存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备与流程

技术特征：
1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，包括：开启待测存储芯片中的存储单元；在所述存储单元中写入测试数据；从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据；根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，开启所述待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于所述存储单元的标准开启电压；和/或，所述存储单元的开启时间大于所述存储单元的标准开启时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据之前，包括：向所述存储单元施加预设衬底电压；其中，所述预设衬底电压小于所述存储单元的标准字线衬底电压。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述存储单元中写入测试数据的步骤与所述从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据的步骤之间具有一段静置时间。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述静置时间大于等于30ms且小于等于200ms。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一方向上，所述待测存储芯片包括多列存储单元，每一列存储单元采用一个或者多个检测周期；所述在所述存储单元中写入测试数据，包括：在处于同一个检测周期内的存储单元中写入测试数据；所述从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据，包括：从处于同一个检测周期内的存储单元中读取存储数据。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述待测存储芯片的各列存储单元按照遍历的形式进行测试；其中，所述遍历的方向为所述第一方向。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第二方向上，所述待测存储芯片包括多行存储单元，每一行存储单元采用一个或者多个检测周期；所述在所述存储单元中写入测试数据，包括：在处于同一个检测周期内的存储单元中写入测试数据；所述从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据，包括：从处于同一个检测周期内的存储单元中读取存储数据。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述待测存储芯片的各行存储单元按照遍历的形式进行测试；其中，所述遍历的方向为所述第二方向。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试数据包括具有相等数据位的多个二进制序列，且每个所述二进制序列具有不同的数据拓扑。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：按照以下方式确定所述测试数据：以所述测试数据中的任意一个或多个数据位为转换位，对所述测试数据进行遍历访问，并将遍历访问到的转换位的数据进行翻转，直至遍历完所述测试数据中的每个二进制序列。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，各行所述存储单元或者各列所述存储单元的位数大于或等于所述测试数据的位数。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，各行所述存储单元或者各列所述存储单元的位数为所述测试数据的位数的整数倍。13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述数据拓扑中有且只有二个数据位为0。14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果，包括：比较所述读取数据和所述测试数据，若所述读取数据和所述测试数据不同，则判定该存储单元出现读写错误。15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，开启待测存储芯片中的存储单元之前，还包括：对所述待测存储芯片中的存储单元进行初始化处理。16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述字线开启电压大于或等于2伏特且小于或等于4.5伏特，所述开启时间大于0且小于或等于100毫秒。17.一种存储芯片的测试装置，其特征在于，包括：开启模块，用于开启待测存储芯片中的存储单元；写入模块，用于在所述存储单元中写入测试数据；读取模块，用于从所述存储单元中读取与所述测试数据对应的存储数据；处理模块，用于根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，开启所述待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于所述存储单元的标准开启电压；和/或，所述存储单元的开启时间大于所述存储单元的标准开启时间。18.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器和存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如权利要求1至16任一项所述的存储芯片的测试方法。19.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如权利要求1至16任一项所述的存储芯片的测试方法。

技术总结
本申请实施例涉及一种存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备。该方法包括：开启待测存储芯片中的存储单元；在存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据；根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；其中，开启待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于存储单元的标准开启电压；和/或，存储单元的开启时间大于存储单元的标准开启时间。避免了在预设存储芯片中的存储单元中写入测试数据时，存储单元中存储的电荷不足进而影响电容电荷保存时间的测试，同时缩短了写入测试数据的时间，节约了测试成本，提高了存储芯片的良率。提高了存储芯片的良率。提高了存储芯片的良率。


技术研发人员：宋标
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.02.25
技术公布日：2022/5/31