切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备：基材层；压敏胶黏剂层，具有与所述基材层相向的第1面及与所述第1面相反侧的第2面，且由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成；及胶黏剂层，以覆盖所述第2面的中央部的方式设置，所述压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域，所述第1区域至少包括与压敏胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域，所述第2区域以包围所述第1区域的方式设置，所述第1区域为因照射活性能量射线而呈与所述第2区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30
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及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的、所述压敏胶黏剂层的所述第1区域对所述胶黏剂层的胶接力为f1(n/25mm)，在温度23℃下、剥离角度30
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及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的、所述压敏胶黏剂层的所述第2区域对所述胶黏剂层的胶接力为f2(n/25mm)时，f2与f1之差(f2-f1)为6.5～9.0n/25mm，所述切割晶粒接合一体型膜应用于包括将晶圆单片化为0.1～9mm2面积的多个芯片的工序的半导体装置的制造工艺。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述f2与f1之差(f2-f1)为7.0～9.0n/25mm。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述f1为1.1～4.5n/25mm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述f1为1.1～3.0n/25mm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，在温度23℃下、剥离角度90
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及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的所述压敏胶黏剂层的所述第2区域对不锈钢基板的胶接力为0.2n/25mm以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，所述官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种，所述(甲基)丙烯酸系树脂中的所述官能团的含量为0.1～1.2mmol/g。7.根据权利要求6所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述活性能量射线固化型压敏胶黏剂还包含交联剂，所述交联剂的含量相对于所述活性能量射线固化型压敏胶黏剂的总质量为0.1～15质量％。8.根据权利要求7所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述交联剂为在一个分子中具有两个以上的异氰酸酯基的多官能异氰酸酯与在一个分子中具有三个以上的羟基的多元醇的反应物。9.根据权利要求1至8中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述活性能量射线的照射量为10～1000mj/cm2。10.根据权利要求1至9中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
所述胶黏剂层由胶黏剂组合物组成，所述胶黏剂组合物包括含有反应性基团的(甲基)丙烯酸类共聚物、固化促进剂及填料。11.一种切割晶粒接合一体型膜的制造方法，其为权利要求1至10中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的制造方法，所述制造方法依次包括：在基材层的表面上制作层叠体的工序，所述层叠体包括由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层及形成于所述压敏胶黏剂层的表面上的所述胶黏剂层；及对所述层叠体所包括的所述压敏胶黏剂层的成为所述第1区域的区域照射活性能量射线的工序。12.一种半导体装置的制造方法，其包括：准备权利要求1至10中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的工序；将晶圆贴附于所述切割晶粒接合一体型膜的所述胶黏剂层，并且将切晶环贴附于所述压敏胶黏剂层的所述第2面的工序；将所述晶圆单片化为多个芯片的工序；将所述芯片连同所述胶黏剂层被单片化而成的胶黏剂片一并，从所述压敏胶黏剂层进行拾取的工序；及经由所述胶黏剂片将所述芯片安装于基板或其他芯片上的工序。

技术总结
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域，所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域，所述第2区域以包围第1区域的方式设置，第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中，在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5～9.0N/25mm。剂层的胶接力之差为6.5～9.0N/25mm。剂层的胶接力之差为6.5～9.0N/25mm。


技术研发人员：木村尚弘 森修一 田泽强
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2020.09.24
技术公布日：2022/6/17