显示面板和移动终端的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板和移动终端。


背景技术：

2.屏内指纹识别可以增加屏幕的附加价值、实现大面积的指纹识别，扩展了显示面板的应用范围。
3.目前，屏内指纹识别技术中的光电传感器为pin二极管，但pin二极管中的非晶硅中氢元素的含量较高；对于低温多晶氧化物产品而言，pin二极管中的氢元素会扩散至晶体管中由铟镓锌氧化物形成的有源层中，导致对应的晶体管的特性难以控制，降低了对应的晶体管工作的可靠性。
4.因此，现有的采用pin二极管的光电传感器与包含铟镓锌氧化物的晶体管存在无法兼容的问题，急需改进。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供显示面板和移动终端，以解决现有的因pin二极管中的氢元素扩散至晶体管中由铟镓锌氧化物形成的有源层，导致的晶体管工作的可靠性较低的技术问题。
6.本发明实施例提供显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：
7.基板；
8.氧化物有源层，位于所述基板上，所述氧化物有源层的组成材料包括氧化物；
9.光敏二极管层，位于所述基板上，所述光敏二极管层包括第一膜层、位于所述第一膜层上的第二膜层，所述第二膜层的组成材料包括金属氧化物，所述第一膜层的组成材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。
10.在一实施例中，所述光敏二极管层还包括：
11.阴极层，所述阴极层位于所述第二膜层远离所述第一膜层的一侧，所述阴极层的组成材料包括透明的金属；
12.阳极层，所述阳极层位于所述第一膜层远离所述第二膜层的一侧。
13.在一实施例中，包括：
14.发光层，位于所述基板上；
15.像素驱动电路层，位于所述基板和所述发光层之间，所述像素驱动电路层电性连接至所述发光层；
16.光电转化电路层，位于所述基板上，所述光电转化电路层电性连接至所述光敏二极管层；
17.其中，所述像素驱动电路层、所述光电转化电路层两者中的至少一者包括一所述
氧化物有源层。
18.在一实施例中，所述像素驱动电路层包括驱动晶体管和第一开关晶体管，所述第一开关晶体管电性连接至所述驱动晶体管，所述驱动晶体管电性连接至所述发光层；
19.其中，所述驱动晶体管中的驱动有源层的组成材料包括低温多晶硅，所述第一开关晶体管包括所述氧化物有源层。
20.在一实施例中，所述光电转化电路层包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管电性连接至所述阴极层，所述第二开关晶体管包括所述氧化物有源层。
21.在一实施例中，所述光敏二极管层中的所述阳极层具有工作电压，所述阳极层通过所述第二开关晶体管电性连接至输出信号线。
22.在一实施例中，所述氧化物有源层的组成材料和所述第二膜层的组成材料相同，所述第二膜层和所述第二开关晶体管中的所述氧化物有源层同层设置或者异层设置。
23.在一实施例中，所述第二开关晶体管包括位于对应的所述氧化物有源层远离所述基板一侧的第四开关栅极层；
24.其中，所述第二膜层和所述第二开关晶体管中的所述氧化物有源层异层设置，所述第四开关栅极层和所述阳极层同层设置。
25.在一实施例中，所述第二开关晶体管包括位于对应的所述氧化物有源层靠近所述基板一侧的第三开关栅极层；
26.其中，所述第二膜层和所述第二开关晶体管中的所述氧化物有源层同层设置，所述第三开关栅极层和所述阳极层同层设置。
27.本发明实施例提供移动终端，所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
28.本发明提供了显示面板和移动终端，所述显示面板包括基板；氧化物有源层，位于所述基板上，所述氧化物有源层的组成材料包括氧化物；光敏二极管层，位于所述基板上，所述光敏二极管层包括第一膜层、位于所述第一膜层上的第二膜层，所述第二膜层的组成材料包括铟镓锌氧化物，所述第一膜层的组成材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。其中，本发明通过将所述光敏二极管层设置为包括叠层设置的第一膜层和第二膜层，以避免采用非晶硅制作光敏二极管层，从而降低了光敏二极管层中氢元素的含量，进而减少了扩散至晶体管中由铟镓锌氧化物形成的有源层中氢元素的含量，提高了对应的晶体管工作的可靠性。
附图说明
29.下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图。
31.图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。
32.图3为本发明实施例提供的再一种显示面板的截面示意图。
33.图4为本发明实施例提供的包含了光敏二极管层在紫外光照射下电流-电压曲线图。
34.图5为本发明实施例提供的包含了光敏二极管层在可见光照射下电流-电压曲线图。
35.图6为本发明实施例提供的光电转化电路单元的电路结构示意图。
36.图7为本发明实施例提供的光电转化电路层的电路结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“远离”、“靠近”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
39.另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。
40.本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例之间的组合。
41.在一实施例中，如图1至图3所示，所述显示面板100包括：基板10；氧化物有源层20，位于所述基板10上，所述氧化物有源层20的组成材料包括氧化物；光敏二极管层30，位于所述基板10上，所述光敏二极管层30包括第一膜层301、位于所述第一膜层301上的第二膜层302，所述第二膜层302的组成材料包括金属氧化物，所述第一膜层301的组成材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。其中，氧化物有源层20的组成材料可以包括但不限于铟镓锌氧化物，第一膜层301的组成材料可以包括但不限于铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓氧化物、铟镓锌锡氧化物。
42.其中，第一膜层301可以通过沉积的方式制作，第一膜层301的厚度范围可以为10纳米至100纳米；第二膜层302可以通过沉积的方式制作，第二膜层302的厚度范围可以为20纳米至100纳米。需要注意的是，第二膜层302的厚度可以影响第二膜层302中的载流子的数目，从而影响光敏二极管层30的导通电压，即可以根据光敏二极管层30的导通电压需求设置合适的第二膜层302的厚度。具体的，如图4和图5所示，图4为包含了光敏二极管层30在紫外光照射下电流-电压曲线图，图5为包含了光敏二极管层30在可见光照射下电流-电压曲线图，其中，包含了初始、光线照射和黑暗这三种状态下的电流-电压曲线图，观察图4和图5可知：在紫外光关闭时，关断电流水平降低约7个数量级，即光敏二极管层30在紫外光照射下可以具有持续的光电流；在可见光照射时，关断电流水平增加约4个数量级，在黑暗状态下，关断电流恢复到初始状态。综上所述，本实施例中的光敏二极管层30在紫外光和可见光下可以起到光传感器的作用。
43.结合上文论述，本实施例中的光敏二极管层30可以实现对于光线的检测，可以理
解的，在所述显示面板100包括由氧化物形成的氧化物有源层20的前提下，本实施例中通过将光敏二极管层30设置为包括叠层设置的第一膜层301和第二膜层302，且第二膜层302的组成材料包括金属氧化物，从而避免采用非晶硅制作形成其它类型的光敏二极管，可以降低光敏二极管层30中氢元素的含量，进而减少了扩散至晶体管中由氧化物形成的有源层中氢元素的含量，提高了对应的晶体管工作的可靠性。
44.在一实施例中，如图2至图3所示，所述光敏二极管层30还包括：阴极层303，所述阴极层303位于所述第二膜层302远离所述第一膜层301的一侧，所述阴极层303的组成材料包括透明的金属；阳极层304，所述阳极层304位于所述第一膜层301远离所述第二膜层302的一侧。
45.需要注意的是，在竖直方向上，本实施例中的阴极层303为光敏二极管层30与基板10距离最大的膜层，即光线可以经由阴极层303入射以作用于光敏二极管层30，使得光敏二极管层30产生光电流，因此，本实施例中采用透明的金属制作阴极层303可以避免降低对于光线的透过，最大程度保真光线，以提高光敏二极管层30对于光线的感知能力，以提高光敏二极管层30工作的可靠性。其中，阴极层303的组成材料可以包括但不限于铟锡氧化物，可以采用金属剥离工艺对用于形成阴极层303的膜层进行图案化处理形成阴极层303，以避免刻蚀液对于第二膜层302的损伤。
46.进一步的，阳极层304的组成材料可以包括金属，即阴极层303和阳极层304均具有导电性，阴极层303和阳极层304中的至少一者可以电性连接至电压源使得光敏二极管层30两端具有反向电压差，以使光敏二极管层30中的光电流可以随光照强度和光波长的改变而改变，阴极层303和阳极层304中的至少一者可以电性连接至引线以将光电流形成的总电荷释放以便于侦测。
47.在一实施例中，如图2和图3所示，所述显示面板100还包括：发光层，位于所述基板10上；像素驱动电路层，位于所述基板10和所述发光层之间，所述像素驱动电路层电性连接至所述发光层；光电转化电路层，位于所述基板10上，所述光电转化电路层电性连接至所述光敏二极管层30；其中，所述像素驱动电路层、所述光电转化电路层两者中的至少一者包括一所述氧化物有源层20。
48.具体的，如图2和图3所示，发光层可以包括多个发光部40，像素驱动电路层可以包括多个像素驱动电路单元50，多个发光部40和多个像素驱动电路单元50可以一一对应，且每一像素驱动电路单元50可以电性连接至对应的发光部40，以使每一像素驱动电路单元50控制对应的发光部40的发光情况。具体的，光敏二极管层30也可以包括多个光敏二极管部60，光电转化电路层也可以包括多个光电转化电路单元70，多个光敏二极管部60和多个光电转化电路单元70可以一一对应，且每一光电转化电路单元70可以电性连接至对应的光敏二极管部60，以使每一光电转化电路单元70控制是否读取对应的光敏二极管部60在光线下产生的电荷。
49.进一步的，多个光敏二极管部60和多个光电转化电路单元70可以位于显示面板100中的特定区域或者分布于全部区域，以实现相应的光学功能，光学功能可以为但不限于指纹识别功能、拍照功能。具体的，当光学功能为指纹识别功能时，多个光敏二极管部60和多个光电转化电路单元70可以位于显示面板100中的特定区域，例如特定区域在息屏状态下可以保持常亮，以实时侦测由于指纹接触特定区域而产生的电荷量，从而进行指纹识别；
或者，特定区域在息屏状态下同样保持息屏，当感知指纹接触任一区域时，特定区域可以点亮以提示指纹移位至该特定区域，同理，可以进行后续的指纹识别；或者，多个光敏二极管部60和多个光电转化电路单元70可以分布于显示面板100中的全部区域，当感知指纹接触任一区域时，该区域可以点亮以作为指纹识别区域，同理，可以进行后续的指纹识别。具体的，当光学功能为拍照功能时，多个光敏二极管部60和多个光电转化电路单元70可以位于显示面板100中的特定区域，且特定区域中还设有镜头、数字信号处理芯片器件，例如特定区域在工作状态下，多个光敏二极管部60可以接收通过镜头的光线，结合多个光电转化电路单元70将这些光信号转换成为电信号，再通过数字信号处理芯片经过一系列数学算法运算，对数字图像信号进行优化处理，最后把处理后的信号传到显示器上。
50.结合上文论述，本实施例中的氧化物有源层20可以包含于像素驱动电路层、光电转化电路层两者中的至少一者，可以理解的，本实施例中的通过将光敏二极管层30设置为包括叠层设置的第一膜层301和第二膜层302，而避免采用非晶硅制作形成其它类型的光敏二极管，可以降低光敏二极管层30中氢元素的含量，无论像素驱动电路层还是光电转化电路层中包括氧化物有源层20，均可以减少扩散至氧化物有源层20中氢元素的含量，提高了对应的晶体管工作的可靠性，进一步提高了对应的像素驱动电路层或者光电转化电路层工作的可靠性。
51.在一实施例中，如图2和图3所示，所述像素驱动电路层包括驱动晶体管501和第一开关晶体管502，所述第一开关晶体管502电性连接至所述驱动晶体管501，所述驱动晶体管501电性连接至所述发光层；其中，所述驱动晶体管501中的驱动有源层5011的组成材料包括低温多晶硅，所述第一开关晶体管502包括所述氧化物有源层20。
52.结合上文论述，每一像素驱动电路单元50可以包括一驱动晶体管501和一第一开关晶体管502，其中，第一开关晶体管502和驱动晶体管501的连接关系可以根据像素驱动电路单元50对应的像素电路结构进行设置，此处以像素电路结构为例进行说明，即第一开关晶体管502的栅极可以电性连接至对应的像素扫描线，第一开关晶体管502的源极可以电性连接至对应的像素数据线，第一开关晶体管502的漏极可以电性连接至对应的驱动晶体管501的栅极以控制驱动晶体管501的开启情况，驱动晶体管501的源极可以电性连接至工作电源线，驱动晶体管501的漏极可以电性连接至对应的光敏二极管部60以控制对应的光敏二极管部60的发光情况。
53.具体的，如图2和图3所示，驱动有源层5011位于基板10上，驱动晶体管501可以为顶栅结构或者底栅结构，此处以驱动晶体管501为顶栅结构为例进行说明。驱动晶体管501还包括位于驱动有源层5011上的驱动栅极层5012和位于驱动栅极层5012上的驱动源漏极层，驱动源漏极层包括靠近于驱动有源层5011两端的驱动源极层5013和驱动漏极层5014，驱动源极层5013通过过孔设计电性连接至驱动有源层5011的一端，驱动漏极层5014通过过孔设计电性连接至驱动有源层5011的另一端。
54.进一步的，驱动有源层5011和驱动栅极层5012之间可以设有第一栅极绝缘层101，第一栅极绝缘层101可以覆盖于驱动有源层5011并且延伸至覆盖基板10；第一栅极层5012上可以设有第二栅极绝缘层102，第二栅极绝缘层102可以延伸至覆盖第一栅极绝缘层101；第二栅极绝缘层102上可以设有第一金属层103，第一金属层103可以与驱动栅极层5012相对设置以形成电容，第一金属层103与驱动栅极层5012形成的电容可以用于但不限于存储
电荷；第一金属层103上可以设有第一介电层105，第一介电层105可以延伸至覆盖第二栅极绝缘层102；基板10和驱动晶体管501之间也可以设有缓冲层106，缓冲层106可以具有遮光性能以保证驱动有源层5011、氧化物有源层20工作的可靠性。
55.具体的，如图2和图3所示，第一开关晶体管502可以为顶栅结构、底栅结构或者双栅结构，此处以第一开关晶体管502为双栅结构为例进行说明。第一开关晶体管502可以包括位于对应的氧化物有源层20靠近基板10的一侧的第一开关栅极层5021、位于对应的氧化物有源层20远离基板10的一侧的第二开关栅极层5022，双栅结构的第一开关晶体管502可以具有较快的切换速度、高开态电流、低漏电流以及稳定的阈值电压，同理，第一开关晶体管502还包括位于对应的氧化物有源层20上的第一开关源漏极层，第一开关源漏极层包括靠近于对应的氧化物有源层20两端的第一开关源极层5023和第一开关漏极层5024，第一开关源极层5023通过过孔设计电性连接至对应的氧化物有源层20的一端，第一开关漏极层5024通过过孔设计电性连接至对应的氧化物有源层20的另一端。
56.进一步的，第一开关栅极层5021可以和第一金属层103同层设置以节省制程，即第一开关晶体管502中的氧化物有源层20上也可以位于第一介电层105上；第一开关晶体管502中的氧化物有源层20和第二开关栅极层5022之间可以设有第三栅极绝缘层107，第三栅极绝缘层107可以延伸至覆盖第一介电层105上；第二开关栅极层5022上可以设有第二介电层108，第二介电层108可以延伸至覆盖第三栅极绝缘层107。结合上文论述，第一开关源极层5023可以通过贯穿第二介电层108和第三栅极绝缘层107以电性连接至对应的氧化物有源层20的一端，同理，第一开关漏极层5024也可以通过贯穿第二介电层108和第三栅极绝缘层107以电性连接至对应的氧化物有源层20的另一端；同理，驱动源极层5013可以通过贯穿第二介电层108、第三栅极绝缘层107、第一介电层105、第二栅极绝缘层102和第一栅极绝缘层101电性连接至驱动有源层5011的一端，同理，驱动漏极层5014也可以通过贯穿第二介电层108、第三栅极绝缘层107、第一介电层105、第二栅极绝缘层102和第一栅极绝缘层101电性连接至驱动有源层5011的另一端。
57.可以理解的，本实施例中采用低温多晶硅制作的驱动晶体管501有更好的开关速度和更强的电流驱动能力，采用氧化物制作的第一开关晶体管502具有漏电低、均一性高的特点，使得形成的低温多晶氧化物产品可以兼顾具有更加利于驱动发光层发光以及更加有利于控制驱动晶体管开启这两种优点。
58.在一实施例中，如图2和图3所示，所述光电转化电路层包括第二开关晶体管701，所述第二开关晶体管701电性连接至所述阴极层303，所述第二开关晶体管701包括所述氧化物有源层20。
59.结合上文论述，每一光电转化电路单元70包括一第二开关晶体管701，且阴极层303和阳极层304中的至少一者可以电性连接至引线以将光电流形成的总电荷释放以便于侦测，进一步的，本实施例中的第二开关晶体管701可以电性连接于引线和阴极层303之间，以控制引线和阴极层303之间的通断。同理，本实施例中采用氧化物制作的第二开关晶体管701也具有漏电低、均一性高的特点。
60.具体的，如图2和图3所示，第二开关晶体管701可以为顶栅结构、底栅结构或者双栅结构，此处以第二开关晶体管701为双栅结构为例进行说明。可以理解的，由于第二开关晶体管701所需特性和第一开关晶体管502所需特性相同，即第二开关晶体管701的具体结
构可以参考第一开关晶体管502的具体结构。其中，第二开关晶体管701可以包括位于对应的氧化物有源层20靠近基板10的一侧的第三开关栅极层7011、位于对应的氧化物有源层20远离基板10的一侧的第四开关栅极层7012，位于对应的氧化物有源层20上的第二开关源漏极层，第二开关源漏极层包括靠近于对应的氧化物有源层20两端的第二开关源极层7013和第二开关漏极层7014。进一步的，第三开关栅极层7011可以和第一开关栅极层5021同层设置，第四开关栅极层7012可以和第二开关栅极层5022同层设置，第二开关晶体管701的氧化物有源层20和第一开关晶体管502的氧化物有源层20同层设置；即第一介电层105还位于第三开关栅极层7011和第一开关栅极层5021上，第三栅极绝缘层107还位于第二开关晶体管701的氧化物有源层20，第二介电层108还位于第四开关栅极层7012；第二开关源极层7013可以通过贯穿第二介电层108和第三栅极绝缘层107以电性连接至对应的氧化物有源层20的一端，第二开关漏极层7014也可以通过贯穿第二介电层108和第三栅极绝缘层107以电性连接至对应的氧化物有源层20的另一端，结合上文论述，第二开关漏极层7014可以电性连接至阴极层303。
61.结合图2至图6所示，每一光电转化电路单元70还可以包括并联于第二开关晶体管701的存储电容702，当光敏二极管层30感知光照后，光敏二极管层30相当于一个光电池，输出电压呈现为阳极层304为正、阴极层303为负，随光照强度的改变，光敏二极管层30的输出电压也随着改变，即存储电容702两端的电压也随之变化；进一步的，阴极层303电性连接至第二开关晶体管701，当第二开关晶体管701开启时，存储电容702两端用于形成压降的电荷可以经由第二开关晶体管701释放以被侦测。同理，如图7所示，对于阵列排布的多个光电转化电路单元70构成的光电转化电路层而言，每一光电转化电路单元70中的存储电容702仍然可以在对应的第二开关晶体管701开启之前具有和光照相关的电压差，进一步的，可以通过多条栅极线01逐行开启第二开关晶体管701，并且通过多条侦测线02以逐行侦测对应的电信号。
62.具体的，如图2和图3所示，驱动源漏极层、第一开关源漏极层和第二开关源漏极层上可以设有钝化层104，钝化层104还可以延伸至覆盖第二介电层108，钝化层104上可以设有第一平坦层1091，第一平坦层1091上可以设有桥接层1092，桥接层1092上设有第二平坦层1093，第二平坦层1093延伸至覆盖第一平坦层1091，桥接层1092通过过孔设计以贯穿第一平坦层1091和部分钝化层104以电性连接至驱动漏极层5014，第二平坦层1093上可以设有发光部40和像素定义层1094，像素定义层1094可以形成有开口以容纳发光部40，发光部40通过过孔设计以贯穿第二平坦层1093以电性连接至桥接层1092，从而电性连接至驱动漏极层5014。
63.特别的，此处以指纹识别为例进行说明，如图2和图3所示，光敏二极管层30感知的光照可以为由发光部40发出的光线经由指纹反射至光敏二极管层30上的光线。可以理解的，每一指纹在不同区域的凸凹状况不一样，可以决定对应位置的反射光线的光强，从而决定对应位置的存储电容702两端的电压不同，造成阵列排布的多个光电转化电路单元70被侦测的电信号不同，从而可以通过对应的多个电信号进行指纹识别。特别的，结合图2至图6所示，存储电容702可以由相对设置的阴极层303和阳极层304构成，进一步的，由于第二开关漏极层7014电性连接至阴极层303，阳极层304可以延伸至与第二开关漏极层7014相对设置，以扩大存储电容702的容量。
64.在一实施例中，如图2和图3所示，所述光敏二极管层30中的所述阳极层304具有工作电压。结合上文论述，在阴极层303电性连接至第二开关晶体管701的基础上，如图7所示，本实施例中的多个阳极层304可以通过外围引线03电性连接至工作电压源，以使多个阳极层304具有工作电压，可以理解为使得光敏二极管层30具有反偏电压。当光敏二极管层30感知光照后，光敏二极管层30相当于一个恒流源，光敏二极管层30在反偏电压的作用下产生的反向电流随光照强度的增加而线性增加，反向电流传输到存储电容上进行电荷的存储；同理，当第二开关晶体管701开启时，存储电容702上的电荷可以经由第二开关晶体管701释放以被侦测。
65.在一实施例中，如图2和图3所示，所述氧化物有源层20的组成材料和所述第二膜层302的组成材料相同，所述第二膜层302和所述第二开关晶体管701中的所述氧化物有源层20同层设置或者异层设置。具体的，可以采用铟锡锌氧化物制作第二膜层302和氧化物有源层20，进一步的，结合上文论述，第二开关漏极层7014电性连接至阴极层303，光敏二极管层30可以位于第二开关漏极层7014靠近基板10的一侧，可以避免由氧化无制作的第二膜层302靠近封装层，进一步降低了第二膜层302失效的风险。
66.在一实施例中，如图2所示，结合上文论述，所述第二开关晶体管701包括位于对应的所述氧化物有源层20远离所述基板10一侧的第四开关栅极层7012；其中，所述第二膜层302和所述第二开关晶体管701中的所述氧化物有源层20异层设置，所述第四开关栅极层7012和所述阳极层304同层设置。可以理解的，由于第二开关晶体管701中的氧化物有源层20的需求和光敏二极管层30中的第二膜层302的需求不同，本实施例中将两者异层设置，即可以设置一种氧化物的沉积条件形成第二膜层302，以及设置另一种氧化物的沉积条件形成第二开关晶体管701中的氧化物有源层20，以制取合适性能的第二膜层302和第二开关晶体管701中的氧化物有源层20。
67.进一步的，如图2所示，第四开关栅极层7012和阳极层304可以同层设置，两者的组成材料可以相同，以同时制作两者以节省制程。具体的，第一膜层301、第二膜层302和阴极层303可以依此设于阳极层304上，且第二介电层108也可以位于阴极层303上，即第二介电层108覆盖第二开关栅极层5022、第四开关栅极层7012和光敏二极管层30，位于第二介电层108上的第二开关漏极层7014可以通过贯穿于第二介电层108中位于阴极层303的上表面的部分以电性连接至阴极层303。
68.在一实施例中，如图3所示，结合上文论述，所述第二开关晶体管701包括位于对应的所述氧化物有源层20靠近所述基板10一侧的第三开关栅极层7011；其中，所述第二膜层302和所述第二开关晶体管701中的所述氧化物有源层20同层设置，所述第三开关栅极层7011和所述阳极层304同层设置。可以理解的，结合上文论述，由于氧化物有源层20的组成材料和第二膜层302的组成材料相同，本实施例中将两者同层设置虽然不便于分别调整两者的沉积条件，但是可以节省制程。
69.进一步的，如图3所示，第三开关栅极层7011和阳极层304可以同层设置，两者的组成材料可以相同，以同时制作两者以节省制程。具体的，第一膜层301、第二膜层302和阴极层303可以依此设于阳极层304上，特别的，第一介电层105相对于阳极层304的部分可以通过但不限于刻蚀的方式挖除，以降低第一介电层105的厚度对于第一膜层301和阳极层304的连通，第一膜层301可以自阳极层304上延伸至覆盖第一介电层105。由于第二膜层302和
第二开关晶体管701中的氧化物有源层20同层设置，第三栅极绝缘层107还位于阴极层303上，位于第二介电层108上的第二开关漏极层7014可以通过贯穿于第二介电层108以及第三栅极绝缘层107中位于阴极层303的上表面的部分以电性连接至阴极层303。
70.本发明提供移动终端，所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
71.本发明提供了显示面板和移动终端，所述显示面板包括基板；氧化物有源层，位于所述基板上，所述氧化物有源层的组成材料包括氧化物；光敏二极管层，位于所述基板上，所述光敏二极管层包括第一膜层、位于所述第一膜层上的第二膜层，所述第二膜层的组成材料包括铟镓锌氧化物，所述第一膜层的组成材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。其中，本发明通过将所述光敏二极管层设置为包括叠层设置的第一膜层和第二膜层，以避免采用非晶硅制作光敏二极管层，从而降低了光敏二极管层中氢元素的含量，进而减少了扩散至晶体管中由铟镓锌氧化物形成的有源层中氢元素的含量，提高了对应的晶体管工作的可靠性。
72.以上对本发明实施例所提供的显示面板和移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。