半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：存储堆叠结构；多个沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，所述沟道层沿第一方向贯穿并延伸出所述存储堆叠结构，其中，至少一个所述沟道结构内具有空隙；以及，第一共源极层，设置于所述存储堆叠结构上且与所述沟道层连接，所述第一共源极层接触至少一个所述空隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一共源极层采用选择性外延生长的工艺形成。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道结构还包括在所述第一方向上分别设置于所述沟道层以外和以内的功能层和绝缘层，所述功能层和所述绝缘层沿所述第一方向贯穿并延伸出所述存储堆叠结构，其中，所述功能层的顶面、所述绝缘层的顶面和所述沟道层的顶面切齐。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括设置于所述第一共源极层上的第二共源极层。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述沟道结构具有与所述第一共源极层连接的顶表面，多个所述顶表面齐平。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括停止层，所述停止层位于所述存储堆叠结构与所述第一共源极层之间。7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上形成牺牲层、停止层、存储堆叠结构以及沿第一方向贯穿所述存储堆叠结构的多个沟道结构，其中，所述沟道结构具有沿所述第一方向延伸至所述牺牲层的端部，且至少一个所述沟道结构内具有空隙；研磨去除所述衬底和所述牺牲层，并停止于所述停止层，以露出至少一个所述空隙以及所述端部的沟道层；形成与所述沟道层连接且与被露出的所述空隙接触的第一共源极层。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用选择性外延生长的工艺形成所述第一共源极层。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述端部包括牺牲结构和保留结构，至少一个所述端部的所述牺牲结构与所述空隙接触，其中，所述研磨去除所述衬底和所述牺牲层，并停止于所述停止层，以露出至少一个所述空隙以及所述端部的沟道层的步骤，具体包括：研磨去除所述衬底、所述牺牲层和所述牺牲结构，并停止于所述停止层，以露出至少一个所述空隙以及所述保留结构的功能层、沟道层和绝缘层；其中，所述功能层的顶面、所述绝缘层的顶面和所述沟道层的顶面切齐。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述形成与所述沟道层连接且与被露出的所述空隙接触的第一共源极层的步骤之前，还包括：去除所述保留结构的所述功能层和所述绝缘层。11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用化学机械研磨的方式去除所述衬底、所述牺牲层和所述牺牲结构。
12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述形成与所述沟道层连接且与被露出的所述空隙接触的第一共源极层的步骤之后，还包括：在所述第一共源极层上形成第二共源极层。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，采用炉管工艺或化学气相沉积法形成所述第二共源极层。14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一共源极层上形成第二共源极层的步骤之后，还包括：对所述第一共源极层和所述第二共源极层进行激光激活。15.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括多个第一叠层以及位于所述多个第一叠层之间的第二叠层，其中，所述第一叠层的材料包括氧化物，所述第二叠层与所述停止层的材料相同。16.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1至6任一项所述的半导体结构；以及，外围电路，所述外围电路与所述半导体结构电连接。17.一种存储系统，其特征在于，包括：如权利要求16所述的存储器；以及，控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用以控制所述存储器。

技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统，半导体结构包括存储堆叠结构、沟道结构和第一共源极层，其中，沟道结构包括沟道层，沟道层沿第一方向贯穿并延伸出存储堆叠结构，且至少一个沟道结构内具有空隙，第一共源极层设置于存储堆叠结构上并与沟道层连接，且第一共源极层接触至少一个空隙，本发明一方面可以使得后续形成的第一共源极层和第二共源极层具有良好的表面平整性和较小的厚度，降低了后续研磨工艺中减薄并抛光第二共源极层的工艺难度，另一方面也防止了第一共源极层沿相反于第一方向的第二方向在空隙内延伸而对沟道结构的电学性能造成影响，保证了半导体结构的可靠性，同时，也有效地降低了形成第一共源极层的成本。形成第一共源极层的成本。形成第一共源极层的成本。


技术研发人员：苗利娜 伍术 肖亮 李倩
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.05.05
技术公布日：2022/8/8