阵列基板及移动终端的制作方法

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底上靠近边缘的位置设置有一驱动电路；第一金属层，设置于所述衬底上，包括栅极、与所述栅极连接的第一金属走线、功能电极，所述第一金属走线远离所述栅极的一端部包括连接部，所述连接部和所述功能电极间隔设置；绝缘层，设置于所述衬底和所述第一金属层上且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层包括位于所述连接部上方的多个转接孔；第二金属层，设置于所述绝缘层上，所述第二金属层包括与所述栅极对应的源漏极、第二金属走线，所述第二金属走线的一端连接所述驱动电路，所述第二金属走线的另一端通过所述转接孔与所述第一金属走线连接；其中，所述第一金属层还包括位于所述连接部和所述功能电极之间的屏蔽走线。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽走线包括沿第一方向延伸的第一屏蔽段、分别连接所述第一屏蔽段两端部且沿第二方向延伸的两第二屏蔽段，所述第一方向与所述第二方向具有一预设夹角，所述第一屏蔽段和两所述第二屏蔽段形成半包结构，所述半包结构包围所述第一金属走线靠近所述功能电极的端部。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属走线的一端沿所述第一方向延伸，绕过所述第二屏蔽段后通过所述转接孔与所述第一金属走线连接。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属走线包括至少两第一分支走线，所述第二金属走线包括至少两第二分支走线，两所述第一分支走线连接不同的所述栅极，所述连接部包括至少两连接子部，每一所述第一分支走线的端部设置有一连接子部，设置所述连接子部的所述第一分支走线的端部靠近所述功能电极的端部，所述绝缘层对应所述连接子区设置有多个所述转接孔，所述第二分支走线通过所述转接孔与所述第一分支走线连接；所述屏蔽走线包括至少两屏蔽子走线，一所述屏蔽子走线对应一所述第一分支走线设置，一所述屏蔽子走线包括一沿所述第一方向延伸的第一屏蔽子段、分别连接所述第一屏蔽子段两端部且沿所述第二方向延伸的第二屏蔽子段；所述第一屏蔽子段和两所述第二屏蔽子段形成半包结构包围所述第一分支走线靠近所述第二金属走线的端部。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽段与所述第二屏蔽段的连接处为圆角。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽走线至所述第一金属走线之间的距离，与所述屏蔽走线至所述功能电极之间的距离相等。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽走线的宽度大于或等于5um。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽走线包括第一屏蔽走线组和第二屏蔽走线组，所述第一屏蔽走线组包括多个第一屏蔽走线子部，所述第二屏蔽走线组包括多个第二屏蔽走线子部，所述第一屏蔽走线组和所述第二屏蔽走线组平行设置，且所述第一屏蔽走线子部和所述第二屏蔽走线子部交错设置。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽走线包括直线、不规则曲线和波浪线中的一种。10.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的阵列基板及终端主
体，所述终端主体与所述阵列基板组合为一体。

技术总结
本申请实施例公开了一种阵列基板及移动终端，阵列基板包括，衬底、第一金属层、绝缘层和第二金属层，第一金属层包括栅极、与栅极连接的第一金属走线和第一电极，第一金属走线的一端部包括连接部，连接部和第一电极的一端部相对设置，绝缘层位于连接部上方的位置设置有多个转接孔，第二金属层包括与栅极对应的源漏极、第二金属走线，第二金属走线的一端连接驱动电路，第二金属走线通过转接孔与第一金属走线连接；连接部和第一电极之间设置有屏蔽走线，屏蔽走线半包围第一金属走线的端部；本申请可以有效的防止端部相对的长走线之间在制程中积累电荷，电荷积累过多时发生ESD，使得其释放的电荷击穿绝缘层，造成原本不连接的线路之间发生短路。之间发生短路。之间发生短路。


技术研发人员：胡晓斌
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2022/7/29