有机发光面板和包括该有机发光面板的有机发光显示装置的制作方法

有机发光面板和包括该有机发光面板的有机发光显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0180932号的优先权权益，其公开内容通过引用整体并入本文中。
技术领域
3.本公开内容涉及一种有机发光显示面板和包括该显示面板的有机发光显示装置。


背景技术：

4.有机发光显示装置包括一个或更多个薄膜晶体管(tft)、存储电容器和多条线。
5.一个或更多个薄膜晶体管、电容器以及一条或更多条线有时被实现为包括在有机发光显示装置中的基板上的精细图案，并且该显示装置可以基于在一个或更多个薄膜晶体管、至少一个电容器以及一条或更多条线之间的复杂连接来操作。
6.近来，对具有高亮度和高分辨率的有机发光显示装置的需求不断增长，并且为了满足这样的需求，期望在有机发光显示装置中包括的元件之间实现有效的空间布置和连接结构。


技术实现要素：

7.本公开内容的实施方式涉及一种通过增加发光区域的面积而不减小设置在非发光区域中的存储电容器的面积而具有高亮度特性的有机发光显示面板，以及一种包括该显示面板的有机发光显示装置。
8.此外，本发明的实施方式涉及一种通过增加存储电容器的容量而不减小发光区域的面积而具有高亮度和高分辨率的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
9.此外，本发明的实施方式涉及一种通过减小用于形成缓冲层和第一绝缘膜所需的掩模的数目而具有简单工艺的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
10.此外，本发明的实施方式涉及一种用于通过使有源层能够包括有源图案和导电图案来容易地驱动子像素的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
11.根据本公开内容的一个方面，一种有机发光显示面板和包括该显示面板的有机发光显示装置，该显示面板包括：基板；第一导电层，其设置在基板上；缓冲层，其设置在第一导电层上，并且包括第一接触孔；第一有源层，其设置在缓冲层上；第一绝缘膜，其设置在有源层和缓冲层上或上方，并且包括与第一接触孔交叠的第二接触孔；第二导电层，其设置在第一绝缘膜上，并且通过第一接触孔和第二接触孔接触第一导电层的一部分和第一有源层的一部分；第二绝缘膜，其设置在第二导电层上，并且包括与第一接触孔和第二接触孔交叠的第三接触孔；以及第三导电层，其设置在第二绝缘膜上，并且通过第二接触孔接触第二导电层的一部分。第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔彼此交叠。
12.根据本公开内容的另一个方面，一种有机发光显示面板和包括该显示面板的有机发光显示装置，该显示面板包括：基板；第一导电层，其设置在基板上；缓冲层，其设置在第一导电层上，并且包括第一接触孔；有源层，其设置在缓冲层上，并且包括有源图案和设置在有源图案上的导电图案；第一绝缘膜，其设置在有源层和缓冲层上或上方，并且包括与第一接触孔交叠的第二接触孔；第二导电层，其设置在第一绝缘膜上，并且通过第一接触孔和第二接触孔接触第一导电层；以及板，其与第二导电层设置在同一层中，并且与第二导电层间隔开。第一导电层、有源层和板中的两个或更多个彼此交叠以形成存储电容器。
13.根据本公开内容的各方面，由于设置在其中驱动晶体管的第二节点定位的区域中的多个接触孔交叠，并且因此，可以减小与多个接触孔交叠的导电层的面积。也就是说，在不减小存储电容器的面积的情况下，可以减小非发光区域的面积，并且因此，通过将发光区域相对于非发光区域的面积增加非发光区域被减小的面积，因此可以提供一种具有高亮度特性的有机发光显示面板和包括该显示面板的有机发光显示装置。
14.此外，根据本公开内容的各方面，由于设置在其中驱动晶体管的第二节点定位的区域中的多个接触孔中的至少两个接触孔交叠，并且因此，可以减小与至少两个接触孔交叠的导电层的面积，因此可以在不减小发光区域的面积的情况下增加存储电容器的尺寸或容量，并且因此，可以提供一种具有高亮度和高分辨率的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
15.此外，根据本公开内容的各方面，通过经过相同的工艺形成在缓冲层和第一绝缘膜中形成的接触孔，可以提供一种可以通过简化的工艺使用减少的数目的掩模来制造的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
16.此外，根据本公开内容的各方面，由于有源层包括有源图案和设置在有源图案上的导电图案，因此可以提供一种子像素可以容易地被驱动的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
附图说明
17.图1示意性地示出了根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置的系统配置。
18.图2示出了当在根据本公开内容的各方面的显示装置中采用包括有机发光二极管(oled)的有机发光显示面板时的子像素结构。
19.图3是示出了设置在根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置的有源区域中的子像素的部分区域的平面图。
20.图4是在根据本公开内容的各方面的一个实施方式中沿图3的线a-b截取的截面图。
21.图5是示出了在根据本公开内容的各方面的另一个实施方式中沿图3的线a-b截取的区域的截面图。
22.图6是示出了在根据本公开内容的各方面的又一实施方式中沿图3的线a-b截取的区域的截面图。
23.图7至图9示出了在根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置100中的缓冲层、第一有源层、第一绝缘膜和第二导电层的布置的各种实施方式。
24.图10示出了在根据本公开内容的各方面的另一个实施方式中在第一有源层与第
一绝缘膜之间的布置关系。
25.图11是根据本公开内容的各方面的沿图3的线c-d截取的截面图。
26.图12是根据本公开内容的各方面的沿图3的线e-f截取的截面图。
27.图13示出了在图2的驱动晶体管的第二节点中包括的区域中形成的接触孔的位置和宽度。
28.图14是根据本公开内容的各方面的沿图3的线g-h截取的截面图。
具体实施方式
29.在以下对本发明的示例或实施方式的描述中，将参照附图，在该附图中，通过可实现的具体示例或实施方式来示出该附图，并且在附图中，即使在彼此不同的附图中示出时，相同的附图标记和符号也可以用来表示相同或相似的部件。此外，在以下对本发明的示例或实施方式的描述中，当确定描述可能使本发明的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略对并入本文中的公知功能和部件的详细描述。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由
……
组成”和“由
……
形成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文中所使用的，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
30.诸如“第一”、“第二”、“a”、“b”、“(a)”或“(b)”的术语可以在本文中用来描述本发明的元件。这些术语中的每个都不用来定义元件的本质、顺序、排序或数目等，而仅用来将相应元件与其他元件区分开。
31.当提到第一元件“连接或耦接至”第二元件、“接触或交叠”第二元件等时，应当理解，第一元件不仅可以“直接连接或耦接至”第二元件或“直接接触或交叠”第二元件，而且第三元件可以“插入”在第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。在此，第二元件可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个中。
32.当诸如“在
……
之后”、“以后”、“接下来”、“在
……
之前”等的时间相关术语用来描述元件或配置的过程或操作，或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用来描述非连续或非序列性的过程或操作，除非与术语“直接”或“立即”一起使用。
33.另外，当提到任何尺寸、相对尺寸等时，应当考虑元件或特征的数值或相应信息(例如，级别、范围等)包括容差或误差范围，该容差或误差范围可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪声等)引起，即使在未指定相关描述的情况下。此外，术语“可能”完全包含术语“可以”的所有含义。
34.图1示意性地示出了根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置的系统配置。
35.根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置可以包括有机发光显示装置100、照明装置、发光装置等。在下文中，为了便于描述，将关于有机发光显示装置100来描述根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置。然而，应当理解，只要包括晶体管，本文中描述的实施方式可以适用于各种有机发光显示装置，例如，照明装置、发光装置等，以及有机发光显示装置100。
36.根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100包括显示图像或输出光的有机发光显示面板pnl，以及用于驱动有机发光显示面板pnl的驱动电路。
37.根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100可以基于底部发光型，在该底部发光型中，光从有机发光元件朝向其上设置有该有机发光元件的基板发射；然而，本公开内容的实施方式不限于此。在一些实施方式中，根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100可以基于顶部发光型，在该顶部发光型中，光从有机发光元件朝向与其上设置有该有机发光元件的基板相对的表面发射，或者基于双侧发光型，在该双侧发光型中，光从有机发光元件朝向基板和与该基板相对的表面二者发射。
38.有机发光显示面板pnl可以包括多条数据线dl和多条栅极线gl，以及由多条数据线dl和多条栅极线gl限定并以矩阵模式布置的多个子像素sp。
39.多条数据线dl和多条栅极线gl可以在有机发光显示面板pnl中被布置成彼此交叉。例如，多条栅极线gl可以以行或列布置，并且多条数据线dl可以以列或行布置。在下文中，为了便于描述和易于理解，假设多条栅极线gl以行布置，并且多条数据线dl以列布置。
40.除了多条数据线dl和多条栅极线gl之外，可以根据子像素结构等在有机发光显示面板pnl中布置一种或更多种其他类型的信号线。还可以设置驱动电压线、参考电压线或公共电压线。
41.设置在有机发光显示面板pnl上的信号线的类型可以取决于子像素结构等变化。此外，本文中描述的每种类型的信号线中的全部或一些可以包括向其施加信号的电极中的全部或至少一部分。
42.有机发光显示面板pnl可以包括：有源区域a/a，在其上显示图像；以及作为外边缘的非有源区域n/a，在其上不显示图像。在此，非有源区域n/a有时被称为边框区域。
43.用于图像显示的多个子像素sp被布置在有源区域a/a中。
44.包括一个或更多个导电焊盘的焊盘部可以设置在非有源区域n/a中，用于与数据驱动器ddr进行电连接，并且多条数据链接线可以设置在非有源区域n/a中，用于在焊盘部与多条数据线dl之间进行电连接。在此，多条数据链接线可以是多条数据线dl的、延伸至非有源区域n/a(例如，从有源区域a/a)的部分，或者可以是电连接至多条数据线dl的单独图案。
45.此外，栅极驱动相关线可以布置在非有源区域n/a中，以通过数据驱动器ddr电连接的焊盘部将用于栅极驱动所需的电压(信号)发送至栅极驱动器gdr。例如，栅极驱动相关线可以包括：时钟线，用于承载时钟信号；栅极电压线，用于传输栅极电压(vgh、vgl)；以及栅极驱动控制信号线，用于承载生成扫描信号所需的各种类型的控制信号。这些栅极驱动相关线可以与设置在有源区域a/a中的栅极线gl不同地布置在非有源区域n/a中。
46.驱动电路可以包括：驱动多条数据线dl的数据驱动器ddr；驱动多条栅极线gl的栅极驱动器gdr；以及用于控制数据驱动器ddr和栅极驱动器gdr的控制器ctr。
47.数据驱动器ddr可以通过向多条数据线dl施加数据电压来驱动多条数据线dl。
48.栅极驱动器gdr可以通过向多条栅极线gl供应扫描信号来驱动多条栅极线gl。
49.控制器ctr可以通过供应数据驱动器ddr和栅极驱动器gdr的驱动操作所需的各种类型的控制信号(dcs、gcs)来控制数据驱动器ddr和栅极驱动器gdr的驱动操作。此外，控制器ctr可以将图像数据data供应至数据驱动器ddr。
50.控制器ctr根据在每个帧中处理的定时来开始扫描像素，将从外部(例如，主机系统、其他装置或其他图像提供源)输入的图像数据转换为适合于在数据驱动器ddr中使用的
数据信号形式，并且然后输出转换得到的图像数据data，并且因此使得数据能够根据扫描在预先配置的时间写入像素。
51.为了控制数据驱动器ddr和栅极驱动器gdr，控制器ctr可以从外部(例如，主机系统、其他装置或其他图像提供源)接收时序信号，例如，垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync、输入数据使能(data enable)信号、时钟信号等。控制器ctr可以使用接收到的信号生成各种类型的控制信号，并且将这种生成的信号供应至数据驱动器ddr和栅极驱动器gdr。
52.例如，为了控制栅极驱动器gdr，控制器ctr可以输出多种类型的栅极控制信号gcs，包括栅极起始脉冲gsp、栅极移位时钟gsc、栅极输出使能信号goe等。
53.此外，为了控制数据驱动器ddr，控制器ctr可以输出多种类型的数据控制信号dcs，包括源极起始脉冲ssp、源极采样时钟ssc、源极输出使能信号soe等。
54.控制器ctr可以是在典型的显示技术中使用的定时控制器，或者可以是能够另外执行除了定时控制器的典型功能之外的其他控制功能的控制设备/装置。
55.控制器ctr可以实现为与数据驱动器ddr分开的部件，或者可以实现为将数据驱动器ddr集成在一起的集成电路。
56.在从控制器ctr接收到图像数据data之后，数据驱动器ddr可以通过向多条数据线dl供应数据电压来驱动多条数据线dl。在此，数据驱动器ddr有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。
57.数据驱动器ddr可以通过各种接口向控制器ctr发送各种信号，或者从控制器ctr接收各种信号。
58.栅极驱动器gdr可以通过向多条栅极线gl顺序地供应扫描信号来顺序地驱动多条栅极线gl。在此，栅极驱动器gdr有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。
59.根据控制器ctr的控制，栅极驱动器gdr可以向多条栅极线gl顺序地供应表示导通电压或截止电压的扫描信号。
60.当特定的栅极线被来自栅极驱动器gdr的扫描信号断言(assert)时，数据驱动器ddr可以将从控制器ctr接收到的图像数据data转换为模拟数据电压，并将获得的数据电压供应至多条数据线dl。
61.根据驱动方案、显示面板的设计方案等，数据驱动器ddr可以位于但不限于显示面板pnl的仅一侧(例如，上侧或下侧)，或者在一些实施方式中，位于但不限于显示面板pnl的两侧(例如，上侧和下侧)。
62.根据驱动方案、显示面板的设计方案等，栅极驱动器gdr可以位于但不限于面板pnl的仅一侧(例如，左侧或右侧)，或者在一些实施方式中，位于但不限于显示面板pnl的两侧(例如，左侧和右侧)。
63.数据驱动器ddr可以通过包括一个或更多个源极驱动器集成电路sdic来实现。
64.每个源极驱动器集成电路sdic可以包括移位寄存器、锁存电路、数字-模拟转换器dac、输出缓冲器等。在一些实施方式中，数据驱动器ddr还可以包括一个或更多个模拟-数字转换器adc。
65.每个源极驱动器集成电路sdic可以以带式自动键合(tab)类型或玻璃上芯片(cog)类型连接至有机发光显示面板pnl的导电焊盘，例如接合焊盘，或者可以直接设置在
显示面板110上。在一些实施方式中，每个源极驱动器集成电路sdic可以集成至有机发光显示面板pnl中。在一些实施方式中，每个源极驱动器集成电路sdic可以以膜上芯片(cof)类型来实现。在这种情况下，每个源极驱动器集成电路sdic可以安装在电路膜上，并且通过电路膜电连接至有机发光显示面板pnl中的数据线dl。
66.栅极驱动器gdr可以包括多个栅极驱动电路gdc。多个栅极驱动电路gdc可以分别对应于多条栅极线gl。
67.每个栅极驱动电路gdc可以包括移位寄存器、电平移位器等。
68.每个栅极驱动电路gdc可以以带式自动键合(tab)类型或玻璃上芯片(cog)类型连接至有机发光显示面板pnl的导电焊盘，例如接合焊盘。在一些实施方式中，每个栅极驱动电路gdc可以以膜上芯片(cof)类型实现。在这种情况下，每个栅极驱动电路gdc可以安装在电路膜上，并且通过电路膜电连接至有机发光显示面板pnl中的栅极线gl。此外，每个栅极驱动电路gdc可以以面板内栅极(gip)类型实现，并且可以嵌入在有机发光显示面板pnl中。也就是说，每个栅极驱动电路gdc可以直接形成在有机发光显示面板pnl中。
69.图2示出了当在根据本公开内容的各方面的显示装置中采用包括诸如有机发光二极管(oled)的有机发光元件的有机发光显示面板pnl时的子像素sp结构。
70.参照图2，包括有机发光元件的有机发光显示面板pnl中的每个子像素sp可以包括：第二晶体管t2，其将数据电压vdata传递至与驱动晶体管t1的栅极节点相对应的第一节点n1；以及存储电容器cst，用于在一帧时间内保持与图像信号电压相对应的数据电压vdata或与其相对应的电压。
71.有机发光元件oled可以包括第一电极(阳极电极或阴极电极)、包括至少一个发射层的有机层和第二电极(阴极电极或阳极电极)。
72.在一个实施方式中，诸如低电平电压的基电压evss可以被施加至有机发光元件oled的第二电极。
73.驱动晶体管t1可以通过向有机发光二极管oled供应驱动电流来驱动有机发光二极管oled。
74.驱动晶体管t1可以具有第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3。
75.第一节点至第三节点n1、n2和n3的“节点”可以表示具有相同电状态的点、一个或更多个电极或者一个或更多个线。
76.第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3中的每个可以由一个或更多个电极构成。
77.驱动晶体管t1的第一节点n1可以是与其栅极节点相对应的节点，并且可以电连接至第二晶体管t2的源极节点或漏极节点。
78.驱动晶体管t1的第二节点n2可以电连接至有机发光元件oled的第一电极301，并且可以是源极节点或漏极节点。
79.驱动晶体管t1的第三节点n3可以是作为向其施加驱动电压evdd的节点的漏极节点或源极节点，并且可以电连接至用于传递驱动电压evdd的驱动电压线dvl。
80.驱动晶体管t1和第二晶体管t2可以是n型晶体管或p型晶体管。
81.第二晶体管t2可以电连接在数据线dl与驱动晶体管t1的第一节点n1之间，并且可以由通过栅极线传送并施加至驱动晶体管t1的栅极节点的扫描信号scan控制。
82.第二晶体管t2可以由扫描信号scan接通，并且将通过数据线dl传递的数据电压
vdata施加至驱动晶体管t1的第一节点n1。
83.存储电容器cst可以电连接在驱动晶体管t1的第一节点n1与第二节点n2之间。
84.存储电容器cst是有意被设计成位于驱动晶体管t1外部的外部电容器，而不是内部存储，例如存在于驱动晶体管t1的第一节点n1与第二节点n2之间的寄生电容器(例如，cgs、cgd)。
85.第三晶体管t3可以电连接在驱动晶体管t1的第二节点n2与参考电压线rvl之间。第三晶体管t3的导通截止操作可以由施加至第三晶体管t3的栅极节点的第二扫描信号scan2控制。
86.第三晶体管t3的漏极节点或源极节点可以电连接至参考电压线rvl，并且第三晶体管t3的源极节点或漏极节点可以电连接至驱动晶体管t1的第二节点n2。
87.例如，第三晶体管t3可以在执行显示驱动的时段内接通，并且在执行感测驱动的时段内接通，以感测驱动晶体管t1的特征值或有机发光二极管(oled)的特征值。
88.第三晶体管t3可以由第二扫描信号scan2接通，并且根据相应的驱动定时(例如，显示驱动定时或在用于感测驱动的时间段内的初始定时)将施加至参考电压线rvl的参考电压vref传递至驱动晶体管t1的第二节点n2。
89.第三晶体管t3可以由第二扫描信号scan2接通，并且根据相应的驱动定时(例如，在用于感测驱动的时间段内的采样定时)将驱动晶体管t1的第二节点n2处的电压传递至参考电压线rvl。
90.换句话说，第三晶体管t3可以控制驱动晶体管t1的第二节点n2处的电压状态，或者将驱动晶体管t1的第二节点n2处的电压传递至参考电压线rvl。
91.参考电压线rvl可以电连接至模拟-数字转换器，该模拟-数字转换器感测参考电压线rvl的电压，将感测到的电压转换为数字值，并且然后输出包括该数字值的感测数据。
92.模拟-数字转换器可以包括在实现数据驱动器ddr的源极驱动器集成电路sdic中。
93.从模拟-数字转换器输出的感测数据可以用来感测驱动晶体管t1的特征值(例如，阈值电压、迁移率等)或有机发光二极管(oled)的特征值(例如，阈值电压等)。
94.驱动晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3中的每个可以是n型晶体管或p型晶体管。
95.同时，第一扫描信号scan1和第二扫描信号scan2可以是分开的栅极信号。在这种情况下，第一扫描信号scan1和第二扫描信号scan2可以通过不同的栅极线分别施加至第二晶体管t2的栅极节点和第三晶体管t3的栅极节点。
96.在一些实施方式中，第一扫描信号scan1和第二扫描信号scan2可以是相同的栅极信号。在这种情况下，第一扫描信号scan1和第二扫描信号scan2可以通过相同的栅极线共同施加至第二晶体管t2的栅极节点和第三晶体管t3的栅极节点。
97.应当理解，为了便于讨论，图2中所示的具有三个晶体管(3t)和一个电容器(1c)的子像素结构仅是可能的子像素结构的一个示例，并且本公开内容的实施方式可以根据需要以各种结构中的任何一种来实现。例如，子像素还可以包括至少一个晶体管和/或至少一个电容器。
98.在一些实施方式中，多个子像素中的每个可以具有相同的结构，或者多个子像素中的一些子像素可以具有不同的结构。
99.图3是示出了设置在根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置的有源区域中的子像素的部分区域的平面图。
100.参照图3，第一导电层310、第一有源层320和第二导电层330以及板340可以设置在包括根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100中的至少一个子像素中。
101.此外，与第一有源层320设置在同一层中的第二有源层325可以设置在至少一个子像素中，并且作为设置在第二导电层330和板340上或上方的有机发光元件的阳极电极(或阴极电极)的第三导电层360还可以设置在至少一个子像素中。
102.具体地，第一导电层310可以设置在基板300上。
103.第一有源层320可以设置在第一导电层310上或上方。
104.在此，第一有源层320的一部分可以与第一导电层310的一部分交叠。
105.此外，与第一有源层320设置在同一层中并且与第一有源层320间隔开的第二有源层325可以设置在基板300上或上方。
106.第二导电层330和板340可以设置在第一有源区域320上或上方。第二导电层330和板340可以彼此间隔开并且设置在同一层中。
107.尽管在图3中未示出，但是缓冲层可以设置在第一导电层310与第一有源层320之间，并且第一绝缘膜可以设置在第一有源层320与第二导电层330之间。
108.缓冲层可以在与设置第二导电层330的区域的一部分相对应的区域中包括第一接触孔ch1，并且第一绝缘膜也可以在与设置第二导电层330的区域的一部分相对应的区域中包括第二接触孔ch2。第一接触孔ch1可以与第二接触孔ch2交叠。第一接触孔ch1可以露出第一导电层310的顶表面的一部分，并且第二接触孔ch2可以露出第一导电层310的顶表面的一部分和第一有源层320的上表面的一部分。
109.第二导电层330可以通过第一接触孔ch1和第二接触孔ch2接触第一导电层310。第二导电层330可以通过第二接触孔ch2接触第一有源层320。
110.尽管未示出，但是第一有源层320可以电连接至图2中所示的参考电压线。
111.设置在第一有源层320上的板340可以与第二导电层330间隔开。
112.板340的一部分可以与第一有源层320的一部分和第一导电层310的一部分交叠。
113.第一导电层310、第一有源层320和板340中的每个都可以用作存储电容器cst的电极。第一有源层320的与板340和第一导电层310交叠的部分可以是导电区域或其中设置有导电图案的区域。
114.板340可以包括从板340的一侧突出的至少一个延伸部345。
115.延伸部345的一部分可以与第一有源层320的一部分交叠。延伸部345可以是图2中所示的驱动晶体管tl的栅极电极(第一栅极电极)。第一有源层320可以用作驱动晶体管t1的有源层。
116.第二栅极电极350可以设置在基板300上。第二栅极电极350可以与第二导电层330和板340设置在同一层中，并且可以与第二导电层330和板340间隔开。
117.第二栅极电极350可以是图2的第二晶体管t2的栅极电极。第二有源层325可以是第二晶体管t2的有源层。
118.尽管未示出，但是第二栅极电极350可以电连接至设置在基板300上方的数据线。在基板300上或上方，可以在第一方向上设置多条数据线，并且可以在与第一方向交叉的第
二方向上设置多条栅极线(或扫描线)；然而，本公开内容的实施方式不限于此。多条信号线可以以各个方向布置。
119.第二有源层325的一部分可以通过接触孔341电连接至板340的一部分。
120.第二有源层325和板340电连接的点可以对应于图2的第一节点。
121.在图3中，第二有源层325和板340电连接的接触孔341设置在第二导电层330与延伸部345之间的区域中；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
122.例如，第二有源层325和板340电连接的接触孔341可以设置在第二导电层330与第二栅极电极350之间。在一个实施方式中，第二有源层325和板340电连接的接触孔341可以与第二导电层330和第二栅极电极350平行设置。
123.第三导电层360可以设置在第二导电层330、板340和第二栅极电极350上或上方。
124.第三导电层360可以是有机发光元件的阳极电极或阴极电极。
125.第三导电层360可以通过接触孔342接触第二导电层330的顶表面的一部分，该接触孔342在设置在第二导电层330与第三导电层360之间的至少一个绝缘膜中形成。
126.也就是说，第一导电层310、第一有源层320、第二导电层330和第三导电层360可以彼此电连接，并且第一导电层310、第一有源层320、第二导电层330和第三导电层360连接的点可以对应于图2的第二节点n2。
127.如上所述，用于电连接第一导电层310和第二导电层330的第一接触孔ch1、用于电连接第一有源层320和第二导电层330的第二接触孔ch2以及用于电连接第二导电层330和第三导电层360的接触孔342可以彼此交叠。
128.具体地，整个第一接触孔ch1可以与第二接触孔ch2的一部分交叠，并且整个第二接触孔ch2可以与接触孔342的一部分交叠。
129.第一接触孔chl、第二接触孔ch2和接触孔342中的每个可以设置在第一有源层320与第二有源层325之间的区域中。换句话说，第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和接触孔342中的每个可以包括与第一有源层320和第二有源层325不交叠的区域。
130.当第一接触孔chl、第二接触孔ch2和接触孔342彼此不交叠时，相应的子像素可能需要包括由第一接触孔chl占据的面积、由接触孔ch2占据的面积和由接触孔342占据的面积。
131.相比之下，在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100中，由于设置在第二导电层330与第三导电层360之间的至少一个绝缘层的第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和接触孔342中的两个或更多个彼此或相互交叠，因此可以减小由与图2的第二节点n2相对应的点占据的面积。
132.以这种方式，由于减小了与图2的驱动晶体管t1的第二节点n2相对应的点的面积，因此可以减小子像素内的相对应的非发光区域的尺寸，并且可以增加相对应的发光区域的尺寸。此外，由于减小了与图2的驱动晶体管t1的第二节点n2相对应的点的面积，因此可以在无需减小有机发光显示装置100的发光区域的面积的情况下增加相关联的存储电容器cst的电极的面积，并且由此可以增加存储电容器cst的容量。
133.例如，在需要有机发光显示装置100具有高亮度的情况下，在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100中，需要增加相对应的发光区域的面积，随着导电层330的尺寸减小，非发光区域的面积可以被形成为减小，并且发光区域相对于非发光区域的面积
可以被设计成通过减小非发光区域的面积而增加。因此，可以实现具有高亮度的有机发光显示装置100。
134.具体地，如果减小设置在非发光区域中的第二导电层330的尺寸，同时保持第二导电层330与板340之间的距离和存储电容器cst的容量，则板340的位置可以布置成远离发光区域(更靠近第二导电层330)。因此，可以减小非发光区域的面积，并且可以通过减小非发光区域的面积来增加发光区域的面积。
135.此外，在需要有机发光显示装置100具有高分辨率的情况下，需要高容量的存储电容器cst，并且为了实现这种高容量的存储电容器cst，需要增加存储电容器cst设置在子像素中的电极的面积。
136.每个子像素的面积是有限的，并且如果存储电容器(cst)的电极的面积增加，则包括在子像素中的相对应的发光区域的面积可能会减小。这可能会导致子像素的亮度降低，以及在驱动相关联的面板时出现后像。
137.在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100中，由于第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和接触孔342中的两个或更多个彼此或相互交叠，因此存储电容器cst的电极的面积可以增加与对应于驱动晶体管t1的第二节点n2的点所占据的面积的减少相对应的面积。换句话说，由于可以在不减小发光区域的面积的情况下增加存储电容器cst的电极的面积，因此可以增加存储电容器cst的容量，并且因此可以实现具有高亮度和高分辨率特性以及防止后像的有机发光显示装置100。
138.接下来，将参照附图描述在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的至少一个子像素中的驱动晶体管t1的第二节点n2中包括的区域的结构。
139.图4是在根据本公开内容的各方面的一个实施方式中沿图3的线a-b截取的截面图。
140.如上所述，图4中所示的区域可以是包括与图2的驱动晶体管t1的第二节点n2相对应的区域的区域。
141.参照图4，第一导电层310可以设置在基板300上。
142.第一导电层310可以包括能够吸收或反射光的导电材料。例如，第一导电层310可以包括诸如铝(al)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钨(w)、钼(mo)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等的金属或其合金中的任意一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
143.第一导电层310可以设置在第一有源层320下方，并且用于保护第一有源层320免受外部因素(例如，光)的影响，或者用作存储电容器cst的电极。
144.在图4中，第一导电层310被示出为单层结构；然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，第一导电层310可以具有多层结构。
145.缓冲层411可以设置在其上设置有第一导电层310的基板上方。
146.缓冲层411可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sion)；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
147.在图4中，缓冲层411被表示为单层结构；然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，缓冲层411可以具有多层结构。
148.缓冲层411可以包括露出第一导电层310的顶表面的一部分的第一接触孔ch1。
149.第一有源层320可以设置在缓冲层411的顶表面的一部分上。
150.如图4中所示，设置在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的子像素中的第一有源层320可以具有单层。
151.第一有源层320可以是各种类型的半导体层。
152.第一有源层320可以由氧化物半导体形成。包括在第一有源层320中的材料可以是金属氧化物半导体，并且可以由以下形成：i)诸如钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的金属的氧化物，或者ii)诸如钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的金属以及钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的氧化物的组合。
153.例如，第一有源层320可以包括氧化锌(zno)、氧化锌锡(zto)、氧化锌铟(zio)、氧化铟(ino)、氧化钛(tio)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锌锡(izto)中的至少一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
154.第一有源层320可以包括导电区域和非导电区域。此外，第一绝缘膜412可以设置在第一有源层320的非导电区域上，并且第一有源层320的导电区域可以是不与第一绝缘膜412交叠的区域。
155.第一绝缘膜412可以设置在第一有源层320上。
156.第一绝缘膜412可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sion)；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
157.第一绝缘膜412可以包括与设置在缓冲层411中的第一接触孔ch1交叠的第二接触孔ch2。
158.因此，第一绝缘膜412也可以通过第二接触孔ch2露出第一导电层310的顶表面的一部分。
159.第一接触孔ch1的宽度w1可以小于第二接触孔ch2的宽度w2。在此，第一接触孔ch1的宽度w1和第二接触孔ch2的宽度w2可以是在沿图3中所示的线a-b的切割方向上各个接触孔的最大长度。沿图3中所示的线a-b的切割方向可以是图3的第二方向(例如，图1中所示的栅极线gl行进的方向)。
160.缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2可以通过相同的工艺形成。由此，提供了减少形成缓冲层411和第一绝缘膜412所需的掩模的数目的优点。
161.具体地，可以在基板300上沉积缓冲层411的材料，并且可以在缓冲层411上沉积第一有源层320的材料。在对第一有源层320的材料进行图案化之后，可以在基板300上方沉积第一绝缘膜412的材料。
162.此后，可以通过干蚀刻工艺执行在第一绝缘膜412和缓冲层411中的每个中形成接触孔的工艺。在这种情况下，在存在缓冲层411上的第一有源层320的材料的区域中，由于第一有源层320的材料用作掩模，因此缓冲层411的接触孔可能不会形成在相对应的区域中。
163.也就是说，如图4中所示，即使当通过相同的工艺在第一绝缘膜412和缓冲层411中形成各个接触孔时，由于在存在第一有源层320的区域中没有形成缓冲层411的第一接触孔，并且用作掩模的第一有源层320的材料不存在于绝缘膜412上，因此缓冲层411的第一接触孔ch1的宽度w1可以小于第一绝缘膜412的第二接触孔ch2的宽度w1。
164.第一绝缘膜412可以通过第二接触孔ch2露出设置在缓冲层411上的第一有源层320的顶表面的一部分。第一有源层320的与第一绝缘膜412不交叠的区域可以是导电区域。
165.如上所述，第一绝缘膜412的材料可以通过使用等离子体的干蚀刻工艺被图案化，
以形成具有第二接触孔ch2的第一绝缘膜412。此外，设置在与通过干蚀刻去除第一绝缘膜412的材料的区域相对应的区域中的第一有源层320可能由于等离子体而变得导电(即，被修改为充当导体)。
166.然而，本公开内容的实施方式不限于此，并且根据干蚀刻工艺条件，第一有源层320的导电区域的一部分可以与第一绝缘膜412的一部分交叠。
167.在其上方设置有第一绝缘膜412的基板300上方可以设置第二导电层330。
168.第二导电层330可以包括金属例如铝(al)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钨(w)、钼(mo)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等或其合金中的任意一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
169.第二导电层330可以接触通过缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2露出的第一导电层310的顶表面。
170.此外，第二导电层330可以设置在缓冲层411上方，并且接触设置在缓冲层411的第一接触孔ch1周围的第一有源层320的导电区域。
171.换句话说，第二导电层330可以电连接至第一导电层310，并且也可以电连接至第一有源层320。
172.第二绝缘膜413可以设置在第二导电层330上。
173.第二绝缘膜413可以包括无机绝缘材料，例如，氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sion)；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
174.第二绝缘膜413可以包括露出第二导电层330的顶表面的一部分的第三接触孔ch3。第二绝缘膜413的第三接触孔ch3可以与形成在缓冲层411中的第一接触孔ch1中的至少一部分交叠，并且与形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2中的至少一部分交叠。
175.第三绝缘膜414可以设置在第二绝缘膜413上。
176.第三绝缘膜414可以包括有机绝缘材料；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
177.第三绝缘膜414可以包括与第二绝缘膜413的第三接触孔ch3交叠的第四接触孔ch4。
178.因此，第三绝缘膜414可以通过第四接触孔ch4露出第二导电层330的顶表面的一部分。
179.第三导电层360可以设置在第三绝缘膜414上。
180.第三导电层360可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
181.第三导电层360可以通过第二绝缘膜413的第三接触孔ch3和第三绝缘膜414的第四接触孔ch4接触第二导电层330。
182.因此，第三导电层360可以电连接至第二导电层330，该第二导电层330电连接至第一导电层310和第一有源层320。
183.同时，第二绝缘膜413的第三接触孔ch3的宽度w3可以与第三绝缘膜414的第四接触孔ch4的宽度w4基本上相同。第二绝缘膜413的第三接触孔ch3的宽度w3和第三绝缘膜414的第四接触孔ch4的宽度w4可以是在图3中所示的线a-b的切割方向上各个接触孔的最大长度。
184.然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，在图3中所示的线a-b的切割方向
上，第二绝缘膜413的第三接触孔ch3的宽度w3可以小于第三绝缘膜414的第四接触孔ch4的宽度w4。
185.如上所述，在根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的驱动晶体管t1的第二节点n2中包括的区域中，缓冲层411的第一接触孔ch1、第一绝缘膜412的第二接触孔ch2、第二绝缘膜413的第三接触孔ch3和第三绝缘膜414的第四接触孔ch4可以彼此交叠。
186.此外，第一导电层310、第一有源层320、第二导电层330和第三导电层340通过各个接触孔(ch1、ch2、ch3和ch4)彼此电连接。
187.尽管图4示出了第一有源层320具有单层结构；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
188.例如，第一有源层320可以具有两层或更多层的多层结构。参照图5详细讨论该配置。
189.图5是示出了在根据本公开内容的各方面的另一个实施方式中沿图3的线a-b截取的区域的截面图。
190.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
191.如图5中所示，根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100包括第一导电层310、包括第一接触孔chl的缓冲层411和有源层520、包括第二接触孔ch2的第一绝缘膜412、第二导电层330、包括第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和包括第四接触孔ch4的第三绝缘膜414以及第三导电层360。
192.设置在缓冲层411上的第一有源层520可以包括有源图案521和设置在有源图案521上的至少一个导电图案522。导电图案522可以设置为露出有源图案521的顶表面的一部分和至少一侧；然而，根据本文中描述的实施方式的第一有源层520的结构不限于此。
193.有源图案521可以由氧化物半导体形成。包括在第一有源层520中的材料可以是金属氧化物半导体，并且可以由以下形成：i)诸如钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的金属的氧化物，或者ii)诸如钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的金属和钼(mo)、锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)等的氧化物的组合。
194.例如，有源图案521可以包括氧化锌(zno)、氧化锌锡(zto)、氧化锌铟(zio)、氧化铟(ino)、氧化钛(tio)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锌锡(izto)中的至少一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
195.导电图案522可以包括诸如铝(al)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钨(w)、钼(mo)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等的金属，或其合金中的任意一种；然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，导电图案622可以包括钼(mo)和钛(ti)的合金；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
196.导电图案522可以设置在有源图案521上以有助于与其他部件的电连接。此外，导电图案522可以在有源图案521的导电工艺中用作掩模，从而用于有助于有源图案521的导电工艺，而无需额外的掩模。
197.第一绝缘膜412可以设置成露出有源图案521的顶表面的一部分和至少一个侧表面。第一绝缘膜412可以设置为露出导电图案522的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
198.有源图案521可以包括导电区域521a和非导电区域521b。
199.有源图案521的导电区域521a可以不与第一绝缘膜412交叠，并且包括与导电图案522不交叠的区域。在该实施方式中，有源图案521的非导电区域521b可以是与导电图案522交叠的区域。
200.在另一个实施方式中，有源图案521的导电区域521a可以与第一绝缘膜412不交叠，并且包括与导电图案522交叠的区域的一部分。在该实施方式中，有源图案521的非导电区域521b可以与第一绝缘膜412交叠，并且对应于与导电图案522的一部分交叠的区域。
201.在另一个实施方式中，有源图案521的导电区域521a的一部分可以与第一绝缘膜412和导电图案522交叠。在该实施方式中，有源图案521的非导电区域521b可以与第一绝缘膜412的一部分交叠。
202.有源图案521的导电区域521a可以通过第一绝缘膜412的干蚀刻工艺形成。在这种情况下，设置在有源图案521上的导电图案522用作掩模，因此，有源图案521的与导电图案522不交叠的区域可以通过等离子体变得导电(即，被修改为充当导体)。
203.此外，取决于干蚀刻工艺条件，有源图案521的导电区域521a可以延伸至与导电图案522交叠的区域的一部分。
204.有源图案521的导电区域521a的延伸部可以接触导电图案522。例如，如图5中所示，当导电图案522的一端位于有源图案521的导电区域521a与非导电区域521b之间的边界处时，导电图案522可以在有源图案521的导电区域521a与非导电区域521b之间的边界处接触有源图案521的导电区域521a中的至少一部分。
205.此外，当有源图案521的导电区域521a的一部分与导电图案522的一部分交叠时，导电图案522可以接触有源图案521的导电区域521a的顶表面的一部分。
206.第二导电层330可以设置在其上方设置有第一绝缘膜412的基板300上方。
207.在由沿图3的线a-b切割得到的区域中，第二导电层330的一部分可以与第一有源层520的一部分交叠，并且第二导电层330的其余部分可以与第一有源层520不交叠。
208.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层520的有源图案521的一部分和导电图案522的一部分。具体地，第二导电层330可以接触与第一绝缘膜412不交叠的导电图案522的顶表面的一部分和至少一个侧表面。此外，第二导电层330可以接触与导电图案522不交叠的有源图案521的顶表面的一部分和至少一个侧表面(即，有源图案521的导电区域521a)。
209.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2和形成在缓冲层411中的第一接触孔ch1来接触第一导电层310。
210.因此，第二导电层330可以电连接至第一导电层310以及第一有源层520的有源图案521和导电图案522。
211.根据本文中描述的实施方式，导电图案522的电阻可以低于有源图案521的电阻。以这种方式，由于导电图案522设置在有源图案521上，并且第二导电层330电连接至第一有源层520的导电图案522，因此提供了减小接触电阻的优点。
212.具有第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和具有第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上或上方。
213.在图3中所示的线a-b的切割方向上，第二绝缘膜413的第三接触孔ch3的宽度w3可
以小于第三绝缘膜414的第四接触孔ch4的宽度w4。
214.此外，第三导电层360可以设置在其上方设置有第三绝缘膜414的基板上方。第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4电连接至第二导电层330。
215.图4和图5示出了有源层(320、520)的一个边缘与缓冲层411的一个边缘交叠的结构，但是根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的结构不限于此。
216.在下文中，将详细给出关于根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100的其他结构的讨论。
217.图6是示出了在根据本公开内容的各方面的又一实施方式中沿图3的线a-b截取的区域的截面图。
218.在以下描述中，为了便于描述，可以不再重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
219.参照图6，第一有源层620可以设置在缓冲层411的顶表面的一部分上。
220.具体地，第一有源层620的有源图案621可以设置在缓冲层411的顶表面的一部分上，并且第一有源层620的导电图案622可以设置在有源图案621上。有源图案621可以包括导电区域621a和非导电区域621b。
221.有源图案621和导电图案622可以设置成露出缓冲层411的顶表面的一部分。导电图案622可以设置成露出有源图案621的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
222.缓冲层411可以包括露出第一导电层310的顶表面的一部分的第一接触孔ch1。从由第一接触孔ch1形成的缓冲层411的一个侧表面611延伸的延伸部的顶表面的一部分可以与第一有源层620的有源图案621和导电图案622不交叠，并且也可以与设置在第一有源层620上的第一绝缘膜412不交叠。
223.多个突起670可以设置在与第一有源层620和第一绝缘膜412不交叠并且从由第一接触孔ch1形成的缓冲层411的一个侧表面611延伸的延伸部的顶表面的至少一部分中。
224.多个突起670的形状可以是不规则的；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
225.多个突起670可以通过用于形成第一绝缘膜412的第二接触孔ch2的干蚀刻工艺形成。
226.具体地，在形成第一绝缘膜412之前，有源图案621的材料和导电图案622的材料可以顺序地沉积在未形成第一接触孔ch1的缓冲层411的材料上。
227.此外，在使用湿蚀刻对导电图案622进行图案化之后，可以通过使用湿蚀刻对有源图案621的材料进行图案化的工艺来形成包括保持在非导电状态的有源图案621的第一有源层620。
228.在这种情况下，由于导电图案622设置在有源图案621上，因此这用于防止有源图案621在对有源图案621的材料进行图案化的工艺中被蚀刻溶液完全去除，并且使得形成有源图案621的材料能够被图案化，从而使得有源图案621能够形成在导电图案622下方。也就是说，可以通过导电图案622来提高第一有源层620的工艺稳定性。
229.如上所述，当使用湿蚀刻对有源图案621进行图案化时，由于蚀刻溶液的影响，有源图案621的外边缘可能具有非常薄的厚度。
230.此后，在包括保持在非导电状态的有源图案621和导电图案622的第一有源层620
上沉积第一绝缘膜412的材料之后，可以通过对第一绝缘膜412的材料和缓冲层411的材料执行干蚀刻来基本上同时形成第一接触孔ch1和第二接触孔ch2。
231.缓冲层411的第一接触孔ch1可以形成为在用于去除第一绝缘膜412的材料的干蚀刻工艺中去除位于与其中没有设置有源图案621的区域相对应的区域中的缓冲层411的材料。
232.另外，可以通过等离子体去除有源图案621的外边缘(具有薄的厚度)以露出缓冲层411的顶表面的一部分。因此，多个突起670可以通过等离子体形成在与第一接触孔ch1相邻的缓冲层411的顶表面的至少一部分上。
233.如上所述，在第一绝缘膜412的材料中形成第二接触孔ch2和缓冲层411的材料中形成第一接触孔ch1的工艺中，可以去除有源图案621的具有薄的厚度的区域(有源图案的外边缘)，并且未被等离子体去除并且露出的区域可以变得导电(即，被修改为充当导体)，并且因此变成有源图案621的导电区域621a。
234.然而，本公开内容的实施方式不限于此，取决于工艺条件，有源图案621的导电区域621a的一部分可以与导电图案622的一部分交叠，并且可以与第一绝缘膜412的一部分交叠。
235.有源图案621的导电区域621a可以电连接至导电图案622的一部分。
236.第二导电层330可以设置在缓冲层411、第一有源层620和第一绝缘膜412上或上方。
237.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层620的导电图案622的顶表面的一部分和至少一个侧表面。第二导电层330可以通过设置在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层620的有源图案621的导电图案621a的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
238.第二导电层330可以接触设置在缓冲层411的顶表面的至少一部分上的多个突起670中的全部或一些的表面。
239.具有第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和具有第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上或上方。
240.第三接触孔ch3和第四接触孔ch4可以设置成与缓冲层411的多个突起670交叠。
241.此外，第三导电层360可以设置在其上方设置有第三绝缘膜414的基板上方。第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4电连接至第二导电层330。即使在其中多个突起670设置在缓冲层411的顶表面的至少一部分中的区域中，第三导电层360也可以接触第二导电层330。
242.同时，在与图2的驱动晶体管t1的第二节点n2相对应的区域中，其中设置有根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的缓冲层411、第一有源层(320、520或620)、第一绝缘膜412和第二导电层330的结构不限于图4至图6中所示的结构，因此，可以形成不同的结构。
243.在下文中，参照图7和图9，将给出关于根据本公开内容的各方面的有机发光显示装置的其他结构的讨论。
244.图7至图9示出了根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置的缓冲层、第一有源层、第一绝缘膜和第二导电层的布置的各种实施方式。
245.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
246.参照图7，第一有源层720的有源图案721可以设置在缓冲层411的顶表面的一部分上，并且第一有源层720的导电图案722可以设置在有源图案721上。
247.有源图案721可以包括导电区域721a和非导电区域721b。导电图案722的一部分可以接触有源图案721的导电区域721a的一部分。
248.有源图案721和导电图案722可以设置成露出缓冲层411的顶表面的一部分。导电图案722可以设置成露出有源图案721的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
249.缓冲层411可以包括露出第一导电层310的顶表面的一部分的第一接触孔ch1。从由第一接触孔ch1形成的缓冲层411的一个侧表面611延伸的延伸部的顶表面的一部分可以与第一有源层720的有源图案721和导电图案722不交叠，并且也可以与设置在第一有源层720上的第一绝缘膜412不交叠。
250.第二导电层330可以接触第一有源层720和缓冲层411的与第一绝缘膜412不交叠的表面。
251.第二导电层330可以通过第一绝缘膜412的第二接触孔ch2接触第一有源层720的导电区域721a的一部分和导电图案722的一部分。
252.形成图7中所示的缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2的工艺可以等同于参照图6描述的工艺。
253.与图6的结构相比较，在图7的结构中，根据形成缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2的工艺条件，在与第一有源层720和第一绝缘膜412不交叠并且从缓冲层411的一个侧表面611延伸的延伸部的顶表面的一部分中可以不形成突起。
254.此外，取决于工艺条件，有源图案621的导电区域621a可以与导电图案622和第一绝缘膜412不交叠，并且有源图案621的非导电区域621b的一部分可以不仅与导电图案622的一部分交叠，而且与第一绝缘膜412的一部分交叠。
255.包括第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和包括第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上或上方。第三接触孔ch3和第四接触孔ch4中的每个可以与第一接触孔ch1和第二接触孔ch2交叠。
256.第三导电层360可以设置在第三绝缘膜414上。
257.第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4电连接至第二导电层330。
258.同时，尽管图5至图7示出了其中第一有源层(520、620或720)的有源图案(521、621或721)的顶表面的一部分与导电图案(522、622或722)不交叠的结构；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
259.参照图8，第一有源层820的有源图案821的至少一个外边缘可以与第一有源层820的导电图案822的外边缘交叠。
260.在该实施方式中，在缓冲层411的材料上沉积有源图案821的材料并且在有源图案821的材料上沉积导电图案822的材料之后，然后导电图案822的材料可以通过使用光刻胶的湿蚀刻来图案化。
261.此后，如图8中所示，可以通过经过使用光刻胶和导电图案822对有源图案821的材料进行湿蚀刻而进行图案化来形成第一有源层820的有源图案821和导电图案822。具体地，光刻胶图案的一个外边缘可以与导电图案822的一个外边缘交叠，并且当使用光刻胶图案和导电图案822作为掩模来执行对有源图案821的材料进行湿蚀刻时，导电图案822的外边缘和有源图案821的外边缘可以交叠，如图8中所示。
262.此外，保持在非导电状态的有源图案821的顶表面可以被导电图案822覆盖，并且有源图案821的侧表面可以不被导电图案822覆盖，并且可以存在于露出状态中。
263.此后，可以通过去除设置在导电图案822上的光刻胶图案来形成第一绝缘膜412的材料。
264.可以通过干蚀刻工艺在第一绝缘膜412中形成第二接触孔ch2，并且可以在缓冲层411中形成第一接触孔ch1。在该工艺中，有源图案821的未被导电图案822覆盖的侧表面可以通过等离子体变得导电。
265.通过改变诸如干蚀刻工艺时间和等离子体能量的量或强度的条件，有源图案821的内部(例如侧外边缘)以及形成有源图案821的侧表面的表面可以变得导电(即，被修改为充当导体)。
266.有源图案821可以包括导电区域821a和非导电区域821b。
267.导电图案822可以与有源图案821的导电区域821a的至少一部分交叠。因此，有源图案821的导电区域821a可以电连接至导电图案822的一部分。
268.第一绝缘膜412可以设置在第一有源层820上，并且第二导电层330可以设置在第一绝缘膜412上。
269.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层820的导电图案822的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
270.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层820的有源图案821的导电区域821a。
271.包括第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和包括第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上。
272.第三导电层360可以设置在第三绝缘膜414上。
273.第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4电连接至第二导电层330。
274.然而，根据本文中描述的实施方式的第一有源层的形状不限于此。
275.例如，如图9中所示，有源图案921可以具有露出导电图案922的后表面的一部分的结构。
276.可以通过图8中描述的工艺形成具有其中有源图案921露出导电图案922的后表面的一部分的结构的第一有源层920。
277.与图8的结构相比较，在图9的结构中，由于在使用光刻胶图案和导电图案922对有源图案921的材料执行湿蚀刻的工艺中有源图案921的材料可能会被蚀刻溶液过蚀刻，因此考虑到这种情况，提供一种结构，在该结构中允许有源图案921露出导电图案922的后表面的一部分。
278.在第一绝缘层412中形成第二接触孔ch2并在缓冲层411中形成第一接触孔ch1的
干蚀刻工艺中，有源图案921的未被导电图案922覆盖的侧外边缘可以通过等离子体变得导电(即，被修改为充当导体)。
279.在这种情况下，保持在非导电状态的有源图案921的顶表面可以被导电图案922覆盖，并且有源图案921的侧表面可以不被导电图案922覆盖，并且可能存在于露出状态中。
280.因此，有源图案921可以包括导电区域921a和非导电区域921b。有源图案921的导电区域921a可以是与有源图案921的侧外边缘相对应的区域，并且其余区域可以是非导电区域921b。
281.同时，有源图案921的侧外边缘与顶表面之间的边界区域也可以变得导电，并且导电图案922的后表面可以接触有源图案921的侧外边缘与顶表面之间的边界区域。
282.第一绝缘膜412可以设置在第一有源层920上，并且第二导电层330可以设置在第一绝缘膜412上。
283.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层920的导电图案922的顶表面的一部分和至少一个侧表面。此外，第二导电层330也可以接触导电图案922的后表面的至少一部分。
284.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触作为第一有源层920的有源图案921的导电区域921a的有源图案921的侧外边缘。
285.也就是说，即使当有源图案921通过形成设置在基板300上方的元件的工艺被过蚀刻以露出导电图案922的后表面的一部分时，由于导电图案922可以接触有源图案921的侧外边缘，即，有源图案921的导电区域921a，并且第二导电层330可以接触第一有源层920，因此这种结构可以有助于容易地驱动相关联的子像素。
286.同时，在图9中，尽管已经描述了其中有源图案921的侧外边缘可以变得导电并且有源图案921的侧外边缘可以对应于导电区域921a的结构；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
287.例如，在与沿图3的线a-b切割的区域相对应的区域中，根据修改为充当有源图案921的导体的工艺(干蚀刻工艺)的条件，有源图案921的侧外边缘或一侧表面可以不变得导电(即，不被修改为充当导体)。
288.然而，有源图案921可以在除了与沿图3的线a-b切割的区域相对应的区域以外的区域中变得导电，并且相对应的导电区域可以通过接触来电连接至导电图案922。
289.此外，在图3至图9中，尽管已经关于其中第一绝缘膜412通过第二接触孔ch2露出第一有源层(320、520、620、720、820或920)的顶表面的一部分的结构进行了讨论；然而，本公开内容的实施方式不限于此。
290.将对根据本公开内容的各方面的另一个实施方式中的第一有源层与第一绝缘膜之间的布置关系进行讨论。
291.图10示出了根据本公开内容的各方面的另一个实施方式中的第一有源层与第一绝缘膜之间的布置关系。除了第一有源层与第一绝缘膜之间的布置关系以外，其余元件的结构可以与图5的元件的结构基本上相同。
292.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
293.参照图10，第一绝缘膜1012可以覆盖第一有源层520的导电图案522的整个上表面，并且通过第二接触孔ch2露出导电图案522的一个侧表面。
294.第一绝缘膜1012可以设置成露出第一有源层520的有源图案521的顶表面的一部分和一个侧表面。
295.在这种情况下，第二导电层330可以通过第一绝缘膜1012的第二接触孔ch2接触导电图案522的侧表面，并且可以电连接至导电图案522。此外，第二导电层330可以通过第一绝缘膜1012的第二接触孔ch2接触有源图案521的上表面的一部分和一个侧表面，并且可以电连接至有源图案。
296.同时，在图5至图10中，尽管已经描述了其中第一有源层(520、620、720、820或920)包括有源图案(521、621、721、821或921)和导电图案(522、622、722、822或922)的结构；然而，图3中所示的有源层325还可以包括有源图案和导电图案。
297.接下来，将参照图11描述根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的子像素中的驱动晶体管t1的第二节点n2中包括的区域的另一种结构。
298.图11是根据本公开内容的各方面的沿图3的线c-d截取的截面图。
299.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
300.在以下描述中，将基于应用图5中所示的第一有源层520的结构来描述第一有源层。
301.参照图11，第一导电层310可以设置在基板300上。
302.缓冲层411可以设置在第一导电层310上。
303.第一有源层520可以设置在缓冲层411上。第一有源层520可以包括设置在缓冲层411上的有源图案521以及设置在有源图案521上的至少一个导电图案522。
304.第一绝缘膜412可以设置在第一有源层520上。
305.第一绝缘膜412可以设置成露出有源图案521的顶表面的一部分和至少一个侧表面。第一绝缘膜412可以设置成露出导电图案522的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
306.有源图案521可以包括导电区域521a和非导电区域521b。
307.具体地，如图11中所示，有源图案521的导电区域521a可以与第一绝缘膜412不交叠，并且可以是或包括与导电图案522不交叠的区域。
308.在另一个实施方式中，有源图案521的导电区域521a可以与第一绝缘膜412不交叠，并且包括与导电图案522交叠的部分区域。在另一个实施方式中，有源图案521的导电区域521a的一部分可以与第一绝缘膜412和导电图案522交叠。
309.有源图案521的导电区域521a可以在缓冲层411中形成第一接触孔chl和/或在第一绝缘膜412中形成第二接触孔ch2的工艺中形成。导电区域521a的尺寸可以根据工艺条件而变化。
310.有源图案521的非导电区域521b可以是有源图案521的除了导电区域521a之外的其余区域。
311.第一有源层520的导电图案522可以接触有源图案521的导电区域521a的一部分。
312.第一绝缘膜412可以设置成露出有源图案521的顶表面的一部分和至少一个侧表
面。第一绝缘膜412可以设置成露出导电图案522的顶表面的一部分和至少一个侧表面。
313.第二导电层330可以设置在其上方设置有第一绝缘膜412的基板300的上方。
314.在沿图3的线c-d切割的区域中，整个第二导电层330可以与第一有源层520交叠。
315.第二导电层330可以通过形成在第一绝缘膜412中的第二接触孔ch2接触第一有源层520的有源图案521的一部分和导电图案522的一部分。因此，第二导电层330可以电连接至第一有源层520的有源图案521和导电图案522。
316.在沿图3的线c-d切割的区域中，缓冲层411可以不设置第一接触孔ch1。
317.缓冲层411的第一接触孔ch1可以在通过干蚀刻工艺在第一绝缘膜412中形成第二接触孔ch2的相同工艺中形成，并且由于第一有源层520在第一有源层520设置在缓冲层411上的区域中充当掩模，由此，第一有源层520可以用于防止在缓冲层411中形成接触孔。因此，如图11中所示，缓冲层411的第一接触孔ch1可以不形成在第一有源层520设置在其中缓冲层411的顶表面上的区域中。
318.具有第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和具有第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上或上方。
319.第三接触孔ch3和第四接触孔ch4可以是露出第二导电层330的顶表面的一部分的接触孔。
320.第三导电层360可以设置在其上方设置有第三绝缘膜414的基板300的上方。
321.第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4接触第二导电层330。因此，第三导电层360可以电连接至第二导电层330。
322.接下来，将参照图12描述根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的子像素中的驱动晶体管t1的第二节点n2中包括的区域的另一种结构。
323.图12是根据本公开内容的各方面的沿图3的线e-f截取的截面图。
324.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
325.在以下描述中，将基于应用图5中所示的第一有源层520的结构来描述第一有源层。
326.参照图12，第一导电层310可以设置在基板300上。
327.包括第一接触孔chl的缓冲层411可以设置在第一导电层310上。缓冲层411可以通过第一接触孔chl露出第一导电层310的顶表面的一部分。
328.包括第二接触孔ch2的第一绝缘膜412可以设置在缓冲层411上。第一绝缘膜412的第二接触孔ch2可以与缓冲层411的第一接触孔ch1交叠，并且在与第一接触孔ch1相同的位置处露出第一导电层310的顶表面的一部分。
329.第二导电层330可以设置在其上方设置有第一绝缘膜412的基板300的上方。
330.具有第三接触孔ch3的第二绝缘膜413和具有第四接触孔ch4的第三绝缘膜414可以设置在第二导电层330上或上方。
331.第三接触孔ch3和第四接触孔ch4可以是露出第二导电层330的顶表面的一部分的接触孔。
332.第三导电层360可以设置在其上方设置有第三绝缘膜414的基板300的上方。
333.第三导电层360可以通过第三接触孔ch3和第四接触孔ch4接触第二导电层330。因此，第三导电层360可以电连接至第二导电层330。
334.在沿图3的线e-f切割的区域中，第二导电层330可以与第一有源层520不交叠。
335.第一接触孔ch1和第二接触孔ch2的宽度l可以彼此对应。在此，第一接触孔ch1和第二接触孔ch2的宽度l可以是每个接触孔在图3的第一方向(例如，数据线行进的方向)上的最大长度。
336.如上所述，缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2可以通过相同的工艺形成。
337.由于沿图3中所示的线e-f切割的区域对应于在缓冲层411上未设置第一有源层520的区域，因此在执行干蚀刻工艺时可以形成绝缘膜412的第二接触孔ch2和缓冲层411的第一接触孔ch1。
338.也就是说，缓冲层411的第一接触孔ch1的位置可以取决于在对应于图2的第二节点n2的区域中的缓冲层411与第一有源层350之间的布置关系而确定。因此，即使当缓冲层411的第一接触孔ch1和第一绝缘膜412的第二接触孔ch2通过相同的工艺形成时，第一接触孔ch1和第二接触孔ch2的各自的宽度也可以变得部分不同。
339.参照图13对此进行详细讨论。
340.图13示出了在图2的驱动晶体管的第二节点中包括的区域中形成的接触孔的位置和宽度。
341.第一接触孔ch1可以与第二接触孔ch2交叠。
342.第一接触孔ch1和第二接触孔ch2在第一方向上的宽度l可以彼此对应。
343.第一接触孔ch1的宽度w1和第二接触孔ch2的宽度w2在第二方向上可以彼此不同。
344.在平面图中，第二接触孔ch2的面积可以大于第一接触孔ch1的面积。这是因为在缓冲层与第一有源层交叠的区域中可以不形成第一接触孔ch1。
345.换句话说，第二接触孔ch2与第一接触孔ch1不交叠的区域可以是第二接触孔ch2与第一有源层交叠的区域。
346.此外，可以设置围绕第一接触孔ch1和第二接触孔ch2的接触孔342。接触孔342可以包括第二绝缘膜的第三接触孔ch3和第三绝缘膜的第四接触孔ch4，并且第三接触孔ch3和第四接触孔ch4的各自的宽度在第一方向和第二方向两者上可以基本上相等，或者在第一方向和第二方向中的至少一个上可以不同。
347.当第三接触孔ch3和第四接触孔ch4的各自的宽度在第一方向和第二方向两者上基本上相等时，如图13中所示，在平面图中，第三接触孔ch3和第四接触孔ch4的各自的面积可以基本上相等。
348.当第三接触孔ch3和第四接触孔ch4的各自的宽度在第一方向和第二方向中的至少一个上不同时，在平面图中，第三接触孔ch3和第四接触孔ch4的各自的面积可以不同。
349.以这种方式，由于第一接触孔至第四接触孔中的至少两个交叠，因此可以减小在图2的驱动晶体管t1的第二节点n2中包括的区域中的接触孔占据的面积。
350.如上所述，可以通过减小由接触孔占据的面积来增加位于子像素中的存储电容器的尺寸。
351.根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的存储电容器可以包括多层
电极，并且由此可以实现具有高容量特性的存储电容器。
352.将参照图14讨论根据本文中描述的实施方式的存储电容器的结构。
353.图14是根据本公开内容的各方面的沿图3的线g-h截取的截面图。
354.在以下描述中，为了便于描述，可能不会重复描述以上讨论的实施方式或示例的一些配置、效果等。此外，在以下描述中，相同的附图标记将用于与上述的实施方式或示例的配置或元件相同的配置或元件。
355.在以下描述中，将基于应用图5中所示的第一有源层520的结构来描述第一有源层。
356.参照图14，第一导电层310、缓冲层411、第一有源层520的有源图案521和第一有源层520的导电图案522、第一绝缘膜412、板340、第二绝缘膜413、第三绝缘膜414和第三导电层360可以顺序地设置在基板300上方。
357.如上所述，板340可以与第二导电层330设置在同一层中。
358.在包括无机绝缘材料的一个或更多个层设置在第一导电层310、第一有源层520的有源图案521与板340之间的情况下，第一导电层310、第一有源层520的有源图案521和板340中的每个被设置为彼此交叠，从而充当存储电容器的电极。
359.根据本文中描述的实施方式，由于第一有源层520包括导电图案522，并且板340、第一有源层520和第一导电层310交叠的区域中的大部分区域被用作存储电容器cst，因此，可以实现具有高分辨率的有机发光显示装置100。
360.尽管图14示出了其中第一有源层520包括导电图案522的结构；然而，如图4中所示，第一有源层520可以具有仅包括有源图案的结构。在这种情况下，有源图案在其中设置存储电容器的区域中的区域可以是导电区域。
361.由于根据本文中描述的实施方式的有机发光显示装置100的存储电容器具有多层结构，由此可以实现具有高容量特性的存储电容器。
362.根据本文中描述的实施方式，由于设置在与驱动晶体管的第二节点相对应的区域中的接触孔中的至少两个接触孔交叠，并且因此，可以因此增加存储电容器的尺寸或容量，而不减小发光区域的面积，并且因此，可以提供具有高亮度和高分辨率的有机发光显示面板以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
363.此外，根据本文中描述的实施方式，通过经过相同的工艺形成在缓冲层和第一绝缘膜中形成的接触孔，可以提供可以使用减少的数目的掩模，通过简化的工艺来制造的有机发光显示面板，以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
364.此外，根据本文中描述的实施方式，由于有源层包括有源图案和设置在有源图案上的导电图案，因此可以提供一种可以容易地驱动子像素的有机发光显示面板以及包括该显示面板的有机发光显示装置。
365.以上描述被呈现以使得本领域技术人员能够实现和使用本发明的技术构思，并且在特定应用及其要求的上下文中被提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员来说将是显而易见的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明的目的提供了本发明的技术构思的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本发明的技术构思的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方式，而是与和权利要求一致的最宽范围
相一致。本发明的保护的范围应基于所附权利要求来理解，并且在其等同范围内的所有技术思想均应被理解为包括在本发明的范围内。