透明显示器及其制备方法与流程

1.本发明属于显示技术领域，具体涉及一种透明显示器及其制备方法。


背景技术：

2.透明显示技术是一种新型显示技术，因其显示面板透明的特性，在特殊场合有着迫切的需求，如商场展示柜，博物馆展品柜、大型舞台及建筑媒体(如户外玻璃幕墙显示)等。透明显示技术的核心是透明显示面板，透明显示面板是一种能够显示图像的透明面板，在关闭时，面板就仿佛一块透明玻璃；当工作时，面板可以显示图像并且不会阻挡后面的物体。
3.当前的透明显示技术如透明投影膜显示器、透明oled显示器有着各自的缺点，如透明投影膜显示器亮度低，体积庞大；透明oled显示器透明度不高等。因此，现有的透明显示技术有待改进。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种透明显示器及其制备方法，该透明显示器可以有效解决现有透明显示器亮度低、厚度大、色域低等问题。
5.在本发明的一个方面，本发明提出了一种透明显示器。根据本发明的实施例，所述透明显示器包括：
6.透明基板；
7.透明阴极，所述透明阴极设在所述透明基板的表面上，并且所述透明阴极包括多个间隔布置的子透明阴极；
8.透明电子传输层，所述透明电子传输层设在所述透明阴极上远离所述透明基板的一侧表面上；
9.透明量子点层，所述透明量子点层设在所述透明电子传输层上远离所述透明阴极的一侧表面上；
10.透明空穴传输层，所述透明空穴传输层设在所述透明量子点层上远离所述透明电子传输层的一侧表面上；
11.透明阳极，所述透明阳极设在所述透明空穴传输层上远离所述透明量子点层的表面上，并且所述透明阳极包括多个间隔布置的子透明阳极，多个所述子透明阴极与多个所述子透明阳极呈角度布置，使得所述透明阴极与所述透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，
12.每个所述子透明阴极的一端设有第一块状金属电极，每个所述子透明阳极的一端设有第二块状金属电极。
13.根据本发明实施例的透明显示器，通过从下至上依次包括透明基板、透明阴极、透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层和透明阳极，其中，透明阴极包括多个间隔
布置的子透明阴极，透明阳极包括多个间隔布置的子透明阳极，每个子透明阴极的一端设有第一块状金属电极，每个子透明阳极的一端设有第二块状金属电极，且多个子透明阴极与多个子透明阳极呈角度布置，使得透明阴极与透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案，并且本技术通过将基板、阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极均采用透明材料，从而使透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
14.另外，根据本发明上述实施例的透明显示器还可以具有如下附加的技术特征：
15.在本发明的一些实施例中，所述透明基板包括玻璃、石英和树脂中的至少之一。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
16.在本发明的一些实施例中，所述透明基板的厚度为0.1-10mm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
17.在本发明的一些实施例中，所述透明阴极包括氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的至少之一。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
18.在本发明的一些实施例中，所述透明阴极的厚度为0.01-10μm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
19.在本发明的一些实施例中，所述透明电子传输层为n型透明半导体材料。
20.在本发明的一些实施例中，所述透明电子传输层包括1,2,4,5-四(三氟甲基)苯。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
21.在本发明的一些实施例中，所述透明电子传输层的厚度为10-10000nm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
22.在本发明的一些实施例中，所述透明量子点层中单量子点的尺寸为1-100nm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
23.在本发明的一些实施例中，所述量子点包括cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点和zno量子点中的至少之一，和/或，在cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点或zno量子点基础上形成的核壳结构，和/或，在cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点或zno量子点基础上形成的异质结，和/或，有机-无机杂化钙钛矿量子点，和/或，全无机钙钛矿量子点。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
24.在本发明的一些实施例中，所述透明量子点层包括一种或三种发光颜色的量子点。由此，该透明显示器可以显示出黑白或者彩色的图案。
25.在本发明的一些实施例中，所述透明量子点层的厚度为10-100nm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
26.在本发明的一些实施例中，所述透明空穴传输层为p型透明半导体材料。
27.在本发明的一些实施例中，所述透明空穴传输层为氧化锌。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
28.在本发明的一些实施例中，所述透明空穴传输层的厚度为10-10000nm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
29.在本发明的一些实施例中，所述透明阳极包括氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的至少之一。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
30.在本发明的一些实施例中，所述透明阳极的厚度为0.01-10μm。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
31.在本发明的一些实施例中，所述第一块状金属电极与所述第二块状金属电极的厚度分别独立地为10-10000nm，所述第一块状金属电极与所述第二块状金属电极分别独立地包括金、银、铝和铬中的至少之一。
32.在本发明的一些实施例中，多个所述子透明阴极与多个所述子透明阳极呈70～110
°
角布置，优选90
°
。由此，透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
33.在本发明的一些实施例中，所述多个子透明阴极与所述透明电子传输层凹凸连接。
34.在本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述的透明显示器的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：
35.(1)在透明基板的一侧表面上形成多个间隔布置的子透明阴极，并且多个所述子透明阴极构成透明阴极；
36.(2)在所述多个子透明阴极上远离所述透明基板一侧表面的一部分上依次形成透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层，并且在所述多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极；
37.(3)在所述透明空穴传输层上形成多个间隔布置的子透明阳极，并且多个子透明阳极构成透明阳极，所述多个子透明阳极与所述多个子透明阴极呈角度布置；
38.(4)在每个所述子透明阳极的一端镀第二块状金属电极，以便得到透明显示器。
39.根据本发明实施例的制备上述的透明显示器的方法，通过先在透明基板的一侧表面上形成由多个间隔布置的子透明阴极构成的透明阴极，然后在上述多个子透明阴极上远离透明基板一侧表面的一部分上依次形成透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层，并且在多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极，再在透明空穴传输层上形成由多个间隔布置的子透明阳极构成的透明阳极，且使多个子透明阳极与多个子透明阴极呈角度布置，透明阴极与透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案，最后在每个子透明阳极的一端镀第二块状金属电极，即可得到透明显示器。本技术的方法通过将基板、阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极均采用透明材料，从而使制得的透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
40.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
41.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
42.图1是根据本发明的一个实施例的透明显示器的结构主视图；
43.图2是根据本发明的一个实施例的透明显示器的结构侧视图；
44.图3是根据本发明的一个实施例的透明阴极的结构示意图；
45.图4是根据本发明的一个实施例的透明阳极的结构示意图；
5000mm，进一步优选10-1000mm。
58.根据本发明的实施例，透明阴极200设在透明基板100的表面上，并且透明阴极200包括多个间隔布置的子透明阴极201(图3)，优选地，多个子透明阴极201为相同的长方体，且平行间隔布置。更优选地，多个子透明阴极201平行且等间距布置，并且相邻两个子透明阴极201的间距为0.01-2mm。需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际需要对透明阴极200的具体类型进行选择，例如，透明阴极200包括但不限于氧化铟锡(ito)、掺氟氧化锡(fto)和掺铝氧化锌中的至少之一。同时，透明阴极200的厚度为0.01-10μm，优选0.05-1μm，进一步优选0.1-0.5μm。
59.根据本发明的实施例，透明电子传输层300设在透明阴极200上远离透明基板100的一侧表面上，且多个子透明阴极201与透明电子传输层300凹凸连接。具体的，透明电子传输层300设在透明阴极200上远离透明基板100的一侧部分表面上，并且每个子透明阴极201上至少一部分未被透明电子传输层300覆盖，优选每个子透明阴极201上未被透明电子传输层300覆盖的区域位于子透明阴极201的同一端的端部。本技术采用的透明电子传输层为n型透明半导体材料，优选1,2,4,5-四(三氟甲基)苯(tfb)。进一步地，透明电子传输层300的厚度为10-10000nm，优选20-5000nm，进一步优选100-2000nm。
60.根据本发明的实施例，透明量子点层400设在透明电子传输层300上远离透明阴极200的一侧表面上。发明人发现，量子点具有体积小、色域高、驱动电压低、亮度高和高透明等优点，从而有利于得到高透明、高亮度、高色域、厚度薄的透明显示器。进一步地，透明量子点层400中单量子点的尺寸为1-100nm，优选2-50nm，进一步优选5-30nm。具体的，透明量子点层400包括一种或三种发光颜色的量子点，由此，当透明量子点层400包括一种发光颜色的量子点时，该透明显示器可以显示出黑白图案；当透明量子点层400包括三种发光颜色的量子点时，单像素点包括红、绿、蓝三种led，三种led呈一字排列或者品字排列，从而该透明显示器可以显示出彩色图案。进一步地，透明量子点层400的厚度为10-100nm，优选20-80nm。
61.需要说明的是，上述量子点的具体类型并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，量子点包括cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点和zno量子点中的至少之一，和/或，在cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点或zno量子点基础上形成的核壳结构，和/或，在cds量子点、cdse量子点、inp量子点、cuins2量子点或zno量子点基础上形成的异质结，和/或，有机-无机杂化钙钛矿量子点，和/或，全无机钙钛矿量子点。进一步地，本领域技术人员可以根据实际需要对核壳结构、异质结的形成过程以及有机-无机杂化钙钛矿量子点和全无机钙钛矿量子点的具体类型进行选择，此处不再赘述。
62.根据本发明的实施例，透明空穴传输层500设在透明量子点层400上远离透明电子传输层300的一侧表面上。本技术采用的透明空穴传输层500为p型透明半导体材料，优选氧化锌。进一步地，透明空穴传输层500的厚度为10-10000nm，优选20-5000nm，进一步优选100-2000nm。
63.根据本发明的实施例，透明阳极600设在透明空穴传输层500上远离透明量子点层400的表面上，并且透明阳极600包括多个间隔布置的子透明阳极601(图4)，多个子透明阴极201与多个子透明阳极601呈角度布置，使得透明阴极200与透明阳极600交叉的区域通电
后形成发光区域900(参考图5理解)，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案。优选地，多个子透明阳极601为相同的长方体，且平行间隔布置。更优选地，多个子透明阳极601平行且等间距布置，并且相邻两个子透明阳极601的间距为0.01-2mm。
64.进一步地，多个子透明阴极201与多个子透明阳极601呈70～110
°
角布置。优选地，多个子透明阴极201与多个子透明阳极601呈90
°
角布置。
65.进一步地，透明阳极600的厚度为0.01-10μm，优选0.05-1μm，进一步优选0.1-0.5μm。
66.需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际需要对透明阳极600的具体类型进行选择，例如，透明阳极600包括但不限于氧化铟锡(ito)、掺氟氧化锡(fto)和掺铝氧化锌中的至少之一。
67.根据本发明的实施例，结合图2和3理解，每个子透明阴极201的一端设有第一块状金属电极700，即上述每个子透明阴极201上未被透明电子传输层300覆盖的区域且位于子透明阴极201的同一端的端部设有第一块状金属电极700。进一步地，第一块状金属电极700的厚度为10-10000nm，优选100-2000nm。需要说明的是，上述第一块状金属电极700的具体类型并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，第一块状金属电极700包括但不限于金、银、铝和铬中的至少之一。
68.根据本发明的实施例，结合图1、2和4理解，每个子透明阳极601的一端设有第二块状金属电极800。具体的，第二块状金属电极800设在每个子透明阳极601的同一端。需要说明的是，第二块状金属电极800的具体类型和厚度同于第一块状金属电极700，此处不再赘述。
69.发明人发现，本技术的透明显示器通过从下至上依次层叠透明基板、透明阴极、透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层和透明阳极，其中，透明阴极包括多个间隔布置的子透明阴极，透明阳极包括多个间隔布置的子透明阳极，每个子透明阴极的一端设有第一块状金属电极，每个子透明阳极的一端设有第二块状金属电极，且多个子透明阴极与多个子透明阳极呈角度布置，使得透明阴极与透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案，并且本技术通过将基板、阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极均采用透明材料，从而使透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
70.在本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述的透明显示器的方法。根据本发明的实施例，参考图6，该方法包括：
71.s100：在透明基板的一侧表面上形成多个间隔布置的子透明阴极，并且多个子透明阴极构成透明阴极
72.该步骤中，首先对透明基板进行清洗处理后干燥，具体的，使用清洗液对透明基板进行清洗以去除表面赃物或者有机物，然后使用去离子水去除剩余清洗液，再使用异丙醇去除剩余水分，最后将透明基板放入烤箱中进行干燥，干燥温度80-150℃，时间10-30min。需要说明的是，上述清洗液的具体类型并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如清洗液包括但不限于无水乙醇和丙酮中的至少之一。优选地，上述去离子水电阻率不小于10mω。
73.对透明基板进行清洗处理和干燥后，在透明基板的一侧表面上镀上一层透明阴极
膜。具体的，膜层方块电阻：1-10000ω，优选10-1000ω，进一步优选50-100ω。需要说明的是，上述镀膜的具体方式并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，镀膜方式可以是真空热蒸发、离子束蒸发、磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶-凝胶法、微波ecr等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积或者喷射热分解，优选采用磁控溅射进行镀膜。
74.在透明基板的一侧表面上形成透明阴极膜后对该透明阴极膜进行刻蚀，使该透明阴极膜形成多个间隔布置的子透明阴极。具体的，参考图7，该过程包括以下步骤：(s11)清洗 干燥：将上述透明阴极膜进行清洗处理后干燥，清洗和干燥的具体方式同于上文描述，此处不再赘述。(s12)涂胶：在透明阴极膜远离透明基板的一侧表面上旋涂正性光刻胶，胶厚：0.1-100μm，优选0.5-10μm，进一步优选1-5μm。(s13)前烘：将涂完光刻胶的基片放在烤箱中烘烤，以去除光刻胶中多余溶剂，烘烤温度60-90℃，时间10-30min。(s14)曝光 显影：使用光刻板(光刻板上对应设有多个间隔布置的沟槽)对涂有光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使接受到光照的光刻胶的光学特性发生改变，即光刻板上沟槽对应的光刻胶发生光化学反应，从而在光刻胶上曝光出多个间隔布置的条状图形，然后采用浸泡或喷淋显影液的方式使正胶曝光区即发生光化学反应的光刻胶溶解在显影液中，未曝光区则形成所需要的光刻图形，从而将光刻板上的图形转移到光刻胶上。具体的，上述曝光采用垂直曝光。需要说明的是，上述曝光的具体方式和显影液的具体类型并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，曝光方式可以是掩模曝光、激光直写曝光或电子束曝光；显影液只要能够满足对需要去除的那部分光刻胶溶解度大，溶解得快，对需要保留的那部分光刻胶溶解度极小即可，例如可以为四甲基氢氧化铵或乙酸正丁酯。(s15)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，优选地，去离子水电阻率不小于10mω。(s16)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，烘烤温度90-120℃，时间10-30min，由此，使未显影部分的光刻胶更加坚固，防止在接下来刻蚀工艺中胶层脱落。(s17)刻蚀：将透明阴极膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分去除掉，从而将光刻胶上的图形转移到透明阴极膜中，具体的，上述刻蚀可以采用湿法刻蚀或者干法刻蚀。具体的，当透明阴极材料为ito时，湿法刻蚀的刻蚀液可选hcl和hno3的混合水溶液(质量比hcl：hno3：h2o＝9：1：6)或者hcl和fecl3的混合水溶液(质量比hcl：h2o：fecl3＝6：4：0.5)。(s18)去胶：使用去胶液去除光刻胶，具体的，上述去胶液可以为氨水与双氧水的混合物或者丙酮等有机溶剂，去胶液温度30-50℃，优选地，上述去胶过程在超声清洗槽中进行，以达到良好的去胶效果。(s19)清洗 干燥：使用去离子水去除表面去胶液，再使用异丙醇去除剩余水分，最后将基片进行烘干，烘干温度80-120℃，时间10-30min，即可在透明基板的一侧表面上形成多个间隔布置的子透明阴极，并且多个子透明阴极构成透明阴极。
75.需要说明的是，上述透明基板和透明阴极的具体类型和厚度同于上文描述，此处不再赘述。
76.s200：在多个子透明阴极上远离透明基板一侧表面的一部分上依次形成透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层，并且在多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极
77.该步骤中，首先在多个子透明阴极上远离透明基板一侧表面的一部分上形成透明电子传输层，使得多个子透明阴极与透明电子传输层凹凸连接，且多个子透明阴极的同一
端未被透明电子传输层覆盖，然后在透明电子传输层远离多个子透明阴极的一侧表面上依次形成透明量子点层和透明空穴传输层。需要说明的是，上述透明电子传输层、透明量子点层和透明空穴传输层的具体形成方式并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，透明电子传输层的形成方式可以采用旋涂；透明量子点层的形成方式可以采用旋涂或喷墨打印；透明空穴传输层的形成方式可以采用旋涂或者镀膜的方式。镀膜的具体方式同于上文描述，此处不再赘述。
78.在形成透明空穴传输层后，在多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极，即在每个子透明阴极的未被透明电子传输层覆盖的一端形成第一块状金属电极。具体的，参考图8，形成第一块状金属电极的过程包括以下步骤：(s21)涂胶：在透明阴极的另一部分旋涂负性光刻胶优选位于子透明阴极的同一端的端部旋涂负性光刻胶，胶厚：0.1-100μm，优选0.5-10μm，进一步优选1-5μm。(s22)前烘：将涂完光刻胶的基片放在烤箱中烘烤，以去除光刻胶中多余溶剂，烘烤温度60-90℃，时间10-30min。(s23)曝光 显影：使用光刻板(同于上述形成多个间隔子透明阴极的光刻板)对涂有光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使接受到光照的光刻胶的光学特性发生改变即光刻板上沟槽对应的光刻胶发生光化学反应，从而在光刻胶上曝光出多个间隔布置的条状图形，然后采用浸泡或喷淋显影液的方式使负胶未曝光区溶解在显影液中，从而使得原本被光刻胶覆盖的那部分透明阴极裸露出来。具体的，上述曝光采用垂直曝光。需要说明的是，上述曝光的具体方式和显影液的具体类型同于上文描述，此处不再赘述。(s24)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，优选地，去离子水电阻率不小于10mω。(s25)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，烘烤温度90-120℃，时间10-30min。(s26)镀金属膜 剥离：在光刻胶和裸露的透明阴极表面镀金属膜后，使用蓝膜剥离光刻胶上的金属膜，而透明阴极上的金属膜由于粘附性较高，不易脱落，从而在透明阴极上形成第一块状金属电极。需要说明的是，上述镀膜的具体方式并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，镀膜的方式可以采用真空热蒸发、电子束蒸发、离子束溅射或磁控溅射。进一步地，上述镀膜的温度不高于300℃，优选不高于200℃，发明人发现，若镀膜温度过高，透明量子点层在高温或者离子轰击下易损坏失效。(s27)去胶：使用去胶液去除光刻胶，具体的，去胶液的类型同于上述步骤(s18)，去胶液温度30-50℃，优选地，上述去胶过程在超声清洗槽中进行，以达到良好的去胶效果。(s28)清洗 干燥：使用去离子水去除表面去胶液，再使用异丙醇去除剩余水分，最后将基片进行烘干，烘干温度80-120℃，时间10-30min，即可在多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极。
79.需要说明的是，上述透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层和第一块状金属电极的具体类型和厚度同于上文描述，此处不再赘述。
80.s300：在透明空穴传输层上形成多个间隔布置的子透明阳极，并且多个子透明阳极构成透明阳极，多个子透明阳极与多个子透明阴极呈角度布置
81.该步骤中，首先在透明空穴传输层远离透明量子点层的一侧表面上镀上一层透明阳极膜。需要说明的是，膜层方块电阻以及镀膜的具体方式同于上文描述，此处不再赘述。进一步地，上述镀膜的温度不高于300℃，优选不高于200℃，发明人发现，若镀膜温度过高，透明量子点层在高温或者离子轰击下易损坏失效。然后对上述透明阳极膜进行刻蚀，使该透明阳极膜形成多个间隔布置的子透明阳极，并且使多个子透明阳极与上述多个子透明阴
极呈角度布置，刻蚀得到的多个子透明阳极即构成透明阳极。发明人发现，通过使多个子透明阳极与多个子透明阴极呈角度布置，透明阴极与透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案。需要说明的是，对透明阳极膜进行刻蚀形成多个子透明阳极的具体步骤同于上述对透明阴极膜进行刻蚀形成多个子透明阴极的步骤，另外，多个子透明阳极与多个子透明阴极的具体角度、透明阳极的具体类型和厚度也同于上文描述，此处不再赘述。
82.s400：在每个子透明阳极的一端镀第二块状金属电极
83.该步骤中，通过在每个子透明阳极的一端镀第二块状金属电极，即可得到透明显示器。需要说明的是，形成第二块状金属电极的具体步骤同于上述形成第一块状金属电极的步骤，另外，第二块状金属电极的具体类型和厚度同于上文描述，此处不再赘述。
84.发明人发现，通过先在透明基板的一侧表面上形成由多个间隔布置的子透明阴极构成的透明阴极，然后在上述多个子透明阴极上远离透明基板一侧表面的一部分上依次形成透明电子传输层、透明量子点层、透明空穴传输层，并且在多个子透明阴极的另一部分上形成第一块状金属电极，再在透明空穴传输层上形成由多个间隔布置的子透明阳极构成的透明阳极，且使多个子透明阳极与多个子透明阴极呈角度布置，透明阴极与透明阳极交叉的区域通电后形成发光区域，从而可通过阳极扫描或者阴极扫描的方式使显示器显示想要的图案，最后在每个子透明阳极的一端镀第二块状金属电极，即可得到透明显示器。本技术的方法通过将基板、阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极均采用透明材料，从而使制得的透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
85.下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
86.实施例1
87.(1)取一块透明基板(透明玻璃)，透明基板尺寸：长l：100mm；宽w：100mm；厚h：0.5mm；
88.(2)清洗：使用清洗液(无水乙醇)对透明基板进行清洗去除表面赃物或者有机物，然后使用去离子水去除剩余溶剂，去离子水电阻率大于10mω，再使用异丙醇去除剩余水分，将透明基板放入烤箱，温度80℃，时间20min；
89.(3)形成透明阴极膜：采用磁控溅射在透明基板一侧表面镀上透明阴极膜ito，膜层厚度：0.1μm，方块电阻：约100ω。
90.(4)将透明阴极膜刻蚀成多个间隔布置的子透明阴极：
91.(4.1)清洗：使用清洗液(无水乙醇)对基片进行清洗去除表面赃物或者有机物，清洗后使用去离子水去除剩余溶剂，去离子水电阻率大于10mω，再使用异丙醇去除剩余水分，将基片放入烤箱，温度80℃，时间20min；
92.(4.2)涂胶：在透明阴极膜远离透明基板的一侧表面旋涂正性光刻胶，胶厚：4μm；
93.(4.3)前烘：涂完光刻胶的透明基板放在烤箱中烘烤，去除光刻胶中多余溶剂，温度：90℃，时间：10min。
94.(4.4)曝光 显影：使用光刻板在光刻胶上曝光出图形，曝光角度0
°
(垂直曝光)，所
用的曝光方式是掩模曝光。然后使用浸泡显影液(四甲基氢氧化铵)的方式使正胶曝光区溶解在显影液中，形成所需要的光刻图形。
95.(4.5)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，去离子水电阻率大于10mω。
96.(4.6)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，温度：110℃，时间：15min。
97.(4.7)刻蚀：对后烘完成的基片进行刻蚀，ito刻蚀液选择hcl和hno3的混合水溶液，其中hcl：hno3：h2o＝9：1：6(质量比)。
98.(4.8)去胶：在超声清洗槽中使用去胶液去除刻蚀完成的透明基板上的光刻胶，去胶液为氨水和双氧水混合物，去胶液温度45℃。
99.(4.9)清洗：使用去离子水冲洗2min去除表面去胶液，再使用异丙醇脱水。
100.(4.10)烘干：烘干温度：80℃，时间：20min。
101.(5)形成透明电子传输层：在多个子透明阴极远离透明基板一侧表面的一部分上旋涂透明电子传输层tfb，厚度500nm。
102.(6)形成量子点发光层：在透明电子传输层远离透明阴极的一侧表面上旋涂量子点发光层(量子点为cdse量子点)，单量子点尺寸10nm，量子点层厚度60nm，单像素点包括红、绿、蓝三种led，三种led呈一字排列。
103.(7)形成透明空穴传输层：在透明量子点层远离透明电子传输层的一侧表面上旋涂透明空穴传输层zno，厚度1000nm。
104.(8)在多个子透明阴极的另一部分上镀第一块状金属电极：
105.(8.1)涂胶：在基片上未被透明电子传输层覆盖的区域旋涂负性光刻胶，胶厚：3μm；
106.(8.2)前烘：涂完负性光刻胶的基片放在烤箱中烘烤，去除光刻胶中多余溶剂，温度：80℃，时间：20min。
107.(8.3)曝光 显影：使用光刻板在光刻胶上曝光出图形，曝光角度0
°
(垂直曝光)，所用的曝光方式是掩模曝光。然后使用浸泡显影液(四甲基氢氧化铵)的方式使负胶未曝光区溶解在显影液中，形成所需要的光刻图形。
108.(8.4)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，去离子水电阻率大于10mω。
109.(8.5)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，温度：110℃，时间：15min。
110.(8.6)镀金属膜：采用磁控溅射镀铝膜，膜层厚度100nm，镀膜温度不高于85℃。
111.(8.7)剥离：使用蓝膜剥离光刻胶上的金属膜，而透明阴极上的金属膜由于粘附性较高，不易脱落。
112.(8.8)去胶：在超声清洗槽中使用去胶液去除刻蚀完成的透明基板上的光刻胶，去胶液为氨水和双氧水混合物。去胶液温度45℃。
113.(8.9)清洗：使用去离子水冲洗2min去除表面去胶液，再使用异丙醇脱水。
114.(8.10)烘干：烘干温度80℃，时间20min。
115.(9)形成透明阳极膜：采用磁控溅射在透明空穴传输层远离透明量子点层的一侧表面镀上透明阳极膜ito，膜层厚度：0.1μm，方块电阻：约100ω。镀膜温度250℃。
116.(10)将透明阳极膜刻蚀成多个间隔布置的子透明阳极(子透明阳极和子透明阴极的角度为90
°
)：
117.(10.1)清洗：使用清洗液(无水乙醇)对透明基板进行清洗去除表面赃物或者有机
物，清洗后使用去离子水去除剩余溶剂，去离子水电阻率大于10mω，再使用异丙醇去除剩余水分，将透明基板放入烤箱，温度80℃，时间20min；
118.(10.2)涂胶：在透明阳极膜远离透明空穴传输层的一侧表面旋涂正性光刻胶，胶厚：4μm；
119.(10.3)前烘：涂完光刻胶的基片放在烤箱中烘烤，去除光刻胶中多余溶剂，温度：90℃，时间：15min。
120.(10.4)曝光 显影：使用光刻板在光刻胶上曝光出图形，曝光角度0
°
(垂直曝光)，所用的曝光方式是掩模曝光。然后使用浸泡显影液(四甲基氢氧化铵)的方式使正胶曝光区溶解在显影液中，形成所需要的光刻图形。
121.(10.5)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，去离子水电阻率大于10mω。
122.(10.6)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，温度：110℃，时间15min。
123.(10.7)刻蚀：对后烘完成的基片进行刻蚀，选择hcl和hno3的混合水溶液，其中hcl：hno3：h2o＝9：1：6(质量比)。
124.(10.8)去胶：在超声清洗槽中使用去胶液去除刻蚀完成的透明基板上的光刻胶，去胶液为氨水和双氧水混合物，去胶液温度45℃。
125.(10.9)清洗：使用去离子水冲洗2min去除表面去胶液，再使用异丙醇脱水。
126.(10.10)烘干：烘干温度：80℃，时间：20min。
127.(11)在每个子透明阳极的一端镀第二块状金属电极：
128.(11.1)涂胶：在完成工序10后的加工面旋涂负性光刻胶，胶厚：4μm；
129.(11.2)前烘：涂完负性光刻胶的基片放在烤箱中烘烤，去除光刻胶中多余溶剂，温度：90℃，时间：15min。
130.(11.3)曝光 显影：使用光刻板在光刻胶上曝光出图形，曝光角度0
°
(垂直曝光)，所用的曝光方式是掩模曝光。然后使用浸泡显影液(四甲基氢氧化铵)的方式使负胶未曝光区溶解在显影液中，形成所需要的光刻图形。
131.(11.4)清洗：使用去离子水去除剩余显影液，去离子水电阻率大于10mω。
132.(11.5)后烘(坚膜)：将显影完成的基片放入烤箱中，温度：110℃，时间：15min。
133.(11.6)镀金属膜：采用磁控溅射镀铝膜，膜层厚度100nm，镀膜温度不高于85℃。
134.(11.7)剥离：使用蓝膜剥离光刻胶上的金属膜，而透明阴极上的金属膜由于粘附性较高，不易脱落。
135.(11.8)去胶：在超声清洗槽中使用去胶液去除刻蚀完成的透明基板上的光刻胶，去胶液为氨水和双氧水混合物。去胶液温度45℃。
136.(11.9)清洗：使用去离子水冲洗2min去除表面去胶液，再使用异丙醇脱水。
137.(11.10)烘干：烘干温度80℃，时间20min，烘干后即可得到透明显示器。制得的透明显示器具有高透明、高亮度、高色域、厚度薄等优点。
138.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技
术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
139.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。