一种金属层的形成方法与流程

技术特征：
1.一种金属层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和贯穿所述介质层的接触孔；步骤二、在所述介质层表面沉积一层阻挡层；步骤三、在所述阻挡层表面沉积金属，且所述金属填充满所述接触孔；步骤四、进行研磨至露出所述介质层，形成接触孔插塞；步骤五、依次淀积形成介质阻挡层、层间介质层、抗反射层以及掩膜层，并刻蚀形成暴露出所述接触孔插塞上表面的沟槽；步骤六、采用氢氟酸溶液清洗去除刻蚀残留物；步骤七、用水清洗去除所述氢氟酸溶液残留；步骤八、在所述沟槽中填充金属，以形成与所述接触孔插塞电接触的金属层。2.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤一中所述半导体衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤三中所述金属为钨。4.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤四中所述研磨为化学机械研磨法。5.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤五中所述刻蚀为光刻刻蚀工艺。6.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤六中所述氢氟酸溶液的去离子水和氢氟酸的体积比范围是100∶1到1000∶1。7.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤七中所述水为蒸馏水或去离子水。8.根据权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，步骤八中所述金属层的材料为铝、铜、铝铜合金或钨。

技术总结
本发明提供一种金属层的形成方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有介质层和贯穿介质层的接触孔；在介质层表面沉积一层阻挡层；在阻挡层表面沉积金属，且该金属填满接触孔；进行研磨至露出介质层，形成接触孔插塞；在半导体衬底上方依次淀积形成介质阻挡层、层间介质层、抗反射层以及掩膜层，并刻蚀形成暴露出接触孔插塞上表面的沟槽；采用氢氟酸溶液清洗去除刻蚀残留物；用水清洗去除氢氟酸溶液残留；在沟槽中填充金属，以形成与接触孔插塞电接触的金属层。本发明采用DHF清洗溶剂来替代EKC作为湿法清洗溶液来清洗去除刻蚀残留物，避免了接触孔插塞底部断路缺陷的产生，提高了器件产品良率。高了器件产品良率。高了器件产品良率。


技术研发人员：张志诚 陈明志
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/7/1