半导体器件及其制作方法、存储系统及电子设备与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成半导体结构以及位于所述半导体结构外围的第一介质层；形成贯穿所述第一介质层的第一沟槽，所述第一沟槽沿垂直于所述基底的纵向延伸，并露出所述基底，且环绕所述半导体结构；在所述第一沟槽中形成第一环身部；在所述第一环身部上形成第二环身部，而得到包括所述第一环身部和所述第二环身部的密封环。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一介质层的第一沟槽，具体包括：采用深槽刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成贯穿所述第一介质层的第一沟槽。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第一沟槽时，同时形成贯穿所述半导体结构的栅线缝隙。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第一环身部时，同时在所述栅线缝隙中形成共源极结构。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一环身部上形成第二环身部，具体包括：形成覆盖所述第一介质层和所述第一环身部的第二介质层；形成在所述纵向上贯穿所述第二介质层的第二沟槽，所述第二沟槽露出所述第一环身部；在所述第二沟槽中形成所述第二环身部。6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第二介质层之前，形成贯穿所述半导体结构的沟道结构；使所述第二介质层还覆盖所述半导体结构和所述沟道结构；在形成所述第二沟槽时，同时形成贯穿所述第二介质层的通孔。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第二环身部时，同时在所述通孔中形成导电结构。8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一环身部在所述基底上的正投影位于所述第二环身部在所述基底上的正投影内。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述密封环之后，去除所述基底，并露出所述密封环的端部。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在基底上形成半导体结构以及位于所述半导体结构外围的第一介质层，具体包括：在基底上形成包括交替层叠设置的多层栅极牺牲层和栅绝缘层的半导体结构；对所述多层栅极层和栅绝缘层在平行于所述基底的横向上的一端进行刻蚀，以形成台阶结构；在所述半导体结构外围形成覆盖所述基底和所述台阶结构的第一介质层；并且，在形成所述第一介质层之后，所述方法还包括：将所述半导体结构中的所述栅极牺牲层置换为栅极层；
在所述台阶结构上形成贯穿所述第一介质层的多个字线接触，所述多个字线接触分别在所述台阶结构的位置与所述栅极层电连接。11.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构；第一介质层，位于所述半导体结构外围；第二介质层，覆盖所述半导体结构和所述第一介质层；密封环，所述密封环环绕所述半导体结构，且包括在第一方向上相接触的第一环身部和第二环身部，其中，所述第一环身部贯穿所述第一介质层，所述第二环身部贯穿所述第二介质层。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：在所述第一方向上贯穿所述半导体结构的共源极结构，所述第一环身部的材质与所述共源极结构的材质相同。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：在所述第一方向上贯穿所述半导体结构的沟道结构；在所述第一方向上贯穿所述第二介质层的导电结构，所述导电结构的端部与所述沟道结构相接触，且所述第二环身部的材质与所述导电结构的材质相同。14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环身部的与所述第二环身部相接触的端面的面积，小于所述第二环身部的与所述第一环身部相接触的端面的面积。15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：共源极层，所述共源极层位于所述半导体结构和所述第一介质层背离所述第二介质层的一侧。16.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构包括：在所述第一方向上交替层叠设置的多层栅极层和栅绝缘层，所述多层栅极层和栅绝缘层在与所述第一方向正交的第二方向上的一端形成台阶结构，且所述第一介质层覆盖所述台阶结构；位于所述台阶结构上且贯穿所述第一介质层的多个字线接触，所述多个字线接触分别在所述台阶结构的位置与所述栅极层电连接。17.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括存储器和控制器，所述存储器包括权利要求11至16任一项所述的半导体器件，所述控制器耦合至所述存储器，且用于控制所述存储器存储数据。18.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求17所述的存储系统。

技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其制作方法、存储系统及电子设备，包括：在基底上形成半导体结构以及位于半导体结构外围的第一介质层；形成贯穿第一介质层的第一沟槽，第一沟槽沿垂直于基底的纵向延伸，并露出基底，且环绕半导体结构；在第一沟槽中形成第一环身部；在第一环身部上形成第二环身部，而得到包括第一环身部和第二环身部的密封环，从而，能够改善密封环端部的形貌，以提高存储器件的性能。以提高存储器件的性能。以提高存储器件的性能。


技术研发人员：尹航 吴智鹏 王人焱 雒曲 邢雨林 杨竹 徐伟 霍宗亮
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/8/16