半导体器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、在垂直于所述衬底的纵向上依次形成的堆叠结构和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述光刻胶层具有至少一个第一开口，所述第一开口包括沿第一方向依次分布的第一部分开口、中间部分开口和第二部分开口，其中，所述第一部分开口、所述中间部分开口和所述第二部分开口在第二方向上分别具有第一宽度、中间宽度和第二宽度，所述中间宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度；依据所述第一开口，在所述硬掩膜层上形成第二开口，所述第二开口包括沿所述第一方向依次分布的第一硬掩膜层开口和第二硬掩膜层开口，其中，至少部分所述硬掩膜层在所述第一方向上位于所述第一硬掩膜层开口和所述第二硬掩膜层开口之间，以将所述第一硬掩膜层开口和所述第二硬掩膜层开口隔开；依据所述第二开口，形成贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的第一栅线缝隙，所述第一栅线缝隙包括沿所述第一方向分布的第一子栅线缝隙和第二子栅线缝隙，至少部分所述堆叠结构在所述第一方向上位于所述第一子栅线缝隙和所述第二子栅线缝隙之间。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，具体包括：提供掩膜版，所述掩膜版具有至少一个第三开口，所述第三开口包括沿第一方向依次分布的第一掩膜版开口、中间掩膜版开口和第二掩膜版开口，其中，所述第一掩膜版开口、所述中间掩膜版开口和所述第二掩膜版开口分别与所述第一部分开口、所述中间部分开口和所述第二部分开口的形状和尺寸相对应；依据所述第三开口，在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，具体包括：提供掩膜版，所述掩膜版具有至少一个遮挡层，所述遮挡层包括沿第一方向依次分布的第一子遮挡层、中间遮挡层和第二子遮挡层，其中，所述第一子遮挡层、所述中间遮挡层和所述第二子遮挡层分别与所述第一部分开口、所述中间部分开口和所述第二部分开口的形状和尺寸相对应；依据所述遮挡层，在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层。4.如权利要求2或3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述提供掩膜版的步骤包括，所述掩膜版上具有倒圆角。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层还具有多个第四开口，所述第一开口在所述第二方向上位于所述多个第四开口之间，在所述堆叠结构上形成图案化的光刻胶层之后，还包括：依据所述第四开口，形成贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的第二栅线缝隙，所述第二栅线缝隙将所述堆叠结构分割为若干部分。6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一栅线缝隙与所述第二栅线缝隙同时形成。7.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述依据所述第四开口，形成贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的第二栅线缝隙之后，还包括：
在所述第二栅线缝隙中进行至少一次第二栅线缝隙材料沉积工艺，以形成第二栅线缝隙结构。8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，依据所述第二开口，形成贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的第一栅线缝隙之后，还包括：在所述第一栅线缝隙中进行至少一次第一栅线缝隙材料沉积工艺，以形成第一栅线缝隙结构。9.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；在垂直于所述衬底的纵向上形成的堆叠结构；至少一条贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的第一栅线缝隙，所述第一栅线缝隙包括沿第一方向分布的第一子栅线缝隙和第二子栅线缝隙，至少部分所述堆叠结构在所述第一方向上位于所述第一子栅线缝隙和所述第二子栅线缝隙之间，其中，所述第一栅线缝隙由如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制作方法形成。10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的多条第二栅线缝隙，所述第一栅线缝隙在第二方向上位于所述多条第二栅线缝隙之间，所述第二栅线缝隙将所述堆叠结构分割为若干部分。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述第二栅线缝隙中的第二栅线缝隙材料，所述第二栅线缝隙材料构成第二栅线缝隙结构；位于所述第一栅线缝隙中的第一栅线缝隙材料，所述第一栅线缝隙材料构成第一栅线缝隙结构。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件的制作方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、在垂直于衬底的纵向上依次形成的堆叠结构和硬掩膜层；在硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，光刻胶层具有至少一个第一开口，第一开口包括沿第一方向依次分布的第一部分开口、中间部分开口和第二部分开口，其中，第一部分开口、中间部分开口和第二部分开口在第二方向上分别具有第一宽度、中间宽度和第二宽度，中间宽度小于第一宽度和第二宽度。通过形成具有较小尺寸的中间部分开口的第一开口，调整在形成第一栅线缝隙时聚合物的分布，从而改善形成的第一栅线缝隙顶部和底部的形貌，进而提高了器件的良率和可靠性。进而提高了器件的良率和可靠性。进而提高了器件的良率和可靠性。


技术研发人员：刘隆冬 肖梦 吴建中 长江
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.03.25
技术公布日：2022/7/1