用于减轻平面外力和挠曲振动的相位变化的基于压电的微致动器布置的制作方法

1.本发明的实施方案可整体涉及硬盘驱动器并且具体地涉及压电(pzt)微致动器。


背景技术：

2.硬盘驱动器(hdd)是非易失性存储设备，其容纳在保护壳体中并将数字编码数据存储在具有磁性表面的一个或多个圆盘上。当hdd在操作中时，由主轴系统快速旋转每个磁记录盘。使用由致动器定位在磁盘的特定位置上方的读写磁头(或“换能器”)从磁记录盘读取数据并将数据写入到磁记录盘。读写磁头使用磁场将数据写入到磁记录盘的表面并从磁记录盘的表面读取数据。写磁头利用流过其线圈的电流工作，由此产生磁场。以正电流和负电流的不同模式将电脉冲发送到写磁头。写磁头的线圈中的电流在磁头与磁盘之间的间隙中产生局部磁场，继而磁化记录介质上的小区域。
3.读/写磁头使用磁场从磁记录磁盘的表面读取数据并将数据写入磁记录磁盘的表面。由于磁偶极子场随着距磁极的距离而迅速减小，因此必须严格控制容纳在滑块中的读/写磁头与磁记录磁盘的表面之间的距离。致动器部分地依赖于悬架在滑块上的力并且依赖于滑块空气轴承表面(abs)的空气动力学特性，以在磁记录磁盘旋转时提供读/写磁头与磁记录磁盘的表面之间的适当距离(“飞行高度”)。
4.除了提供相对粗调定位的初级音圈马达(vcm)致动器之外，越来越大的面密度(可以存储在磁盘表面的给定区域上的信息位量的量度)已导致必要地开发和实施次级和甚至三级致动器，以用于通过相对精细定位改善磁头定位。一些hdd采用微致动器设计或毫致动器设计来提供记录磁头的第二和/或第三级致动，以能够使磁头相对于记录磁道更准确地定位。毫致动器被广泛分类为移动悬架(弹簧、负载梁、挠曲件和滑块)的整个前端的致动器，并且通常用作第二级致动器。微型致动器(或“微致动器”)通常用作第三级致动器，并且被广泛分类为仅移动(例如，旋转)滑块的致动器从而使该滑块相对于悬架和负载梁移动，或者仅相对于滑块主体移动读写元件。第三级致动器可以与第一级致动器(例如，vcm)和第二级致动器(例如，毫致动器)结合使用，以用于更准确的磁头定位。基于压电(pzt)的换能器和电容式微加工的换能器是两种类型的微致动器，其已被提出与hdd滑块一起使用。
5.本节中描述的任何方法是可以实行的方法，但不一定是先前已经设想到或实行过的方法。因此，除非另有说明，否则不应认为本节所述的任何方法仅仅因为包含在本节中而成为现有技术。
附图说明
6.实施方案通过示例而非限制的方式在附图中示出，在附图中相同的附图标记指代相似的元件并且其中：
7.图1是根据一个实施方案的示出硬盘驱动器的平面图；
8.图2a是根据一个实施方案的示出硬盘驱动器(hdd)悬架的平面图；
9.图2b是根据一个实施方案的示出图2a的悬架的分解图；
10.图2c是根据一个实施方案的示出图2a的悬架的挠曲件和压电(pzt)微致动器的透视图；
11.图3a是示出理想pzt微致动器的侧视图；
12.图3b是示出具有随机变化电极的pzt微致动器的侧视图；
13.图4a是示出处于低z高度配置的pzt微致动器的侧视图；
14.图4b是示出处于高z高度配置的pzt微致动器的侧视图；
15.图5是根据一个实施方案的示出具有差异厚度的电极的pzt微致动器的侧视图；
16.图6a是根据一个实施方案的示出第一图案化电极的平面图；
17.图6b是根据一个实施方案的示出第二图案化电极的平面图；
18.图6c是根据一个实施方案的示出第三图案化电极的平面图；并且
19.图7是根据一个实施方案的示出制造pzt设备的方法的流程图。
具体实施方式
20.描述了基于压电(pzt)的设备的方法。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本文所述的本发明实施方案的透彻理解。然而，将显而易见的是，本文所述的本发明的实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践。在其他情况下，熟知的结构和设备以框图的形式示出，以便避免不必要地模糊本文所述的本发明的实施方案。
21.背景技术
22.本文对“实施方案”，“一个实施方案”等的引用旨在意味着所描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。然而，这些短语的实例不一定都指的是同一实施方案。
23.术语“基本上”应当理解为描述大部分或差不多被结构化、构造、定尺寸等的特征，但在实践中制造公差等引起结构、构型、尺寸等并不总是或一定如所述的那样精确的情形。例如，将结构描述为“基本上竖直的”将为该术语赋予其普通含义，使得侧壁对于所有实用目的均为竖直的，但可能并不精确地处于90度。
24.虽然诸如“最佳”、“优化”、“最小”、“最小化”、“最大”、“最大化”等术语可能不具有与其相关联的某些值，但是如果这些术语在本文中使用，则意图是本领域普通技术人员将理解此类术语将包括在与本公开的整体一致的有益方向上影响值、参数、度量等。例如，将某事物的值描述为“最小”并不要求该值实际上等于某个理论最小值(例如，零)，但应在实际意义上理解为对应的目标是在有益方向上朝向理论最小值移动该值。
25.一般来讲，压电效应是指某些材料响应于施加的机械应力而产生电荷并且相反地当施加电场时产生应力的能力，这可以通过操纵材料的下层晶体结构来操作以伸展和压缩材料。因此，取决于材料的极化的取向和施加的电压，压电致动器可以被配置为在施加电场时，即，在被致动时，伸展或收缩。典型的制造/合成型压电材料是陶瓷、锆钛酸铅(pb[zr
x
ti
1-x
]o3，其中0《x《1)，其通常被称为“pzt”。根据整个本说明书的实施方案，用于所述压电致动器中的每个压电致动器的材料是pzt。然而，每个实施方案不一定限于该具体材料，因为可以利用其他压电材料。
[0026]
在硬盘驱动器的上下文中，压电(pzt)微致动器(ma)被设计用于通过pzt运动的方式使滑块旋转。pzt ma可以被定位在挠曲件处并且用于经由挠曲件结构驱动滑块。因此，此类微致动器可以具有pzt激发的挠曲模式的潜在问题。从伺服系统的角度来看，激发的挠曲模式相当难控制，并且通常依赖于陷波滤波器。多层pzt的电极引起相邻pzt层的有源长度的差异和影响挠曲振动模式的平面外力。多层pzt结构的设计可以能够控制此类平面外力和挠曲模式，然而，由于成本较低，在一些情况下，单层pzt可能是期望的。
[0027]
pzt微致动器的平面外运动
[0028]
图2a是根据一个实施方案的示出硬盘驱动器(hdd)悬架的平面图，图2b是根据一个实施方案的示出图2a的悬架的分解图，并且图2c是根据一个实施方案的示出图2a的悬架的挠曲件和压电(pzt)微致动器的透视图(图2b的虚线框的放大图)。
[0029]
悬架200包括耦接到负载梁204的基板202(通常型锻成致动器臂，诸如图1的臂132，此处未示出)、容纳用于移动/旋转磁头滑块210的微致动器208的挠曲件206，以及用于诸如在磁头滑块210、微致动器208和一些其他相对远程电气/电子部件诸如前置放大器、通道电子器件等之间传输电信号的导电迹线212。此外，悬架诸如悬架200还可以包括用于管理悬架动态模式的阻尼器205结构。
[0030]
根据一个实施方案，微致动器208是基于压电(pzt)的微致动器，其中微致动器208的pzt元件包括在其顶表面和底表面中的每一者上的有源电极。当将电压施加到电极时，竖直方向上的电场(正交于pzt材料)使pzt产生应变。因此，pzt元件可以通过施加到其电极的电压在其纵向方向上收缩或延伸。需注意，pzt微致动器208和滑块210被配置在挠曲件206的相对两侧上，从而允许pzt更靠近滑块210，例如，利用小pzt增加共振频率。
[0031]
图3a是示出理想pzt微致动器的侧视图。pzt微致动器308被示出为包括pzt材料，即，pzt元件320，在该pzt材料的表面上方是电极321a(此处为顶部)和电极321b(此处为底部)。如果是足以制造并形成顶部电极321a和底部电极321b以便在结构/尺寸上(即，与“理想”pzt微致动器)精确地匹配，则通常此类对称pzt微致动器308并且特别是其组成pzt元件320在平面方向上线性移动(收缩/延伸)，如图所示。然而，部件的制造变化可以包括顶部电极厚度和底部电极厚度之间的差异，这基于厚度的变化导致被认为是随机(而不是受控)的弯曲，即，使pzt元件在平面外方向上移动。图3b是示出具有随机变化电极的pzt微致动器的侧视图。pzt微致动器328被示出为包括pzt材料，即，pzt元件330，在该pzt材料的表面上方是电极331a(此处为顶部)和电极331b(此处为底部)，其中一个电极诸如由于相对随机(例如，有效地不可控制)但显著的制造限制和变化而随机地比另一电极厚。例如，较厚的顶部电极331a可以产生相对较硬的顶侧，并且因此，pzt元件330在延伸时向上移动或弯曲并且在收缩时向下移动或弯曲，如图所示。类似地，较厚的底部电极321b可以产生相对较硬的底侧，并且因此，pzt元件330在延伸时向下移动或弯曲并且在收缩时向上移动或弯曲(与图3b所示相反)。
[0032]
z高度对pzt微致动器行为的影响
[0033]
操作hdd可以经历致动器臂(参见例如图1的臂132)与对应记录磁盘(参见例如图1的记录介质120)之间的z高度的变化，通常其中磁头万向节组件(hga)是万向支撑的(例如，围绕凹坑)。图4a是示出处于低z高度配置的pzt微致动器的侧视图，并且图4b是示出处于高z高度配置的pzt微致动器的侧视图。
[0034]
当臂和磁盘变得更分离时，被认为是高z高度情况(例如，图4b)，并且pzt微致动器208将相对远离磁盘120并且将在滑块210端部处向下转动。返回参考图2a-图2c，挠曲件206包括支架206a部分和迹线212的一部分，从而支撑pzt微致动器208和对应滑块210。挠曲件206与负载梁204和基板202机械耦接，并且滑块210在由凹坑支撑的磁盘120上方飞行。在高z高度的情况下，基板202升高并且负载梁204围绕凹坑移动。因此，支架206a和迹线212与负载梁204一起向上移动，这使pzt微致动器208向下倾斜。同样，当臂和磁盘靠近时，被认为是低z高度情况(例如，图4a)，并且pzt微致动器208将相对靠近磁盘120并且将在滑块210端部处向上转动，这是因为pzt微致动器208再次与支架206a和迹线212一起移动。也就是说，在低z高度的情况下，基板202下降并且负载梁204围绕凹坑移动。因此，支架206a和迹线212与负载梁204一起向下移动，这使pzt微致动器208向上倾斜。
[0035]
高性能pzt微致动器
[0036]
根据前述内容，可以理解，pzt运动的方向可以容易且通常不期望地受到电极厚度和z高度的变化的影响。此外，pzt的平面外力的方向可以容易地翻转，这引起通过pzt激发的方式的挠曲振动的相位变化。基于对应滑块(诸如磁头滑块210(参见例如图2a))的位移来评估微致动器诸如微致动器208(参见例如图2c)，并且挠曲件206(参见例如图2a-图2c)的振动对其产生影响。基于前述示例，厚的顶部电极331a(图3b)和低z高度(例如，图4a)的情况将使pzt微致动器208、328的移动方向远离滑块210转动，并且可以降低转移特性。因此，将预期较厚的底部电极33lb(图3b)以在低z高度情况下改善pzt微致动器208、328的移动方向靠近滑块210。值得注意的是，一般来讲，根据一个实施方案，顶部电极和底部电极的不同厚度的设计使pzt微致动器(诸如pzt微致动器208)的移动方向能够偏移，以基于z高度减轻pzt移动的变化。
[0037]
图5是根据一个实施方案的示出具有差异厚度的电极的pzt微致动器的侧视图。需注意，如果本文使用的相对术语“顶部”和“底部”、“上方”和“下方”、“在
……
之上”和“在
……
之下”、“上部”和“下部”等相对但任意地使用而不是绝对意义使用，因为pzt微致动器508不一定具有真实的顶部或底部。参考图5，pzt微致动器508的侧视图示出了一层或多层极化pzt材料510共同具有顶表面510a和相背对的底表面510b。利用顶部或第一导电电极层511a覆盖(例如，涂覆或沉积)pzt材料510的顶表面510a。类似地，利用底部或第二导电电极层51lb覆盖(例如，涂覆或沉积)pzt材料510的底表面510b。电极层51la和电极层51lb中的每一者电耦接到pzt材料510的相应的顶表面510a和底表面510b，以驱动pzt微致动器508的致动。
[0038]
值得注意的是，并且根据一个实施方案，电极层511a(例如，“第一电极层”)具有第一厚度，并且电极层511b(例如，“第二电极层”)具有与第一厚度不同的第二厚度。换句话说，第一电极层511a和第二电极层511b具有有意不同的特定厚度，而不是例如如参考图3b所描述的不受控的随机变化的厚度。需注意，在图5中，电极层511b的描绘比电极层51la厚是任意的并且例如是目的性的。因此，为了重复，顶部电极层511a和底部电极层511b的不同厚度的设计使pzt微致动器508的移动方向能够偏移，以基于z高度减轻pzt移动的变化，并且同样减轻对应于挠曲件206(图2a-图2c)的振动的相位变化。例如，相位变化可以对应于从输入信号到输出信号的时间滞后，诸如其中pzt电压作为输入并且对应滑块位移作为输出。在这种情况下，相位变化将作为延迟影响系统性能。此外，在一些情况下，相位可以在前
导侧，由此输出相位领先输入相位。在这种情况下，可以利用受控或受管理的pzt运动来实现此类前导侧相位变化，这将预期降低延迟并实现更好的系统性能。一般来讲，在pzt设备或微致动器场景中，前导侧和滞后侧两者中的广泛的相位变化是不期望的，而一侧的小的相位变化被认为是更好对照。
[0039]
极化pzt材料510的层的数量可以根据不同的具体实施而变化。因此，根据一个实施方案，一层或多层pzt材料510包括多层极化pzt材料510，并且根据另选的实施方案，一层或多层pzt材料510由单层极化pzt材料510组成。根据一个实施方案，第一电极层511a和第二电极层511b两者通过电连接到电源(诸如本领域已知的功率或驱动电路)的方式为“有源”致动电极层，由此被配置为驱动极化的有源pzt材料510的致动以在平面内方向上延伸和收缩。可以通过使给定pzt层极化并通过配置对应电极层511a、511b来使pzt材料510层中的每一者或任何一者“有源”，使得当pzt微致动器508被致动时，例如当将电压施加到电极层511a、511b或跨越电极层施加电压以使pzt材料510产生应变时，pzt层经受电场。无源pzt层和有源pzt层的组合不适用于控制单层pzt微致动器实施方案的弯曲运动。然而，可以利用“调谐厚度”顶部电极和底部电极(例如，第一电极层511a和第二电极层511b)的组合来控制单层pzt微致动器(例如，pzt微致动器508的单层实施方案)的弯曲运动。另外，在使所有pzt层有源的多层pzt微致动器实施方案的情况下，可以利用“调谐厚度”顶部电极和底部电极的组合来控制多层pzt微致动器(例如，pzt微致动器508的多层实施方案)的弯曲运动。
[0040]
不仅可以将电极层511a、51lb的有意不同的厚度配置并实施为控制pzt微致动器508的平面外运动(例如，弯曲)，但另外根据一个实施方案，电极层还可以由具有不同杨氏模量的不同材料来形成。也就是说，第一电极层511a可以由具有第一杨氏模量的第一材料形成，并且第二电极层511b由具有与第一杨氏模量不同的第二杨氏模量的第二材料形成。此外，并且根据一个实施方案，每个电极层可以通过不同的制造工艺形成，以利用不同材料和/或厚度提供不同相应机械特性。也就是说，第一电极层511a可以由第一工艺诸如溅射工艺形成，并且第二电极层511b由不同的第二工艺诸如丝网印刷工艺形成，反之亦然。本文描述的用于控制pzt微致动器的弯曲运动的各种实施方案中的每个实施方案的用途，诸如不同电极厚度、材料和/或制造工艺，可以单独或组合实施，并且仍然落入受权利要求书保护的实施方案的预期范围内。
[0041]
图案化电极
[0042]
图6a是根据实施方案的示出第一图案化电极的平面图，图6b是根据实施方案的示出第二图案化电极的平面图，并且图6c是根据实施方案的示出第三图案化电极的平面图。图6a示出了根据一个实施方案的示例性图案化电极层601。图6b示出了根据一个实施方案的示例性图案化电极层611。图6c示出了根据一个实施方案的示例性图案化电极层621。图6a-图6c所示的这些非限制性示例包括通过图案化而差异地形成顶部电极和底部电极，其中顶部电极层或底部电极层中的一者通常类似于如图所示形成，并且另一电极层不图案化。使用图案化电极将使一侧不太坚硬并且引起pzt元件的平面外运动。因此，以类似于本文其他地方描述的不同的厚度电极实施方案的方式，图案化电极设计可以使pzt微致动器(诸如pzt微致动器508(图5))的移动方向能够偏移，以基于z高度减轻pzt移动的变化。
[0043]
制造压电设备的方法
[0044]
图7是根据一个实施方案的示出制造pzt设备的方法的流程图。例如，图7的方法可
以用于制造用于硬盘驱动器(hdd)(诸如图1的hdd 100)的压电微致动器(诸如pzt微致动器508(图5))。
[0045]
在框702处，利用具有第一厚度的第一电极涂覆一组一层或多层压电材料的第一表面。例如，利用电极层511a至少部分地涂覆pzt致动器508的pzt材料510(图5)的一侧。
[0046]
在框704处，利用具有与第一厚度不同的第二厚度的第二电极涂覆一组一层或多层压电材料的第二表面。例如，利用电极层511b(图5)至少部分地涂覆pzt致动器508的pzt材料510的另一侧。
[0047]
在框706处，将第一电极和第二电极两者电耦接到电源(功率源)。例如，电极层51la电耦接到功率驱动电路，在本领域的知识内，并且电极层51lb电耦接到功率驱动电路，从而激活一组一层或多层pzt材料510、使一组一层或多层pzt材料有源、能够致动一组一层或多层pzt材料。
[0048]
因此，能够控制用于单层pzt设备和多层pzt设备两者的pzt元件的平面外力，其中单层pzt设备具有比多层pzt设备简单的结构，并且因此能够降低成本。相对于变化的z高度，挠曲振动模式和相位的研究能够设计具有某些相位特性的pzt微致动器。因此，单层pzt设备和多层pzt设备的顶部电极和底部电极的不同厚度的组合能够设计减轻挠曲振动的相位变化的pzt微致动器(这可以能够移除前述陷波滤波器，并且因此能够降低成本设计)。
[0049]
示例性操作上下文的物理描述
[0050]
实施方案可以在基于压电(pzt)的致动设备诸如用于硬盘驱动器(hdd)的基于pzt的微致动器的上下文中使用。因此，根据一个实施方案，图1示出例示常规hdd 100的平面图，以有助于描述常规hdd通常如何起作用。
[0051]
图1示出了包括滑块110b的hdd 100的部件的功能布置，滑块110b包括磁性读写磁头110a。滑块110b和磁头110a可统称为磁头滑块。hdd 100包括具有磁头滑块的至少一个磁头万向节组件(hga)110、通常经由挠曲件附接到磁头滑块的引线悬架110c，以及附接到引线悬架110c的负载梁110d。hdd 100还包括能够旋转地安装在主轴124上的至少一个记录介质120和附接到主轴124用于旋转介质120的驱动马达(不可见)。读写磁头110a(也可以称为换能器)包括写元件和读元件，用于分别写入和读取存储在hdd 100的介质120上的信息。可使用磁盘夹128将介质120或多个磁盘介质附连到主轴124。
[0052]
hdd 100还包括附接到hga 110的臂132、滑架134、音圈马达(vcm，或“音圈致动器”)，该vcm包括包含附接到滑架134的音圈140的电枢136和包含音圈磁体(不可见)的定子144。vcm的电枢136附接到滑架134并且被配置为移动臂132和hga 110以访问介质120的部分，它们共同安装在具有插置的枢转轴承组件152的枢轴148上。就具有多个磁盘的hdd而言，滑架134可称为“e形块”或梳齿，因为滑架被布置为承载联动的臂阵列，从而使之呈现梳齿的外观。
[0053]
包括包含磁头滑块耦接至的挠曲件的磁头万向节组件(例如，hga 110)、挠曲件耦接至的致动器臂(例如，臂132)和/或负载梁，以及致动器臂耦接至的致动器(例如，vcm)的组件可以统称为磁头堆叠组件(hsa)。然而，hsa可包括比所述的那些更多或更少的部件。例如，hsa可指还包括电互连部件的组件。一般来讲，hsa是被配置为移动磁头滑块以访问介质120的部分以进行读和写操作的组件。
[0054]
进一步参考图1，电信号(例如，到vcm的音圈140的电流以及到磁头110a的写信号
和来自该磁头的读信号)由柔性电缆组件(fca)156(或“柔性电缆”，有时也称为柔性印刷电路(fpc))从电源传输。柔性电缆156与磁头110a之间的互连件可包括臂电子(ae)模块160，该ae模块可具有读信号的板载前置放大器以及其他读通道和写通道电子部件。ae模块160可附接到滑架134，如图所示。柔性电缆156可以耦接到电连接器块164，该电连接器块164在一些配置中通过由hdd外壳168提供的电馈通提供电气连通。hdd外壳168(或“壳体底座”或“基板”或简称“底座”)与hdd盖一起为hdd 100的信息存储组件提供半密封(或气密密封，在一些配置中)的保护壳体。
[0055]
其他电子部件，包括磁盘控制器和包括数字信号处理器(dsp)的伺服电子器件，向驱动马达、vcm的音圈140和hga 110的磁头110a提供电信号。提供给驱动马达的电信号使驱动马达旋转，从而向主轴124提供扭矩，该扭矩继而传输到附连到主轴124的介质120。因此，介质120沿方向172旋转。旋转的介质120形成空气垫，该空气垫充当滑块110b的空气轴承表面(abs)搭载于其上的空气轴承，以使得滑块110b在介质120的表面上方飞行，而不与记录信息的薄磁记录层形成接触。类似地，在利用轻于空气的气体(诸如用于非限制性示例的氦气或氢气)的hdd中，旋转的介质120形成气垫，该气垫充当滑块110b搭载于其上的气体或流体轴承。
[0056]
向vcm的音圈140提供的电信号使hga 110的磁头110a能够访问上面记录有信息的磁道176。因此，vcm的电枢136摆动经过圆弧180，这使hga 110的磁头110a能够访问介质120上的各个磁道。信息存储在介质120上的多个径向嵌套的磁道中，这些磁道被布置在介质120上的扇区(诸如扇区184)中。相应地，每个磁道由多个扇区化磁道部分(或“磁道扇区”)诸如扇区化磁道部分188构成。每个扇区化磁道部分188可包括记录的信息和数据头，该数据头包含纠错码信息和伺服突发信号图案，诸如abcd-伺服突发信号图案(其是识别磁道176的信息)。在访问磁道176时，hga 110的磁头110a的读元件读取伺服突发信号图案，该伺服突发信号图案向伺服电子器件提供定位错误信号(pes)，这会控制向vcm的音圈140提供的电信号，从而使磁头110a能够跟随磁道176。在找到磁道176并识别特定的扇区化磁道部分188时，磁头110a或者从磁道176读取信息或者根据磁盘控制器从外部代理(例如计算机系统的微处理器)接收的指令将信息写入磁道176。
[0057]
hdd的电子架构包括用于执行其各自的hdd操作功能的多个电子部件，诸如硬盘控制器(“hdc”)、接口控制器、臂电子模块、数据通道、马达驱动器、伺服处理器、缓冲存储器等。两个或更多个此类部件可以组合在称为“片上系统”(“soc”)的单个集成电路板上。此类电子部件中的若干个(如果不是全部的话)通常布置在印刷电路板上，该印刷电路板耦接到hdd的底侧，诸如耦接到hdd外壳168。
[0058]
本文参考硬盘驱动器，诸如参考图1所示和所述的hdd 100，可以包括有时被称为“混合驱动器”的信息存储设备。混合驱动器通常指的是具有常规hdd(参见例如hdd 100)与使用非易失性存储器(诸如闪存或其他固态(例如，集成电路)存储器)的固态存储设备(ssd)(其为电可擦除和可编程的)组合的功能的存储设备。由于不同类型的存储介质的操作、管理和控制通常不同，因此混合驱动器的固态部分可包括其自身对应的控制器功能，该控制器功能可与hdd功能一起集成到单个控制器中。混合驱动器可被构建和配置为以多种方式操作并利用固态部分，诸如作为非限制性示例，将固态存储器用作高速缓存存储器，用于存储频繁访问的数据，用于存储i/o密集数据等。另外，混合驱动器可以被构建和配置为
基本上作为单个壳体中的两个存储设备，即常规的hdd和ssd，具有用于主机连接的一个或多个接口。
[0059]
扩展和另选的替代方案
[0060]
在前述说明中，已经参照大量的具体细节描述了本发明的实施方案，这些细节可根据不同的具体实施而变化。因此，可以在不脱离实施方案较宽的实质和范围的情况下对其进行各种修改和改变。因此，本发明以及申请人旨在成为本发明的唯一且排他性的指示物的是由本专利申请以此类权利要求发出的具体形式发出的一组权利要求，包括任何后续的更正。本文明确阐述的对包含在这些权利要求中的术语的任何定义应当决定如权利要求中使用的这些术语的含义。从而，未在权利要求中明确引述的限制、元件、特性、特征、优点或属性不应以任何方式限制此权利要求的范围。因此，本说明书和附图被认为是示例性意义的而不是限制性意义的。
[0061]
此外，在该描述中，某些过程步骤可按特定顺序示出，并且字母和字母数字标签可用于识别某些步骤。除非在说明书中明确指明，否则实施方案不一定限于执行此类步骤的任何特定顺序。具体地讲，这些标号仅用于方便步骤的识别，并非旨在指定或要求执行此类步骤的特定顺序。