改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法与流程

技术特征：
1.一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有多个器件区，每个所述器件区均形成有金属栅，所述衬底上形成有覆盖多个所述器件区以及所述金属栅的层间介质层，之后研磨所述层间介质层使得所述金属栅裸露；步骤二、在研磨后的所述层间介质层和裸露的所述金属栅上形成扩散阻挡层；步骤三、在所述扩散阻挡层上依次形成刻蚀阻挡层以及位于所述刻蚀阻挡层上的隔离层；步骤四、在所述隔离层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得至少一个所述器件区上所述金属栅以外的区域裸露；步骤五、去除裸露的所述隔离层及其下方的所述刻蚀阻挡层和所述扩散阻挡层；步骤六、去除光刻胶层，之后在所述衬底上继续形成覆盖多个所述器件区以及所述金属栅的层间介质层；步骤七、刻蚀所述层间介质层，形成与每个器件区的源区、漏区以及所述金属栅相连通的接触孔。2.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一和步骤六中的所述层间介质层的材料均为二氧化硅。4.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述金属栅的材料为铝。5.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述研磨采用化学机械平坦化工艺。6.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤二中的所述扩散阻挡层的材料为氮化钛。7.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。8.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤三中的所述扩散阻挡层的材料为二氧化硅。9.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中多个所述器件区包括低压器件区、中压器件区和高压器件区。10.根据权利要求9所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤四中的至少一个所述器件区包括高压器件区。11.根据权利要求10所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：所述高压器件区上的所述金属栅的尺寸大于所述中压器件区和所述低压器件区中的所述金属栅的尺寸。12.根据权利要求1所述的改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于：步骤五中采用干法刻蚀去除裸露的所述隔离层以及其下方的刻蚀阻挡层，之后再采用湿法刻蚀去除扩散阻挡层。

技术总结
本发明提供一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有多个器件区，每个器件区均形成有金属栅，衬底上形成有层间介质层，之后研磨层间介质层使得金属栅裸露；在层间介质层和金属栅上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成自下而上叠加的刻蚀阻挡层和隔离层；在隔离层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得至少一个器件区上金属栅以外的区域裸露；去除裸露的隔离层以及其下方的刻蚀阻挡层和扩散阻挡层；去除光刻胶层，之后在衬底上继续形成层间介质层；刻蚀层间介质层，形成分别与源区、漏区以及金属栅相连通的接触孔。本发明不改变层间介质层、接触孔刻蚀等配套工艺条件，提高通孔刻蚀的工艺窗口，改善产品可靠性。善产品可靠性。善产品可靠性。


技术研发人员：杨作东 彭翔 邹海华
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/7/1