一种磁存储器及其数据读写方法

1.本发明实施例涉及存储领域，涉及一种磁存储器及其数据读写方法。


背景技术：

2.随着人工智能、大数据以及云计算产业的高速发展，人们接触了越来越多的智能化产品，并对智能化产品的需求不断增加，促进了集成电路产业的高速发展，大规模集成电路的复杂度越来越高，整体功耗也越来越大。
3.磁隧道结(mtj，magnetic tunnel junction)具有响应速度高、低功耗、耐用性长、等优良特性而作为磁性随机存储器(mram，magnetic random access memory)的基础单元并广泛应用。将其应用在存储领域，通过其自身的数据非易失性，可有效解决易失性存储器因数据丢失而进行重复存取，导致产生额外功耗的问题。
4.然而，由于mtj器件通过改变自由层的磁化方向，使自由层与参考层之间的相对磁化方向相同或相反，实现对mtj器件阻态的改变，并以此实现数据的“0”或“1”的输出。在对mtj实际应用中发现，由于过程中仅自由层磁化方向发生改变，参考层磁化方向不变，导致每个器件仅能进行一位的“0”或“1”存储，存储密度同其它存储器，例如：非线性闪存(nand-flash)相比仍存在差距。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种磁存储器及其数据读写方法，以提高磁存储器的存储密度。
6.为了解决上述问题，本发明的第一方面提出了一种磁存储器，
7.所述磁存储器包括：
8.底电极以及设置于所述底电极之上的磁隧道结；
9.所述磁存储器设置有至少三个端口，包括：第一端口，第二端口以及第三端口；
10.所述底电极还设置有通电接口，包括：第一通电接口以及第二通电接口，所述第一通电接口的通入电流方向与所述第二通电接口的通入电流方向相反，所述第一通电接口与所述第二端口相连，所述第二通电接口与所述第三端口相连；
11.所述磁隧道结还包括顶电极，所述顶电极设置于所述磁隧道结顶部，所述顶电极与所述第一端口相连。
12.在一些实施例中，所述磁隧道结还包括参考层，所述参考层设置于底电极之上顶电极之下，所述通电接口用于接收所述第二端口以及所述第三端口输入的电信号，响应于所述电信号的通电方向，所述参考层的磁化方向由参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向，所述第一参考层磁化方向与所述第二参考层方向相反。
13.在一些实施例中，所述通电方向包括：第一通电方向以及第二通电方向，所述第一通电方向与所述参考层第一磁化方向对应，所述通电方向与所述第二参考层磁化方向对应。
14.在一些实施例中，所述第一端口与底电极端口中任一个用于向所述磁隧道结输入写入信号，所述磁隧道结还包括自由层，所述自由层设置于所述参考层之上顶电极之下，响应于所述写入信号，所述自由层的磁化方向由自由层第一磁化方向转变为所述自由层第二磁化方向，所述自由层第一磁化方向与所述自由层第二磁化方向相反，
15.响应于所述自由层第一方向转变为所述自由层第二方向，所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，
16.所述底电极端口包括第二端口以及第三端口。
17.在一些实施例中，所述电信号对应的输入通道与所述写入信号对应的输入通道相互独立，信号通入过程互不影响，
18.所述电信号对应的输入通道包括：所述第二端口以及所述第三端口对应电信号的输入通道；
19.所述写入信号对应的输入通道包括：所述第一端口以及所述第三端口对应写入信号的输入通道。
20.在一些实施例中，针所述磁隧道结还包括顶电极，所述顶电极与所述读取电阻串联，所述顶电极至少由以下材料的任一一种或两种及以上的组合得到，所述材料包括：铝、钽、金、铬、铜、钼、钨以及铂。
21.在一些实施例中，所述磁隧道结还包括：自由层、参考层以及势垒层，
22.当所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向相同时，所述磁隧道结呈现低阻态，当所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向相反时，所述磁隧道结呈现高阻态。
23.在一些实施例中，所述磁隧道结还包括底端电极，所述底端电极至少由以下材料的任一一种或两种及以上的组合得到，所述材料包括：钽、铝、金、铬、铜、钼、钨以及铂。
24.在一些实施例中，所述势垒层的材料包括以下至少一种化合物或化合物的混合物，所述化合物包括：氧化铝al2o3或氧化镁mgo。
25.在一些实施例中，所述磁存储器还包括第四端口，所述第一端口与所述第四端口设置于所述顶电极，所述第二端口与第四端口设置于所述底电极，所述第一端口与所述第四端口构成顶电极通道，用于通入顶电极电信号，
26.所述磁隧道结设置于所述顶电极以及所述底电极之间，当所述参考层与所述顶电极相邻时，所述参考层的磁化方向响应于所述顶电极电信号，由所述自由层第一磁化方向换变为所述自由层第二磁化方向。
27.在本技术的另一方面，还提出了一种数据读写方法，其特征在于，应用于磁存储器，所述磁存储器包括：底电极以及设置于所述底电极之上的磁隧道结；所述磁存储器设置有至少三个端口，包括：第一端口，第二端口以及第三端口；
28.所述方法包括：
29.获取所述第二端口以及所述第三端口输入的电信号，响应于所述电信号的通电方向，磁隧道结的参考层磁化方向由参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向；
30.响应于所述参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向，存储在所述参考层对应的数据位内容由“0”转变为“1”或由“1”转变为“0”；
31.获取所述第一端口到任一底电极端口输入的写入信号，所述底电极端口包括：第二端口以及第三端口，
32.响应于所述写入信号，磁隧道结的自由层的磁化方向由自由层第一磁化方向转变为所述自由层第二磁化方向；
33.响应于所述自由层第一方向转变为所述自由层第二方向，所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，响应于所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，存储在所述自由层对应的数据位内容由“0”转变为“1”或由“1”转变为“0”。
34.在一些实施例中，所述方法还包括：
35.对所述磁隧道结通入电流，并获取所述磁隧道结阻态，以此得到所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向的相对状态，所述相对状态包括：所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向同向平行以及所述自由层磁化方向与所述参考层磁化反向平行；
36.若所述参考层磁化方向与所述自由层磁化方向同向平行，对所述参考层通入所述通电方向已知的所述电信号进行初始化作业；
37.获取所述初始化作业后的所述磁隧道结的阻态，并以此得到所述初始化作业后所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向的相对状态；
38.获取所述自由层磁化方向，并依据所述自由层磁化方向得到存储在所述自由层对应的数据位内容以及存储在所述参考层的对应的数据位内容；
39.若所述参考层磁化方向与所述自由层磁化方向反向平行，在所述初始化作业之前，对所述自由层通入所述写入信号，将所述自由层磁化方向调整为与所述参考层磁化方向同向平行，以使存储在所述参考层对应的数据位内容转移至所述自由层。
40.在一些实施例中，所述电信号通电方向包括：第一通电方向以及第二通电方向，所述第一通电方向与第二通电方向相反；
41.所述参考层第一磁化方向与所述参考层第二磁化方向相反，所述第一磁化方向与所述第一通电方向对应，所述第二磁化方向与所述第二通电方向对应。
42.在一些实施例中，所述磁隧道结阻态包括：第一阻态以及第二阻态。
43.在一些实施例中，所述磁隧道结膜层结构建手段可采用溅射方式。
44.本发明的实施例提供了一种磁存储器及其数据读写方法，通过对磁存储器件的存储单元三个调节端口，并通过底电极端口对底电极输入电信号，从而使所述参考层的磁化方向发生改变，并且改变方向与所述通入电信号的方向对应，这样在所述参考层同样可以进行数据位的建立，通过所述参考层的磁化方向进行数据“0”或“1”的存储。同时，所述自由层也可以通过从顶电极连接的端口和底电极中的任一端口形成的通道实现磁化方向的改变，进而实现所述磁隧道结的姿态翻转，并记录对应阻态对应的数据位的信息。由于结构上相比于现有技术，使所述参考层同样具有记录数据的能力，因此，每个所述磁存储器同现阶段磁存储器都可以实现更多数据位的数据信息写入，提升了数据存储的密度。同样的，对所述磁存储器进行参考层磁化方向初始化，并且结合相应的阻态分析，也可以实现数据读取写入一体化的功能。
附图说明
45.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例。
46.图1为根据本发明一实施方式的磁存储器三端磁隧道结结构示意图；
47.图2a为根据本发明一实施方式的磁存储器参考层数据写入通道示意图；
48.图2b为根据本发明一实施方式的磁存储器自由层写入通道示意图；
49.图3为根据本发明一实施方式的磁存储器外接电路结构示意图；
50.图4为根据本发明一实施方式的磁存储器数据读取流程示意图；
51.图5为根据本发明一实施方式的只读型磁存储器结构示意图；
52.图6a为根据本发明一实施方式的四端口只读型磁存储器结构示意图；
53.图6b为根据本发明一实施方式的四端口只读型磁存储器外接电路结构示意图。
具体实施方式
54.为使得本技术的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
55.本领域技术人员可以理解，本技术中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同设备、模块或参数等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
56.随着人工智能、大数据以及云计算产业的高速发展，人们接触了越来越多的智能化产品，并对智能化产品的需求不断增加，促进了集成电路产业的高速发展，大规模集成电路的复杂度越来越高，整体功耗也越来越大。
57.磁隧道结(mtj，magnetic tunnel junction)具有响应速度高、低功耗、耐用性长、等优良特性而作为磁性随机存储器(mram，magnetic random access memory)的基础单元并广泛应用。将其应用在存储领域，通过其自身的数据非易失性，可有效解决易失性存储器因数据丢失而进行重复存取，导致产生额外功耗的问题。
58.然而，由于mtj器件通过改变自由层的磁化方向，使自由层与参考层之间的相对磁化方向相同或相反，实现对mtj器件阻态的改变，并以此实现数据的“0”或“1”的输出。在对mtj实际应用中发现，由于过程中仅自由层磁化方向发生改变，参考层磁化方向不变，导致每个器件仅能进行一位的“0”或“1”存储，存储密度同其它存储器，例如：非线性闪存(nand-flash)相比仍存在差距。
59.在本技术的一个实施例中，提出了一种磁存储器，所述磁存储器核心构件结构如图1所示，所述磁存储器包括：
60.底电极以及设置于所述底电极之上的磁隧道结；
61.所述磁存储器设置有至少三个端口，包括：第一端口，第二端口以及第三端口；
62.所述底电极还设置有通电接口，包括：第一通电接口以及第二通电接口，所述第一通电接口的通入电流方向与所述第二通电接口的通入电流方向相反，所述第一通电接口与所述第二端口相连，所述第二通电接口与所述第三端口相连；
63.所述磁隧道结还包括顶电极，所述顶电极设置于所述磁隧道结顶部，所述顶电极与所述第一端口相连。
64.通常的，磁隧道结结构为自由层、参考层、势垒层以及底电极，并且常设有两个端口，底电极输入端口，用来连接输入信号(相当于所述第一端口)，以及接地端口(相当于所
述第三端口)，并且在使用过程中参考层的磁化方向通常不发生改变。
65.可选的，所述磁隧道结还包括参考层，所述参考层设置于底电极之上顶电极之下，所述通电接口用于接收所述第二端口以及所述第三端口输入的电信号，响应于所述电信号的通电方向，所述参考层的磁化方向由参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向，所述第一参考层磁化方向与所述第二参考层方向相反。
66.可选的，所述通电方向包括：第一通电方向以及第二通电方向，所述第一通电方向与所述参考层第一磁化方向对应，所述通电方向与所述第二参考层磁化方向对应。
67.在一些可能的实施方式中，对磁隧道结的底电极加入第三个端口(相当于所述第二端口)，并对底电极设置有两处通电接口，所述通电接口分别于设置在所述底电极处的两个端口(所述第二端接口以及所述第三端口)相连，并为其通入想要的电信号。经过底电极的通电接口以及端口构成的通道，通入的电信号由于自旋耦合效应，可以通过自身的电流方向对靠近底电极的参考层的磁化方向发生影响，甚至改变所述参考层的磁化方向。示例性的，如图2a所示，当通过所述第二端口以及第三端口向所述底电极通入正向电流的电信号时(相当于第一通电方向)，响应于电信号的电流方向，所述底电极通过自旋耦合效应将所述参考层的磁化方向调节至与之相对应的磁化方向(相当于第一磁化方向)。同样的，当通过所述第二端口以及第三端口向所述底电极通入负向电流的电信号时(相当于第二通电方向)，响应于电信号的电流方向，所述底电极通过自旋耦合效应将所述参考层的磁化方向调节至与之相对应的磁化方向(相当于第二磁化方向)。这样，通过对所述参考层磁化方向于通入所述电信号的方向建立联系，并进行预设信息备注(例如与第一通电方向对应的第一磁化方向定义信息为“1”以及与第二通电方向对应的第二磁化方向定义为信息“0”)，可以实现在参考层建立对应的数据位进行数据写入，并且由于增加了数据位，进而提升了磁存储器的存储密度。
68.可选的，所述第一端口与底电极端口中任一个用于向所述磁隧道结输入写入信号，所述磁隧道结还包括自由层，所述自由层设置于所述参考层之上顶电极之下，响应于所述写入信号，所述自由层的磁化方向由自由层第一磁化方向转变为所述自由层第二磁化方向，所述自由层第一磁化方向与所述自由层第二磁化方向相反，
69.响应于所述自由层第一方向转变为所述自由层第二方向，所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，
70.所述底电极端口包括第二端口以及第三端口。
71.在一些可能的实施方式中，示例性的，如图2b所示，所述磁隧道结与所述顶电极连接的第一端口同底电极端口中的任一个(所述第二端口与所述第三端口中的任一个)形成通道，用于向所述磁隧道结输入写入信号，所述写入信号也可以为电信号，响应于所述写入信号，当所述写入信号的大小以及方向满足预定需求时(即触发磁场转变条件)，所述磁隧道结的自由层磁化方向发生改变，由所述自由层第一磁化方向转变为所述自由层第二磁化方向。由于自由层的磁化方向与参考层的磁化方向之间的相对的状态可以决定所述磁隧道结的阻态，例如当所述自由层磁化方向与所述参考层磁场相对状态为同向平行时，对应的磁隧道结阻态呈现低阻态；当所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向相对状态为反向平行时，对应的磁隧道结阻态呈现高阻态，其中的高阻态以及低阻态可分别对应上述第一阻态以及第二阻态。这样，所述第一端口与底电极中任一项构成的通道可以使所述自由层
磁化方向翻转诱发磁隧道结阻态翻转，对于两种阻态进行预设信息备注(例如高阻态定义信息为“1”以及低阻态定义为信息“0”)，可以实现在磁隧道结阻态建立对应的数据位进行数据写入。
72.在一些可能的实施方式中，所述电信号对应的输入通道与所述写入信号对应的输入通道相互独立，信号通入过程互不影响，
73.所述电信号对应的输入通道包括：所述第二端口以及所述第三端口对应电信号的输入通道；
74.所述写入信号对应的输入通道包括：所述第一端口以及所述第三端口对应写入信号的输入通道。
75.在一些可能的实施方式中，示例性的，如图3所示，所述磁存储器还可以通过外接位线以及字线进行控制。
76.在一些可能的实施方式中，针所述磁隧道结还包括顶电极，所述顶电极与所述读取电阻串联，所述顶电极至少由以下材料的任一一种或两种及以上的组合得到，所述材料包括：铝、钽、金、铬、铜、钼、钨以及铂。
77.在一些可能的实施方式中，所述磁隧道结还包括底端电极，所述底端电极至少由以下材料的任一一种或两种及以上的组合得到，所述材料包括：钽、铝、金、铬、铜、钼、钨以及铂。
78.在一些可能的实施方式中，所述磁隧道结还包括：自由层、参考层以及势垒层，所述势垒层的材料包括以下至少一种化合物或化合物的混合物，所述化合物包括：氧化铝al2o3或氧化镁mgo。
79.在本技术的另一个实施方式中，还提出了一种数据读写方法，应用于磁存储器，所述磁存储器包括：底电极以及设置于所述底电极之上的磁隧道结；所述磁存储器设置有至少三个端口，包括：第一端口，第二端口以及第三端口；
80.所述方法中的写入方法具体包括：
81.所述磁隧道结获取所述第二端口以及所述第三端口输入的电信号，响应于所述电信号的通电方向，磁隧道结的参考层磁化方向由参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向，使所述参考层的磁化方向与所述通电方向相对应，；
82.响应于所述参考层第一磁化方向转变为参考层第二磁化方向，这样，存储在所述参考层对应的数据位内容由“0”转变为“1”或由“1”转变为“0”；
83.获取所述第一端口任一底电极端口(所述第二端口以及第三端口中的任一个)输入的写入信号，
84.响应于所述写入信号，磁隧道结的自由层的磁化方向由自由层第一磁化方向转变为所述自由层第二磁化方向；
85.响应于所述自由层第一方向转变为所述自由层第二方向，所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，这样，响应于所述磁隧道结由第一阻态转变为第二阻态，存储在所述自由层对应的数据位内容由“0”转变为“1”或由“1”转变为“0”。
86.在一些可能的实施方式中，所述方法中还包括读取方法，示例性的，如图4所示，所述读取方法包括：
87.对所述磁隧道结通入电流，并获取所述磁隧道结阻态，以此得到所述自由层磁化
方向与所述参考层磁化方向的相对状态，所述相对状态包括：所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向同向平行以及所述自由层磁化方向与所述参考层磁化反向平行；
88.若所述参考层磁化方向与所述自由层磁化方向同向平行，对所述参考层通入所述通电方向已知的所述电信号进行初始化作业，示例性的，向所述参考层通入正向电流通电方向的电信号，这样，所述参考层的磁化方向均变为与所述正向电流通电方向的电信号对应的磁化方向；
89.获取所述初始化作业后的所述磁隧道结的阻态，并以此得到所述初始化作业后所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向的相对状态，当所述磁隧道结呈现高阻态时，明显地，所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向为反向平行，当所述磁隧道结呈现低阻态时，明显地，所述自由层磁化方向与所述参考层磁化方向为同向平行，结合上述步骤中对于所述参考层磁化方向的确认，可以根据阻态推导出所述自由层磁化方向；
90.获取所述自由层磁化方向，并依据所述自由层磁化方向得到存储在所述自由层对应的数据位内容(此处得到的是自由层的绝对方向信息，并非对应磁隧道结高低阻态信息)以及存储在所述参考层的对应的数据位内容(结合所述参考层磁化方向对应的数据位内容的定义信息可知)，当获取到所述自由层的绝对信息(即所述自由层的磁化方向)，那么结合通电前所述磁隧道结的阻态信息，可以推断出参考层的磁化方向，这样，就实现了对于磁存储器所述参考层、所述自由层的绝对信息以及所述磁隧道结的阻态信息的读取；
91.若所述参考层磁化方向与所述自由层磁化方向反向平行，在所述初始化作业之前，对所述自由层通入所述写入信号，将所述自由层磁化方向调整为与所述参考层磁化方向同向平行，以使存储在所述参考层对应的数据位内容转移至所述自由层，这样，再对所述参考层进行初始化的之后，根据初始化后的所述磁隧道结的阻态，可以得到所述参考层初始化前对应的磁化方向，然后，依据通电前对所述磁隧道结的阻态判断，可以得到所述自由层再通电前的所述自由层磁化方向(即所述自由层的绝对信息)。明显地，同样可以实现了对于磁存储器所述参考层、所述自由层的绝对信息以及所述磁隧道结的阻态信息的读取。
92.可选的，在所述磁存储器出场之前，利用参考层的性质，可以将部分隐藏性质的信息写入至参考层中，然后遇到特殊场景进行一键读出；
93.示例性的，磁存储器中设置有5个磁隧道结，规定所述磁隧道结参考层对应正向电流的磁化方向数据表示为“1”，对应负向电流的磁化方向数据表示为“0”，假设所述磁存储器中参考层数据“00100”表示对所述磁存储器进行复位操作，那么在所述磁存储器出厂前，可以将参考层对应的数据“00100”存储到预先设定的存储单元(外接芯片或是其它存储介质)中，当所述磁存储器处于需要复位操作的场景下时，所述磁存储器可以直接调用预先设定的存储单元的指令，获取所述参考层对应的数据信息，实现对应数据位的调整；
94.示例性的，由于对所述参考层进行上述复位操作过程前，所述参考层存储的信息已转移至所述自由层。因此，在进行所述参考层复位操作时，也可以不需要额外的存储介质介入用来存储所述参考层存储的进行复位操作前的数据信息。
95.在一些可能的实施方式中，所述电信号通电方向包括：第一通电方向(正向通电或负向通电)以及第二通电方向(负向通电或正向通电)，所述第一通电方向与第二通电方向相反；
96.所述参考层第一磁化方向与所述参考层第二磁化方向相反，所述第一磁化方向与
所述第一通电方向对应，所述第二磁化方向与所述第二通电方向对应。
97.在一些可能的实施方式中，所述磁隧道结阻态包括：第一阻态(高阻态或低阻态)以及第二阻态(低阻态或高阻态)。
98.在一些可能的实施方式中，还提供了一种只读型磁存储器的结构，示例性的，如图5所示，参考层设置在顶电极之下，自由层设置在底电极之上，第二端口以及第三端口作为顶电极端口设置在所述顶电极两端，所述第二端口以及所述第三端口用于改变所述参考层磁化方向，所述第一端口与所述第二端口以及第三端口中的任一一个连通，形成的通道用于使所述自由层磁化方向发生改变，并且对于改变所述参考层磁化方向的信号通道与改变所述自由层磁化方向的信号通道相互独立，互不影响，对于数据的读写方法与上述实施例相近，此处不再一一赘述。
99.在一些可能的实施方式中，还提供了一种四端口的只读型磁存储器，示例性的，如图6a所示，所述顶电极以及底电极各自接入两处端口，所述顶电极接入第一端口以及第四端口，所述底电极接入第三端口以及第二端口，所述第一端口以及第四端口用于改变所述参考层磁场的方向，所述自由层磁化方向可以通过向任一顶电极端口(第一端口与第四端口中任一个)与任一底电极端口(第三端口与第二端口中任一个)形成的通道输入电信号改变，也可以向通过底电极端口形成的通道输入电信号改变，并且形成的通道彼此独立，互不影响，对于数据的读写方法与上述实施例相近，此处不再一一赘述。
100.在一些可能的实施方式中，所述四端口只读型磁存储器还可以通过外接位线以及字线继续控制，示例性的，如图6b所示。
101.在一些可能的实施方式中，所述磁隧道结膜层结构建手段可采用溅射方式。
102.本发明的实施例提供了一种磁存储器及其数据读写方法，通过对磁存储器件的存储单元三个调节端口，并通过底电极端口对底电极输入电信号，从而使所述参考层的磁化方向发生改变，并且改变方向与所述通入电信号的方向对应，这样在所述参考层同样可以进行数据位的建立，通过所述参考层的磁化方向进行数据“0”或“1”的存储。同时，所述自由层也可以通过从顶电极连接的端口和底电极中的任一端口形成的通道实现磁化方向的改变，进而实现所述磁隧道结的姿态翻转，并记录对应阻态对应的数据位的信息。由于结构上相比于现有技术，使所述参考层同样具有记录数据的能力，因此，每个所述磁存储器同现阶段磁存储器都可以实现更多数据位的数据信息写入，提升了数据存储的密度。同样的，对所述磁存储器进行参考层磁化方向初始化，并且结合相应的阻态分析，也可以实现数据读取写入一体化的功能。
103.以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。