有机金属配合物、有机光电器件及显示或照明装置的制作方法

技术特征：
1.一种有机金属配合物，其结构式如式(i)所示在式(i)中，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7独立选自氢、氘、卤素、c1～c18烷基、c1～c18烷氧基、含c1～c18烷硅基、含c1～c18烷氧硅基、c6～c40取代或未取代的芳基、c1～c40的杂芳基、c1～c60取代或未取代的杂螺环、c1～c60取代或未取代的螺环、c1～c60取代或未取代的芳基醚基、c1～c60取代或未取代的杂芳基醚基、c1～c60取代或未取代的芳基硅基、c1～c60取代或未取代的杂芳基硅基、或c1～c60取代或未取代的芳基氧硅基；优选为c1～c10烷基；更优选为c1～c5烷基；x、x1、y独立地选自c或n；所有基团可被部分氘代或全氘代。2.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其特征在于，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7独立选自氘、甲基或叔丁基。3.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其特征在于，与金属相连的原子有两个形成共价键，有两个形成配位健。4.根据权利要求1至2任一项所述的有机金属配合物，其特征在于，所述的有机金属配合物选自下列代表性结构的一种：
5.一种有机光电器件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相面对；有机功能层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述有机功能层包含权利要求1至2任一项所述的有机金属配合物。6.一种有机光电器件，包括阴极层、阳极层和有机层，该有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层或活性层、电子注入层、电子传输层中至少一层，其特征在于：该器件的任一层中含有权利要求1至2任一项所述的化合物。7.根据权利要求6所述的有机光电器件，其特征在于，所述发光层中含有所述有机金属配合物和相应的主体材料，其中所述的有机金属配合物的质量百分数在1％至50％，所述主体材料选自下列代表性结构的一种：
8.根据权利要求6所述的有机光电器件，其特征在于，所述有机光电器件为有机光伏器件、有机发光器件(oled)、有机太阳电池(osc)、电子纸、有机感光体(opc)、有机薄膜晶体管
(otft)及有机内存器件。9.一种有机光电器件，其特征在于，所述有机光电器件包括有机金属配合物和相应的主体材料，其中，所述有机金属配合物的结构式如式(i)所示在式(i)中，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7独立选自氢、氘、卤素、c1～c18烷基、c1～c18烷氧基、含c1～c18烷硅基、含c1～c18烷氧硅基、c6～c40取代或未取代的芳基、c1～c40的杂芳基、c1～c60取代或未取代的杂螺环、c1～c60取代或未取代的螺环、c1～c60取代或未取代的芳基醚基、c1～c60取代或未取代的杂芳基醚基、c1～c60取代或未取代的芳基硅基、c1～c60取代或未取代的杂芳基硅基、或c1～c60取代或未取代的芳基氧硅基；优选为c1～c10烷基；更优选为c1～c5烷基；x、x1、y独立地选自c或n；所有基团可被部分氘代或全氘代；所述主体材料选自下列代表性结构的一种：
10.根据权利要求9所述的有机金属配合物，其特征在于，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7独立选自氘、甲基或叔丁基。
11.一种显示或照明装置，其特征在于，所述的显示或照明装置含有权利要求6-7任一项所述的有机光电器件。

技术总结
本发明公开了一种有机金属配合物、有机光电器件及显示或照明装置，其中该有机金属配合物的结构式如式(I)所示在式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7独立选自氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基、C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、C1～C60取代或未取代的芳基醚基、C1～C60取代或未取代的杂芳基醚基、C1～C60取代或未取代的芳基硅基、C1～C60取代或未取代的杂芳基硅基、或C1～C60取代或未取代的芳基氧硅基；优选为C1～C10烷基；更优选为C1～C5烷基；X、X1、Y独立地选自C或N。本发明的有机金属配合物具有一定的应用价值。值。值。


技术研发人员：叶绪兵 申屠晓波 吴空物
受保护的技术使用者：宇瑞（上海）化学有限公司
技术研发日：2022.06.07
技术公布日：2022/8/22