显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基板，所述基板包括多个子像素；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基板上；蚀刻停止件，所述蚀刻停止件在所述第一缓冲层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层；以及第一晶体管，所述第一晶体管在所述第二缓冲层上，所述第一晶体管包括与所述蚀刻停止件交叠的源电极和漏电极，其中，所述蚀刻停止件包括孔，所述源电极和所述漏电极中的至少一个设置在所述孔中，并且其中，所述蚀刻停止件与所述源电极和所述漏电极中的至少一个间隔开。2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：发光元件，所述发光元件在所述第一晶体管上。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一晶体管是用于驱动所述发光元件的驱动晶体管。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述源电极和所述漏电极中的至少一个被设置为在所述蚀刻停止件的所述孔中与所述蚀刻停止件间隔开。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一缓冲层通过所述蚀刻停止件的所述孔暴露，并且其中，所述源电极或所述漏电极中的至少一个在所述孔中接触所述第一缓冲层。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括与所述源电极交叠的第一蚀刻停止件和与所述漏电极交叠的第二蚀刻停止件，并且其中，所述第一蚀刻停止件和所述第二蚀刻停止件彼此间隔开。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括连接到所述源电极和所述漏电极的有源层，并且其中，所述第一蚀刻停止件或所述第二蚀刻停止件与所述有源层的沟道区域交叠。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括连接到所述源电极和所述漏电极的有源层，并且其中，所述蚀刻停止件与所述有源层的沟道区域交叠。9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：钝化层，所述钝化层设置在所述蚀刻停止件上方，其中，所述第一晶体管还包括连接到所述源电极和所述漏电极的有源层，并且其中，所述钝化层与所述有源层的沟道区域交叠。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极中的至少一个电连接到所述钝化层。11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极中的一个电连接到所述钝化层，并且所述源电极或所述漏电极中的另一个设置在所述孔中。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极中的所述一个穿过所述钝化层以接触所述第一缓冲层。13.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述钝化层包括金属材料。
14.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述钝化层被设置为与所述蚀刻停止件交叠。15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括氧化物半导体。16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括具有与所述第二缓冲层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的有源层包括低温多晶硅ltps。18.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述基板上，其中，所述第二晶体管的有源层包括氧化物半导体。19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二晶体管被设置在所述第一晶体管上方。20.一种显示装置，所述显示装置包括：基板，所述基板包括多个子像素；多缓冲层，所述多缓冲层在所述基板上；蚀刻停止件，所述蚀刻停止件在所述多缓冲层上，所述蚀刻停止件被配置为减少所述多缓冲层的蚀刻；有源缓冲层，所述有源缓冲层覆盖所述多缓冲层；以及低温多晶硅ltps薄膜晶体管，所述ltps薄膜晶体管在所述有源缓冲层上，所述ltps薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极连接到所述有源层，其中，所述源电极和所述漏电极被设置为与所述蚀刻停止件交叠，并且其中，所述源电极或所述漏电极中的至少一个被设置为接触所述多缓冲层的上表面并且与所述蚀刻停止件间隔开。21.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括：发光元件，所述发光元件在所述ltps薄膜晶体管上。22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述ltps薄膜晶体管是用于驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管。23.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括暴露所述多缓冲层的孔，并且其中，所述源电极或所述漏电极中的至少一个被设置在所述孔中。24.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括：钝化层，所述钝化层在所述蚀刻停止件上方，其中，所述钝化层与所述有源层的沟道区域交叠。25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述钝化层电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个。26.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极中的一个电连接到所述钝化层，并且所述源电极或所述漏电极中的另一个设置在孔中。27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极中的所述一个穿过所述钝化层以接触所述多缓冲层。
28.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述钝化层包括金属材料。29.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述钝化层被设置为与所述蚀刻停止件交叠。30.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件与所述有源层的沟道区域交叠。31.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括与所述源电极交叠的第一蚀刻停止件和与所述漏电极交叠的第二蚀刻停止件，并且其中，所述第一蚀刻停止件和所述第二蚀刻停止件彼此间隔开。32.根据权利要求31所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻停止件或所述第二蚀刻停止件与所述有源层的沟道区域交叠。33.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括氧化物半导体。34.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括具有与所述有源缓冲层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。35.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括：氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管在所述基板上。36.一种显示装置，所述显示装置包括：基板，所述基板包括多个子像素；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基板上；蚀刻停止件，所述蚀刻停止件在所述第一缓冲层上；钝化层，所述钝化层设置在所述蚀刻停止件上方；第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层和所述钝化层；以及第一晶体管，所述第一晶体管在所述第二缓冲层上，所述第一晶体管包括有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极连接到所述有源层，其中，所述源电极和所述漏电极被设置为与所述蚀刻停止件交叠，其中，所述钝化层与所述有源层的沟道区域交叠，并且其中，所述源电极或所述漏电极中的一个电连接到所述钝化层。

技术总结
本申请涉及显示装置。一种显示装置包括：基板，其包括多个子像素；第一缓冲层，其在基板上；蚀刻停止件，其在第一缓冲层上；第二缓冲层，其覆盖第一缓冲层；以及第一晶体管，其在第二缓冲层上。第一晶体管包括与蚀刻停止件交叠的源电极和漏电极。蚀刻停止件包括其中设置有源电极和漏电极中的至少一个的孔。蚀刻停止件与源电极和漏电极间隔开。因此，可以通过保护缓冲层来防止湿气和杂质渗透到显示装置中。缓冲层来防止湿气和杂质渗透到显示装置中。缓冲层来防止湿气和杂质渗透到显示装置中。


技术研发人员：赵圣弼 李埈锡 姜龙斌 郑熙珍 金张大 金东烨 孙源晧 金赞镐
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：2021.12.23
技术公布日：2022/7/1