一种信号线与电源线接通次序的验证方法与流程

1.本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种信号线与电源线接通次序的验证方法。


背景技术：

2.在大规模集成电路的制造过程中，如何高效且准确地进行电路的设计验证是保证产品质量的关键环节。其中，验证信号线是否比电源线先接通，是必不可少的。而现有的常规验证方法是通过目视来检查，这种方法存在检查繁琐，易出现漏检等问题。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是验证信号线是否比电源线先接通，解决传统目视检查的方法易出现漏检，且效率低等问题。本发明的目的在于对现有的人工检验的方法进行改进，提高检验效率和准确率。
4.本发明验证信号线比电源线先接通的方法，包括以下步骤：s1、将集成电路版图导出到def文件和gds文件；def文件是记录版图信息的文字文件，包括模块、线的坐标和名称等；gds文件是记录版图信息的图形文件，包括模块、线的坐标和名称等；s2、利用def文件提取有效信息至数据库x，所述有效信息包括需要验证的信号线的名称、坐标和当前坐标使用到的金属层次；s3、自动验证，并将错误结果输出；作为本发明的进一步描述，步骤s3具体包括以下步骤：s31、定义版图中所有用到的金属层次layer；s32、定义各金属层次间的连接关系；所述连接关系包括金属通过通孔连接金属，金属通过接触孔连接多晶硅，金属通过接触孔连接有源区，阱通过接触孔连接金属。
5.s33、由数据库x中的坐标信息，追踪低压mos的栅极和漏极；作为本发明的进一步描述，步骤s33包括：s331、通过数据库x中的坐标信息，以及各层次间的连接关系，能够追踪到mos管的栅极和漏极，得到图像界面；s332、判断mos管是否为低压管。
6.s34、输出低压mos的漏极和栅极使用到的金属层次信息到数据库y。
7.作为本发明的进一步描述，步骤s34包括：s341、通过步骤s33得到mos管的漏极或栅极信息，可以进一步追踪到该漏极或栅极连接的阱，判断出mos的漏极和栅极分别处于nwell或pwell；s342、根据步骤获得阱信息（nwell或pwell），追踪该阱连接的金属层次信息，由于定义了阱通过接触孔连接金属，所有可获得金属层次信息。
8.s35、将同类型阱的数据库进行“与”运算，确认是否有交集；s36、如果有交集，则输出使用到的金属层次到数据库z（文本文件）；如果没有交集，则两个阱不是连接同一个电源的，不需要进行验证；s37、判断数据库y的金属层次与数据库z的金属层次的大小；s38、若数据库y的金属层次大于数据库z的金属层次，则不符合验证条件，把数据库y的图形文件输出；若数据库y的金属层次小于数据库z的金属层次，则符合验证条件，不再输出。
9.s4、将步骤s3的错误结果进行修正，再返回步骤s1-s3，直至没有错误结果输出。
10.本发明基于自动验证方法，实现大规模集成电路的信号线与电源线接通次序的验证，提高了验证的准确率和效率。
附图说明
11.此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本技术的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：图1为本发明一实施例的验证方法的流程示意图；图2为本发明一实施例的自动验证过程的流程示意图；图3为本发明一实施例的版图剖面结构示意图。
具体实施方式
12.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
13.本发明对现有技术的改进在于，在大规模集成电路设计中，就信号线比电源线先接通的验证，实现自动检查。
14.本发明的一实施例提供一种信号线与电源线接通次序的验证方法，包括以下步骤：s1、将集成电路版图导出到def文件和gds文件；def文件是记录版图信息的文字文件，包括模块、线的坐标和名称等；gds文件是记录版图信息的图形文件，包括模块、线的坐标和名称等；s2、利用def文件提取有效信息至数据库x，所述有效信息包括需要验证的信号线的名称、坐标和当前坐标使用到的层次；s3、自动验证，并将错误结果输出；s4、将步骤s3的错误结果进行修正，再返回步骤s1-s3，直至没有错误结果输出。
15.为了能够清楚地说明本发明自动验证的原理及过程，本实施例将结合附图2进行详细说明如下：1、定义版图中所有用到的金属层次layer；2、定义各金属层次间的连接关系；连接关系包括金属通过通孔连接金属，金属通过接触孔连接多晶硅，金属通过接触孔连接有源区，阱通过接触孔连接金属。
16.3、由数据库x中的坐标信息，追踪低压mos的栅极和漏极；具体包括以下步骤：（3.1）通过数据库x中的坐标信息，以及各层次间的连接关系，能够追踪到mos管的栅极和漏极，得到图像界面；图3示出本实施例一种可能的版图结构示意图，如图所示：psub为基板，阱包括dnw、nwell、pwell，有源区包括n 、p ，m为金属层次，金属线包括gnd、vcc。
17.假设s点是经步骤s2得到的信号线坐标，由于定义了金属通过接触孔可以连接到多晶硅及有源区，所以通过s点出发可以得到mos管的漏极和栅极。
18.（3.2）判断mos管是否为低压管；把连接到栅极的mos与高压层次进行“非”计算；把连接到漏极的mos与高压层次进行“非”计算。
19.4、输出低压mos的漏极和栅极使用到的金属层次信息到数据库y。
20.图3中，虚线表示追踪漏极和栅极使用到的金属层次（m1
→
m2
→
m3
→
m2
→
m1），y文件内容记为singal m1 m2 m3 m2 m1。
21.（4.1）通过上述步骤得到的漏极或栅极信息，可以进一步追踪到该漏极或栅极连接的阱，判断出mos的漏极和栅极分别处于nwell或pwell，具体分为4中情形：case1：把连接到漏极的mos与nw层次进行“touch”操作 ，得到nwell；case2：把连接到栅极的mos与nw层次进行“touch”操作，得到nwell；case3：把连接到漏极的mos与pw层次进行“touch”操作，得到pwell；case4：把连接到栅极的mos与pw层次进行“touch”操作，得到pwell；所述“touch”操作就是判断mos的漏极和栅极处于n阱还是p阱。
22.（4.2）根据上述步骤获得阱信息（nwell或pwell），追踪该阱连接的金属层次信息，由于定义了阱通过接触孔连接金属，所有可获得金属层次信息（即粗实线的图形文件）。
23.追踪连接到case1的nwell金属输出到数据库n1（图形文件）；追踪连接到case2的nwell金属输出到数据库n2（图形文件）；追踪连接到case3的pwell金属输出到数据库p1（图形文件）；追踪连接到case4的pwell金属输出到数据库p2（图形文件）。
24.7、将同类型阱的数据库进行“与”运算，确认是否有交集；例如，将n1和n2、p1和p2进行“与”运算，确认是否有交集。
25.8、如果有交集，则输出使用到的金属层次到数据库z（文本文件）；如果没有交集，则两个阱不是连接同一个电源的，不需要进行验证；例如，输出n1（图像文件）使用到的层次到数据库z1（文本文件）；z1的文件内容记为nwell1 m1 m2 m3 m4。
26.9、判断数据库y的金属层次与数据库z的金属层次的大小；例如，y文件内容singal m1 m2 m3 m2 m1，最高层次是m3；z1文件内容nwell1 m1 m2 m3 m4，最高层次是m4；z2文件内容nwell2 m1 m2，最高层次是m2；由此，y的层次（m3）＞z2的层次（m2）；10、若数据库y的金属层次大于数据库z的金属层次，则不符合验证条件，把数据库
y的图形文件输出；若数据库y的金属层次小于数据库z的金属层次，则符合验证条件，不再输出。
27.在本发明的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本发明的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语（诸如在一般使用的词典中限定的术语）将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
28.以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。