光收发器中使用高导热界面材料的从激光器管芯的热提取路径的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，包括：衬底；陶瓷载体，安装到所述衬底；集成电路(ic)管芯，安装到所述陶瓷载体，以及离开所述ic管芯的热提取路径，所述热提取路径包括：在所述ic管芯之上的热界面材料，所述热界面材料具有约25至80μm的厚度；在所述热界面材料之上的集成散热器；在所述集成散热器之上的陶瓷载板；以及在所述陶瓷载板和所述半导体封装的壳体之间的导电热间隙垫。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述热提取路径还包括集成无源设备(ipd)或热沉管芯(hsd)中的至少一个。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述ipd或所述hsd中的所述至少一个经由铜柱安装到所述ic管芯的顶表面。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述ipd在所述ic管芯的第一部分上，并且所述hsd在所述ic管芯的第二部分之上。5.根据权利要求2、3或4所述的半导体封装，其中，所述热界面材料在所述ipd或所述hsd中的所述至少一个之上。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述热界面材料(tim)在所述ipd或所述hsd两者之上，并且所述tim的在所述ipd之上的第一部分和所述tim的在所述hsd之上的第二部分之间存在间隙。7.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述集成散热器包括铜。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述集成散热器的厚度约为1.6毫米。9.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述陶瓷载板包括氮化铝(aln)。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述陶瓷载板的厚度约为0.38mm。11.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述导电热间隙垫的厚度约为0.6毫米。12.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述热提取路径将所述ic管芯的顶部上的操作温度与所述壳体的操作温度维持在6-7℃的温度差量内。13.一种光收发器封装，包括：印刷电路板组件(pcba)；陶瓷载体或硅中介层，安装到所述pcba；激光器管芯，安装到所述陶瓷载体或所述硅中介层；以及离开所述激光器管芯的热提取路径，所述热提取路径包括：集成无源设备(ipd)，在所述激光器管芯的第一部分上；热沉管芯(hsd)，在所述激光器管芯的第二部分之上；热界面材料，在所述ipd和所述hsd两者之上；铜集成散热器，在所述热界面材料之上；陶瓷载板，在所述铜集成散热器之上；以及导电热间隙垫，在所述陶瓷载板与所述光学半导体封装的壳体之间。
14.根据权利要求13所述的光收发器封装，其中，所述热界面材料的厚度约为25μm至80μm。15.根据权利要求13所述的光收发器封装，其中，所述热界面材料(tim)在所述ipd或所述hsd两者之上，并且所述tim的在所述ipd之上的第一部分与所述tim的在所述hsd之上的第二部分之间存在间隙。16.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，还包括激光器驱动器管芯，所述激光器驱动器管芯与所述pcba上的所述激光器管芯相邻安装。17.根据权利要求16所述的光收发器封装，其中，所述铜集成散热器(ihs)在所述激光器驱动器管芯和所述激光器管芯两者之上延伸。18.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述铜ihs包括连接到pcba接地的至少一个部分。19.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述铜ihs的厚度约为1.6毫米。20.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述陶瓷载板包括氮化铝(aln)。21.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述陶瓷载板的厚度约为0.38mm。22.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述导电热间隙垫的厚度约为0.6毫米。23.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，其中，所述热提取路径将所述激光器管芯的顶部上的操作温度与所述壳体的操作温度维持在6-7℃的温度差量内。24.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：将陶瓷载体或硅中介层中的一个安装到衬底；将集成电路(ic)管芯安装到所述陶瓷载体或所述硅中介层；通过以下步骤来组装离开所述ic管芯的热提取路径：在所述ic管芯之上形成热界面材料，所述热界面材料形成为具有约25至80μm的厚度；在所述热界面材料之上形成集成散热器；将陶瓷载板接合到所述集成散热器上；以及在所述陶瓷载板与所述半导体封装的壳体之间形成导电热垫。25.根据权利要求24所述的方法，还包括将集成无源设备或热沉管芯中的至少一个安装在所述ic管芯的顶表面与所述热界面材料之间。

技术总结
一种半导体封装包括衬底和安装到衬底的陶瓷载体。集成电路(IC)管芯安装到陶瓷载体。离开IC管芯的热提取路径包括：i)在所述IC管芯之上的热界面材料，所述热界面材料具有约25至80μm的厚度；ii)在热界面材料之上的集成散热器；iii)在所述集成散热器之上的陶瓷载板；以及iv)在陶瓷载板和半导体封装的壳体之间的导电热垫。电热垫。电热垫。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2021.11.22
技术公布日：2022/6/24