X射线装置的制作方法

x射线装置
技术领域
1.本揭示涉及一种电子装置，尤其涉及一种x射线装置。


背景技术：

2.x射线装置的图像质量与感光组件的漏电流(current leakage)程度相关。一般来说，感光组件的漏电流越小越好。目前做法是将感光组件设置在基板上，即利用基板提供平缓的设置面，来降低因表面起伏所导致的漏电流。然而，由于感光组件与开关组件邻近设置且不重叠，因此会降低感光组件的填充因子(fill factor，ff)，使得感光组件的光电转换层的面积难以有效提升。


技术实现要素：

3.本揭示提供一种x射线装置，其有助于改善漏电流或填充因子。
4.根据本揭示的实施例，x射线装置包括感测面板以及闪烁体层。感测面板包括基板以及第一像素。第一像素设置在基板上且包括第一感光组件以及第一开关组件。第一开关组件设置在第一感光组件上。闪烁体层设置在感测面板上，且第一开关组件设置在闪烁体层与第一感光组件之间。
5.为让本揭示的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
6.图1是根据本揭示的第一实施例的x射线装置的局部剖面示意图；
7.图2是根据本揭示的第一实施例的x射线装置的局部上视示意图；
8.图3是图2中区域r的放大示意图；
9.图4是图2中剖线b-b’的剖面示意图；
10.图5是根据本揭示的第二实施例的x射线装置的局部剖面示意图。
具体实施方式
11.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭示。须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭示中的多张附图只绘出电子装置/显示设备的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭示的范围。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
12.本揭示通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为
…”
之意。
13.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭示。应了解到，当组件或膜层被称为设置在另一个组件或膜层“上”或“连接”另一个组件或膜层时，所述组件或膜层可以直接在所述另一组件或膜层上或直接连接到所述另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层(非直接情况)。相反地，当组件或膜层被称为“直接”在另一个组件或膜层“上”或“直接连接”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。
14.本文中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
15.在本揭示一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
16.在下述实施例中，相同或相似的组件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭示涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的组件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量上的上限或下限，也并非用以限定组件的制造顺序或设置顺序。
17.图1是根据本揭示的第一实施例的x射线装置1的局部剖面示意图。图2是根据本揭示的第一实施例的x射线装置1的局部上视示意图。图3是图2中区域r的放大示意图。图4是图2中剖线b-b’的剖面示意图。图1中的感测面板10的剖面例如对应图3中的剖线a-a’。图2省略示出x射线装置1中的一些组件，以清楚表示其他组件的相对设置关系。图2中省略示出的这些组件与其他组件的相对设置关系可参照图1或图4。
18.请先参照图1，x射线装置1可包括感测面板10以及闪烁体层12。闪烁体层12适于将入射x射线装置1的x射线x转换成可见光v。举例来说，闪烁体层12的材质可包括碘化铯(csi)，但不以此为限。在其他实施例中，闪烁体层12的材质可包括其他种类的无机闪烁体或有机闪烁体。
19.感测面板10适于接收可见光v并产生对应的电信号。举例来说，感测面板10可包括基板100以及第一像素p1。依据不同的需求，基板100可以为硬质基板或可挠性基板。基板100的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑料等，但并不以此为限。在一些实施例中，基板100可以是可挠基板，且基板100的材料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚丙烯(polypropylene，pp)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其他合适的可挠材料或前述材料的组合，但并不以此为限。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板sub可为透光基板、半透光基板或不透光基板。
20.第一像素p1设置在基板100上且包括第一感光组件ls1以及第一开关组件sw1。以光电二极管(photodiode)为例，第一感光组件ls1可包括第一底电极eb1、第一光电转换层pc1以及第一顶电极et1。
21.第一底电极eb1设置在基板100上。在一些实施例中，第一底电极eb1设置在第一光电转换层pc1与基板100之间，换句话说，第一底电极eb1位于第一光电转换层pc1较远离闪烁体层12的一侧，如此可提高第一光电转换层pc1接收来自经由闪烁体层12转换的可见光v的机会。第一底电极eb1的材料可为透光导电材料也可为不透光导电材料。举例来说，第一底电极eb1的材料可包括金属氧化物(例如氧化铟锡(ito))、金属、合金或上述至少两个的组合，但不以此为限。当第一底电极eb1的材料包括不透光导电材料时，例如当第一底电极eb1包括金属电极时，第一底电极eb1能将朝基板100传递的可见光v反射，例如可见光v1，而有助于提升第一光电转换层pc1对于可见光v的吸收量。
22.第一光电转换层pc1设置在第一底电极eb1上，第一光电转换层pc1适于接收可见光v并产生对应的电信号。举例来说，第一光电转换层pc1可包括p型半导体层以及n型半导体层的堆栈层。在一些实施例中，第一光电转换层pc1还可包括本征半导体层(intrinsic semiconductor layer)或低掺杂的p型半导体层，且本征半导体层或低掺杂的p型半导体层可设置在p型半导体层与n型半导体层之间。
23.第一顶电极et1设置在第一光电转换层pc1上。第一顶电极et1与第一底电极eb1对应设置，意即于基板100的法线方向(如第三方向d3)上第一顶电极et1与第一底电极eb1至少部分重叠。在一些实施例中，第一光电转换层pc1接触第一顶电极et1与第一底电极eb1。在另一些实施例中，第一顶电极et1与第一底电极eb1适于提供第一光电转换层pc1负偏压。详细来说，依设计需求，第一顶电极et1与第一底电极eb1可皆为负偏压，也可皆为正偏压，亦可一者为正偏压一者为负偏压，例如：第一顶电极et1为正偏压，第一底电极eb1为负偏压，但不限于此，只要两者提供第一光电转换层pc1的总电压为负偏压即可。
24.在一些实施例中，第一顶电极et1设置在第一光电转换层pc1与闪烁体层12之间，换句话说，第一顶电极et1位于第一光电转换层pc1较靠近闪烁体层12的一侧。因此，第一顶电极et1的材料可采用透光导电材料，以利第一光电转换层pc1接收可见光v。举例来说，第一顶电极et1可包括氧化铟锡电极、其他金属氧化物电极、其他透光电极或上述的组合，但不限于此。
25.在一些实施例中，第一顶电极et1与第一光电转换层pc1可由同一道光罩图案化形成，以降低总光罩数。在此架构下，第一光电转换层pc1的边缘epc1例如对齐第一顶电极et1的边缘eet1。两个组件的边缘相互对齐可包括两个组件的边缘切齐以及大致切齐等情况，即两个组件的宽度相等或实质上相等。实质上相等例如指误差值小于或等于5％。误差值的算法例如为：第一光电转换层pc1在第一方向d1上的宽度wpc1减去第一顶电极et1在第一方向d1上的宽度wet1的绝对值，再除以宽度wpc1，即(wpc1-wet1)/wpc1。在另一些实施例中，第一光电转换层pc1的边缘epc1可不对齐第一顶电极et1的边缘eet1。
26.感测面板10可包括闸绝缘层104。闸绝缘层104设置在基板100上。在一些实施例中，闸绝缘层104具有第二贯孔th2。第一开关组件sw1设置在第一感光组件ls1上。以底栅极薄膜晶体管为例，第一开关组件sw1可包括栅极ge、部分的闸绝缘层104、通道层ch、源极se以及漏极de。栅极ge设置在闪烁体层12与第一感光组件ls1之间。闸绝缘层104设置在栅极ge上。通道层ch设置在闸绝缘层104上且位于栅极ge上方。源极se及漏极de设置在闸绝缘层104上。
27.应理解，虽然图1以底栅极薄膜晶体管的其中一种实施例示出出第一开关组件
sw1，但第一开关组件sw1的结构或种类不以此为限。此外，依据不同的需求，第一像素p1中的开关组件的数量可大于或等于一。另外，第一像素p1中可包括其他组件，如电容或存储电容，但不以此为限。
28.闪烁体层12设置在感测面板10上，且第一开关组件sw1设置在闪烁体层12与第一感光组件ls1之间。换句话说，第一感光组件ls1、第一开关组件sw1以及闪烁体层12例如是依序设置在基板100上。然而，本揭示不以此为限，在其他实施例中，第一开关组件sw1也可设置在第一感光组件ls1与基板100之间。
29.通过将第一开关组件sw1设置在闪烁体层12与第一感光组件ls1之间，可让第一感光组件ls1形成在平缓的表面(如基板100的表面)上而有助于降低漏电流，或可以增加第一光电转换层pc1的面积而有助于增加第一感光组件ls1的填充因子(即第一像素p1中感光面积与第一像素p1面积的比值)，换句话说可增加光电转换层的面积，如此，可增加光电转换层所接收到的光子信号，感光组件所接收到的信号量得以提升。因此，信噪比(signal-to-noise ratio，snr)可提升或图像质量可越好。或者，在接收到相同的信号量下，x射线的照射量可降低。上述第一像素p1中感光面积可以是例如于显微镜下观测，第一光电转换层pc1的面积扣掉第一开关组件sw1的面积，第二像素p2中感光面积也可以此类推，不再赘述。
30.在一些实施例中，相较于将开关组件与感光组件共同设置在基板上且第一开关组件与第一感光组件在基板的法线方向(如第三方向d3)上不重叠的设计架构，第一开关组件sw1设置在闪烁体层12与第一感光组件ls1之间的设计可将填充因子提升例如11％，或将增益(gain)提升例如17.5％。
31.通过第一感光组件ls1制作于第一开关组件sw1之前，如此第一参考线路ac1与第一开关组件sw1的栅极ge可于同一制程中形成，第三贯孔th3与第二贯孔th2可于同一制程中形成，相较第一开关组件与第一感光组件在基板的法线方向上不重叠的设计架构，可节省至少两道光罩。在一些实施例中，可在制作完第一感光组件ls1之后且在制作第一开关组件sw1之前，进行漏电流检测和/或缺陷监控。
32.依据不同的需求，感测面板10还可包括其他组件或膜层。举例来说，感测面板10还可包括第一绝缘层in1。第一绝缘层in1设置在第一感光组件ls1上且具有第一贯孔th1。第一贯孔th1可暴露部分第一顶电极et1。在一些实施例中，如图1所示，第一绝缘层in1可包括有机绝缘层101以及无机绝缘层102的堆栈层，其中有机绝缘层101设置在第一感光组件ls1上且位于无机绝缘层102与第一感光组件ls1之间。然而，在其他实施例中，第一绝缘层in1可仅包括有机绝缘层101以及无机绝缘层102的其中一者。
33.感测面板10还可包括第一参考线路ac1。第一参考线路ac1设置在第一绝缘层in1上且通过第一贯孔th1而与第一顶电极et1电连接。在一些实施例中，第一参考线路ac1与第一开关组件sw1的栅极ge可属于同一层。第一参考线路ac1与栅极ge属于同一层可以指第一参考线路ac1与栅极ge由同一制程所制成或由相同材料所制成。以图1为例，第一参考线路ac1与栅极ge例如同属于第一导电层103。第一导电层103的材料可包括金属、合金或上述两者的组合，但不以此为限。根据一些实施例，闸绝缘层104设置于第一参考线路ac1上。闸绝缘层104的第二贯孔th2暴露部分第一参考线路ac1。在一些实施例中，第一参考线路ac1与第一开关组件sw1的漏极de可通过第二贯孔th2电连接。
34.感测面板10还可包括第二绝缘层107。第二绝缘层107设置在闸绝缘层104以及第
一开关组件sw1上。第二绝缘层107可包括有机绝缘层、无机绝缘层或上述两个的堆栈层，但不以此为限。在一些实施例中，第二绝缘层107具有第三贯孔th3以及第四贯孔th4。第三贯孔th3连接第二贯孔th2，换句话说，在基板100的法线方向上，第三贯孔th3与第二贯孔th2至少部分重叠。第四贯孔th4暴露第一开关组件sw1的部分漏极de。
35.感测面板10还可包括第二参考线路ac2。第二参考线路ac2设置在第二绝缘层107上且延伸进第二贯孔th2、第三贯孔th3以及第四贯孔th4中，其中第一参考线路ac1以及第一开关组件sw1的漏极de通过第二参考线路ac2电连接。第二参考线路ac2的材料可包括透光导电材料，但不以此为限。本揭示所称之“电连接”包含直接电连接或间接电连接。
36.在一些实施例中，感测面板10还可包括第三绝缘层108。第三绝缘层108设置在第二参考线路ac2以及第二绝缘层107上，且闪烁体层12设置在第三绝缘层108上。举例来说，第三绝缘层108的材料可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料，但不以此为限。在另一些实施例中，感测面板10可省略第三绝缘层108。在其他实施例中，闪烁体层12与第三绝缘层108之间可进一步设置其他层。
37.请参照图1及图2，感测面板10还可包括多条扫描线sl以及多条数据线dl。多条扫描线sl以及多条数据线dl设置在基板100上，且多条数据线dl与多条扫描线sl交错设置。举例来说，多条扫描线sl可沿第一方向d1延伸且沿第二方向d2排列，而多条数据线dl可沿第二方向d2延伸且沿第一方向d1排列。第一方向d1与第二方向d2相交，且例如彼此垂直，但不以此为限。在一些实施例中，多条扫描线sl、栅极ge以及第一参考线路ac1可属于同一层(如第一导电层103)。在一些实施例中，多条数据线dl、源极se以及漏极de可属于同一层(如第二导电层106)。
38.除了第一像素p1之外，感测面板10还可包括第二像素p2。第二像素p2设置在基板100上且第一像素p1以及第二像素p2例如沿多条数据线dl的延伸方向(如第二方向d2)排列。第一像素p1与第二像素p2可以由扫描线sl与数据线dl来定义，例如图2中，两条邻近的扫描线sl与两条邻近的数据线dl交错并围起来的区域可以是第二像素p2，第一像素p1的定义与第二像素p2的定义类似，可依此类推。
39.第二像素p2可包括第二感光组件ls2以及第二开关组件sw2。如图4所示，第二感光组件ls2可包括第二底电极eb2、第二光电转换层pc2以及第二顶电极et2，其中第二光电转换层pc2设置在第二底电极eb2与第二顶电极et2之间。第二底电极eb2、第二光电转换层pc2以及第二顶电极et2的材料、与其他组件的相对设置关系可参照第一底电极eb1、第一光电转换层pc1以及第一顶电极et1的描述，于此不多加赘述。
40.再参照图2，第二开关组件sw2设置在第二感光组件ls2上。第二开关组件sw2中各膜层的相对设置关系及材料等可参照图1及第一开关组件sw1的描述，于此不多加赘述。
41.请参照图3与图4，感测面板10可包括偏压线路bc，根据一些实施例，偏压线路bc、第一底电极eb1与第二底电极eb2可由同一制程所制成或由相同材料所制成，以图4为例，偏压线路bc、第一底电极eb1与第二底电极eb2例如同属于第三导电层109。第三导电层109设置在基板100上。根据一些实施例，在基板的法线方向上，第一底电极eb1可以是第三导电层109与第一顶电极et1重叠的部分，第二底电极eb2可以是第三导电层109与第二顶电极et2重叠的部分。根据一些实施例，偏压线路bc可设置在第一像素p1与第二像素p2之间。偏压线路bc可将第一感光组件ls1的第一底电极eb1以及第二感光组件ls2的第二底电极eb2电连
接。通过将偏压线路bc、第一底电极eb1与第二底电极eb2电连接，可降低偏压线阻碍第一光电转换层pc1以及第二光电转换层pc2吸收光子的机率。如此，通过降低光电转换层的被遮蔽率，可增加像素中(例如第一像素p1与第二像素p2)的感光面积，使得填充因子可提升或可提升x射线装置1的图像质量。在一些实施例中，设置在光电转换层上的导电层(如第一顶电极et1、第二顶电极et2、第二参考线路ac2等)可为透光导电层，以进一步提升填充因子。透光导电层可由透光导电材质形成，或由金属网格电极层组成，但不以此为限。
42.感测面板10还可包括第三像素p3。第三像素p3设置在基板100上且第一像素p1以及第三像素p3例如沿多条扫描线sl的延伸方向(如第一方向d1)排列。第三像素p3的定义与第二像素p2的定义类似，可依此类推。
43.第三像素p3可包括第三感光组件ls3以及第三开关组件sw3。第三感光组件ls3可包括第三底电极eb3、第三光电转换层pc3以及第三顶电极et3，其中第三光电转换层pc3设置在第三底电极eb3与第三顶电极et3之间。第三底电极eb3、第三光电转换层pc3以及第三顶电极et3的材料、与其他组件的相对设置关系可参照第一底电极eb1、第一光电转换层pc1以及第一顶电极et1的描述，于此不多加赘述。
44.第三开关组件sw3设置在第三感光组件ls3上。第三开关组件sw3中各膜层的相对设置关系及材料等可参照图1及第一开关组件sw1的描述，于此不多加赘述。在一些实施例中，如图2与图3所示，第一感光组件ls1的第一底电极eb1以及第三感光组件ls3的第三底电极eb3可彼此分离，即第一底电极eb1以及第三底电极eb3彼此电性绝缘。
45.感测面板10还可包括第四像素p4。第四像素p4设置在基板100上，其中第二像素p2以及第四像素p4例如沿多条扫描线sl的延伸方向(如第一方向d1)排列，且第三像素p3以及第四像素p4例如沿多条数据线dl的延伸方向(如第二方向d2)排列。第四像素p4的定义与第二像素p2的定义类似，可依此类推。
46.第四像素p4可包括第四感光组件ls4以及第四开关组件sw4。第四感光组件ls4可包括第四底电极eb4、第四光电转换层pc4以及第四顶电极et4，其中第四光电转换层pc4设置在第四底电极eb4与第四顶电极et4之间。第四底电极eb4、第四光电转换层pc4以及第四顶电极et4的材料、与其他组件的相对设置关系可参照第一底电极eb1、第一光电转换层pc1以及第一顶电极et1的描述，于此不多加赘述。
47.第四开关组件sw4设置在第四感光组件ls4上。第四开关组件sw4中各膜层的相对设置关系及材料等可参照图1及第一开关组件sw1的描述，于此不多加赘述。在一些实施例中，如图2与图3所示，偏压线路bc可将第三感光组件ls3的第三底电极eb3以及第四感光组件ls4的第四底电极eb4电连接。另一方面，第二感光组件ls2的第二底电极eb2以及第四感光组件ls4的第四底电极eb4可彼此分离，即第二底电极eb2以及第四底电极eb4彼此电性绝缘。
48.应理解，虽然图2示出在第二方向d2上排列的多个像素中的底电极通过偏压线路bc电连接，例如偏压线路bc可将第三感光组件ls3的第三底电极eb3以及第四感光组件ls4的第四底电极eb4电连接，但在其他实施例中，在第一方向d1上排列的多个像素中的底电极也可通过偏压线路bc电连接，例如图2所示，偏压线路bc可将第一感光组件ls1的第一底电极eb1以及第三感光组件ls3的第三底电极eb3电连接，但不限于此。在另一实施例中，感测面板10中的所有像素中的底电极可通过偏压线路bc电连接，例如图2所示，第一像素p1中的
第一底电极eb1、第二像素p2中的第二底电极eb2、第三像素p3中的第三底电极eb3与第四像素p4中的第四底电极eb4可通过偏压线路bc电连接。
49.应理解，虽然图2示意性示出出位于感测面板10中的四个像素，但本揭示不以四个像素为限，感测面板10可包括由多个像素排列而成的数组，以感测图像。
50.依据不同的需求，x射线装置1还可包括其他膜层。举例来说，x射线装置1还可包括封装层(未示出)与黏着层。封装层可设置在闪烁体层12上并覆盖闪烁体层12。封装层可为一层或多层功能层的堆栈层。举例来说，封装层可包括反射层以及阻水层。反射层以及阻水层可依序设置在闪烁体层12上。在一些实施例中，黏着层可设置于封装层与闪烁体层12之间。封装层可通过黏着层贴附至闪烁体层12。反射层适于让x射线通过且将例如环境中的可见光反射。如此，反射层可减少外界环境光中的可见光对感测结果的干扰。此外，当闪烁体层12所产生的可见光打到反射层后，可见光可被反射层反射，并朝感测面板10的方向传递，可提升感测面板10的感测质量。阻水层适于降低水气渗入闪烁体层12的机率，可降低水气对于闪烁体层12的负面影响或延长闪烁体层12的使用寿命。
51.在一些实施例中，x射线装置1还可包括与感测面板10电连接的线路板(未示出)以及容纳感测面板10、闪烁体层12、封装层以及线路板的外壳(未示出)。
52.图5是根据本揭示的第二实施例的x射线装置1a的局部剖面示意图。请参照图5，x射线装置1a与图1的x射线装置1的主要差异在于：在感测面板10a中，第一开关组件sw1的漏极de可与第一参考线路ac1接触，更详细而言，第一开关组件sw1的漏极de延伸进第二贯孔th2中且与第一参考线路ac1接触。在此架构下，感测面板10a可不包括图1中的第二参考线路ac2以及第三绝缘层108。
53.综上所述，在本揭示的实施例中，由于第一开关组件设置在闪烁体层与第一感光组件之间，因此可增加第一感光组件中光电转换层的面积。此外，位于相邻两像素之间的线路(如偏压线)可设置在相邻两像素中的光电转换层的下方，以降低所述线路阻碍光电转换层吸收光子。如此，可提升光电转换层的面积，或降低光电转换层的被遮蔽率，使得填充因子可提升。或者，可增加本揭示的实施例的x射线装置的图像质量。
54.以上各实施例仅用以说明本揭示的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭示进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例技术方案的范围。
55.虽然本揭示的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，当可作更改、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭示的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭示揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭示使用。因此，本揭示的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭示的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭示的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。