一种终端天线和电子设备的制作方法

1.本技术涉及天线技术领域，尤其涉及一种终端天线和电子设备。


背景技术：

2.随着电子设备的发展，能够支持的频段越来越多，其中不乏具有较大带宽的频段。而由于电子设备的小型化设计，其中设置的天线在工作时，能够提供的带宽非常有限。这样就使得具有较大带宽的频段覆盖效果不好，通信质量差。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种终端天线和电子设备，能够结合天线中包括的寄生辐射体以及主辐射体之间的相对位置关系以及耦合方式，灵活调整自由空间中两个辐射体对应谐振的叠加状态，从而获取带内同相叠加的效果，提升带内辐射性能。
4.为了达到上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：
5.第一方面，提供一种终端天线，该终端天线应用于电子设备中，该终端天线包括：第一辐射体，以及第二辐射体。该第一辐射体上设置有馈源以及第一接地点，该第二辐射体上设置有第二接地点，该第一辐射体和该第二辐射体互不连接。该终端天线工作时，该第一辐射体激励第一频段对应的第一谐振，该第二辐射体通过耦合馈电激励第二频段对应的第二谐振，该第一频段和该第二频段不完全重叠。第一电磁波和第二电磁波相位相同。该第一电磁波是该第一辐射体发出的在第一频率的电磁波，该第二电磁波是该第二辐射体发出的在该第一频率的电磁波，该第一频率包括在该第二频段与该终端天线的工作频段的重叠部分中。
6.基于该方案，可以通过至少两个谐振覆盖工作频段。其中，设置有馈源的主辐射体可以产生一个谐振，与主辐射体耦合馈电进行工作的寄生枝节(如第二辐射体)也可以产生一个谐振。通过两个谐振来覆盖工作频段，能够有效扩展带宽。此外，由于第二辐射体工作在工作频段带内的电磁波，能够与第一辐射体产生的相同频率的电磁波产生同相叠加的效果，因此使得第二谐振的辐射性能可以得到有效的提升，从而使得第一谐振和第二谐振覆盖的工作频段的辐射性能(如带宽、效率等)得到显著提高。
7.在一种可能的设计中，该第一辐射体和该第二辐射体之间的位置关系包括以下中的任一种：平行设置，相对设置。其中，在该第一辐射体和该第二辐射体的长边设置在同一个直线上，该第一辐射体和该第二辐射体有一个末端相对时，该第一辐射体和该第二辐射体为该相对设置。在该第一辐射体和该第二辐射体的长边所在直线互相平行并且互不重合时，该第一辐射体和该第二辐射体为该平行设置。基于该方案，提供了一种主辐射体与寄生辐射体(如第二辐射体)之间的相对位置关系划分设置。基于不同的相对位置关系，能够获取不同的相位差异，据此调整对应辐射体覆盖的频段，进而达到带内同相叠加的效果。
8.在一种可能的设计中，该第二辐射体包括在寄生辐射体中，该寄生辐射体的耦合馈电形式包括电场耦合，或者磁场耦合。其中，在该寄生辐射体的一端靠近该第一辐射体的
开放端设置时，该寄生辐射体的耦合馈电形式为该电场耦合，该第一辐射体的开放端是该第一辐射体上远离该第一接地点的一端。在该寄生辐射体的一端靠近该第一辐射体的接地端设置时，该寄生辐射体的耦合馈电形式为该磁场耦合，该第一辐射体的接地端是该第一辐射体上靠近该第一接地点的一端。基于该方案，提供了一种主辐射体与寄生辐射体(如第二辐射体)之间的耦合方式划分设置。基于不同的耦合方式，能够获取不同的相位差异，据此调整对应辐射体覆盖的频段，进而达到带内同相叠加的效果。
9.在一种可能的设计中，在该第一频率小于该第二频段的中心频率时，该第一辐射体和该第二辐射体的位置关系为该相对设置，该第二辐射体的耦合形式为该电场耦合。或者，该第一辐射体和该第二辐射体的位置关系为该平行设置，该第二辐射体的耦合形式为该磁场耦合。基于该方案，提供了一种具体的获取带内同相叠加效果的结构限定。在相对设置的电场耦合或者平行设置的磁场耦合的情况下，第二频段可以设置在工作频段中，高于第一频段的位置，从而使得第二谐振的下降沿(即靠近工作频段中心的频段)能够获取同相叠加的效果。
10.在一种可能的设计中，在该第一频率大于该第二频段的中心频率时，该第一辐射体和该第二辐射体的位置关系为该相对设置，该第二辐射体的耦合形式为该磁场耦合。或者，该第一辐射体和该第二辐射体的位置关系为该平行设置，该第二辐射体的耦合形式为该电场耦合。基于该方案，提供了又一种具体的获取带内同相叠加效果的结构限定。在相对设置的磁场耦合或者平行设置的电场耦合的情况下，第二频段可以设置在工作频段中，低于第一频段的位置，从而使得第二谐振的上升沿(即靠近工作频段中心的频段)能够获取同相叠加的效果。
11.在一种可能的设计中，该第一谐振对应该第一辐射体上激励的1/4波长模式。基于该方案，提供了一种第一辐射体的工作机制的限定。
12.在一种可能的设计中，该第一辐射体的长度根据该第一谐振的1/4波长确定。基于该方案，提供了一种第一辐射体的长度限定。
13.在一种可能的设计中，该第二谐振对应该第二辐射体上激励的1/4波长模式。基于该方案，提供了一种第二辐射体的工作机制的限定。
14.在一种可能的设计中，该第二辐射体的长度根据该第二谐振的1/4波长确定。基于该方案，提供了一种第二辐射体的长度限定。
15.在一种可能的设计中，该终端天线还包括：第三辐射体，该第三辐射体上设置有第三接地点，该第三辐射体与第一辐射体以及该第二辐射体均不连接，该第三辐射体包括在该寄生辐射体中。该终端天线工作时，该第三辐射体通过耦合馈电激励第三频段对应的第三谐振，该第三频段与该第一频段和该第二频段均不完全重叠。第三电磁波和第四电磁波相位相同。该第三电磁波是该第一辐射体发出的在第二频率的电磁波，该第四电磁波是该第三辐射体发出的在该第二频率的电磁波，该第二频率包括在该第三频段与该终端天线的工作频段的重叠部分中。基于该方案，该天线方案中还可以包括第三辐射体，该第三辐射体也可以是寄生辐射体。通过该第三辐射体能够激励额外的谐振，通过与第二辐射体类似的工作机制，实现带内的同相叠加的效果。
16.在一种可能的设计中，该第三频段的中心频点，和该第二频段的中心频点，分布在该第一频段的中心频点两侧。基于该方案，提供了一种具体的第三频段的工作机制限定。在
本示例中，第三频段可以与第二频段分布在第一频段的两侧，从而通过控制两个寄生谐振(如第三谐振和第二谐振)的上升沿或者下降沿分别处于同向叠加的状态，获取更好的带内辐射效果。
17.在一种可能的设计中，在该第二频率小于该第三频段的中心频率时，该第一辐射体和该第三辐射体为该相对设置的电场耦合，或者，为该平行设置的磁场耦合。基于该方案，提供了一种具体的获取带内同相叠加效果的结构限定。在相对设置的电场耦合或者平行设置的磁场耦合的情况下，第三频段可以设置在工作频段中，高于第一频段的位置，从而使得第三谐振的下降沿(即靠近工作频段中心的频段)能够获取同相叠加的效果。
18.在一种可能的设计中，在该第二频率大于该第三频段的中心频率时，该第一辐射体和该第三辐射体为该相对设置的磁场耦合，或者，为该平行设置的电场耦合。基于该方案，提供了又一种具体的获取带内同相叠加效果的结构限定。在相对设置的磁场耦合或者平行设置的电场耦合的情况下，第三频段可以设置在工作频段中，低于第一频段的位置，从而使得第三谐振的上升沿(即靠近工作频段中心的频段)能够获取同相叠加的效果。
19.在一种可能的设计中，该第一频段，该第二频段以及该第三频段共同覆盖该终端天线的工作频段。基于该方案，通过三个谐振共同覆盖工作频段，并且工作频段带内均为同相叠加的状态，从而获取带内较好的辐射性能。
20.在一种可能的设计中，该终端天线的工作频段包括3.3ghz到4.2ghz。基于该方案，提供了一种具体的应用场景示意。比如，该天线可以用于覆盖5g频段中具有较宽带宽要求的n77频段，对应于3.3ghz到4.2ghz。
21.第二方面，提供一种终端天线，其特征在于，该终端天线设置在电子设备中，该终端天线包括：第一辐射体以及两个寄生辐射体，该第一辐射体以及该两个寄生辐射体的长边所在直线互相平行，该第一辐射体以及该两个寄生辐射体呈品字形设置。该第一辐射体与该两个寄生辐射体两两互不连接。该第一辐射体上设置有馈源以及第一接地点，该第一接地点设置在远离该品字形中心的一端。该两个寄生辐射体包括第二辐射体和第三辐射体，该第二辐射体设置在该第一辐射体的斜上方，该第二辐射体在该第一辐射体上短边所在直线的投影与该第一辐射体有至少部分重合，该第二辐射体上的第二接地点设置在远离该品字形中心的一端。该第三辐射体设置在该第一辐射体长边的一侧，该第三辐射体在该第一辐射体上长边所在直线的投影与该第一辐射体有至少部分重合，该第三辐射体上的第三接地点设置在远离该品字形中心的一端。示例性的，该方案可以对应图17所示的示例。
22.在一种可能的设计中，该第二辐射体的耦合形式为电场耦合，该第二辐射体与该第一辐射体的位置关系为相对设置。
23.在一种可能的设计中，该第一辐射体，第二辐射体以及第三辐射体产生的谐振共同覆盖该终端天线的工作频段，该第二辐射体产生的谐振用于覆盖该工作频段的高频部分。
24.在一种可能的设计中，该第三辐射体的耦合形式为电场耦合，该第二辐射体与该第一辐射体的位置关系为平行设置。
25.在一种可能的设计中，该第一辐射体，第二辐射体以及第三辐射体产生的谐振共同覆盖该终端天线的工作频段，该第三辐射体产生的谐振用于覆盖该工作频段的低频部分。
26.第三方面，提供一种电子设备，该电子设备设置有如第一方面及其可能的设计中任一项提供的终端天线。该电子设备在进行信号发射或接收时，通过该终端天线进行信号的发射或接收。
27.应当理解的是，上述第二方面以及第三方面的技术方案能够对应到上述第一方面及其任一种可能的设计中，因此能够达到的有益效果类似，此处不再赘述。
附图说明
28.图1为一种电子设备中天线的设置区域示意图；
29.图2为一种设置在后盖上的天线方案示意图；
30.图3为一种天线仿真示意图；
31.图4为本技术实施例提供的一种电子设备的组成示意图；
32.图5为本技术实施例提供的一种天线设置的示意图；
33.图6为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
34.图7为本技术实施例提供的一种天线的组成示意图；
35.图8为本技术实施例提供的一种天线的耦合馈电形式的示意图；
36.图9为本技术实施例提供的一种传输线耦合的示意图；
37.图10为本技术实施例提供的一种等效电路分析的示意图；
38.图11为本技术实施例提供的一种等效电路分析的示意图；
39.图12为本技术实施例提供的一种等效电路分析的示意图；
40.图13为本技术实施例提供的一种天线之间相位差异分析的示意图；
41.图14为本技术实施例提供的一种天线之间相位差异分析的示意图；
42.图15为本技术实施例提供的一种天线之间相位差异分析的示意图；
43.图16为本技术实施例提供的一种天线位置解析的逻辑示意图；
44.图17为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图；
45.图18为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图；
46.图19为本技术实施例提供的一种等效电路的示意图；
47.图20为本技术实施例提供的一种天线方案的尺寸示意图；
48.图21为本技术实施例提供的一种天线方案的仿真示意图；
49.图22为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图；
50.图23为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图；
51.图24为本技术实施例提供的一种天线方案的尺寸示意图；
52.图25为本技术实施例提供的一种天线方案的仿真示意图；
53.图26为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图；
54.图27为本技术实施例提供的一种天线方案的仿真示意图；
55.图28为本技术实施例提供的一种天线方案的组成示意图。
具体实施方式
56.电子设备中可以通过设置多个天线覆盖不同工作频段，以便实现电子设备的无线通信功能。
57.在一些实现中，天线可以设置在电子设备的边沿，使得天线的辐射体能够获取较好的辐射环境。示例性的，如图1所示，以电子设备为手机为例。天线可以设置在上边沿对应的区域11，下边沿对应的区域12，左侧边沿对应的区域13以及右侧边沿对应的区域14中。以天线设置在区域11为例。在手机具有金属边框架构的情况下，天线的辐射体可以复用该金属边框。从而使得天线在工作时能够直接将电磁波通过顶部金属边框向自由空间(free space)辐射，从而减小手机中金属部件对天线的影响。
58.随着通信技术的发展，工作频段也越来越多。那么对应的在电子设备中就需要设置更多的天线用于覆盖工作频段。而由于电子设备自身尺寸的限制，因此如果将所有天线都设置在电子设备的边沿变得非常困难。因此，就需要将一些天线设置在电子设备的其他区域。在一些情况下，可以将一些天线设置在电子设备的后壳(或后盖)内侧。由此，天线在工作时，可以将电磁波穿过非金属材料对应的电子设备的后后盖向外进行辐射。
59.作为一种示例，图2为一种设置在后盖壳上的天线方案示意图。如图2所示，天线可以设置在电子设备的后盖壳内侧对应的区域21。应当理解的是，为了提供更大的带宽，可以通过设置天线同时产生两个或更多谐振来覆盖工作频段。作为一种可能的实现，图2还示出了一种常见的天线方案的示意，即寄生天线设计。在该寄生天线设计中，天线的辐射体可以包括设置有馈源的辐射体a，以及接地设置的辐射体b。辐射体b与辐射体a不连接，通过相对设置的末端，辐射体b可以通过耦合馈电的形式，从辐射体a上将能量耦合到辐射体b上形成耦合电流，激励对应的模式(如1/4波长模式)。这样，辐射体a可以激励至少一个谐振，辐射体b也能够激励至少一个谐振，由此使得该天线方案能够产生至少两个谐振用于覆盖工作频段。
60.结合如图2所述的s参数仿真。可以看到在从s11即回波损耗的角度，该天线方案能够在3.6ghz附近以及4.2ghz附近产生两个谐振。对应的系统效率在两个谐振的中心频率，即3.6ghz以及4.2ghz达到峰值。
61.以辐射体a和辐射体b均工作在1/4模式为例。对于寄生枝节的辐射体b而言，该辐射体b通过激励1/4模式的谐振可以产生4.2ghz附近的谐振。
62.需要说明的是，虽然辐射体a的本征谐振位于3.6ghz附近，但是，辐射体a同时也会产生其他频率(如4.2ghz)的电磁波向自由空间辐射。其区别在于，其他频率的电磁波的振幅(即能量大小)会稍弱于本征谐振对应的3.6ghz附近频率的电磁波。那么，对于4.2ghz对应谐振，就可以看作辐射体a在4.2ghz的辐射与辐射体b在4.2ghz附近的叠加。
63.以辐射体a在4.2ghz的辐射为电磁波a，辐射体b在4.2ghz的辐射为电磁波b为例。一般而言，电磁波a和电磁波b在自由空间中同一个位置的叠加可以分为同相叠加、反相抵消等情况。其中，如果电磁波a和电磁波b在4.2ghz上的相位相同，则在该4.2ghz上电磁波a和电磁波b可以同相叠加，从而获取优于电磁波a或电磁波b的辐射性能。对应的，如果电磁波a和电磁波b在4.2ghz上的相位相反，即相差180度或180度的奇数倍，则在该4.2ghz上电磁波a和电磁波b会出现反相抵消，从而使得在该4.2ghz的辐射性能可能会比电磁波a或电磁波b的辐射性能都要差。
64.结合如图2所示的s参数仿真结果，可以看到，相比于只有辐射体a参与的辐射，在增加了辐射体b之后，虽然能够引入新的谐振覆盖4.2ghz附近频段，但是该谐振的带宽非常窄，出现显著的性能凹陷，系统效率上分别对应的-2db带宽只有不足100mhz。从一个角度
看，如图3所示，在4.2ghz能够获取较好的辐射性能，其原因也包括在该4.2ghz处，两个电磁波可以进行同相叠加，从而获取比两个电磁波中任意一个更好的性能。对应的，该作为寄生枝节的辐射体b产生的谐振带宽不足，其原因也包括在该4.2ghz对应谐振边带处，辐射体a和辐射体b产生的电磁波并未达到同相叠加，或者出现了反相抵消的情况，从而使得辐射性能在4.2ghz谐振的边带快速恶化。由此就使得该天线所覆盖频段中出现显著的通信性能下降的频段。
65.作为一种示例，以通过如图2所示的天线方案实现对5g频段中的n77频段(即3.3ghz-4.2ghz)进行覆盖为例。结合前述说明，由于电子设备边沿区域天线的空间紧张，在将该天线设置在电子设备的背面(如后盖内侧)时，由于寄生谐振(即辐射体b产生的谐振)的带宽不足，使得该天线方案无法较好地覆盖上述n77频段。也就是说，通过如图2所示的天线方案覆盖该n77频段就会出现工作频段中显著的性能凹陷，由此影响该性能凹陷附近频点的通信性能。
66.为了解决上述问题，本技术实施例提供的天线方案，能够结合天线中包括的寄生辐射体以及主辐射体之间的相对位置关系，灵活调整自由空间中两个辐射体对应谐振的叠加状态。
67.应当理解的是，对于两个辐射体产生的电磁波，无法在所有频段都表现为同相叠加。那么，通过本技术实施例提供的天线方案，能够将反相抵消的频率点调整到需要覆盖频段的带外。由此使得在工作频段范围内，不同辐射体产生的电磁波都能够处于同相叠加的状态，由此获取在工作频段范围内较好的辐射性能，提升该工作频段内的通信性能。
68.以下首先对本技术实施例提供的天线方案的实施场景进行说明。
69.本技术实施例提供的天线方案，可以应用在用户的电子设备中，用于支持电子设备的无线通信功能。比如，该电子设备可以是手机、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，pda)、增强现实(augmented reality，ar)\虚拟现实(virtual reality，vr)设备、媒体播放器等便携式移动设备，该电子设备也可以是智能手表等可穿戴电子设备。本技术实施例对该设备的具体形态不作特殊限制。
70.请参考图4，为本技术实施例提供的一种电子设备400的结构示意图。该示例中，以电子设备为手机为例。如图4所示，本技术实施例提供的电子设备400沿z轴由上到下的顺序可以依次设置屏幕及盖板401，金属壳体402，内部结构403，以及后盖404。
71.其中，屏幕及盖板401可以用于实现电子设备400的显示功能。金属壳体402可以作为电子设备400的主体框架，为电子设备400提供刚性支撑。内部结构403可以包括实现电子设备400各项功能的电子部件以及机械部件的集合。比如，该内部结构403可以包括屏蔽罩，螺钉，加强筋等。在一些实现中，该金属壳体402可以作为承载内部结构403的部件。该金属壳体402由于具有较大的面积，因此可以作为内部结构403中包括的电子部件(如传输线，电模块等)提供零电位参考，即实现参考地的功能。后盖404可以为电子设备400背部外观面，该后盖404在不同的实现中可以使用玻璃材料，陶瓷材料，塑料等。
72.在如图4所示的电子设备400中，可以设置有一个或多个天线。在一些实施例中，该天线可以设置在电子设备400的金属壳体402上。在另一些实施例中，该天线可以设置在电子设备400的后盖404内侧等。其中，后盖404内侧可以是指后盖的两个面中，不同于外观面的一侧。
73.需要说明的是，本技术所述来提供的天线方案中的辐射体，可以通过不同的实现达到其辐射功能。示例性的，在一些实施例中，辐射体的全部或部分可以复用电子设备的金属边框。在另一些实施例中，该天线方案辐射体的全部或部分可以通过柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)，阳极氧化的压铸成型工艺(metalframe diecasting for anodicoxidation，mda)等形式实现。
74.作为一种示例，以通过fpc实现天线辐射体的设置为例。该类型的天线也可以称为fpc天线。在该fpc天线中，可以通过金属走线对应到需要的天线辐射体。该金属走线可以设置在不导电的基材上。为了保护该金属走线，在一些实现中，该金属走线上还可以喷涂非导电油墨，用于保护金属走线不受氧化、磕碰等影响。该fpc天线可以贴装在如图4所示的后盖404内侧。在另一些实现中，该fpc天线还可以贴装在金属壳体402与后盖404之间设置的天线支架上。
75.本技术实施例提供的天线方案能够应用在如图4所示的电子设备400中，用于支撑该电子设备400的无线通信功能。示例性的，结合图5，本技术实施例提供的天线方案中，天线501的辐射体可以包括互不连接的主辐射体以及寄生辐射体。
76.其中，主辐射体可以设置有馈源。在该天线501工作时，主辐射体可以通过该馈源接收来自射频端的信号，由此实现对该天线501的馈电。寄生辐射体可以为一个或多个。每个寄生辐射体都可以是相对独立设置的。在该天线501工作时，每个寄生辐射体都可以通过电场和/或磁场耦合的形式，从主辐射体进行耦合馈电。从而使得每个寄生辐射体都可以产生至少一个谐振用于覆盖对应的频段。
77.以下示例中，以天线501中设置有一个主辐射体，以及两个寄生辐射体为例。其中，主辐射体也可以称为第一辐射体，寄生辐射体可以包括第二辐射体以及第三辐射体。如图7所述，在本示例中，第一辐射体上可以设置有馈源。第一辐射体的一端可以设置有接地点。为了便于说明，第一辐射体上远离接地点的一端可以称为该第一辐射体的开放端。在不同实现中，馈源的位置可以不同。比如，馈源可以设置在第一辐射体上，远离接地点的一端。
78.需要说明的是，本技术中是以第一辐射体上的接地点设置在辐射体的一端为例进行说明的。在本技术的另一些实现中，第一辐射体上的接地点也可以设置在不同于辐射体末端的位置。比如，接地点设置在第一辐射体上左半部分时，则该第一辐射体的开放端就可以为第一辐射体的右侧末端。又如，接地点设置在第一辐射体上右半部分时，则该第一辐射体的开放端就可以为第一辐射体的左侧末端。以此类推。
79.在如图7的示例中，寄生辐射体上都可以分别设置有一个接地点。比如，第二辐射体的一端上可以设置有对应的接地点。第三辐射体的一端也可以设置有接地点。与第一辐射体上开放端的定义类似，在第二辐射体上，远离接地点的一端可以为第二辐射体的开放端。在第三辐射体上，远离接地点的一端可以为第三辐射体的开放端。在一些实现中，寄生辐射体的开放端可以悬空设置。
80.这样，在天线501工作时，第一辐射体可以通过馈源馈入信号。对应的，第二辐射体和第三辐射体可以通过电场和/或磁场耦合的形式，馈入电流，从而激励对应的寄生模式。示例性的，第一辐射体、第二辐射体以及第三辐射体都可以激励1/4波长模式，1/2波长模式等模式对应的谐振。
81.以第一辐射体、第二辐射体以及第三辐射体均激励1/4波长模式为例。第一辐射体
的长度可以对应到其工作频段(如第一工作频段)波长的1/4。第二辐射体的长度可以对应到其工作频段(如第二工作频段)波长的1/4。第三辐射体的长度可以对应到其工作频段(如第三工作频段)波长的1/4。这样，第一工作频段、第二工作频段以及第三工作频段就可以共同覆盖天线501的工作频段。本技术中，第一工作频段也可以称为第一频段。第二工作频段也可以称为第二频段。第三工作频段也可以称为第三频段。
82.需要说明的是，如图7所示的天线示例中，第一辐射体、第二辐射体以及第三辐射体的相对位置关系仅为一种示例，对本技术实施例提供的天线方案并不构成任何结构上的限定。
83.结合图6和图7的说明，本技术实施例提供的天线方案，可以包括一个主辐射体，以及至少一个寄生辐射体。寄生辐射体产生的寄生谐振，以及主辐射体产生的主谐振，可以共同覆盖天线的工作频段。其中，为了提升工作频段带内的辐射性能，可以通过调整寄生辐射体与主辐射体之间的结构关系，使得在工作频段带内的各个频点处，主辐射体产生的电磁波和寄生辐射体产生的电磁波能够处于相位的正向叠加状态，由此避免由于相位相反导致的互相抵消导致的辐射性能变差的情况。基于上述说明，本技术实施例提供的方案，同时能够达到将相位相反导致的辐射零点移动到工作带外的效果，因此也可称为带外零点控制方案。在另一些实现中，该方案也可以称为零点控制理论。
84.示例性的，在本技术中，基于主辐射体以及寄生辐射体之间的结构关系，主辐射体和寄生辐射体之间的关系可以包括：电场耦合或者磁场耦合。主辐射体和寄生辐射体之间的关系还可以包括：以主辐射体的开放端或回地端为分界面，分为异侧相对设置或者同侧平行设置。
85.以下表1为本技术实施例提供的基于寄生辐射体的本征谐振中心频点f0，不同结构关系下，寄生辐射体产生的电磁波在自由空间中相位的情况。基于该表1的对应，就能够实现带外零点控制，从而提升带内辐射性能，较好地覆盖宽频频段。以主辐射体产生的电磁波在自由空间中的相位为c为例。
86.表1
[0087][0088]
其中，电场耦合、磁场耦合、相对设置以及平行设置对应的具体结构，将在后续说明中详细解释。
[0089]
基于该表1，可以看到，具有如下结构特征的情况下，可以实现同相叠加：
[0090]
情况1、电场耦合，相对设置，在低于f0的频段可以进行同相叠加；
[0091]
情况2、电场耦合，平行设置，在高于f0的频段可以进行同相叠加；
[0092]
情况3、磁场耦合，相对设置，在高于f0的频段可以进行同相叠加；
[0093]
情况4、磁场耦合，平行设置，在低于f0的频段可以进行同相叠加。
[0094]
利用该表1的结论，就可以实现工作频段内的同相叠加，即将反相抵消的情况排除在工作频段之外。
[0095]
示例性的，以图7所示的天线501组成为例。即，天线501中可以包括一个主辐射体，以及两个寄生辐射体。以主辐射体为第一辐射体，对应第一工作频段，寄生辐射体分别为对应第二工作频段的第二辐射体和对应第三工作频段的第三辐射体为例。
[0096]
第一工作频段可以位于第二工作频段和第三工作频段之间，第二工作频段可以低于第三工作频段。那么，第二工作频段的中心频点右侧，即第二工作频段的高频部分，就需要能够与主辐射体的电磁波进行正向叠加。对应的，第三工作频段的中心频点左侧，即第三工作频段的低频部分就需要能够与主辐射体的电磁波进行正向叠加。
[0097]
由此，第二工作频段所对应的第二辐射体与第一辐射体之间的位置关系就可以符合如下特征：
[0098]
情况2、电场耦合，平行设置，在高于f0的频段可以进行同相叠加；或者，
[0099]
情况3、磁场耦合，相对设置，在高于f0的频段可以进行同相叠加。
[0100]
从而使得第二工作频段的高频部分可以实现与第一辐射体的电磁波进行同相叠加。
[0101]
对应的，第三工作频段所对应的第三辐射体与第一辐射体之间的位置关系就可以符合如下特征：
[0102]
情况1、电场耦合，相对设置，在低于f0的频段可以进行同相叠加；或者，
[0103]
情况4、磁场耦合，平行设置，在低于f0的频段可以进行同相叠加。
[0104]
从而使得第三工作频段的低频部分可以实现与第一辐射体的电磁波进行同相叠加。
[0105]
在具体实施过程中，可以根据需要覆盖工作频段的通信特征，具体确定第一工作频段、第二工作频段以及第三工作频段，进而确定对应的辐射体的长度。比如，在主辐射体和寄生辐射体都通过1/4波长模式覆盖对应频段为例，那么主辐射体的长度就可以根据第一工作频段的1/4波长确定，两个寄生辐射体的长度就可以分别根据第一工作频段以及第二工作频段的1/4波长确定。
[0106]
作为一种示例，在需要覆盖的工作频段为频分双工(frequency division duplexing，fdd)时，则上下行信道可以分别对应三个不同的中心频点。那么该第一工作频段和第二工作频段以及第三工作频段各自的中心频点可以是根据该上下行信道对应的共6个频点确定的。在另一些实施例中，在需要覆盖的工作频段为时分双工(time-division duplex，tdd)时，则上下行信道分别包括的三个中心频点可以各自相同。因此，上下行信道共可对应3个中心频点。那么该第一工作频段和第二工作频段以及第三工作频段各自的中心频点可以是根据该上下行信道对应的共3个频点确定的。比如，第一工作频段的中心频点可以为该上下行信道对应的共3个频点中的中间频点；第二工作频段的中心频点可以为该上下行信道对应的共3个频点中的频率较低的频点；第一工作频段的中心频点可以为该上下行信道对应的共3个频点中的频率较高的频点。
[0107]
以下将结合附图，对上述电场耦合、磁场耦合、相对设置、平行设置的具体结构特征，以及各自对相位的影响进行详细说明。
[0108]
可以理解的是，在寄生天线方案中，可以根据主辐射体以及寄生辐射体之间的相对位置关系，将寄生枝节的耦合方式划分为电场耦合以及磁场耦合。电场耦合也可以称为电耦合，磁场耦合也可以称为磁耦合。
[0109]
示例性的，在寄生辐射体靠近主辐射体的开放端时，则该寄生辐射体的耦合形式可以为电耦合。其中，主辐射体的开放端也可以是主辐射体上远离接地点的一端，或者，主辐射体上靠近馈源的一端。可以理解的是，对于主辐射体而言，其开放端电场较大，电流(即磁场)较小。那么，寄生枝节靠近主辐射体的开放端时，寄生枝节就能够通过主辐射体的开放端附近产生的较强的电场进行能量耦合，实现基于电场的耦合馈电。
[0110]
对应的，在寄生辐射体靠近主辐射体上靠近接地点的一端(如称为接地端)时，则该寄生辐射体的耦合形式可以为磁耦合。其中，主辐射体的接地端也可以是主辐射体上远离开放端的一端。可以理解的是，对于主辐射体而言，其接地端电流(即磁场)较大，电场较小。那么，寄生枝节靠近主辐射体上接地端时，寄生枝节就能够通过主辐射体上接地端附近产生的较强的磁场进行能量耦合，实现基于磁场的耦合馈电。
[0111]
作为一种示例，结合图8，给出了几种电耦合以及磁耦合的结构示例。其中，结构81以及结构82可以分别为电耦合的两种情况。结构83以及结构84可以分别为磁耦合的两种情况。其中，结构81以及结构83可以对应到如图7所示的天线结构。而对应的，结构81以及结构83可以为如图7所示方案中两个辐射体相对位置关系的另一些可能。其中，在结构82以及结构84的示例中，两个辐射体可以平行设置(或称为并列设置)，那么寄生辐射体上的一端设置靠近主辐射体的部分，从而实现较好的耦合馈电。比如，该设置的靠近主辐射体的部分可以是，寄生辐射体的一个末端，向靠近主辐射体的方向延伸的部分。在以下说明中，该寄生辐射体上靠近主辐射体的末端可以称为耦合末端。可以理解的是，该耦合末端可以是寄生辐射体上靠近接地点的一端，也可以是寄生辐射体上的开放端。
[0112]
如结构81所示，主辐射体和寄生辐射体可以设置在同一条直线上，寄生辐射体的一端与主辐射体的开放端可以相对设置。示例性的，以主辐射体设置在寄生辐射体的左侧为例。主辐射体的接地点可以设置在主辐射体的左侧末端。比如，以寄生辐射体的开放端与主辐射体的开放端相对设置为例，该结构81中，主辐射体的开放端与寄生辐射体的开放端互相靠近设置，则寄生辐射体的开放端就可以通过电耦合的方式，从主辐射体进行基于电场的耦合馈电。
[0113]
如结构82所示，主辐射体和寄生辐射体可以平行设置，寄生辐射体的耦合末端靠近主辐射体的开放端。比如，以寄生辐射体的开放端为耦合末端为例，该结构82中，主辐射体的开放端与寄生辐射体的耦合末端互相靠近设置，则寄生辐射体就可以通过电耦合的方式，从主辐射体进行基于电场的耦合馈电。
[0114]
如结构83所示，主辐射体和寄生辐射体可以设置在同一条直线上，寄生辐射体的一端与主辐射体的接地端可以相对设置。示例性的，以主辐射体设置在寄生辐射体的左侧为例。主辐射体的接地点可以设置在主辐射体的右侧末端。比如，以寄生辐射体的接地端与主辐射体的接地端相对设置为例，该结构83中，主辐射体的接地端与寄生辐射体的接地端互相靠近设置，则寄生辐射体的接地端就可以通过磁耦合的方式，从主辐射体进行基于磁场的耦合馈电。
[0115]
在本技术实施例中，结构81和结构83也可以称为相对设置。
[0116]
如结构84所示，主辐射体和寄生辐射体可以平行设置，寄生辐射体的耦合末端靠近主辐射体的开放端。比如，以寄生辐射体的接地端为耦合末端为例，该结构84中，主辐射体的接地端与寄生辐射体的耦合末端互相靠近设置，则寄生辐射体就可以通过磁耦合的方
式，从主辐射体进行基于磁场的耦合馈电。
[0117]
可以理解的是，从传输线耦合的角度可以分析确定主辐射体与寄生辐射体在不同的耦合情况下的相位差异。
[0118]
示例性的，结合图9，主辐射体可以对应到具有信号输入的第一传输线。设置在该第一传输线附近的第二传输线，可以通过主传输线附近产生的电场以及磁场进行能量耦合。从而使得即使没有信号直接输入第二传输线的情况下，第二传输线上也可以产生电流。如图9所示，在第一传输线附近产生的以第一传输线为中心向外发散的电场，可以用于对第二传输线进行电耦合。此外，第一传输线上交变的电流也可以在第一传输线附近产生围绕第一传输线的磁场，该磁场可以用于对第二传输线进行磁耦合。
[0119]
从信号分析的角度，每个传输线之间的耦合都可以划分成多个基本单元之间的耦合。那么，基于磁耦合的传输线可以对应到多个磁耦合基本单元之间的磁场耦合。基于电耦合的传输线可以对应到多个电耦合基本单元之间的磁场耦合。
[0120]
图10示出了磁耦合基本单元以及电耦合基本单元的等效电路示意。其中，端口1可以对应第一传输线，端口2可以对应第二传输线。也就是说，对应到如图7或图8的天线示意，端口1可以对应到主辐射体，端口2可以对应到寄生辐射体。
[0121]
如图10所示，磁耦合基本单元中，在进行磁耦合时，端口1和端口2之间可以等效为串联的电感l
in
，以及并联到地的电感l1和电容c1。电耦合基本单元中，在进行电耦合时，端口1和端口2之间可以等效为串联的电容c
in
，以及并联到地的电感l2和电容c2。
[0122]
可以理解的是，如图11所示，在端口之间串联电容时，可以产生接近 90度的相位偏移。在端口之间串联电感时，可以产生接近-90度的相位偏移。而在端口之间并联电容和电感时，则会对高于本征频率(即f0)或低于f0的频段产生不同的相位偏移的影响。比如，如图11所示，在低于f0的频段，端口之间可以产生 90度的相位偏移。在高于f0的频段，端口之间可以产生-90度的相位偏移。
[0123]
那么，对应到如图10所示的电耦合基本单元以及磁耦合基本单元。请参考图12。
[0124]
以磁耦合基本单元为例，信号在进入端口1经过l
in
之后，产生-90度的相位偏移。接着，通过并联的电容c1和电感l1。在低于f0的频段，产生 90度的相位偏移。在高于f0的频段，产生-90度的相位偏移。也就是说，对于磁耦合基本单元，输入的端口1与输出的端口2的相位差在低于f0的频段约为-90度 90度＝0度。即端口1和端口2的信号相位相同。对应的，对于磁耦合基本单元，输入的端口1与输出的端口2的相位差在高于f0的频段约为-90度-90度＝-180度。即端口1和端口2的信号相位相反。
[0125]
以电耦合基本单元为例，信号在进入端口1经过c
in
之后，产生 90度的相位偏移。接着，通过并联的电容c2和电感l2。在低于f0的频段，产生 90度的相位偏移。在高于f0的频段，产生-90度的相位偏移。也就是说，对于电耦合基本单元，输入的端口1与输出的端口2的相位差在低于f0的频段约为 90度 90度＝180度。即端口1和端口2的信号相位相反。对应的，对于电耦合基本单元，输入的端口1与输出的端口2的相位差在高于f0的频段约为 90度-90度＝0度。即端口1和端口2的信号相位相同。
[0126]
对应到如图8的示例。以结构82以及结构84为例。其中，结构82为电耦合，则可以对应到如图12中的电耦合等效电路分析。结构84为磁耦合，则可以对应到如图12中的磁耦合等效电路分析。请参考图13。
两侧的相位差异分别为：在高于f0的一侧，相位差约为-90度-90度＝-180度。在低于f0的一侧，相位差约为-90度 90度＝0度。此外，由于相对设置产生的电流反向，因此会引入额外的180的相位差。也就是说，该结构83的天线在辐射时，在高于f0的一侧，相位差约为-90度-90度 180度＝0度，为同相叠加。对应到表1中，在自由空间中，相对设置的磁场耦合中高于f0的情况。在低于f0的一侧，相位差约为-90度 90度 180度＝180度，为反相抵消。对应到表1中，在自由空间中，相对设置的磁场耦合中低于f0的情况。
[0135]
由此，本领域技术人员应当能对前述如表1所示的相位差对应关系的准确性及其来源有了清晰的认识。需要说明的是，前述说明中，平行设置均以主辐射体与寄生辐射体严格的相对于水平中线上下对称设置为例。对应的，相对设置均以主辐射体与寄生辐射体严格的设置在一条直线上为例。对于其他更普遍的情况，比如，主辐射体与寄生辐射体并不满足上述严格的对应关系。参考图16，以寄生辐射体设置在主辐射体的右下方为例。那么，可以将该结构及经过x向分解以及y向分解，分别获取严格的相对设置以及严格的平行设置的状态。这样，通过该分解获取的两个状态参考前述说明进行相位差分析，然后再进行与分解相对应的合成，即可获取该如图16所示的普遍情况下，寄生辐射体产生电磁波与主辐射体产生电磁波的相位差异。其过程类似，此处不再赘述。
[0136]
以下结合具体的示例，对利用前述如表1所示的相位对应关系，设计的几种天线方案及其能够达到的效果进行说明。其中，结合图5，继续以天线501中可以包括一个主辐射体，即第一辐射体，以及两个寄生辐射体，如第二辐射体以及第三辐射体为例。
[0137]
示例性的，请参考图17，为本技术实施例提供的一种终端天线的组成示意图。结合图4以及图5的说明，该天线方案可以应用于天线501中，用于覆盖天线501的工作频段。在本示例中，通过一个主辐射体以及两个寄生辐射体，能够将辐射零点调整到工作频段之外，实现带外零点控制。这样能够使得该天线方案能够较好地覆盖宽频频段。比如，该天线方案可以用于覆盖5g频段中的n77频段等。
[0138]
如图17所示，该天线可以包括辐射体171，辐射体172以及辐射体173。其中，辐射体171上可以设置有馈源以及接地点。结合前述说明，该辐射体171可以为主辐射体。该辐射体171的开放端可以为馈源所在的 y方向的一端。
[0139]
在该示例中，寄生辐射体可以包括辐射体172以及辐射体173。结合图18，为给出了如图17所示的天线结构的斜45度视角的示意图。可以看到，辐射体172以及辐射体173设置在靠近辐射体171的开放端的位置。比如，辐射体172的开放端与辐射体171的开放端相对设置。又如，辐射体173的耦合末端与辐射体171的开放端相邻设置。那么，结合对图8中结构81以及结构82的说明，本示例中，辐射体172以及辐射体173就可以通过电耦合的方式进行耦合馈电。
[0140]
结合前述说明，如图19所示，本示例中，寄生辐射体可以都可以通过电耦合的形式进行耦合馈电。那么，对应到等效电路中，就可以理解为，电磁波在离开主辐射体之后，经过寄生辐射体，到达自由空间中之前，其传输过程可以等效为多个基本单元，如基本单元1-基本单元n。其中，每个基本单元都可以是电耦合对应的电耦合基本单元。
[0141]
此外，结合寄生辐射体与主辐射体之间的相对位置关系，如相对设置或平行设置，就可以确定辐射体172以及辐射体173与主辐射体(即辐射体171)的相位差异情况。
[0142]
示例性的，辐射体172与辐射体171为电耦合的平行设置关系。那么，结合表1，该辐
射体172与辐射体171之间的相位差异可以符合以下特征：
[0143]
在低于f
172
的情况下，相位差为180度，为反相抵消。在高于f
172
的情况下，相位差为0，为同相叠加。其中f
172
为辐射体172的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体172的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体172的长度就可以根据f
172
对应波长的1/4确定。
[0144]
由此，利用在高于f
172
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体172对应的谐振覆盖工作频段的低频部分。
[0145]
对于辐射体173，辐射体173与辐射体171为电耦合的相对设置关系。那么，结合表1，该辐射体173与辐射体171之间的相位差异可以符合以下特征：
[0146]
在低于f
173
的情况下，相位差为0，为同相叠加。在高于f
173
的情况下，相位差为180度，为反相抵消。其中f
173
为辐射体173的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体173的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体173的长度就可以根据f
173
对应波长的1/4确定。
[0147]
由此，利用在低于f
173
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体173对应的谐振覆盖工作频段的高频部分。
[0148]
基于上述说明，本技术实施例提供的天线方案中，以辐射体171对应谐振覆盖频段171，辐射体172对应谐振覆盖频段172，辐射体173对应谐振覆盖频段173为例。那么，在覆盖该天线的工作频段时，可以通过频段171覆盖工作频段的中频部分，通过频段172覆盖工作频段的低频部分，通过频段172覆盖工作频段的高频部分。
[0149]
以工作频段为n77为例。为了能够依据上述方案实现对n77的覆盖，那么辐射体171的长边尺寸可以对应到n77频段的中频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体172的长边尺寸可以对应到n77频段的低频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体173的长边尺寸可以对应到n77频段的高频部分中心频点的1/4波长。示例性的，结合图20，给出了覆盖n77频段时，图17所示天线方案中各个部分的尺寸示意。如图20所示，辐射体173的y向长度可以为a1，辐射体172的y向长度可以为a2，辐射体171的y向长度可以为a3，各个辐射体的x向宽度可以为a5，此外，辐射体172的耦合末端的x向长度可以为a4。作为一种可能的实现，a1可以为14mm，a2可以为15mm，a3可以为17mm，a4可以为4.5mm，a5可以为5.3mm。
[0150]
需要说明的是，上述尺寸仅为一种示例，并不构成具体的限定。各个辐射体的尺寸可以根据其对应需要覆盖的工作频段的高中低部分进行具体确定。其中，在本示例中，工作频段(如n77)频段，可以划分为高中低三部分，该高中低三部分的具体划分可以根据实际需要进行，本技术对此不作具体限制。比如，在辐射体171对应的谐振带宽较好时，则可以为工作频段的中频部分划分更宽的带宽，从而使得通过该辐射体171的谐振能够为工作频段中的更多部分提供覆盖。对应的由于低频部分和高频部分的带宽得到了降低，则其中心频点也会对应调整，那么辐射体172和辐射体173对应的谐振就可以使用较好的性能覆盖该具有较低带宽的低频部分和高频部分等。
[0151]
图21则给出了如图17或图20所示的天线方案的s参数仿真以及电流仿真。在电流仿真中，颜色越亮，则表明电流越强。
[0152]
如图21所示，该天线方案可以激励至少三个谐振。其中，用于覆盖低频部分的谐振的电流主要分布在辐射体172上，因此，辐射体172较好地覆盖了工作频段的低频部分。用于
覆盖中频部分的谐振的电流主要分布在辐射体171上，因此，辐射体171较好地覆盖了工作频段的中频部分。用于覆盖高频部分的谐振的电流主要分布在辐射体173上，因此，辐射体173较好地覆盖了工作频段的高频部分。
[0153]
基于前述方案说明，由于辐射体172的高频部分(即辐射体172的谐振中靠近工作频段的部分)以及辐射体173的低频部分(即辐射体173的谐振中靠近工作频段的部分)分别具有正向叠加特性，因此能够提供较好的辐射性能。从如图21所示的辐射效率以及系统效率仿真可以对其进行佐证。如图21所示，从辐射效率的角度，n77频段对应的3.3ghz-4.2ghz在全频段都超过了-2db。对应的从系统效率的角度，n77频段对应的全频段都超过-6db，-4db带宽接近500mhz。因此能够证明具有如图17或图18所示组成的天线能够较好地覆盖n77等宽频工作频段。
[0154]
请参考图22，为本技术实施例提供的又一种终端天线的组成示意图。结合图4以及图5的说明，该天线方案可以应用于天线501中，用于覆盖天线501的工作频段。在本示例中，通过一个主辐射体以及两个寄生辐射体，能够将辐射零点调整到工作频段之外，实现带外零点控制。这样能够使得该天线方案能够较好地覆盖宽频频段。比如，该天线方案可以用于覆盖5g频段中的n77频段等。
[0155]
如图22所示，该天线可以包括辐射体221，辐射体222以及辐射体223。结合图23，为给出了如图22所示的天线结构的斜45度视角的示意图。其中，辐射体221上可以设置有馈源以及接地点。结合前述说明，该辐射体221可以为主辐射体。该辐射体221的开放端可以为馈源所在的 y方向的一端。
[0156]
在该示例中，寄生辐射体可以包括辐射体222以及辐射体223。可以看到，辐射体222设置在靠近辐射体221的接地端的位置。辐射体223设置在靠近辐射体221的开放端的位置。比如，辐射体222的接地端与辐射体221的接地端相对设置。又如，辐射体223的耦合末端与辐射体221的开放端相邻设置。
[0157]
需要说明的是，在本示例中，虽然辐射体222与辐射体221并非严格的设置在一条直线上的相对设置。但是，由于辐射体222在辐射体221长边所在直线上的投影与辐射体221仅有少部分重合，因此，在该情况下，经过如图16所示的正交分解，相对设置占绝大部分。因此，可以将辐射体222与辐射体221的位置关系描述为接近相对设置的情况。
[0158]
那么，结合对图8的说明，本示例中，辐射体222可以通过磁耦合的方式进行耦合馈电。辐射体223可以通过电耦合的方式进行耦合馈电。
[0159]
此外，结合寄生辐射体与主辐射体之间的相对位置关系，如相对设置或平行设置，就可以确定辐射体222以及辐射体223与主辐射体(即辐射体221)的相位差异情况。
[0160]
示例性的，辐射体222与辐射体221为磁耦合的相对设置关系。那么，结合表1，该辐射体222与辐射体221之间的相位差异可以符合以下特征：
[0161]
在低于f
222
的情况下，相位差为180度，为反相抵消。在高于f
222
的情况下，相位差为0，为同相叠加。其中f
222
为辐射体222的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体222的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体222的长度就可以根据f
222
对应波长的1/4确定。
[0162]
由此，利用在高于f
222
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体222对应的谐振覆盖工作频段的低频部分。
[0163]
对于辐射体223，类似于如图17-图21的说明，辐射体223与辐射体221为电耦合的相对设置关系。那么，结合表1，该辐射体223与辐射体221之间的相位差异可以符合以下特征：
[0164]
在低于f
223
的情况下，相位差为0，为同相叠加。在高于f
223
的情况下，相位差为220度，为反相抵消。其中f
223
为辐射体223的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体223的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体223的长度就可以根据f
223
对应波长的1/4确定。
[0165]
由此，利用在低于f
223
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体223对应的谐振覆盖工作频段的高频部分。
[0166]
基于上述说明，本技术实施例提供的天线方案中，以辐射体221对应谐振覆盖频段221，辐射体222对应谐振覆盖频段222，辐射体223对应谐振覆盖频段223为例。那么，在覆盖该天线的工作频段时，可以通过频段221覆盖工作频段的中频部分，通过频段222覆盖工作频段的低频部分，通过频段222覆盖工作频段的高频部分。
[0167]
以工作频段为n77为例。为了能够依据上述方案实现对n77的覆盖，那么辐射体221的长边尺寸可以对应到n77频段的中频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体222的长边尺寸可以对应到n77频段的低频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体223的长边尺寸可以对应到n77频段的高频部分中心频点的1/4波长。示例性的，结合图24，给出了覆盖n77频段时，图24所示天线方案中各个部分的尺寸示意。如图24所示，辐射体223的y向长度可以为b1，辐射体222的y向长度可以为b2，辐射体221的y向长度可以为b3。辐射体222的-y方向末端的x向长度可以为b4，-y方向末端的y向高度可以为b5。作为一种可能的实现，b1可以为13mm，b2可以为16mm，b3可以为16.5mm，b4可以为4.5mm，b5可以为2.4mm。
[0168]
需要说明的是，上述尺寸仅为一种示例，并不构成具体的限定。各个辐射体的尺寸可以根据其对应需要覆盖的工作频段的高中低部分进行具体确定。其中，在本示例中，工作频段(如n77)频段，可以划分为高中低三部分，该高中低三部分的具体划分可以根据实际需要进行，本技术对此不作具体限制。比如，在辐射体221对应的谐振带宽较好时，则可以为工作频段的中频部分划分更宽的带宽，从而使得通过该辐射体221的谐振能够为工作频段中的更多部分提供覆盖。对应的由于低频部分和高频部分的带宽得到了降低，则其中心频点也会对应调整，那么辐射体222和辐射体223对应的谐振就可以使用较好的性能覆盖该具有较低带宽的低频部分和高频部分等。
[0169]
图25则给出了如图22-图24所示的天线方案的s参数仿真以及电流仿真。在电流仿真中，颜色越亮，则表明电流越强。
[0170]
如图25所示，该天线方案可以激励至少三个谐振。其中，用于覆盖低频部分的谐振的电流主要分布在辐射体222上，因此，辐射体222较好地覆盖了工作频段的低频部分。用于覆盖中频部分的谐振的电流主要分布在辐射体221上，因此，辐射体221较好地覆盖了工作频段的中频部分。用于覆盖高频部分的谐振的电流主要分布在辐射体223上，因此，辐射体223较好地覆盖了工作频段的高频部分。
[0171]
基于前述方案说明，由于辐射体222的高频部分(即辐射体222的谐振中靠近工作频段的部分)以及辐射体223的低频部分(即辐射体223的谐振中靠近工作频段的部分)分别具有正向叠加特性，因此能够提供较好的辐射性能。从如图25所示的辐射效率以及系统效
率仿真可以对其进行佐证。如图25所示，从辐射效率的角度，n77频段对应的3.3ghz-4.2ghz在全频段都超过了-2db。对应的从系统效率的角度，n77频段对应的大部分频点都超过-6db，-4db带宽接近500mhz。因此能够证明具有如图22或图23所示组成的天线能够较好地覆盖n77等宽频工作频段。
[0172]
请参考图26，为本技术实施例提供的又一种终端天线的组成示意图。结合图4以及图5的说明，该天线方案可以应用于天线501中，用于覆盖天线501的工作频段。在本示例中，通过一个主辐射体以及两个寄生辐射体，能够将辐射零点调整到工作频段之外，实现带外零点控制。这样能够使得该天线方案能够较好地覆盖宽频频段。比如，该天线方案可以用于覆盖5g频段中的n77频段等。
[0173]
如图26所示，该天线可以包括辐射体261，辐射体262以及辐射体263。其中，辐射体261上可以设置有馈源以及接地点。结合前述说明，该辐射体261可以为主辐射体。该辐射体261的开放端可以为馈源所在的 y方向的一端。
[0174]
在该示例中，寄生辐射体可以包括辐射体262以及辐射体263。可以看到，辐射体262的耦合末端设置在靠近辐射体261的开放端的位置。辐射体263设置在靠近辐射体261的接地端的位置。
[0175]
那么，结合对图8的说明，本示例中，辐射体262可以通过电耦合的方式进行耦合馈电。辐射体263可以通过磁耦合的方式进行耦合馈电。
[0176]
此外，结合寄生辐射体与主辐射体之间的相对位置关系，如相对设置或平行设置，就可以确定辐射体262以及辐射体263与主辐射体(即辐射体261)的相位差异情况。
[0177]
示例性的，辐射体262与辐射体261为电耦合的平行设置关系。那么，结合表1，该辐射体262与辐射体261之间的相位差异可以符合以下特征：
[0178]
在低于f
262
的情况下，相位差为180度，为反相抵消。在高于f
262
的情况下，相位差为0，为同相叠加。其中f
262
为辐射体262的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体262的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体262的长度就可以根据f
262
对应波长的1/4确定。
[0179]
由此，利用在高于f
262
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体262对应的谐振覆盖工作频段的低频部分。
[0180]
对于辐射体263，辐射体263与辐射体261为磁耦合的平行设置关系。那么，结合表1，该辐射体263与辐射体261之间的相位差异可以符合以下特征：
[0181]
在低于f
263
的情况下，相位差为0，为同相叠加。在高于f
263
的情况下，相位差为180度，为反相抵消。其中f
263
为辐射体263的本征谐振的中点，即本征频率。可以理解的是，在辐射体263的本征谐振对应1/4波长时，则该辐射体263的长度就可以根据f
263
对应波长的1/4确定。
[0182]
由此，利用在低于f
203
的情况下同相叠加的特性，可以使用辐射体263对应的谐振覆盖工作频段的高频部分。
[0183]
基于上述说明，本技术实施例提供的天线方案中，以辐射体261对应谐振覆盖频段261，辐射体262对应谐振覆盖频段262，辐射体263对应谐振覆盖频段263为例。那么，在覆盖该天线的工作频段时，可以通过频段261覆盖工作频段的中频部分，通过频段262覆盖工作频段的低频部分，通过频段262覆盖工作频段的高频部分。
[0184]
以工作频段为n77为例。为了能够依据上述方案实现对n77的覆盖，那么辐射体261的长边尺寸可以对应到n77频段的中频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体262的长边尺寸可以对应到n77频段的低频部分中心频点的1/4波长；那么辐射体263的长边尺寸可以对应到n77频段的高频部分中心频点的1/4波长。
[0185]
需要说明的是，上述尺寸仅为一种示例，并不构成具体的限定。各个辐射体的尺寸可以根据其对应需要覆盖的工作频段的高中低部分进行具体确定。其中，在本示例中，工作频段(如n77)频段，可以划分为高中低三部分，该高中低三部分的具体划分可以根据实际需要进行，本技术对此不作具体限制。比如，在辐射体261对应的谐振带宽较好时，则可以为工作频段的中频部分划分更宽的带宽，从而使得通过该辐射体261的谐振能够为工作频段中的更多部分提供覆盖。对应的由于低频部分和高频部分的带宽得到了降低，则其中心频点也会对应调整，那么辐射体262和辐射体263对应的谐振就可以使用较好的性能覆盖该具有较低带宽的低频部分和高频部分等。
[0186]
图27则给出了如图26所示的天线方案的s参数仿真以及电流仿真。
[0187]
如图27所示，该天线方案可以激励至少三个谐振。其中，辐射体262较好地覆盖了工作频段的低频部分。辐射体261较好地覆盖了工作频段的中频部分。辐射体263较好地覆盖了工作频段的高频部分。
[0188]
基于前述方案说明，由于辐射体262的高频部分(即辐射体262的谐振中靠近工作频段的部分)以及辐射体263的低频部分(即辐射体263的谐振中靠近工作频段的部分)分别具有正向叠加特性，因此能够提供较好的辐射性能。从如图27所示的辐射效率以及系统效率仿真可以对其进行佐证。如图27所示，从辐射效率的角度，n77频段对应的3.3ghz-4.2ghz在大部分频点都超过了-1db。对应的从系统效率的角度，n77频段对应的大部分频点都超过-4db。因此能够证明具有如图26所示组成的天线能够较好地覆盖n77等宽频工作频段。
[0189]
以上图17-图27对使用本技术实施例提供的带外零点控制方案实现宽频工作频段的覆盖的具体实现进行了举例说明。应当理解的是，基于该带外零点控制方案，还能够设计其他不同于图17-图27所示方案的天线方案。示例性的，图28给出了几种可能的天线方案，也能够达到如图17-图27所示的宽频覆盖的效果。
[0190]
如图28所示，主辐射体可以设置有馈源和接地点。在本示例中，均以馈源设置在主辐射体的y轴正方向一侧为例。也就是说，主辐射体的开放端朝向y轴正方向。在本技术的另一些实现中，主辐射体的馈源和接地点的设置可以不同，那么可以通过对应调整寄生辐射体的设置位置实现类似的效果。
[0191]
结构281中，两个寄生辐射体可以分别设置在主辐射体的上下两侧。上侧的寄生辐射体可以与主辐射体的开放端相对设置。下侧的寄生辐射体可以与主辐射体的接地端相对设置。那么，上侧的寄生辐射体则对应如表1中的电耦合相对设置。因此，低于本征频率为同相叠加，高于本征频率为反相抵消。下侧的寄生辐射体则对应如表1中的磁耦合相对设置。因此，低于本征频率为反相抵消，高于本征频率为同相叠加。由此上侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的高频部分，下侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的低频部分。
[0192]
结构282和结构283可以视作结构281的变形。可以看到，结构282中，下侧寄生辐射体设置在主辐射体的左下方。经过正交分解，主要耦合方式为相对设置的磁耦合。结构283中，上侧寄生辐射体设置在主辐射体的右上方。经过正交分解，主要耦合方式为相对设置的
电耦合。因此，结构282和结构283的设置方式可以与结构281类似，即上侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的高频部分，下侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的低频部分。
[0193]
结构284中，上侧寄生辐射体可以与主辐射体的开放端相对设置。下侧寄生辐射体可以与主辐射体平行设置，如设置在主辐射体的左侧。下侧寄生辐射体的耦合末端可以靠近主辐射体的开放端。那么，上侧的寄生辐射体则对应如表1中的电耦合相对设置。因此，低于本征频率为同相叠加，高于本征频率为反相抵消。下侧的寄生辐射体则对应如表1中的电耦合平行设置。因此，低于本征频率为反相抵消，高于本征频率为同相叠加。由此上侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的高频部分，下侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的低频部分。
[0194]
结构285可以视作结构284的变形。可以看到，结构285中，上侧寄生辐射体设置在主辐射体的右下方。经过正交分解，主要耦合方式为相对设置的电耦合。因此，结构285的设置方式可以与结构284类似，即上侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的高频部分，下侧寄生辐射体可以用于覆盖工作频段的低频部分。
[0195]
结构286中，两个寄生辐射体可以分别设置在主辐射体的两侧。比如，左侧寄生辐射体可以设置在主辐射体的左侧偏下位置。左侧寄生辐射体的接地点可以靠近主辐射体的接地端。经过正交分解，其主要位置关系为相对设置的磁耦合。对应表1，低于本征频率时为反相抵消，高于本征频率时为同相叠加。右侧寄生辐射体可以与主辐射体平行设置，右侧辐射体靠近主辐射体的接地端。因此为磁场耦合的平行设置关系。对应表1，低于本征频率时为同相叠加，高于本征频率时为反相抵消。那么，可以通过左侧寄生辐射体覆盖工作频段的低频部分，通过右侧寄生辐射体覆盖工作频段的高频部分。
[0196]
结构287与结构286类似，其区别在于左侧寄生辐射体的一端(如接地端)与主辐射体的接地端相对设置。因此其位置关系为相对设置的磁耦合。与结构286类似，可以通过左侧寄生辐射体覆盖工作频段的低频部分，通过右侧寄生辐射体覆盖工作频段的高频部分。
[0197]
结构288中包括的左侧寄生辐射体可以与主辐射体平行设置，其耦合末端可以靠近主辐射体的开放端设置。因此对应为电耦合的平行设置。对应表1，低于本征频率时为反相抵消，高于本征频率时为同相叠加。右侧寄生辐射体可以与主辐射体平行设置，其辐射体靠近主辐射体的接地端设置。因此对应为磁耦合的平行设置。对应表1，低于本征频率时为同相叠加，高于本征频率时为反相抵消。那么，可以通过左侧寄生辐射体覆盖工作频段的低频部分，通过右侧寄生辐射体覆盖工作频段的高频部分。
[0198]
需要说明的是，上述如图17-图28的结构示意，为针对本技术实施例提供的带外零点控制方案的几种具体实现的示意，并非穷举。本领域技术人员应当理解的是，在基于类似于上述方案的其他实现中，也应当在本技术的保护范围之内。比如，以如图28中任一种实现为例，通过对调上侧寄生辐射体以及下侧辐射体的位置，或者对调左侧寄生辐射体以及右侧寄生辐射体获取的天线结构也能够基于零点控制理论获取与前述示例中类似的效果，此处不再赘述。另外，上述方案说明中，均以天线方案中包括两个寄生辐射体为例进行说明。在本技术的另一些实现中，寄生辐射体的数量还可以更多或更少，基于类似的理由，能够获取与前述示例中相似的效果。
[0199]
尽管结合具体特征及其实施例对本技术进行了描述，显而易见的，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所
附权利要求所界定的本技术的示例性说明，且视为已覆盖本技术范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包括这些改动和变型在内。