图像传感器、形成像素的方法、像素读出电路和校准方法与流程

1.本公开涉及成像领域。更具体地讲，涉及图像传感器、形成像素的方法、像素读出电路和校准方法。


背景技术：

2.随着互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)像素向亿级像素和亚微米尺寸的方向的发展，cis像素的尺寸越来越小，cis像素之间的距离越来越小。这会导致十分严重的相邻cis像素之间的串扰问题。
3.因此，需要一种降低相邻cis像素之间的串扰的技术。


技术实现要素：

4.提供本发明内容以简要的形式介绍在以下具体实施方式中进一步描述的构思的选择。本发明内容不意在确定要求保护的主题的关键特征或/或必要特征，也不意在用于帮助确定要求保护的主题的范围。
5.根据一些示例实施例，一种图像传感器包括：基底，所述基底包括多个像素，每个像素包括用于将光信号转换成电信号的第一光电传感器件和第二光电传感器件；多个深沟槽隔离(dti)结构，每个dti结构设置在所述基底中的相应的像素的内，以将相应的像素的第一光电传感器件与第二光电传感器件隔离开；以及多个金属栅(mg)，所述多个mg对应地设置在所述多个dti结构上方，其中，在每个像素中，第二光电传感器件被容纳在第一光电传感器件内。
6.在每个像素中，第二光电传感器件可被设置在像素的中心处，第二光电传感器件可被容纳在dti结构内，dti结构可被容纳在第一光电传感器件内，每个像素中的第一光电传感器件、dti结构和第二光电传感器件的中心线可重合。
7.每个dti结构可包括彼此同心且具有相同形状的第一周边和第二周边，第一周边和第二周边的形状可以为椭圆形，第一周边的长轴和第二周边的长轴可与所述图像传感器的芯片的感光区域的长边在方向上一致，第一周边和第二周边的长轴与短轴之比可与感光区域的长边与短边之比相同。
8.每个mg可包括彼此同心且具有相同形状的第三周边和第四周边，第三周边和第四周边的形状可与第一周边和第二周边的形状相同，第三周边和第四周边的中心可与第一周边和第二周边的中心重合，第三周边与第四周边之间的间距可与第一周边与第二周边之间的间距相同或不同。
9.所述图像传感器还可包括：钉扎层，设置在所述基底上方；高k介电常数层，设置在钉扎层上方；钝化层，设置在高k介电常数层上方；其中，所述多个dti结构从高k介电常数层的上表面或钝化层的下表面朝向基底延伸。
10.根据一些示例实施例，一种形成像素的方法包括：通过使用第一工艺参数形成设置在像素的深沟槽隔离(dti)结构之外的第一光电传感器件；以及通过使用第二工艺参数
形成设置在像素的dti结构之内的第二光电传感器件，其中，第一光电传感器件在第二光电传感器件之前被形成或者第一光电传感器件在第二光电传感器件之后被形成。
11.第一工艺参数可包括第一n埋层离子注入浓度、第一注入能量、第一热扩散时间和第一温度，第二工艺参数可包括第二n埋层离子注入浓度、第二注入能量、第二热扩散时间和第二温度，第一n埋层离子注入浓度可小于第二n埋层离子注入浓度，第一注入能量可小于第二注入能量，第一热扩散时间可小于第二热扩散时间，第一温度可等于第二温度。
12.根据一些示例实施例，一种像素读出电路包括：第一传输晶体管，连接到设置在像素的深沟槽隔离(dti)结构之外的第一光电传感器件；以及第二传输晶体管，连接到设置在像素的dti结构之内的第二光电传感器件。
13.根据一些示例实施例，一种校准串扰的方法包括：通过读取每个像素的深沟槽隔离(dti)结构之外的第一光电传感器件的信号，获得第一图像；通过读取每个像素的dti结构之内的第二光电传感器件的信号，获得第二图像；通过将第一图像与第二图像组合，获得第三图像；使用第二图像校准第三图像。
14.使用第二图像校准第三图像的步骤可包括：计算第二图像的多个像素的像素值的第一平均值；计算第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比；计算第三图像的多个像素的像素值的第二平均值；基于第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比和第二平均值，校准第三图像的对应像素的像素值，使得第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比与第三图像的对应像素的校准后的像素值与第二平均值之比相同。
15.根据一些示例实施例，一种非暂时性计算机可读存储介质存储指令，所述指令在被处理器执行时，使处理器执行上面公开的方法。
16.根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器、形成像素的方法、像素读出电路和校准方法可降低相邻cis像素之间的串扰。
17.将在接下来的描述中部分阐述本发明构思另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，和/或可以通过各种示例实施例的实施而得知。
附图说明
18.通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其它目的、特点和优点将会变得更加清楚，其中：
19.图1是示出根据本公开的示例实施例的图像传感器的框图；
20.图2是示出根据本公开的示例实施例的图像传感器的剖视图；
21.图3是根据本公开的示例实施例的图像传感器沿a-a'线的俯视图；
22.图4是示出根据本公开的示例实施例的形成像素的方法的流程图；
23.图5是示出根据本公开的示例实施例的像素读出电路的电路图；
24.图6是示出根据本公开的示例实施例的校准串扰的方法的流程图；以及
25.图7是示出根据本公开的示例实施例的移动终端的框图。
具体实施方式
26.提供下面的详细描述以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本技术的公开之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改
和等同物将是清楚的。例如，除了必须以特定顺序发生的操作之外，在此描述的操作顺序仅是示例，并不限于在此阐述的那些顺序，而是可如在理解本技术的公开之后将是清楚地那样被改变。此外，为了更加清楚和简要，可省略本领域已知的特征的描述。
27.在此描述的特征可以以不同的形式被实现，而不应被解释为限于在此描述的示例。相反，在此描述的示例已被提供，以仅示出实现在理解本技术的公开之后将是清楚的在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
28.下面在这里公开的示例的结构性或功能性描述仅意在出于描述示例的目的，并且示例可以以各种形式被实现。示例并不意在限制，而是意在各种修改、等同物和替代物也被涵盖在权利要求的范围内。
29.尽管术语“第一”或“第二”用于解释各种组件，但是组件不限于术语。这些术语应当仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在根据本公开的构思的权利的范围内，“第一”组件可被称为“第二”组件，或者类似地，“第二”组件可被称为“第一”组件。
30.将理解，当组件被称为“连接到”另一组件时，所述组件可直接连接到或结合到另一组件，或者可存在中间组件。
31.如在此使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意在包括复数形式。还应当理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
32.除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与示例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如，在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
33.在下文中，将参照附图详细描述示例。关于分配给附图中的元件的参考标号，应当注意，相同的元件将由相同的参考标号表示，并且将省略其冗余描述。
34.图1是示出根据本公开的示例实施例的图像传感器的框图。
35.根据本公开的各种示例实施例的图像传感器例如可被包括在移动电话、平板个人计算机(pc)、个人数字助理(pda)等中。但本公开不限于此，根据本公开的图像传感器可被包括在具有图像采集功能的任何电子装置中。
36.参照图1，根据一些示例实施例的图像传感器100包括像素阵列10、时序产生器20、行解码器30、行驱动器40、相关双采样器(cds)50、模数转换器(adc)60、锁存器70和列解码器80，像素阵列10包括二维布置的各自包括用于将光信号转换成电信号的两个光电传感器件的像素。这里，光电传感器件可以是光电二极管、光敏二极管等，但不限于此。
37.本领技术人员应当理解，图像传感器可以包括比图示更多或更少的组件，或者图像传感器包括的组件可被拆分或者组合。
38.像素阵列10包括二维布置的多个单元像素。多个单元像素可以执行将光学图像转换为电输出信号的功能。
39.像素阵列10可以从行驱动器40接收包括行选择信号、复位信号、电荷转移信号等的多个驱动信号，并且可以相应地被驱动。此外，转换后的电输出信号可以通过信号线(例如，垂直信号线)提供给相关双采样器50。
40.时序产生器20可以向行解码器30和列解码器80提供时序信号和控制信号。
41.行驱动器40可以根据行解码器30处的解码结果向像素阵列10提供用于驱动多个单元像素的多个驱动信号。当单元像素以矩阵形式布置时，可以将驱动信号提供给每一行。
42.相关双采样器50可以通过垂直信号线接收在像素阵列10处生成的输出信号，并且可以保持并采样所接收的信号。即，相关双采样器50可以根据输出信号对特定噪声电平和信号电平进行双采样，并且输出与噪声电平和信号电平之差相对应的差值电平。
43.模数转换器60可以将对应于差值电平的模拟信号转换为数字信号，并且输出转换的结果。
44.锁存器70可以锁存数字信号，并且可以根据在列解码器80处解码的结果将锁存的信号顺序地输出到图像信号处理器。
45.下面结合图2描述根据本公开的示例实施例的图像传感器的剖视图。
46.图2是示出根据本公开的示例实施例的图像传感器的剖视图。图3是根据本公开的示例实施例的图像传感器沿a-a'线的俯视图。
47.参照图2，图像传感器200包括硅基底层110、钉扎(pin)层120、高绝缘介质(hik)层130、钝化层140、金属栅(metal grid，mg)150和深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)结构160。
48.硅基底层110可包括多个像素，每个像素包括用于将光信号转换成电信号的第一光电传感器件和第二光电传感器件。
49.如图2中所示，硅基底层110可包括第一像素l和第二像素m，第一像素l可包括第一光电传感器件a1和第二光电传感器件b1，第二像素m可包括第一光电传感器件a2和第二光电传感器件b2，其中，第二光电传感器件b1被容纳在第一光电传感器件a1内，第二光电传感器件b2被容纳在第一光电传感器件a2内。然而，示例不限于此，包括在硅基底层中的像素的数量和包括在像素中的光电传感器件的数量可根据需要不同地改变。
50.pin层120可被设置在硅基底层110上方。
51.hik层130可被设置在pin层120上方。hik层130也可被称为高k介电常数层。
52.钝化层140可被设置在hik层130上方。
53.在一些示例实施例中，每个dti结构160可被设置在对应的像素或像素区域内，以将对应的像素或像素区域的第一光电传感器件与第二光电传感器件隔离开。例如，第一像素l内可设置有一个dti结构160，以将第一像素l的第一光电传感器件a1和第二光电传感器件b1隔离开。在第一像素l中，第二光电传感器件b1被设置在第一像素l的中心处，第二光电传感器件b1被容纳在dti结构内，dti结构被容纳在第一光电传感器件a1内。第一像素l中的第一光电传感器件a1、dti结构和第二光电传感器件b1的中心线重合。
54.在一些示例实施例中，dti结构160可从hik层130与钝化层140相互接触的表面朝向硅基底层110延伸。例如，dti结构160可从hik层130的上表面或钝化层140的下表面朝向硅基底层110延伸。
55.每个mg 150可对应地设置在每个dti结构160上方。
56.在一些示例实施例中，每个dti结构包括彼此同心且具有相同形状的第一周边(参见图3的dti-1)和第二周边(参见图3的dti-2)，每个mg包括彼此同心且具有相同形状的第三周边和第四周边，第三周边和第四周边的形状与第一周边和第二周边的形状相同，mg的
第三周边和第四周边的中心与同mg对应的dti结构的第一周边和第二周边的中心重合。例如，第一周边、第二周边、第三周边和第四周边的形状可以为具有边角的形状(例如，长方形、正方形等)或者没有边角的形状(例如，圆形、椭圆形等)。
57.然而，在第一周边、第二周边、第三周边和第四周边的形状为具有边角的形状的情况下，可能存在边角的应力和工艺缺陷，从而导致暗电流的发生。此外，在第一周边、第二周边、第三周边和第四周边的形状为没有方向的形状(例如，圆形)或者第一周边、第二周边、第三周边和第四周边的形状的方向与图像传感器200的芯片的感光区域的方向不一致的情况下，光电转化量子效率可能不高。
58.因此，为了进一步克服上述问题，根据示例实施例的dti结构的第一周边和第二周边的形状可被设置为椭圆形，第一周边的长轴和第二周边的长轴与图像传感器200的芯片的感光区域的长边在方向上一致，并且第一周边和第二周边的长轴与短轴之比与感光区域的长边与短边之比相同。图3示出在dti结构的第一周边和第二周边的形状被设置为椭圆形的情况下的图像传感器沿a-a'线的俯视图。
59.在一些示例实施例中，每个mg的第三周边与第四周边之间的间距与每个dti结构的第一周边与第二周边之间的间距相同或不同。
60.在本公开中，通过将dti结构和mg设置在像素内，来将像素的两个光电传感器件隔离开，从而通过两个光电传感器件获得不受串扰影响的图像和受串扰影响的图像并通过使用这两个图像来校准串扰。在下文中，将参照图6详细描述校准串扰的方法。
61.在本公开中，通过将dti结构和mg的形状设置为椭圆形并且将椭圆形的方向设置为与图像传感器200的芯片的感光区域的方向一致，可以进一步减小对角线串扰，可以优化像素中的暗电流问题，并且可以提高像素的进光量，使得像素的光电转化量子效率显著提升。
62.图4是示出根据本公开的示例实施例的形成像素的方法的流程图。
63.在一些示例实施例中，形成上述像素的方法包括：通过调整n埋层离子注入浓度、注入能量、热扩散时间和温度，将像素内的耗尽区分为dti结构之外的环形耗尽区depletion1和dti结构之内的椭圆形耗尽区depletion2，其中，dti结构之外的环形耗尽区depletion1和dti结构之内的椭圆形耗尽区depletion2被dti结构隔离开。这里，dti结构之外的环形耗尽区depletion1可构成像素的第一光电传感器件，dti结构之内的椭圆形耗尽区depletion2可构成像素的第二光电传感器件。
64.具体地，参照图4，在步骤s410中，通过使用第一工艺参数形成设置在像素的dti结构之外的第一光电传感器件。
65.在步骤s420中，通过使用第二工艺参数形成设置在像素的dti结构之内的第二光电传感器件。
66.在一些示例实施例中，第一工艺参数包可包括第一n埋层离子注入浓度、第一注入能量、第一热扩散时间和第一温度；第二工艺参数可包括第二n埋层离子注入浓度、第二注入能量、第二热扩散时间和第二温度。例如，第一n埋层离子注入浓度可小于第二n埋层离子注入浓度，第一注入能量可小于第二注入能量，第一热扩散时间可小于第二热扩散时间，第一温度可等于第二温度。
67.例如，第一n埋层离子注入浓度可以为4
×
10
19
/cm3、第一注入能量可以为15kev、第
一热扩散时间可以为1分钟和第一温度可以为1000℃；第二n埋层离子注入浓度可以为5
×
10
19
/cm3、第二注入能量可以为20kev、第二热扩散时间可以为5分钟和第二温度可以为1000℃。然而，示例不限于此，并且第一工艺参数和第二工艺参数可包括其他的参数，并且第一工艺参数和第二工艺参数可根据需要而变化。
68.虽然图4示出第一光电传感器件在第二光电传感器件之前被形成，但是示例不限于此，并且第一光电传感器件可在第二光电传感器件之后被形成。此外，形成上述像素的方法不限于图4中示出的方法，并且也可以使用其他的现有的方法来形成上述像素。
69.图5是示出根据本公开的示例实施例的像素读出电路的电路图。
70.在一些示例实施例中，像素读出电路500可被包括在图像传感器中。
71.如图5中所示，像素读出电路500可包括第一传输晶体管tg1、第二传输晶体管tg2、复位晶体管rst、源极跟随放大器amp、选择晶体管select和垂直信号线vdl。
72.第一传输晶体管tg1(例如，第一传输晶体管tg1的漏极端子)可连接到设置在像素的dti结构之外的第一光电传感器件。
73.源极跟随放大器amp的栅极可连接到第一传输晶体管tg1的源极端子，源极跟随放大器amp的源极端子可连接到选择晶体管select的漏极端子。
74.在一些示例实施例中，可通过第一传输晶体管tg1、源极跟随放大器amp和选择晶体管select读取第一光电传感器件的信号。
75.第二传输晶体管tg2(例如，第二传输晶体管tg2的漏极端子)可连接到设置在像素的dti结构之内的第二光电传感器件。
76.复位晶体管rst的漏极端子可连接到第二传输晶体管tg2的源极端子，复位晶体管rst的源极端子可连接到源极跟随放大器amp的漏极端子并且被施加电源电压vpix。
77.在一些示例实施例中，可通过第二传输晶体管tg2、复位晶体管rst、源极跟随放大器和选择晶体管select读取第二光电传感器件的信号。
78.虽然图5示出了像素读出电路的示例，但是本领域技术人员将理解的是，其他的能够分别读出一个像素内的两个光电传感器件或两个耗尽区的信号的像素读出电路均可适用于此。
79.图6是示出根据本公开的示例实施例的校准串扰的方法的流程图。
80.在一些示例实施例中，可通过设置在图像传感器外部的处理器来执行以下校准串扰的方法。
81.参照图6，在步骤s610中，处理器可通过读取每个像素的dti结构之外的第一光电传感器件的信号，获得第一图像。
82.在步骤s620中，处理器可通过读取每个像素的dti结构之内的第二光电传感器件的信号，获得第二图像。
83.例如，第一图像表示受串扰影响的图像，第二图像表示不受串扰影响的图像。
84.在步骤s630中，处理器可通过将第一图像与第二图像组合，获得第三图像。
85.例如，处理器可通过将第一图像和第二图像的对应像素的像素值相加，获得第三图像。
86.在步骤s640中，处理器可使用第二图像校准第三图像。校准后的第三图像是受到串扰影响较小的高质量图像。
87.在一些示例实施例中，处理器可通过以下方法来校准第三图像：计算第二图像的多个像素的像素值的第一平均值，计算第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比，计算第三图像的多个像素的像素值的第二平均值，并且基于第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比和第二平均值，校准第三图像的对应像素的像素值，使得“第二图像的每个像素的像素值与第一平均值之比”与“第三图像的对应像素的校准后的像素值与第二平均值之比”相同。
88.在另一示例实施例中，处理器还可在校准第三图像之前将第二图像划分为多个区域，并且以区域为单位来执行上述校准方法。
89.尽管上面示出了根据本公开的示例实施例的使用受串扰影响的图像和不受串扰影响的图像来校准串扰的方法，但是本公开不限于此，也可以使用其他的现有的使用受串扰影响的图像和不受串扰影响的图像来校准串扰的方法。
90.图7是示出根据本公开的示例实施例的移动终端的框图。
91.如图7中所示，在一些示例实施例中的移动终端700包括传感器单元710、控制器720、通信单元730、输入单元740、存储单元750和显示单元760。
92.传感器单元(例如，上述图像传感器)710连接到控制器720。传感器单元710用于拍摄图像(例如，上述第一图像和第二图像)。控制器720对传感器单元710输出的图像进行处理(例如，使用图6所示的方法)。控制器720可将处理后的图像(例如，上述校准后的第三图像)显示在显示单元760上，和/或可将图像存储在存储单元750。
93.通信单元730可执行移动终端的通信操作。通信单元730可建立到通信网络的通信信道和/或可执行与例如图像处理相关联的通信。
94.输入单元740被配置为接收输入的各种信息以及各种控制信号，并将输入的信息和控制信号发送到控制器720。输入单元740可通过诸如触摸屏等各种输入装置来实现；然而，示例实施例不限于此。
95.存储单元750可包括易失性存储器和/或非易失性存储器。存储单元750可存储由移动终端生成和使用的各种数据。例如，存储单元750可存储用于控制移动终端的操作的操作系统、应用程序(例如，与本公开的方法关联的应用程序)。控制器720可控制移动终端的整体操作，并可控制移动终端的内部元件的部分或全部。控制器720可被实现为通用处理器、应用处理器(ap)、专用集成电路、现场可编程门阵列等，但示例实施例不限于此。
96.在此描述的设备、单元、模块和其他组件由硬件组件实现。可用于执行在本技术中描述的操作的硬件组件的示例在适当的情况下包括：控制器、传感器、生成器、驱动器、存储器、比较器、算术逻辑单元、加法器、减法器、乘法器、除法器、积分器、以及被配置为执行在本技术中描述的操作的任何其他电子组件。在其他示例中，通过计算硬件(例如，通过一个或多个处理器或计算机)来实现执行在本技术中描述的操作的硬件组件中的一个或多个硬件组件。处理器或计算机可由一个或多个处理元件(诸如，逻辑门阵列、控制器和算术逻辑单元、数字信号处理器、微型计算机、可编程逻辑控制器、现场可编程门阵列、可编程逻辑阵列、微处理器、或者被配置为以限定的方式响应并执行指令以实现期望的结果的任何其他装置或装置的组合)来实现。在一个示例中，处理器或计算机包括或者连接到存储由处理器或计算机执行的指令或软件的一个或多个存储器。由处理器或计算机实现的硬件组件可执行用于执行在本技术中描述的操作的指令或软件(诸如，操作系统(os)和在os上运行的一
个或多个软件应用)。硬件组件还可响应于指令或软件的执行来访问、操控、处理、创建和存储数据。为了简明，单数术语“处理器”或“计算机”可用于在本技术中描述的示例的描述中，但是在其他示例中，多个处理器或计算机可被使用，或者处理器或计算机可包括多个处理元件、或多种类型的处理元件、或两者。例如，单个硬件组件、或者两个或更多个硬件组件可由单个处理器、或者两个或更多个处理器、或者处理器和控制器来实现。一个或多个硬件组件可由一个或多个处理器、或者处理器和控制器来实现，并且一个或多个其他硬件组件可由一个或多个其他处理器、或者另一处理器和另一控制器来实现。一个或多个处理器、或者处理器和控制器可实现单个硬件组件、或者两个或更多个硬件组件。硬件组件可具有不同的处理配置中的任何一个或多个，不同的处理配置的示例包括：单个处理器、独立处理器、并行处理器、单指令单数据(sisd)多处理、单指令多数据(simd)多处理、多指令单数据(misd)多处理和多指令多数据(mimd)多处理。
97.执行在本技术中描述的操作的方法由计算硬件(例如，由一个或多个处理器或计算机)来执行，计算硬件被实现为如上所述执行指令或软件以执行在本技术中描述的由所述方法执行的操作。例如，单个操作、或者两个或更多个操作可由单个处理器、或者两个或更多个处理器、或者处理器和控制器来执行。一个或多个操作可由一个或多个处理器、或者处理器和控制器来执行，并且一个或多个其他操作可由一个或多个其他处理器、或者另一处理器和另一控制器来执行。一个或多个处理器、或者处理器和控制器可执行单个操作、或者两个或更多个操作。
98.用于控制处理器或计算机以实现硬件组件并执行如上所述的方法的指令或软件可被编写为计算机程序、代码段、指令或它们的任何组合，以单独地或共同地指示或配置处理器或计算机作为机器或专用计算机进行操作，以执行由如上所述的硬件组件和方法执行的操作。在一个示例中，指令和/或软件包括由处理器或计算机直接执行的机器代码(诸如，由编译器产生的机器代码)。在另一示例中，指令或软件包括由处理器或计算机使用解释器执行的高级代码。本领域普通技术人员或程序员可基于附图中示出的框图和流程图以及说明书中的相应描述容易地编写指令和/或软件，附图中示出的框图和流程图以及说明书中的相应描述公开了用于执行由如上所述的硬件组件和方法执行的操作的算法。
99.用于控制处理器或计算机以实现硬件组件并执行如上所述的方法的指令或软件以及任何相关联的数据、数据文件和数据结构被记录、存储或固定在一个或多个非暂时性计算机可读存储介质中，或者被记录、存储或固定在一个或多个非暂时性计算机可读存储介质上。非暂时性计算机可读存储介质的示例包括：只读存储器(rom)、随机存取可编程只读存储器(prom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、闪存、非易失性存储器、cd-rom、cd-r、cd r、cd-rw、cd rw、dvd-rom、dvd-r、dvd r、dvd-rw、dvd rw、dvd-ram、bd-rom、bd-r、bd-r lth、bd-re、蓝光或光盘存储装置、硬盘驱动器(hdd)、固态驱动器(ssd)、闪存、卡式存储器(诸如，多媒体卡或微型卡(例如，安全数字(sd)或极限数字(xd)))、磁带、软盘、磁光数据存储装置、光学数据存储装置、硬盘、固态盘以及任何其他装置中的至少一者，任何其他装置被配置为以非暂时性方式存储指令或软件以及任何相关联的数据、数据文件和数据结构并将指令或软件以及任何相关联的数据、数据文件和数据结构提供给处理器或计算机，使得处理器或计算机能够执行指令。
100.尽管已经描述了各种示例实施例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。