用于超声设备的对称接收器开关的制作方法

技术特征：
1.一种装置，包括耦合在接收装置与超声换能器阵列之间的对称接收器开关阵列，其中：该对称接收器开关阵列的第一对称接收器开关由以下各项构成：第一晶体管，该第一晶体管具有第一栅极、第一源极、第一基体和第一漏极；以及第二晶体管，该第二晶体管具有第二栅极、第二源极、第二基体和第二漏极，其中，该第一栅极和该第二栅极彼此耦合，并且其中，该第一源极和该第二源极彼此耦合，该第一漏极连接到该阵列的第一超声换能器，该第二漏极连接到该接收装置，在该装置的脉冲发射(tx)模式期间，该第一栅极和该第二栅极以及该第一源极和该第二源极处于相同电势，并且，在该装置的接收(rx)模式期间：该第一栅极和该第二栅极处于第一浮动电势，或者该第一基体和该第二基体处于该第一浮动电势，或者该第一栅极和该第二栅极以及该第一基体和该第二基体处于该第一浮动电势。2.如权利要求1所述的装置，其中，在该tx模式期间，该第一基体和该第二基体与该第一源极和该第二源极处于相同电势。3.如权利要求1所述的装置，其中，在该rx模式期间，该第一基体和该第二基体处于第二浮动电势。4.如权利要求1所述的装置，其中：该第一漏极耦合到该第一对称接收器开关的输入端子，该第二漏极耦合到该第一对称接收器开关的输出端子，并且，在该tx模式期间，该第二漏极处于固定电势。5.如权利要求4所述的装置，其中：该第一晶体管是nmos晶体管，该第二晶体管是nmos晶体管，并且，在该tx模式期间，该第二漏极处于比该第一浮动电势高的电势。6.如权利要求4所述的装置，其中：该第一晶体管是pmos晶体管，该第二晶体管是pmos晶体管，并且，在该tx模式期间，该第二漏极处于比该第一浮动电势低的电势。7.如权利要求1所述的装置，其中：该第一漏极耦合到该第一对称接收器开关的输入端子，该第二漏极耦合到该第一对称接收器开关的输出端子，并且，在该tx模式期间，该第二漏极处于接地电势。8.如权利要求5所述的装置，其中，在该tx模式期间：该第一晶体管和该第二晶体管是关断的，并且该第一栅极和该第二栅极以及该第一源极和该第二源极的相同电势为负电势。9.如权利要求8所述的装置，其中，在该tx模式期间，该第一基体和该第二基体处于该第一栅极和该第二栅极以及该第一源极和该第二源极的负电势。
10.如权利要求8所述的装置，其中，该负电势在以下范围内：-1v至-100v，或者-5v至-20v，或者-10v至-50v，或者-15v至-75v。11.如权利要求6所述的装置，其中，在该tx模式期间：该第一晶体管和该第二晶体管是关断的，并且该第一栅极和该第二栅极以及该第一源极和该第二源极的相同电势为正电势。12.如权利要求11所述的装置，其中，在该tx模式期间，该第一基体和该第二基体处于该第一栅极和该第二栅极以及该第一源极和该第二源极的正电势。13.如权利要求11所述的装置，其中，该正电势在以下范围内：1v至100v，或者5v至20v，或者10v至50v，或者15v至75v。14.如权利要求1所述的装置，其中，在该rx模式期间，该第一晶体管和该第二晶体管是导通的。15.如权利要求14所述的装置，其中：该第一晶体管和该第二晶体管是nmos晶体管，并且，在该rx模式期间，该第一栅极和该第二栅极的第一浮动电势为正电势。16.如权利要求15所述的装置，其中，该第一栅极和该第二栅极选择性地连接到正电压源并与该正电压源断开连接以设置该第一浮动电势。17.如权利要求15所述的装置，其中，该正电势在以下范围内：1v至100v，或者5v至20v，或者10v至50v，或者15v至75v。18.如权利要求14所述的装置，其中：该第一晶体管和该第二晶体管是pmos晶体管，并且，在该rx模式期间，该第一栅极和该第二栅极的第一浮动电势为负电势。19.如权利要求18所述的装置，其中，该第一栅极和该第二栅极选择性地连接到负电压源并与该负电压源断开连接以设置该第一浮动电势。20.如权利要求18所述的装置，其中，该负电势在以下范围内：-1v至-100v，或者-5v至-20v，或者-10v至-50v，或者-15v至-75v。

技术总结
描述了用于超声设备的电路系统。该超声设备可以包括定位在脉冲发生器与超声换能器之间的对称开关。脉冲发生器可以产生双极性脉冲。当该脉冲发生器向该超声换能器提供这些双极性脉冲以用于发射时，该对称开关可以在该设备的发射模式期间选择性地将接收器与该脉冲发生器和该超声换能器隔离，并且可以选择性地允许该接收器在接收模式期间接收来自该超声换能器的信号。该对称开关可以设置有用于去除该设备的信号路径中的阱电容的阱开关。该设备的信号路径中的阱电容的阱开关。该设备的信号路径中的阱电容的阱开关。


技术研发人员：陈凯亮 丹尼尔
受保护的技术使用者：布弗莱运营公司
技术研发日：2020.09.18
技术公布日：2022/5/31