显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月11日提交的韩国专利申请第10-2020-0150212号的优先权和权益，其出于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中完整阐述一样。
技术领域
3.本公开总体涉及显示装置及其制造方法。


背景技术：

4.除了电视或监视器的显示屏外，显示装置还广泛用作膝上型计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示装置和便携式信息装置的显示屏。
5.近年来，已经对使用发光元件的显示装置进行了研究和开发，并且这种显示装置由于具有高图像质量和高可靠性而作为下一代显示器受到关注。这种显示装置是自发光装置，并且具有低功耗、高速响应、高发光效率、高亮度和宽视角。显示装置作为下一代显示器已经引起关注，下一代显示器是可以安装在电子产品或家用电器(诸如电视、监视器、膝上型计算机、智能电话、平板计算机、电子平板、可穿戴装置、手表电话、便携式信息装置、导航装置或车辆控制显示装置)上以显示图像的显示器。
6.显示装置也用作大面积显示器，并且在这种情况下，由于由透明导电金属材料制成的阴极电极的高电阻，阴极电压的电压降(ir压降)使亮度均匀性变差。
7.在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并且因此，本背景技术部分可能包含不构成该国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

8.实施例提供一种可以防止大面积显示装置中阴极的电压降的显示装置及其制造方法。
9.本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从该描述变得显而易见，或者可以通过本发明构思的实践获知。
10.本发明的实施例提供了一种显示装置，包括：基板；晶体管，被布置在基板上；第一电极，连接到晶体管；辅助电极，与第一电极布置在同一层上；发射层，被布置在第一电极上；以及第二电极，被布置在发射层上，其中，辅助电极包括开口，并且辅助电极的侧表面和第二电极在辅助电极的开口处直接接触。
11.辅助电极的开口的凹槽可以被布置在辅助电极的侧表面处，并且辅助电极和第二电极可以在凹槽中彼此接触。
12.发射层的一部分可以被布置于在垂直于基板的表面的方向上与辅助电极的开口重叠的区域中，并且发射层和辅助电极可以不接触。
13.显示装置可以进一步包括：绝缘膜，被布置在晶体管与第一电极之间，其中，绝缘膜可以包括在垂直于基板的表面的方向上与晶体管重叠的第一绝缘开口以及在垂直于基
板的表面的方向上不与晶体管重叠的第二绝缘开口，同时被布置在第一绝缘开口与第二绝缘开口之间的绝缘膜的截面可以在垂直于基板的表面的方向上弯曲。
14.绝缘膜的第二绝缘开口可以与辅助电极的开口重叠。
15.辅助电极和第二电极可以在绝缘膜的第二绝缘开口内直接接触。
16.另一实施例提供了一种显示装置，包括：基板；多个晶体管，被布置在基板上；多个第一电极，分别连接到多个晶体管；辅助电极，与多个第一电极布置在同一层上并且沿着一个方向布置；发射层，被布置在第一电极上；以及具有板状的第二电极，被布置在发射层上，其中，辅助电极在一个区域中包括开口，并且辅助电极的侧表面和第二电极在辅助电极的开口处直接接触。
17.辅助电极的开口的凹槽可以被布置在辅助电极的侧表面处，并且辅助电极的凹槽与第二电极可以接触。
18.显示装置可以进一步包括：绝缘膜，被布置在晶体管与第一电极之间，其中，绝缘膜可以包括与辅助电极的开口重叠的开口，同时绝缘膜的与绝缘膜的开口邻近的截面在垂直于基板的表面的方向上弯曲。
19.辅助电极可以沿着绝缘膜的弯曲的表面布置。
20.发射层可以被布置在绝缘膜的开口内，并且发射层和辅助电极可以不接触。
21.第二电极可以被布置成与绝缘膜的开口中的发射层接触，并且第二电极和辅助电极可以接触。
22.另一实施例提供了一种显示装置的制造方法，包括：准备其上布置有晶体管的基板；在晶体管上形成包括与晶体管重叠的第一绝缘开口和不与晶体管重叠的第二绝缘开口的绝缘膜；在绝缘膜上沉积第一电极材料；蚀刻第一电极材料以形成第一电极和包括开口的辅助电极；在第一电极和辅助电极上形成隔断墙；蚀刻辅助电极以在辅助电极中形成凹槽；在隔断墙上形成发射层；以及在发射层上形成第二电极，其中，辅助电极的侧表面与第二电极在辅助电极的开口处直接接触。
23.第一电极和晶体管可以在绝缘膜的第一绝缘开口处彼此接触，并且绝缘膜的第二绝缘开口和辅助电极的开口可以彼此重叠。
24.辅助电极和第二电极可以在绝缘膜的第二绝缘开口处彼此接触，并且第二电极可以与辅助电极的凹槽直接接触。
25.被布置在绝缘膜的第一绝缘开口和第二绝缘开口之间的绝缘膜的截面可以在垂直于基板的表面的方向上弯曲。
26.隔断墙可以包括在垂直于基板的表面的方向上与第一电极重叠的开口，并且在隔断墙上形成发射层时，发射层可以形成在隔断墙的开口和绝缘膜的第二绝缘开口中。
27.发射层可以在绝缘膜的第二绝缘开口中不与辅助电极接触。
28.在隔断墙上形成发射层时，发射层的材料的热沉积角可以是40度或更大。
29.在发射层上形成第二电极时，第二电极的材料的热沉积角可以是20度或更小。
30.根据实施例，可以提供可以防止大面积显示装置中阴极的电压降的显示装置及其制造方法。
31.应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
32.附图被包括以提供对本发明的进一步理解并被结合在本说明书中且构成本说明书的一部分，附图图示出了本发明的说明性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思。
33.图1示意性地图示出根据本文中描述的实施例的显示装置中的具有第一电极、辅助电极和第二电极的配置的像素。
34.图2示意性地图示出图1中由“a”指示的区域中的像素的截面图。
35.图3图示出图2中由“c”指示的部分的放大图。
36.图4图示出被布置在图1中由“b”指示的部分处的像素的截面图。
37.图5图示出在绝缘膜的开口内沉积发射层的角度。
38.图6图示出在绝缘膜的开口内沉积第二电极的角度。
39.图7、图8、图9、图10、图11和图12图示出根据本文中描述的实施例的显示装置的制造工艺的截面图。
40.图13示意性地图示出根据本文中描述的实施例的一个像素的第一电极、辅助电极、发射层和第二电极的配置。
具体实施方式
41.在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对本发明的各种实施例或实现方式的透彻理解。如本文中所使用，“实施例”和“实现方式”是可互换的词，其是采用本文中所公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种实施例可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同设置的情况下实践。在其他实例中，公知的结构和设备采用框图形式以避免不必要地混淆各种实施例。进一步，各种实施例可以是不同的，但是不必是排他的。例如，可以在另一实施例中使用或实现实施例的具体形状、配置和特性，而不脱离本发明构思。
42.除非另外指明，否则所图示的实施例应理解为提供在实践中可以实现本发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另外指明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地被称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新排列，而不脱离本发明构思。
43.通常提供附图中交叉影线和/或阴影的使用以阐明邻近的元件之间的边界。因此，除非指明，否则无论是存在还是不存在交叉影线或阴影都不能传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所图示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特征、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可能夸大了元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
44.当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。
45.尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
46.诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，在“侧壁”中)等的空间相对术语在本文中可用于描述性目的，并且从而以描述如附图中所图示的一个元件与另一(些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除附图中所描绘的定向之外设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种定向。此外，设备可以以其他方式(例如，旋转90度或以其他定向)定向，并且因此，本文中使用的空间相对描述语可以进行相应地解释。
47.x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z、或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如，xyz、xyy、yz和zz。如本文中所使用，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
48.本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，并非旨在进行限制。如本文中所使用，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。此外，当术语“包含”和/或“包括”及其变体在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。还应注意，如本文中所使用，术语“基本”、“约”以及其他类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且因此，被用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
49.在本文中参照是理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化是可以预期的。因此，本文中公开的实施例不必一定被解释为限于区域的特定图示出的形状，而应包括由于例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中图示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此，不一定旨在是限制性的。
50.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，例如在常用词典中限定的术语，应当被解释为具有与其在相关技术的背景中的含义一致的含义，并且不应当以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
51.图1示意性地图示出根据实施例的显示装置中的具有第一电极191、辅助电极193和第二电极270的配置的像素px。参照图1，根据本实施例的显示装置包括彼此分开布置以对应于每个像素px的第一电极191。如本文中所图示，辅助电极193与第一电极191被布置在同一层上。被布置成与第一电极191和辅助电极193重叠的第二电极270可以具有板状。尽管图1中未图示出，但是在每个像素中，第一电极191可以连接到晶体管，并且发射层360(在图2中示出)可以被布置在第一电极191与第二电极270之间。
52.如图1中所图示，开口195形成在辅助电极193的一部分中。当第二电极270在开口
195处与辅助电极193接触时，可以防止第二电极270的电压降(ir压降)。也就是说，在大面积显示装置中被施加到第二电极270的电压可以根据面积而降低，但是因为第二电极270的一部分与辅助电极193接触，所以根据本实施例的显示装置防止了这种现象。
53.将参照以下附图详细描述第二电极270和辅助电极193的详细接触图示。
54.图2示意性地图示出图1中由虚线“a”指示的区域中的像素的截面图。参照图2，根据本实施例的显示装置包括基板sub和被布置在基板sub上的半导体层act。半导体层act可以是半导体有源层。
55.基板sub可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。基板sub可以是刚性基板或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基板。基板sub可以是单层的或多层的。基板sub可以是其中至少一个无机层和包括顺序地堆叠的聚合物树脂的至少一个基底层交替地堆叠的基板。
56.半导体层act可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的一种。例如，半导体层act可以包括低温多晶硅(ltps)或者包含锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)及其混合物中的至少一种的氧化物半导体材料。例如，半导体层可以包括氧化铟镓锌(igzo)。
57.栅绝缘膜gi可以被布置在半导体层act上。栅绝缘膜gi可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氧氮化硅(sio
x
ny)，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。
58.栅电极ge可以位于栅绝缘膜gi上。栅电极ge可以在垂直于基板sub的表面的方向上与半导体层act重叠。栅电极ge可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)或其金属氧化物，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。
59.层间绝缘膜ild可以被布置在栅电极ge上。层间绝缘膜ild可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氧氮化硅(sio
x
ny)，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。当层间绝缘膜ild具有包括氮化硅和氧化硅的多层结构时，包括氮化硅的层可以被布置成比包括氧化硅的层更靠近基板sub。
60.层间绝缘膜ild可以包括与半导体层act重叠的第一层间开口ip1和第二层间开口ip2。
61.包括源电极se和漏电极de的数据导电层被布置在层间绝缘膜ild上。源电极se可以在第一层间开口ip1处与半导体层act接触，并且漏电极de可以在第二层间开口ip2处与半导体层act接触。数据导电层可以包括铝(al)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)或其金属氧化物，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。
62.半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de形成晶体管tft。
63.绝缘膜via可以被布置在数据导电层和层间绝缘膜ild上。绝缘膜via可以包括诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
64.绝缘膜via可以包括与漏电极de重叠的第一绝缘开口op1以及与漏电极de邻近的第二绝缘开口op2。如图2中所图示，第二绝缘开口op2可以被布置成不与漏电极de重叠，并且可以被布置成在垂直于基板sub的方向上不与第一电极191重叠。
65.在这种情况下，第一绝缘开口op1与第二绝缘开口op2之间的绝缘膜via在垂直于
基板sub的表面的方向上可以具有弯曲的截面。因为第二绝缘开口op2附近的绝缘膜via具有弯曲的表面，所以辅助电极193和第二电极270可以如本文中所描述的那样彼此接触。稍后将描述其具体接触形状。
66.参照图2，第一电极191和辅助电极193被布置在绝缘膜via的不同部分上。第一电极191在绝缘膜via的第一绝缘开口op1处与漏电极de接触。辅助电极193与第一电极191通过同一工艺形成并且与第一电极191被布置在同一层上。多个辅助电极193可以如图1中所图示沿着x方向从左到右布置，可以在第二绝缘开口op2中在z方向上垂直于基板sub延伸，并且可以包括开口195。图2图示出包括辅助电极193的开口195的截面图。辅助电极193的开口195可以与绝缘膜via的第二绝缘开口op2重叠并且被布置在绝缘膜via的第二绝缘开口op2内。
67.第一电极191可以是从晶体管tft接收像素电压的像素电极。
68.第一电极191和辅助电极193可以包含诸如银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)或金(au)的金属，并且也可以包含诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物(tco)。第一电极191可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括它们的多层形成。例如，第一电极191可以具有氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)的三层结构。
69.图3图示出图2中由虚线“c”指示的部分的放大图。同时参照图2和图3，凹槽194形成在辅助电极193的一个侧表面处。此后，第二电极270和辅助电极193可以在辅助电极193的凹槽194中彼此接触。
70.隔断墙350被布置在绝缘膜via上。隔断墙350包括与其邻近并且在垂直于基板sub的表面的z方向上与第一电极191重叠的第三开口op3。另外，隔断墙350包括与绝缘膜via的第二绝缘开口op2重叠的第四开口op4。
71.发射层360被布置在绝缘膜via和隔断墙350上。发射层360可以被布置在隔断墙350的第三开口op3中、隔断墙350的上表面上，并且延伸到绝缘膜via的第二绝缘开口op2中。
72.发射层360形成为在第二绝缘开口op2的底部处不与辅助电极193接触。这是通过在发射层360的沉积工艺中使用有机材料的热沉积角来完成的。
73.同时参照图2和图3，在第二绝缘开口op2的底部处，发射层360不与辅助电极193接触。
74.如所图示，第二电极270形成在发射层360上。第二电极270形成在发射层360的上表面上，被布置在隔断墙350的第三开口op3中，并且形成在绝缘膜via的第二绝缘开口op2中。
75.第二电极270可以包括包含钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)或钙(ca)的反射金属或者诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物(tco)。
76.第二电极270在显示装置的整个区域中被布置为板，并且可以是被供给有公共电压的公共电极。
77.第一电极191、发射层360和第二电极270可以形成发光元件led。
78.参照图3，第二电极270在绝缘膜via的第二绝缘开口op2中与辅助电极193的侧表面接触。也就是说，如本文中所描述，第二电极270通过金属材料的热沉积角形成为连接到
辅助电极193的凹槽194。邻近发射层360的端部是第二电极270中的靠近第二绝缘开口op2的上部部分的断口。朝向第二绝缘开口op2的中部部分和下部部分，第二电极270在凹槽194中与辅助电极193接触。
79.这样，因为第二电极270在凹槽194中与辅助电极193接触，所以可以防止被施加到第二电极270的电压的下降。在图2和图3中，被布置在绝缘膜via的第二绝缘开口op2内的第二电极270似乎与被布置在绝缘膜via的第二绝缘开口op2外的第二电极270分离，但是如图1中所图示，第二电极270具有板状，并且第二电极270在不同部分处彼此连接。
80.图4图示出被布置在图1中由“b”指示的部分处的像素的截面图。参照图4，除了绝缘膜via不包括第二绝缘开口op2之外，在对应的位置处的像素与图2的像素相同。将省略相同组成元件的详细描述。参照图4，辅助电极193不包括开口，并且发射层360和第二电极270顺序地被布置在辅助电极193上。
81.也就是说，根据本实施例的显示装置的特征在于，具有弯曲的侧表面的开口(第二绝缘开口op2)形成在绝缘膜via中，并且凹槽194形成在辅助电极193的侧表面处，使得辅助电极193和第二电极270彼此接触。因此，在大面积显示装置中，可以防止被施加到大面积的第二电极270的电压针对每个区域不同的现象。
82.这是因为由有机材料制成的发射层360的热沉积角和由金属材料制成的第二电极270的热沉积角不同。
83.图5图示出发射层360沉积在绝缘膜via的第二绝缘开口op2内的角。为了便于解释，图5中所图示的截面图是虚拟截面图，并且其中仅图示出第一电极191、辅助电极193、绝缘膜via和发射层360的配置。如图5中所图示，发射层360的热沉积角θ1可以是约40度或更大。因此，发射层360没有形成在辅助电极193的凹槽194中，并且发射层360形成为不与辅助电极193接触。
84.图6图示出第二电极270沉积在绝缘膜via的第二绝缘开口op2内的角。为了便于解释，图6中所图示的截面图是虚拟截面图，并且其中仅图示出第一电极191、辅助电极193、绝缘膜via、发射层360和第二电极270的配置。如图6中所图示，第二电极270的热沉积角θ2可以是约20度或更小。因此，因为第二电极270以比发射层360的角更小的角沉积，所以第二电极270可以形成到其中没有形成发射层360的区域。
85.因此，如图6中所图示，第二电极270可以形成到辅助电极193的凹槽194，并且可以与辅助电极193直接接触。
86.如上所描述，根据本实施例的显示装置的特征在于，具有弯曲的侧表面的开口形成在绝缘膜via中，凹槽194形成在辅助电极193的侧表面处，并且发射层360和第二电极270的热沉积角不同，使得辅助电极193和第二电极270彼此接触。因此，可以减轻和改进大面积显示装置中由第二电极270的电压降引起的显示特性劣化。
87.在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施例的显示装置的制造方法。图7至图12图示出根据实施例的显示装置的制造工艺的截面图。
88.参照图7，包括基板sub和被布置在基板sub上的半导体层act。栅绝缘膜gi被布置在半导体层act上，并且栅电极ge和层间绝缘膜ild被布置在栅绝缘膜gi上。源电极se和漏电极de被布置在层间绝缘膜ild上。基板sub、半导体层act、栅绝缘膜gi、栅电极ge、层间绝缘膜ild、源电极se和漏电极de的描述与以上参照图1描述的那些相同，因此将省略相同组
成元件的详细描述。
89.参照图7，绝缘膜via包括与漏电极de重叠的第一绝缘开口op1和不与漏电极de重叠的第二绝缘开口op2。第一绝缘开口op1是其中后面将描述的第一电极191与漏电极de接触的区域，并且第二绝缘开口op2是其中辅助电极193和第二电极270彼此接触的区域。
90.如图7中所图示，第一绝缘开口op1与第二绝缘开口op2之间的绝缘膜via在垂直于基板sub的表面的z方向上具有弯曲的截面。辅助电极193和第二电极270可以通过使用在第二绝缘开口op2中具有弯曲的表面的绝缘膜via的倾斜表面而彼此接触。
91.参照图8，第一电极191形成在绝缘膜via上。在这种情况下，第一电极191形成在绝缘膜via的包括第一绝缘开口op1和第二绝缘开口op2的整个表面上。
92.接下来，参照图9，光刻胶700被布置在第一电极191的各段上以形成第一电极191和辅助电极193，如图2中所图示。如图9中所图示，蚀刻第一电极191的一部分以形成辅助电极193。第二绝缘开口op2中的辅助电极193的中心被提供成具有开口195。此后，第二电极270能够在辅助电极193的开口195中与辅助电极193接触。
93.接下来，参照图10，隔断墙350形成在第一电极191和辅助电极193上。隔断墙350包括与第一电极191重叠的第三开口op3和与绝缘膜via的第二绝缘开口op2重叠的第四开口op4。
94.接下来，参照图11，光刻胶700被布置在隔断墙350的第三开口op3上，并且蚀刻辅助电极193的侧表面以形成凹槽194。如图11中所图示，凹槽194形成为在辅助电极193的端部向内凹入。这稍后变成其中第二电极270与辅助电极193接触的区域。
95.接下来，参照图12，发射层360形成在第一电极191和隔断墙350上。发射层360也形成在绝缘膜via的第二绝缘开口op2中。在这种情况下，如图5中所描述，当形成发射层360时，发射层360通过热沉积角不形成在辅助电极193的凹槽194中，并且不与辅助电极193接触。
96.接下来，第二电极270形成在发射层360上。如图6中所描述，第二电极270以20度或更小的热沉积角形成，并且也形成在辅助电极193的凹槽194中并且与辅助电极193接触。通过这种方式，可以制造图2中所图示的显示装置。
97.图13示意性地图示出用于一个像素的第一电极191、辅助电极193、发射层360和第二电极270的配置。如图13中所图示，第一电极191被布置成针对每个像素px间隔开，并且辅助电极193与第一电极191形成在同一层上。辅助电极193的一部分包括连接到第二电极270的连接部196。在图13中，连接部196被图示为从辅助电极193突出的配置，但是连接部196可以具有与如上所描述的形成在辅助电极193中的开口195相同的形状。
98.如图13中所图示，发射层360被布置在第一电极191上。也可以针对每个像素px布置发射层360。第二电极270完全被布置在发射层360上。第二电极270具有跨多个像素布置的板状，并且在连接部196处与辅助电极193接触。因此，可以防止大面积显示装置中的第二电极270的电压降。
99.尽管在本文中已经描述了一些实施例和实现方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的较宽范围以及对本领域普通技术人员来说显而易见的各种明显的修改和等同设置。