一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆处理工序，其特征在于，步骤包括：s1：晶圆在对准室内校准定位的同时加热到温度t1；s2：将加热到t1温度的晶圆送入工艺处理室继续加热到温度t2；s3：对加热到t2温度的晶圆进行后续处理，完成晶圆处理工序；其中，t1<t2。2.根据权利要求1所述的晶圆处理工序，其特征在于，所述步骤s1中，所述温度t1为50℃～150℃。3.根据权利要求1所述的晶圆处理工序，其特征在于，所述步骤s2中，所述温度t2为200℃～600℃。4.一种晶圆校准装置，其特征在于，用于权利要求1-3任一所述的晶圆处理工艺，包括卡盘(2)、移动组件(3)、旋转组件(4)和加热单元(5)，移动组件(3)用于晶圆(1)在竖直和水平方向上的移动，旋转组件(4)用于带动卡盘(2)旋转，加热单元(5)用于加热晶圆(1)。5.根据权利要求4所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述晶圆(1)设在卡盘(2)的上方，所述移动组件(3)设在卡盘(2)的侧面，所述旋转组件(4)与卡盘(2)的下端连接，所述加热单元(5)设在卡盘(2)上。6.根据权利要求4所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述加热单元(5)为金属插入类、外套类、热线类和热电素子中的一种或多种。7.根据权利要求5所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述卡盘(2)为圆盘形结构，所述卡盘(2)内设有空腔，所述加热单元(5)设在空腔内。8.根据权利要求4所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述卡盘(2)的上表面开设有凹槽，凹槽内设有温度传感器。9.根据权利要求4所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述移动组件(3)包括第一移动部、第二移动部和第三移动部，第一移动部用于夹持所述晶圆(1)，第二移动部用于带动第一移动部在水平方向上移动，第三移动部用于带动第二移动部沿竖直方向移动。10.根据权利要求4所述的晶圆校准装置，其特征在于，还包括检测单元(6)和控制单元(7)，检测单元(6)用于摄取所述晶圆(1)的图像，并传递给控制单元(7)，控制单元(7)用于比对检测单元(6)获得的图像中对准标记位置与要求的对准标记位置圆心角差值，并控制所述移动组件(3)和旋转组件(4)的运行。11.一种晶圆对准方法，其特征在于，使用权利要求4-10所述的晶圆校准装置，步骤包括：s101：将晶圆(1)放置在卡盘(2)上；s102：旋转组件(4)转动的同时，加热单元(5)开启，对准并加热晶圆(1)。

技术总结
本发明涉及一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中晶圆处理工序中对准室仅能校准定位而造成的晶圆处理工序效率低的问题。本发明的晶圆处理工序，步骤包括S1：晶圆在对准室内校准定位的同时加热到温度T1；S2：将加热到T1温度的晶圆送入工艺处理室继续加热到温度T2；S3：对加热到T2温度的晶圆进行后续处理，完成晶圆处理工序；其中，T1<T2。本发明在卡盘上设有加热单元，校准定位晶圆的同时进行加热，使晶圆在工艺处理室内的加热时间由15～20s减少至5～10s，提高了晶圆处理工序效率。提高了晶圆处理工序效率。提高了晶圆处理工序效率。


技术研发人员：李煥珪 李俊杰 李琳 王佳 周娜
受保护的技术使用者：真芯(北京)半导体有限责任公司
技术研发日：2020.11.18
技术公布日：2022/5/31