存储器的编程方法、存储器及存储系统与流程

技术特征：
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述方法包括：在目标编程操作的第一预充电阶段，基于第一预充电方式对所述存储器进行预充电；在所述目标编程操作的第二预充电阶段，基于第二预充电方式对所述存储器进行预充电；其中，所述目标编程操作是指对同一个选择字线所耦合的存储单元行执行的编程操作，所述第一预充电阶段与所述目标编程操作的第一编程阶段对应，所述第二预充电阶段与所述目标编程操作的第二编程阶段对应，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第二编程阶段后达到的编程态，高于在所述第一编程阶段后达到的编程态，所述第一预充电方式和所述第二预充电方式不同。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预充电方式采用第一预充电模式和第一预充电时长进行预充电，所述第二预充电方式采用第二预充电模式和第二预充电时长进行预充电；所述第一预充电模式和所述第二预充电模式之间，所述第一预充电时长和所述第二预充电时长之间，存在至少一者不同。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预充电模式和所述第二预充电模式不同。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预充电模式和所述第二预充电模式相同，且所述第二预充电时长大于所述第一预充电时长。5.如权利要求2-4任一所述的方法，其特征在于，所述第一预充电模式包括如下两种方式中的至少一者：向所述存储器的漏极选择线加载第一导通电压，向所述存储器的位线加载第一预充电电压；向所述存储器的源极选择线加载第二导通电压，向所述存储器的源极线加载第二预充电电压。6.如权利要求2-4任一所述的方法，其特征在于，所述第二预充电模式包括如下两种方式中的至少一者：向所述存储器的漏极选择线加载第一偏置电压，向所述存储器的位线加载第二偏置电压，所述第二偏置电压高于所述第一偏置电压；向所述存储器的源极选择线加载第三偏置电压，向所述存储器的源极线加载第四偏置电压，所述第四偏置电压高于所述第三偏置电压。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述目标编程操作的第三预充电阶段，基于第三预充电方式对所述存储器进行预充电；其中，所述第三预充电阶段与所述目标编程操作的第三编程阶段对应，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第三编程阶段后达到的编程态，高于在参考编程阶段后达到的编程态，所述参考编程阶段为所述第一编程阶段或所述第二编程阶段；所述第三预充电方式与参考预充电方式采用相同的预充电模式，所述第三预充电方式采用的预充电时长大于所述参考预充电方式采用的预充电时长，所述参考预充电方式为所述参考编程阶段对应的预充电阶段采用的预充电方式。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述目标编程操作的第四编程阶段之前，不对所述存储器进行预充电；其中，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第四编程阶段后达到的编程态，低于在所述第一编程阶段后达到的编程态。9.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元行；多个字线，所述多个字线分别耦合到所述多个存储单元行；以及外围电路，所述外围电路耦合到所述多个字线并且被配置为：在目标编程操作的第一预充电阶段，基于第一预充电方式对所述存储器进行预充电；在所述目标编程操作的第二预充电阶段，基于第二预充电方式对所述存储器进行预充电；其中，所述目标编程操作是指对同一个选择字线所耦合的存储单元行执行的编程操作，所述第一预充电阶段与所述目标编程操作的第一编程阶段对应，所述第二预充电阶段与所述目标编程操作的第二编程阶段对应，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第二编程阶段后达到的编程态，高于在所述第一编程阶段后达到的编程态，所述第一预充电方式和所述第二预充电方式不同。10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一预充电方式采用第一预充电模式和第一预充电时长进行预充电，所述第二预充电方式采用第二预充电模式和第二预充电时长进行预充电；所述第一预充电模式和所述第二预充电模式之间，所述第一预充电时长和所述第二预充电时长之间，存在至少一者不同。11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一预充电模式和所述第二预充电模式不同。12.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一预充电模式和所述第二预充电模式相同，且所述第二预充电时长大于所述第一预充电时长。13.如权利要求10-12任一所述的存储器，其特征在于，所述第一预充电模式包括如下两种方式中的至少一者：向所述存储器的漏极选择线加载第一导通电压，向所述存储器的位线加载第一预充电电压；向所述存储器的源极选择线加载第二导通电压，向所述存储器的源极线加载第二预充电电压。14.如权利要求10-12任一所述的存储器，其特征在于，所述第二预充电模式包括如下两种方式中的至少一者：向所述存储器的漏极选择线加载第一偏置电压，向所述存储器的位线加载第二偏置电压，所述第二偏置电压高于所述第一偏置电压；向所述存储器的源极选择线加载第三偏置电压，向所述存储器的源极线加载第四偏置电压，所述第四偏置电压高于所述第三偏置电压。15.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：在所述目标编程操作的第三预充电阶段，基于第三预充电方式对所述存储器进行预充
电；其中，所述第三预充电阶段与所述目标编程操作的第三编程阶段对应，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第三编程阶段后达到的编程态，高于在参考编程阶段后达到的编程态，所述参考编程阶段为所述第一编程阶段或所述第二编程阶段；所述第三预充电方式与参考预充电方式采用相同的预充电模式，所述第三预充电方式采用的预充电时长大于所述参考预充电方式采用的预充电时长，所述参考预充电方式为所述参考编程阶段对应的预充电阶段采用的预充电方式。16.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：在所述目标编程操作的第四编程阶段之前，不对所述存储器进行预充电；其中，所述存储单元行中待编程存储单元在所述第四编程阶段后达到的编程态，低于在所述第一编程阶段后达到的编程态。17.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括：权利要求9-16任一所述的存储器；以及耦合到所述存储器并且被配置为控制所述存储器的控制器。

技术总结
本申请实施例公开了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，属于存储技术领域。该方法包括：在对存储器中同一个选择字线所耦合的存储单元行执行目标编程操作时，在目标编程操作的不同编程阶段对应的预充电阶段内，采用不同的预充电方式进行预充电，提高了预充电的灵活性。另外，如果编程阶段后该存储单元行中待编程存储单元达到的编程态越高，该编程阶段中编程干扰越严重。基于此，在本申请实施例中，在编程后编程态较高的编程阶段和编程后编程态较低的编程阶段对应的预充电阶段中分别采用不同的预充电方式，从而使得本申请实施例提供的预充电方式更加适应具体的场景，以提高预充电在抑制编程干扰上的效果。电在抑制编程干扰上的效果。电在抑制编程干扰上的效果。


技术研发人员：崔莹 宋雅丽 刘红涛 贾建权
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2022/7/15