用于存储器单元的器件意识测试

技术特征：
1.一种用于测试集成电路器件(1)的方法，所述方法包括：对所述集成电路器件(1)进行缺陷建模，基于从所述缺陷建模获得的信息对所述集成电路器件(1)进行故障建模，基于从所述故障建模获得的信息来进行测试开发，以及对所述集成电路器件(1)执行所述测试，其中对所述集成电路器件(1)进行缺陷建模包括：执行对所述集成电路器件(1)的物理缺陷分析(10)，以提供从与所述集成电路器件(1)相关联的一组无缺陷技术参数(tp
df
)修改的一组有效技术参数(tp
eff
)；以及使用所述一组有效技术参数(tp
eff
)来执行对所述集成电路器件(1)的电学建模(11)，以基于所述集成电路器件(1)的无缺陷电学模型来提供缺陷参数化电学模型(16；17)，其中故障建模(20)包括基于所述集成电路器件(1)的所述缺陷参数化电学模型(16；17)的故障分析(22)，并且其中所述故障分析(22)包括：定义故障空间，所述故障空间包括对多个可能故障(23、24、27)的描述；以及确定在对所述集成电路器件(1)执行所述测试期间能够使所述多个可能故障(23、24、27)中的哪些敏感化。2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述集成电路器件(1)进行缺陷建模包括对所述集成电路器件(1)的部分进行缺陷建模。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中对所述集成电路器件(1)进行缺陷建模还包括所述缺陷参数化电学模型(16；17)的校准(12)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述物理缺陷分析(10)包括识别一组可能的物理缺陷(d)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述故障分析(22)包括确定可能故障(23、24、27)的列表，所述可能故障的列表包括容易检测的故障(23)和/或难以检测的故障(27)，容易检测的故障(23)是能够通过对所述集成电路器件(1)应用操作序列来检测到的功能故障，并且难以检测的故障(27)是引起所述集成电路器件(1)中的参数故障的故障。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中测试开发包括提供测试方案，所述测试方案包括针对在所述故障分析(22)中识别的每个容易检测的故障(23)对所述集成电路器件(1)进行的一组操作，以及针对每个难以检测的故障(27)对所述集成电路器件(1)的可测试性修改的设计。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述集成电路器件(1)是存储器器件(1)。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述集成电路器件(1)是逻辑器件(1)。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器器件(1)是电阻式随机存取存储器(r-ram)单元，所述技术参数(tp)包括以下一者或多者：氧化物厚度(t
ox
)、导电细丝长度(l
cf
)、间隙长度(l
间隙
)、导电细丝顶部宽度(φ
t
)、导电细丝底部宽度(φ
b
)，并且所述电学参数包括以下一者或多者：重置阈值(v
重置
)、设定阈值(v
设定
)、重置电阻(r
hrs
)、设定电阻(r
lrs
)、高电阻状态到低电阻状态切换延迟(t
h
→
l
)、低电阻状态到高电阻状态切换
延迟(t
l
→
h
)。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器器件(1)是自旋转移力矩磁性随机存取存储器(stt-mram)单元，所述技术参数(tp)包括以下一者或多者：电阻面积乘积(ra)、隧穿磁阻率(tmr)、自由层的各向异性磁场(h
k
)、所述自由层的饱和磁化(m
s
)、隧道结的势垒高度(φ)，并且所述电学参数包括以下一者或多者：p状态下的电阻(r
p
)、ap状态下的电阻(r
ap
)、临界切换电流(i
c
)、平均切换时间(t
w
)。

技术总结
公开了一种用于测试集成电路器件(1)的方法，该方法包括：对集成电路器件(1)进行缺陷建模；基于从缺陷建模获得的信息对集成电路器件(1)进行故障建模；基于从故障建模获得的信息进行测试开发；以及对集成电路器件(1)执行测试。对集成电路器件(1)进行缺陷建模包括：执行对集成电路器件(1)的物理缺陷分析(10)，以提供从与集成电路器件(1)相关联的一组无缺陷技术参数(Tp


技术研发人员：莫塔乔拉
受保护的技术使用者：代尔夫特技术大学
技术研发日：2020.09.03
技术公布日：2022/6/17