一种外延隔离LED芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻图形，刻蚀出与所述第一光刻图形相应的图形，以使在所述衬底上形成凹槽；分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在所述凹槽的顶部和底部沉积的所述化合物；在所述衬底上形成第二光刻图形，刻蚀出与所述第二光刻图形相应的图案，并依次在所述凹槽的底部生长n型半导体层、发光层和p型半导体层。2.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度为5um-15um。3.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述化合物为氧化物或氮化物。4.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述第二光刻图形为圆锥。5.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。6.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，在分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积化合物的步骤中：将第一气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s；停止通入第一气体反应剂，通入吹扫气体将腔体内残留的所述第一气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s，所述吹扫气体包括惰性气体；将第二气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s；停止通入第二气体反应剂，通入所述吹扫气体将腔体内残留的所述第二气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s；循环重复上述步骤，直至沉积化合物的厚度达到预设厚度。7.根据权利要求1所述的外延隔离led芯片制备方法，其特征在于，所述化合物的厚度为10nm-1000nm。8.一种外延隔离led芯片，其特征在于，包括衬底、及从下至上依次设于衬底上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，所述衬底设有凹槽，所述凹槽内侧壁上设有抑制外延层生长的化合物，所述n型半导体层、所述发光层、所述p型半导体层分别位于所述凹槽内。9.根据权利要求8所述的外延隔离led芯片，其特征在于，所述凹槽的深度为5um-15um。10.根据权利要求8所述的外延隔离led芯片，其特征在于，所述化合物为氧化物或氮化物。

技术总结
本发明提供一种外延隔离LED芯片及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上刻蚀形成凹槽；分别在凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在凹槽的顶部和底部沉积的化合物；并依次在凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。本发明中的外延隔离LED芯片及其制备方法，通过首先在衬底上刻蚀出凹槽，形成自隔离的结构，并在凹槽侧壁沉积抑制外延层生长的化合物，在自隔离的结构上生长外延层，提前将芯片进行隔离再生长外延层能够避免刻蚀对外延层的污染，提高了芯片的发光效率。芯片的发光效率。芯片的发光效率。


技术研发人员：田杰 简弘安 张星星 胡加辉 金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/6/14