半导体封装方法及半导体封装结构与流程

技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：将所述已植球裸片贴到软性膜组件上，其中，所述已植球裸片包括待封装裸片与锡球，所述锡球位于所述待封装裸片的焊盘上，所述待封装裸片包括正面与背面，所述正面与所述背面相对，所述焊盘位于所述待封装裸片的正面；所述软性膜组件包括载板与软性膜层，所述软性膜层贴附在所述载板上，所述锡球的第一部分嵌入所述软性膜层中，所述锡球的第二部分未嵌入所述软性膜层中，所述锡球的第二部分与所述焊盘接触，所述待封装裸片的正面与所述软性膜层远离所述载板的表面之间存在空隙；在所述已植球裸片上形成塑封层，所述塑封层包裹住所述待封装裸片以及所述锡球的第二部分；对所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的表面进行研磨，以使所述塑封层靠近所述待封装裸片的背面的表面平整；去除所述软性膜组件，得到半导体封装结构，所述锡球的第一部分露出所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将所述已植球裸片贴到软性膜组件上之前，包括：在所述待封装裸片的焊盘上植放锡球，得到所述已植球裸片。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将所述已植球裸片贴到软性膜组件上之前，包括：将所述软性膜层贴附在所述载板上，得到所述软性膜组件。4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述软性膜层的厚度为所述锡球的直径的二分之一；所述软性膜层的厚度为100微米～120微米。5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述软性膜层的材料为聚二甲基硅氧烷pdms。6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述锡球的直径为200微米～250微米。7.根据权利要求1或6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述锡球的第一部分的高度为所述锡球的直径的二分之一。8.一种半导体封装结构，其特征在于，采用权利要求1至7任一项所述的半导体封装方法制备，所述半导体封装结构，包括：待封装裸片，所述待封装裸片的正面设置有焊垫；锡球，位于所述焊盘上；所述锡球包括第一部分与第二部分，所述锡球的第二部分与所述焊盘接触；塑封层，所述塑封层包裹住所述待封装裸片以及所述锡球的第二部分，所述锡球的第一部分露出所述塑封层靠近所述待封装裸片的正面的表面。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述锡球的直径为200微米～250微米。10.根据权利要求8或9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述锡球的第一部分的高度为所述锡球的直径的二分之一。

技术总结
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装方法包括：在待封装裸片的焊盘上植放锡球，得到已植球裸片，将软性膜层贴附在载板上，得到软性膜组件，将已植球裸片贴到软性膜组件上，锡球的第一部分嵌入软性膜层中，锡球的第二部分未嵌入软性膜层中，锡球的第二部分与焊盘接触，待封装裸片的正面与软性膜层远离载板的表面之间存在空隙，在已植球裸片上形成塑封层，塑封层包裹住待封装裸片以及锡球的第二部分，对塑封层靠近待封装裸片的背面的表面进行研磨，以使表面平整，去除软性膜组件，得到半导体封装结构，锡球的第一部分露出塑封层靠近待封装裸片的正面的表面。本申请实施例可减少一次研磨的工艺步骤，减少生产成本。减少生产成本。减少生产成本。


技术研发人员：霍炎 涂旭峰
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2020.11.30
技术公布日：2022/6/4