μm，相对面积的比例为0.20，第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。第一区域rg1～第六区域rg6的长度小-22μm的表述表示与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6在第二方向d2上的长度大22μm。
[0326]
(参考例19)
[0327]
在参考例19中，除了第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0原子％以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0328]
(参考例20)
[0329]
在参考例20中，与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6的第二方向d2上的长度小41μm，相对面积的比例为0.10，第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0330]
(参考例21)
[0331]
在参考例21中，与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6的第二方向d2上的长度小-22μm，相对面积的比例为0.20，第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0332]
(参考例22)
[0333]
在参考例22中，与参考例1相比，第一区域rg1～第六区域rg6的第二方向d2上的长度小73μm，相对面积的比例为0.05，第一和第二中间导体51、52中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0334]
(参考例23)
[0335]
在参考例23中，与参考例1相比，第一区域rg1～第八区域rg8的第二方向d2上的长度小-22μm，相对面积的比例为0.20，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0336]
(参考例24)
[0337]
在参考例24中，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0338]
(参考例25)
[0339]
在参考例25中，与参考例1相比，第一区域rg1～第八区域rg8的第二方向d2上的长度小41μm，相对面积的比例为0.10，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中
间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0340]
(参考例26)
[0341]
在参考例26中，与参考例1相比，第一区域rg1～第八区域rg8的第二方向d2上的长度小-22μm，相对面积的比例为0.20，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0342]
(参考例27)
[0343]
在参考例27中，与参考例1相比，第一区域rg1～第八区域rg8的第二方向d2上的长度小73μm，相对面积的比例为0.05，除了第一和第二中间导体51、52之外，还配置有第三中间导体53，第一、第二和第三中间导体51、52、53中的al的含量为0.5原子％，除此以外，与参考例1同样地进行层叠片状压敏电阻的准备和试验。
[0344]
图11是表示本附记的层叠片状压敏电阻的参考例1～参考例16中的试验结果的图表。图11表示参考例1～参考例16的层叠片状压敏电阻的各要素、esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的结果、和基于这些试验结果的特性评价的结果。图12是表示本附记的层叠片状压敏电阻的参考例17～参考例27中的试验结果的图表。图12表示参考例17～参考例27的层叠片状压敏电阻的各要素、esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的结果、和基于这些试验结果的特性评价的结果。在图11和图12中，层叠片状压敏电阻的各要素是层叠片状压敏电阻所包含的中间导体的数量、与参考例1相比的第一区域rg1～第六区域rg6或者第一区域rg1～第八区域rg8在第二方向d2上的长度(在图中，标记为相对长度[μm])、相对面积的比例、内部电极的al含量[atm％]、和中间导体的al含量[atm％]。在图11和图12中，在esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验中的全部试验结果被判断为“良好”的情况下，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“良好”。在esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验中的试验结果中的任一个都被判断为“不良”的情况下，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。在图11和图12中，在层叠片状压敏电阻的特性被评价为“良好”的情况下，在评价的栏中标记“a”，在层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”的情况下，在评价的栏中标记“b”。
[0345]
参考例中的评价如下所述。
[0346]
如图11所示，在参考例1～参考例5中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一和第二中间导体51、52。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52的相对面积相对于中间导体51、52的面积的比例为0.17。中间导体51、52中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例1～参考例5中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果均被判断为“良好”。在参考例1～参考例5中，层叠片状压敏电阻ec2的特性被评价为“良好”。
[0347]
在参考例6～参考例10中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52、53的相对面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例为0.17。中间导体51、52、53中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例6～参考例10中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果均被判断为“良好”。在参考例6～参考例10中，层叠片状压敏电阻
ec2的特性被评价为“良好”。
[0348]
在参考例11中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一和第二中间导体51、52。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52的相对面积相对于中间导体51、52的面积的比例为0.10。中间导体51、52中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例11中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果被判断为“良好”。在参考例11中，层叠片状压敏电阻ec2的特性被评价为“良好”。
[0349]
在参考例12中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52、53的相对面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例为0.10。中间导体51、52、53中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例12中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果被判断为“良好”。在参考例12中，层叠片状压敏电阻ec2的特性被评价为“良好”。
[0350]
在参考例13和参考例14中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一和第二中间导体51、52。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52的相对面积相对于中间导体51、52的面积的比例为0.17。相对于内部电极31、32、41、42中的al的含量大于0的情况，中间导体51、52中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例13和参考例14中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果均被判断为“良好”。在参考例13和参考例14中，层叠片状压敏电阻ec2的特性被评价为“良好”。
[0351]
在参考例15和参考例16中，层叠片状压敏电阻ec2包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。内部电极31、32、41、42与中间导体51、52、53的相对面积相对于中间导体51、52、53的面积的比例为0.17。相对于内部电极31、32、41、42中的al的含量大于0的情况，中间导体51、52中的al的含量为内部电极31、32、41、42中的al的含量以上。在参考例15和参考例16中，esd耐受量试验、能量耐受量试验、漏电流试验和动态电阻试验的判断结果均被判断为“良好”。在参考例15和参考例16中，层叠片状压敏电阻ec2的特性被评价为“良好”。
[0352]
在参考例17中，在第一和第三内部电极31、32与第二和第四内部电极41、42之间仅配置有第一中间导体51。在参考例17中，动态电阻试验的结果被判断为“不良”，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0353]
在参考例18～参考例20中，层叠片状压敏电阻包括第一和第二中间导体51、52。中间导体51、52中的al的含量为0原子％。在参考例18～参考例20中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和动态电阻试验的结果均被判断为“不良”。在参考例18～参考例20中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0354]
在参考例21中，层叠片状压敏电阻包括第一和第二中间导体51、52。相对面积的比例大于1.7。在参考例21中，esd耐受量试验和能量耐受量试验的结果被判断为“不良”。在参考例21中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0355]
在参考例22中，层叠片状压敏电阻包括第一和第二中间导体51、52。相对面积的比例小于1.0。在参考例21中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和动态电阻试验的结果被判断为“不良”。在参考例21中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0356]
在参考例23～参考例25中，层叠片状压敏电阻包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。中间导体51、52、53中的al的含量为0原子％。在参考例23～参考例25中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和动态电阻试验的结果均被判断为“不良”。在参考例23～参考例25
中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0357]
在参考例26中，层叠片状压敏电阻包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。相对面积的比例大于1.7。在参考例26中，esd耐受量试验和能量耐受量试验的结果被判断为“不良”。在参考例26中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0358]
在参考例27中，层叠片状压敏电阻包括第一、第二和第三中间导体51、52、53。相对面积的比例小于1.0。在参考例27中，esd耐受量试验、能量耐受量试验和动态电阻试验的结果被判断为“不良”。在参考例27中，层叠片状压敏电阻的特性被评价为“不良”。
[0359]
以上，对本附记和参考例进行了说明，但本附记的内容未必限定于与上述附记关联的上述方式和参考例，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
[0360]
在本附记中，第一中间导体51也可以不包含第二导电材料。在第一中间导体51包含第二导电材料的结构中，如上所述，元件主体1在第一、第二、第三和第四内部电极31、41、32、42与第一中间导体51之间具有扩散了第一中间导体51所包含的第二导电材料的区域。扩散了第二导电材料的区域，与没有扩散该第二导电材料的区域相比电阻较低，层叠片状压敏电阻ec2的esd耐受量提高。
[0361]
在本附记和参考例中，以层叠片状压敏电阻为例进行了说明，但能够应用的部件不限于上述的层叠片状压敏电阻。上述的层叠片状压敏电阻以外能够应用的部件例如是包括压敏电阻的片状电子部件。
[0362]
虽然上面已经描述了本发明的实施方式，但是本发明并不限于该实施方式，并且该实施方式可以在不脱离本发明的范围的情况下进行各种改变。