一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺的制作方法

1.本发明属于脉冲电容器领域，尤其是涉及一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺。


背景技术：

2.自愈式脉冲电容器为可以自动回复的脉冲电容器，当施加过高的电压时，聚丙烯膜电弱点被击穿，击穿点阻抗明显降低，流过的电流密度急剧增大，使金属化镀层产生高热，击穿点周围的金属导体迅速蒸发逸散，形成金属镀层空白区，击穿点自动恢复绝缘。
3.但是目前的自愈式脉冲电容器在真空浸渍过程中，存在留在电容器内部的气泡和水汽无法充分的排出，导致电容器的电气性能不佳而影响电容器的质量。
4.为此，我们提出一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺来解决上述问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的是针对上述问题，提供一种能够更好对于电容器进行浸渍的自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺。
6.为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
7.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
8.(2)、将真空浸渍缸内部温度加热至45-50℃，保持1小时；
9.(3)、对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为10-15pa，保持1小时；
10.(4)、再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持 0.12-0.3pa，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持90-100℃，持续4-6小时；
11.(5)、对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持40-50℃；
12.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料；
13.(7)、使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，保持5-6小时；
14.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
15.在上述的自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺中，步骤(3)以及步骤(4)中的真空度均为脱气管道内部的真空度。
16.在上述的自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺中，步骤(6)中浸渍料的温度保持40-50℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持40-50℃。
17.在上述的自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺中，步骤(7)中真空浸渍缸内部的超声波强度为10-25w/cm2。
18.在上述的自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺中，所述步骤(7) 中真空浸渍缸内部
的超声波频率为35-45khz。
19.与现有的技术相比，本自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺的优点在于：
20.本发明通过在真空浸渍缸内部依次经历加热、低真空干燥、高真空干燥、降温、高真空注油和浸渍以及超声波加强浸渍等操作能够实现更好的除去电容器内部的气泡和水汽，使得电容器能够有着更好的浸渍效果，确保电容器能够有着更好以及更加稳定的电气性能。
具体实施方式
21.以下实施例仅处于说明性目的，而不是想要限制本发明的范围。
22.实施例1
23.一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
24.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
25.(2)、加热：将真空浸渍缸内部温度加热至50℃，保持1小时；
26.(3)、低真空干燥：对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为15pa，真空度为脱气管道内部的真空度，保持1小时；
27.(4)、高真空干燥：再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持0.3pa，真空度为脱气管道内部的真空度，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持100℃，持续4小时；
28.(5)、降温：对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持50℃；
29.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料，浸渍料的温度保持50℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持50℃；
30.(7)、超声波浸渍：使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，超声波强度为25w/cm2，真空浸渍缸内部的超声波频率为45khz，保持5小时；
31.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
32.实施例2
33.一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
34.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
35.(2)、加热：将真空浸渍缸内部温度加热至45℃，保持1小时；
36.(3)、低真空干燥：对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为10pa，真空度为脱气管道内部的真空度，保持1小时；
37.(4)、高真空干燥：再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持0.12pa，真空度为脱气管道内部的真空度，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持90℃，持续6小时；
38.(5)、降温：对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持40℃；
39.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料，浸渍料的温度保持40℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持40℃；
40.(7)、超声波浸渍：使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，超声波强度为10w/cm2，真空浸渍缸内部的超声波频率为35khz，保持6小时；
41.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
42.实施例3
43.一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
44.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
45.(2)、加热：将真空浸渍缸内部温度加热至45℃，保持1小时；
46.(3)、低真空干燥：对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为12pa，真空度为脱气管道内部的真空度，保持1小时；
47.(4)、高真空干燥：再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持0.2pa，真空度为脱气管道内部的真空度，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持95℃，持续5小时；
48.(5)、降温：对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持45℃；
49.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料，浸渍料的温度保持45℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持45℃；
50.(7)、超声波浸渍：使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，超声波强度为20w/cm2，真空浸渍缸内部的超声波频率为40khz，保持5.5小时；
51.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
52.实施例4
53.一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
54.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
55.(2)、加热：将真空浸渍缸内部温度加热至47℃，保持1小时；
56.(3)、低真空干燥：对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为13pa，真空度为脱气管道内部的真空度，保持1小时；
57.(4)、高真空干燥：再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持0.25pa，真空度为脱气管道内部的真空度，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持97℃，持续5.7小时；
58.(5)、降温：对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持48℃；
59.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料，浸渍料的温度保持48℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持48℃；
60.(7)、超声波浸渍：使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，超声波强度为23w/cm2，真空浸渍缸内部的超声波频率为42khz，保持5.7小时；
61.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
62.实施例5
63.一种自愈式脉冲电容器的真空浸渍工艺，包括以下步骤：
64.(1)、将组装好带浸渍的电容器放入到真空浸渍缸内部，真空浸渍缸内部具有加热元件以及超声波产生组件；
65.(2)、加热：将真空浸渍缸内部温度加热至42℃，保持1小时；
66.(3)、低真空干燥：对于加温后的真空浸渍缸进行抽真空，并且使得真空度为11pa，真空度为脱气管道内部的真空度，保持1小时；
67.(4)、高真空干燥：再次对于真空浸渍缸进行抽真空，使其内部真空度保持0.15pa，真空度为脱气管道内部的真空度，对于真空浸渍缸进行升温，使得温度保持92℃，持续5.2小时；
68.(5)、降温：对于真空浸渍缸进行降温，使得温度保持42℃；
69.(6)、向真空浸渍缸内部注入浸渍料，浸渍料的温度保持42℃，并通过加热元件确保浸渍料注入完毕之后，真空浸渍缸内部的温度保持42℃；
70.(7)、超声波浸渍：使得真空浸渍缸内部的超声波产生组件开始工作，使得真空浸渍缸内部产生超声波，超声波强度为12w/cm2，真空浸渍缸内部的超声波频率为38khz，保持6小时；
71.(8)、破除真空，并且抽回浸渍料，取出电容器。
72.以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。