一种半导体器件的制备方法及半导体器件与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一堆叠层和在第一方向上与所述第一堆叠层相邻设置的第二堆叠层，所述第一堆叠层包括分别位于所述第一堆叠层在第二方向两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层，其中，所述第一连接区堆叠层在所述第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在所述第二方向的宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直；形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层；对所述保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠层还包括阶梯区堆叠层，所述阶梯区堆叠层与所述第二连接区堆叠层在所述第二方向上交替设置。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述第一连接区堆叠层上形成遮挡层；在所述第二连接区堆叠层上形成掩模层；基于所述掩模层和所述遮挡层对所述阶梯区堆叠层进行刻蚀，以在所述阶梯区堆叠层中形成阶梯结构；去除所述遮挡层和所述掩模层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层的步骤，包括：在所述第一堆叠层上形成光刻胶层；对所述光刻胶进行曝光显影形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层位于所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层上作为所述保护层。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀的步骤，包括：对所述阶梯结构继续向下刻蚀，以降低所述阶梯结构的高度。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：形成沿垂直于所述衬底的第三方向贯穿所述第二堆叠层的存储结构。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成堆叠结构的步骤，包括：在垂直于所述衬底的第三方向上交替堆叠导电材料层与电介质材料层。8.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括第一堆叠层和在第一方向上与所述第一堆叠层相邻设置的第二堆叠层；其中，所述第一堆叠层包括分别位于所述第一堆叠层在第二方向两端的第一连接结构，和位于所述第一连接结构之间的多个第二连接结构；所述第一连接结构在所述第二方向的宽度大于所述第二连接结构在所述第二方向的宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一堆叠层还包括多个阶梯结构，所述阶梯结构与所述第二连接结构在所述第二方向上交替设置。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述堆叠结构沿垂直于所述衬底的第三方向，分别包括交替层叠的电介质材料层和导电材料层。11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：沿垂直于所述衬底的第三方向贯穿所述第二堆叠层的存储结构。

技术总结
本公开提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括在衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层。然后形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层，最后对保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。其中，所述第一连接区堆叠层在第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在第二方向的宽度，因此不会导致第一连接区堆叠层和第一连接区堆叠层附近的第二连接区堆叠层上的保护层偏薄，由此可以减少第一连接区堆叠层和附近第二连接区堆叠层上的保护层被侧掏，进而使保护层能够有效保护第一连接区堆叠层和第二连接区堆叠层。和第二连接区堆叠层。和第二连接区堆叠层。


技术研发人员：张鹏飞 陈金星 李贝贝
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.03.29
技术公布日：2022/7/8