多晶硅控制栅刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤一、提供底层结构，在所述底层结构上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层的表面上形成硬质掩膜层，对所述硬质掩膜层进行图形化刻蚀将多晶硅开口区域打开；步骤二、以所述硬质掩膜层为进行多晶硅开口刻蚀，所述多晶硅开口刻蚀将所述多晶硅开口区域的所述第一多晶硅层的顶部的部分厚度去除并形成第一开口，所述多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加所述多晶硅开口刻蚀中形成的所述聚合物使所述多晶硅开口刻蚀完成后在所述第一开口的侧面形成由所述聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀，所述多晶硅主体刻蚀对所述第一开口底部的所述第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，所述多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，所述多晶硅主体刻蚀会自适应所述第一侧墙的形貌进行刻蚀，从而会改变所述多晶硅主体刻蚀的初始刻蚀方向并和所述多晶硅主体刻蚀工艺对所述多晶硅栅的侧面内凹影响相抵消，使所述多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除所述多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。2.如权利要求1所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于，还包括：步骤四、进行过刻蚀，所述过刻蚀使所述底层结构损失部分厚度。3.如权利要求2所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述底层结构包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有控制栅介质层。4.如权利要求3所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述底层结构还包括：形成于所述半导体衬底表面上的浮栅介质层以及多晶硅浮栅。5.如权利要求4所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述多晶硅控制栅叠加在所述多晶硅浮栅顶部，所述控制栅介质层位于所述多晶硅控制栅和所述多晶硅浮栅之间；或者，所述多晶硅控制栅自对准形成在所述多晶硅浮栅的侧面。6.如权利要求1所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述第一多晶硅层的厚度小于7.如权利要求1所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述硬质掩膜层为氧化层或者为氮化层。8.如权利要求4所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。9.如权利要求8所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述浮栅介质层的材料包括氧化层。10.如权利要求8所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于：所述控制栅介质层的材料包括氧化层。

技术总结
本发明公开了一种多晶硅控制栅刻蚀方法，包括：步骤一、在底层结构上形成第一多晶硅层和硬质掩膜层并对硬质掩膜层进行图形化刻蚀；步骤二、进行多晶硅开口刻蚀以对开口区域的第一多晶硅层进行部分厚度刻蚀以形成第一开口；多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加多晶硅开口刻蚀中形成的聚合物使多晶硅开口刻蚀完成后在第一开口的侧面形成由聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀以对第一开口底部的第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，多晶硅主体刻蚀会自适应第一侧墙的形貌进行刻蚀。本发明使多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。顶部尖角。顶部尖角。


技术研发人员：张振兴
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/5/31